「窒素ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

バーティカルブリッジマン法によって四硼酸リチウム単結晶を製造する装置において、酸化防止の為に窒素雰囲気中にて単結晶を育成する際に窒素が融液に吸着することによって発生する不具合である、単結晶品質の不均一化という問題を解決する。例文帳に追加

To solve the problem that the quality of a single crystal is made nonuniform and which is a nonconformity caused by adsorption of nitrogen to a melt when the single crystal is grown under a nitrogen atmosphere in order to prevent oxidation in a device for producing lithium tetraborate single crystal by a vertical Bridgman method. - 特許庁

β型炭化ケイ素を８０〜９９％、金属窒化物を１〜１０％、金属ホウ化物を０〜５％、窒素含有有機物を０〜８％、それぞれ含む原料を成形後、窒素ガス雰囲気下１８００〜２３００℃で焼結してｎ型熱電変換材料とする。例文帳に追加

After a material comprising β-type silicon carbide 80-99%, metal nitride 1-10%, metal boride 0-5%, and nitrogen-contained organics 0-80% is molded, it is sintered in a nitrogen gas atmosphere at 1800-2300°C. - 特許庁

続いて、基板を窒素プラズマ雰囲気中に曝すことによって、酸窒化シリコン膜中にさらに窒素を導入することにより、基板との界面近傍に第１のピーク濃度を有し、表面近傍に第２のピーク濃度を有する酸窒化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The gate insulating film, composed of oxynitride silicon having a first peak concentration near the interface with the substrate and having a second peak concentration near a surface, is formed by further introducing nitrogen into the oxynitride silicon film, by exposing the substrate in a nitrogen-plasma atmosphere. - 特許庁

窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源としてＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであって、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する。例文帳に追加

This method is characterized by controlling a refraction index of a formed GeN thin film through controlling a nitro-pressure, a substrate temperature, and a high frequency output, with reactive high-frequency ion plating using Ge for an evaporation source in an atmosphere of introduced nitrogen gas. - 特許庁

ゲート絶縁膜３上に、ポリシリコン膜４を被着してゲート電極５パターンにパターンニングした後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極５端部付近のゲート絶縁膜３中に新たに窒素を導入する。例文帳に追加

Nitrogen is newly introduced in the gate insulating film 3 nearby an end of the gate electrode 5 by carrying out nitriding processing in an atmosphere containing nitrogen after a polysilicon film 4 is bonded onto the gate insulating film 3 and the gate electrode 5 is patterned in a pattern and before the source-drain region 9 is formed. - 特許庁

樹脂膜を窒素雰囲気下でキュアした後、酸素、窒素、パーフルオロメタン、トリフルオロメタン、二酸化炭素およびヘキサフルオロ硫黄の中から選ばれる少なくとも１種以上のガスの存在下で該樹脂膜表面をプラズマ処理することを特徴とする樹脂膜の処理方法。例文帳に追加

In the method of processing resin film, the surface of resin film is processed with plasma under the existence of at least a kind or more kinds of gases selected from oxygen, nitrogen, purfluoromethane, trifuluoromethane, carbon dioxide and hexafluorosulfide, after the curing of the resin film under the nitrogen atmosphere. - 特許庁

製造に際しては、マルテンサイト単相またはマルテンサイトとフェライトの二相組織からなるステンレス鋼板を、所定の板厚に減厚し、窒素ガスまたは窒素ガスと還元性ガスを混合した雰囲気中においてＡc_1変態点以上に加熱、保持後、焼入する。例文帳に追加

In production, the stainless steel composed of the single phase structure of martensite, or the two phase structure of martensite and ferrite, is diminished in sheet thickness to required thickness, is heated and kept to above Ac1 transformation point in atmosphere of nitrogen gas or mixed gas of nitrogen gas and reductive gas, and thereafter is hardened. - 特許庁

メラミンとクエン酸マグネシウムを混合し、不活性雰囲気下で７００℃以上に加熱したのち、冷却し酸洗浄して得られる窒素含有炭素多孔質材料であり、窒素含有量が０．５〜３０質量％、比表面積が２００〜３０００ｍ^２／ｇである。例文帳に追加

The nitrogen-containing porous carbon material is obtained by mixing melamine and magnesium citrate, heating the mixture at ≥700°C in an inert atmosphere, cooling it and acid-cleaning it, and has a nitrogen content of 0.5-30 mass% and a specific area of 200-3,000 m^2/g. - 特許庁

チャンバの内部の空間には、窒素ガスを含有する処理ガスが供給され、当該空間の雰囲気は、圧力が５０Ｔｏｒｒ以上常圧以下となり窒素ガスの分圧が全圧の５０％以下となる状態に調整される。例文帳に追加

The space inside a chamber is supplied with processing gas containing nitrogen gas, and the atmosphere of the space is controlled to a state in which pressure falls within the range of 50 Torr or above to normal pressure or below and the partial pressure of the nitrogen gas falls within the range of ≤50% of the whole pressure. - 特許庁

希土類−遷移金属−窒素系合金主相の周囲にアモルファス相が形成され、高い磁気特性を有する二相分離型の希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末を効率的に製造できる方法、これを用いたボンド磁石用組成物、およびボンド磁石を提供する。例文帳に追加

To provide a method where two phase separation type rare earth-transition metal-nitrogen based magnet powder in which an amorphous phase is formed around the main phase of a rare earth-transition metal-nitrogen based alloy, and having high magnetic properties can be efficiently produced, to provide a composition for a bond magnet using the same, and to provide the bond magnet. - 特許庁

処理すべきチタン材を窒素ガス又は窒素ガスを含む不活性ガスの雰囲気中で高温度及び高圧力下で所定時間保持してなす熱間等方圧加圧処理からなる窒化処理を行うことによりチタン材の表面に窒化層を形成してチタン材の表面を硬化させる。例文帳に追加

The nitriding layer is formed on the surface of the titanium material so as to harden the surface of the titanium material, by applying the nitriding treatment consisting of the hot isotropic pressing treatment, in which the titanium to be treated is held for a prescribed time in the atmosphere of the nitrogen gas or the inert gas containing the nitrogen gas under condition of the high temperature and the high pressure. - 特許庁

この液膜形成のための液盛りが行われている間に、第１乾燥ガス供給口２５１ａおよび第２乾燥ガス供給口２６ａから窒素ガスが供給されて、ウエハＷ上の純水の液膜と遮断板２との間の空間の雰囲気が窒素ガスに置換される。例文帳に追加

While the liquid accumulation for forming the liquid membrane is carried out, nitrogen gas is supplied from a first drying gas supply port 251a and a second drying gas supply port 26a to replace the atmosphere of the space between the deionized water membrane on the wafer W and the shielding plate 2 with the nitrogen gas. - 特許庁

シリコン層１１の上方にハフニウムを含む絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３の上にポリシリコン層１４が形成された積層膜を形成し、積層膜を酸素と窒素が混合され、全圧が前記窒素の分圧にほぼ等しい雰囲気中で熱処理する。例文帳に追加

This production method includes: forming a laminate film in which an insulating film 13 containing hafnium is formed above a silicon layer 11 and a polysilicon layer 14 is formed on the insulating film 13; and subjecting the laminate film to heat treatment in an atmosphere produced by mixing oxygen with nitrogen and having a total pressure substantially equal to a partial pressure of the above nitrogen. - 特許庁

本発明のターゲットは、例えば酸化亜鉛粉末と窒化硼素粉末との混合し、温度範囲１０００〜１２００℃の窒素雰囲気で焼結することより得ることができる。例文帳に追加

The target can be obtained by mixing, for example, zinc oxide powder with boron nitride powder, and sintering the mixture in the nitrogen atmosphere in the temperature range of 1,000-1,200°C. - 特許庁

４８０℃〜５６０℃の温度範囲で閉管法又は開管法で亜鉛を熱拡散し、窒素、不活性ガス雰囲気または真空中で４００℃〜４２０℃、１０分〜３０分の熱処理をすること。例文帳に追加

In the temperature range of 480°C-560°C, thermal diffusion of zinc is carried out by a closed tube method or an open tube method so that heat treatment may be executed in the nitrogen, inert gas atmosphere or in vacuum at the temperature 400°C-420°C for 10 minutes-30 minutes. - 特許庁

管路Ｌ１及びカプセル３内に充填され、当該領域の雰囲気を窒素ガスに置換した後に、気流式粉砕機２にて粉砕処理された活性金属粉末をカプセル３内に自由落下させることにより移送する。例文帳に追加

The active metal powder filled in a pipeline L1 and a capsule 3 and pulverized by an air flow type pulverizer 2 after an atmosphere in these areas is replaced with nitrogen gas is carried by freely dropping into the capsule 3. - 特許庁

５００〜７００℃の温度でＭｇ蒸気を充満させた窒素雰囲気中にセラミックス粉末またはセラミックス繊維からなるプリフォームを挿入して保持し、続いてそのプリフォームを非加圧の窒素雰囲気中で７００〜９００℃の温度で溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金中に浸漬することとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

A preform made of ceramic powder or ceramic fiber is inserted and held in a nitrogen atmosphere filled with Mg vapor at from 500°C to 700°C and then the preform is immersed in aluminum or an aluminum alloy melted at from 700°C to 900°C in a non-pressurized nitrogen atmosphere to obtain the metal-ceramic composite material. - 特許庁

槽内を固形原料の殺菌又は蒸煮改質に適する温度に蒸気加熱してから、給気系２０の給気を窒素ガスの不活性ガスに切換えて槽内を不活性ガス雰囲気に置換する。例文帳に追加

The inside of the tank 3 is heated by the steam to the temperature suitable for sterilization or digestive modification of the solid raw material and then is displaced to become an inert gas atmosphere by switching the steam supplied from the system 20 to an inert gas such as a nitrogen gas. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末とほう素を含有する粉末を混合した粉末を、窒素を含む不活性の雰囲気中で熱処理することにより、窒化ほう素を作製することを特徴とする窒化ほう素粉末の製造方法を用いる。例文帳に追加

In a manufacturing method of the boron nitride powder, a powder mixture of a powder containing a metal oxide and a boron-containing powder is heat-treated in an inert atmosphere including nitrogen to prepare boron nitride. - 特許庁

粉砕粉を窒素雰囲気下で焼成することにより焼成粉を生成し、焼成粉を粉砕することにより再粉砕粉を生成し、再粉砕粉を焼結させることにより炭化珪素焼結体を生成する。例文帳に追加

The silicon carbide sintered compact is manufactured by firing pulverized powder under a nitrogen atmosphere to form fired powder, pulverizing the fired powder to form the re-pulverized powder and sintering the re-pulverized powder. - 特許庁

ジルコニアと周期表における第４族元素（但し、ジルコニウムを除く。）の酸化物との含有物を、水素含有雰囲気中、窒素含有雰囲気中又は含水雰囲気中で焼成することを特徴とするジルコニア焼結体の製造方法及びその製造方法により得られたジルコニア焼結体。例文帳に追加

This method for manufacturing the zirconia sintered compact comprises a step to sinter the substance containing zirconia and the oxide of an element (except zirconium) of group IV in the periodic table in hydrogen- containing atmosphere, a nitrogen-containing atmosphere or a moisture- containing atmosphere. - 特許庁

炭化ケイ素部材を使用して、不活性ガス雰囲気下、１１００℃を超える高温でシリコンウエハを熱処理する工程において、昇温時または降温時に、前記不活性ガス雰囲気中の窒素ガスの濃度が０．１％以上となるように雰囲気を置換する。例文帳に追加

In the process in which silicon wafers are thermally treated in an inert gas atmosphere and at a temperature over 1,100°C by using a silicon carbide member, the atmosphere is replaced so that the concentration of a nitride gas in the inert gas atmosphere becomes 0.1% or more at the time of increasing or decreasing the temperature. - 特許庁

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。例文帳に追加

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere. - 特許庁

金属Ｓｉ粉末と焼結助剤との混合物の圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより、圧粉体中の金属Ｓｉの少なくとも一部が窒化された反応焼結体を得る窒化工程Ｓ６と、反応焼結体を窒素雰囲気中で焼成することにより緻密化された最終焼結体を得る緻密化工程Ｓ７とを含む。例文帳に追加

The production method includes: a nitriding step S6 of firing the green compact of a mixture of metal Si powder with a sintering assistant in a nitrogen atmosphere to obtain a reaction sintered compact in which at least a part of the metal Si in the green compact is nitrided; and a densification step S7 of firing the reaction sintered compact in a nitrogen atmosphere to obtain a densified final sintered compact. - 特許庁

バルブメタル粉末を焼結して多孔質固体電解コンデンサ用バルブメタル焼結体を得るプロセスにおいて、窒素を含まない不活性ガス雰囲気下で焼結し、あるいはさらに引き続き窒素を含まない不活性ガス雰囲気中で冷却することによって、窒化物の生成を抑制した焼結体を得、これによって固体電解コンデンサのリーク電流を小さくする。例文帳に追加

In the process that sinters bulb metal powder to obtain a bulb metal sintered body for a porous solid electrolytic capacitor, the sintering of bulb metal powder in an inert gas atmosphere not including nitrogen, or furthermore, the following cooling in an inert gas atmosphere not including nitrogen will obtain a sintered body with a nitride product being controlled, thereby reducing leakage current of a solid electrolytic capacitor. - 特許庁

前記溶接後のドラム２に対する第１の溶体化と、前記圧延後のリング４に対する第２の溶体化とを、１〜３０％の水素を含み、雰囲気露点−４０〜−７０℃の範囲の窒素雰囲気下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、８５０℃以下の範囲の温度にて行う。例文帳に追加

The first solution heat treatment of the welded drum 2 and the second solution heat treatment of the rolled rings 4 are performed in a nitrogen atmosphere containing 1-3% hydrogen in an atmospheric dew point between -40°C to -70°C and at a temperature range of not lower than the recrystallization temperature of the maraging steel and ≤850°C. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末と、ホウ素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含む不活性雰囲気中で熱処理することによって、窒化ホウ素の微小体で構成される樹脂強化剤を得る。例文帳に追加

This resin-reinforcing material is characterized by comprising boron nitride micro bodies obtained by thermally treating a powder mixture of powder containing a metal oxide with powder containing boron in an inert atmosphere containing nitrogen. - 特許庁

金属窒化物粉末とほう素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含むガス、水素、不活性ガスの少なくとも一つから成る雰囲気中で熱処理することにより、窒化ほう素クラスターを製造する。例文帳に追加

A boron nitride cluster is manufactured by heat-treating a powder prepared by mixing a metal nitride powder and a powder containing boron in an atmosphere comprising at least one among a gas containing nitrogen, hydrogen, and an inert gas. - 特許庁

アルゴンガスあるいは窒素ガス雰囲気下において、ホウ素粉末と酸化ガリウム粉末とからなる混合粉末を１６００℃以上に加熱することにより反応させ、酸化ガリウムナノワイヤーを生成させる。例文帳に追加

The galium oxide nanowire is produced by reacting a mixture comprising a boron powder and a galium oxide powder under heating at 1,600°C or higher in an argon or nitrogen gas atmosphere. - 特許庁

金属酸化物を含有する粉末とホウ素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含む不活性雰囲気中で熱処理することによって窒化ホウ素微小体の水素吸蔵材料を得る。例文帳に追加

In the method for manufacturing the hydrogen occlusion material, the hydrogen occlusion material of boron nitride fine body is obtained by heat-treating a powder in which a powder containing a metal oxide and a powder containing boron are mixed in an inactive atmosphere containing nitrogen. - 特許庁

ＡｌＮ−Ａｌ_２Ｏ_３複合ワイヤの製造方法であり、Ａｌ粉末と酸化鉄粉末の混合粉末を窒素雰囲気中において１０００〜１４００℃で熱処理することを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing an AlN-Al_2O_3 composite wire comprises heat treating a mixed powder of an Al powder and an iron oxide powder at 1000-1400°C in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

続いて、真空中または窒素（Ｎ_2 ）などの不活性気体雰囲気中で、駆動用基板１１を正孔注入層１７Ａのガラス転移点以上の温度で例えば１０分間加熱する。例文帳に追加

Subsequently, the driver substrate 11 is heated, for example, for 10 minutes under the temperature of glass transition point or higher of the hole implanting layer 17A under the vacuum condition or under the inert gas atmosphere such as nitrogen (N_2). - 特許庁

窒化アルミニウム粉末を、可燃性ガスと搬送窒素と燃焼酸素と希釈空気により燃焼させた酸化性雰囲気下の火炎中に通して、酸化アルミニウム化した不活性保護膜を付与しながら球状化させる。例文帳に追加

Aluminum nitride powder is put through a flame in an oxidizing atmosphere obtained by combusting a flammable gas with carrier nitrogen, combustion oxygen and dilution air to spheroidize while creating an aluminum oxide inert protective membrane. - 特許庁

窒素雰囲気下、０．４℃／ｍｉｎ〜７．０℃／ｍｉｎの昇温速度で、５０℃〜１１０℃の範囲まで金属リチウムを加熱する工程を有する窒化リチウムの製造方法。例文帳に追加

This method for producing lithium nitride includes a process for heating metallic lithium to a temperature within the range of 50-110°C at a temperature elevation rate of 0.4-7.0°C/min in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

効率的な製造方法として、冷間圧延後に酸素濃度と露点を規定した窒素ガス雰囲気中で所定の温度範囲にて焼鈍するものである。例文帳に追加

The effective manufacturing method is characterized by annealing a cold-rolled titanium material in a gaseous nitrogen atmosphere of which the oxygen concentration and the dew point are prescribed, at a predetermined temperature. - 特許庁

一対の挟持ローラ６、７、第１電子線照射装置３および第２電子線照射装置４は、いずれもカバー１５、１１、１２により囲まれ、内部が窒素雰囲気となっている。例文帳に追加

The pair of clamping rollers 6, 7, the first electron beam irradiation device 3 and the second electron beam irradiation device 4 are surrounded by covers 15, 11, 12, respectively, inside of which is nitrogen atmosphere. - 特許庁

該蛍光体は、Ｍ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎからなる組成物を構成しうる原料混合物を、窒素雰囲気中１８２０℃以上２２００℃以下の温度範囲で焼成することにより製造される。例文帳に追加

A raw material mixture capable of composing a composition consisting of M, Si, Al, O, and N is baked in the temperature range of ≥1,820°C and ≤2,200°C in a nitrogen atmosphere, thus producing the phosphor. - 特許庁

前記窒化処理は、全体の６０〜８０容量％のアンモニアを含み、残部が窒素である雰囲気下、ラーソン・ミラーパラメータＰが１４．７〜１５．３の範囲となる時間と温度とを設定して、前記金属リングを加熱する。例文帳に追加

The above nitriding treatment comprises setting such a time and a temperature that the Larson-Miller parameter P is in a range of 14.7-15.3, and heating the above metal ring in the atmosphere which contains ammonia of 60-80 vol.% of the total capacity and the balance nitrogen. - 特許庁

低品位炭に金属および／または金属化合物を担持させ、これを窒素雰囲気下で４００℃以上、９００℃未満の温度範囲で加熱焼成して炭化処理することにより、多孔質炭からなる触媒を得ること。例文帳に追加

The method for manufacturing the catalyst for hydrocracking heavy hydrocarbons comprises the steps of: depositing a metal and/or a metal compound on lower grade coal; heating/burning the coal deposited in a nitrogen atmosphere in a temperature range of ≥400°C and <900°C; and carbonizing the heated/burned coal to obtain porous coal being the catalyst. - 特許庁

ＲＴＡ処理における雰囲気ガスに含まれる窒化ガスを０．０５％以上０．５％未満、又は１ｓｃｃｍを越えて１０ｓｃｃｍ以下の範囲として、この窒素量により析出量をコントロールする。例文帳に追加

Precipitation quantity is controlled by the nitrogen quantity of the nitride gas contained in the ambient gas of RTA (Rapid Thermal Annealing) processing, wherein the nitride gas is in the range of 0.05% or more and less than 0.5%, or more than 1 sccm (standard cubic centimeter per minute) and 10 sccm or less. - 特許庁

窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。例文帳に追加

In an atmosphere of one kind or multiple kinds of gas selected from nitrogen, hydrogen, and an inert gas, a laser beam is radiated with an oxide film removed from a surface in order to form a crystalline semiconductor film having a planarized surface. - 特許庁

時刻ｔ７でトリメチルガリウム及びトリメチルアルミニウムの供給を停止して成膜を停止した後に、速やかに、成長炉へアンモニア及び水素の供給を停止すると共に窒素の供給を開始して、成長炉のチャンバ中においてアンモニア及び水素の雰囲気を窒素の雰囲気に変更する。例文帳に追加

After the supply of the trimethyl gallium and trimethyl aluminum is stopped at time t7 to stop the film deposition, the supply of the ammonium and hydrogen to the growth furnace is promptly stopped and nitrogen begins to be supplied to change an atmosphere of ammonium and hydrogen into an atmosphere of nitrogen in a chamber of the growth furnace. - 特許庁

ゲート電極間を埋め込む層間絶縁膜として、水素を多量に含むＳＯＧ(Spin-on Glass)を塗布する工程と、窒素雰囲気中で第１の温度にて第１の焼成を行う工程と、コンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホール形成後に、窒素雰囲気中もしくは希釈スチーム中で前記第１の温度よりも高温である第２の温度にて第２の焼成を行う工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method comprises a step of applying SOG(spin-on glass) much containing hydrogen to form a layer insulation film filling gaps between gate electrodes, a step of firstly baking at a first temperature in nitrogen atmosphere, a step of forming contact holes, and a step of secondly baking at a second temperature higher than the first temperature in nitrogen atmosphere or dilute steam after forming the contact holes. - 特許庁

薄膜１１は、薄膜が１．０×１０^8〜１．０×１０^12Ω／□の表面抵抗を呈するように、不活性ガスと窒素の混合物から成るガスの雰囲気の不活性ガスと窒素の混合比を調整しつつ、該ガスの雰囲気中で金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより基板１０の表面に形成される。例文帳に追加

The thin film 11 is formed on the surface of the substrate 10, while the mixing ratio between inert gas and nitrogen in an atmosphere of gas composed of a mixture of inert gas and nitrogen is controlled in such a manner that the thin film shows the surface resistance of 1.0×108 to 1.0×1012 Ω/square, by executing sputtering using a metallic oxide target in the atmosphere of the gas. - 特許庁

帯電防止プラスチック成形体を、窒素雰囲気の密閉容器内で２５℃、２４時間放置後、前記窒素雰囲気の有機ガス濃度の総量が、１００ｐｐｂ以下となるように上記帯電防止プラスチック成形体を脱有機ガス処理することを特徴とするクリーンルーム内部材の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the member in the clean room is characterized by allowing an antistatic plastic molded product to stand in a hermetically sealed vessel in a nitrogen atmosphere at 25°C for 24 h and then subjecting the plastic molded product to a treatment for removing the organic gases so that the total concentration of the organic gases in the nitrogen atmosphere is ≤100 ppb. - 特許庁