「窒素ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

有機物が収納されたコンテナを搬送可能な搬送部と、該コンテナで搬送されてくる有機物を窒素置換により作製した無酸素閉鎖密閉雰囲気下において低温間接加熱により熱分解させる加熱分解炉とを備え、コンテナに上記加熱分解炉内の熱を該コンテナ内へと熱移動させるヒートパイプを設けてなる。例文帳に追加

This device is provided with a transporting part capable of transporting the container, in which the organic materials are housed, and the pyrolytic furnace for pyrolyzing the organic materials transported by the container under an oxygen free tightly closed atmosphere generated by nitrogen replacement by a low temp. indirect heating and a heat pipe F for moving the heat in the pyrolytic furnace to the inside the container is disposed in the container. - 特許庁

窒素雰囲気下、９，９−ジエチル−９−Ｈ−フルオレン−２−イルボロン酸と４，４’−ジブロモ−２，２’−ビピリジンを反応して得た化合物と４，４’−ジカルボン酸−２，２’−ビピリジン、塩化ルテニウムを高温下暗黒で反応し、ＳｅｐｈａｄｅｘＬＨ−２０のカラムを使用して、溶離、単離、精製してルテニウム錯体を得る。例文帳に追加

The ruthenium complex is provided by reacting 9,9-diethyl-9-H-fluoren-2-yl boronic acid with 4,4'-dibromo-2,2'-bipyridine to obtain a compound, reacting the compound with 4,4'-dicarboxylic acid-2,2'-bipyridine and ruthenium chloride in the dark at a high temperature, and then eluting, isolating and purifying with a Sephadex LH-20 column. - 特許庁

炭素前駆体としてのポリアミック酸樹脂１と、鋳型粒子としての酸化マグネシウム２とを混合有するステップと、この混合物を窒素雰囲気中１０００℃で１時間熱処理してポリアミック酸樹脂を熱分解させるステップと、得られた試料を１ｍｏｌ／ｌの割合で添加された硫酸溶液で洗浄して、ＭｇＯを溶出させるステップと、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The method of producing the porous carbon comprises the steps of: mixing a polyamic acid resin 1 as a carbon precursor with magnesium oxide 2 as a casting mold particles; thermally decomposing the polyamic acid resin by heating the mixture at 1,000°C for 1 h in a nitrogen atmosphere; cleaning the resultant sample with a sulfuric acid solution added in a ratio of 1 mol/1 to elute MgO. - 特許庁

窒素雰囲気下で２，８−ジブロモ−５，１０，１０，１１，１１−ペンタメチル−１０，１１−ジヒドロジベンゾジシラアゼピンまたは３，９−ジブロモ−５，７−ジシラ−６−オキサ−５，５，７，７，１２−ペンタメチル−５，６，７，１２−テトラヒドロジベンゾ［ｂ，ｇ］アゾシンとビス（トリメチルスタニル）チオフェンとをトルエンに溶解させる。例文帳に追加

In a nitrogen atmosphere, 2, 8-dibromo-5, 10, 10, 11, 11-pentamethyl-10, 11-dihydrodibenzodisilazepine or 3, 9-dibromo-5, 7-disila-6-oxa-5, 5, 7, 7, 12-pentamethyl-5, 6, 7, 12-tetrahydrodibenz[b, g]azocine, and bis(trimethylstannyl)thiophene are dissolved into toluene. - 特許庁

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas. - 特許庁

平均粒子直径５〜５０μｍの金属ケイ素粒子５０〜８５質量％と、軟化温度４００〜１０００℃のガラス質中空粒子５〜３０質量％と、有機バインダ１０〜２０質量％とを含む成形体を窒素雰囲気中で熱処理することにより金属ケイ素を実質的に窒化ケイ素とする窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造法。例文帳に追加

The method for manufacturing the silicon nitride honeycomb filter comprises a step of substantially changing metal silicon into silicon nitride by heat-treating in a nitrogen atmosphere a molded body containing the metal silicon particles of average diameters of 5-50 μm at 50-85 mass%, hollow glass particles having softening temperatures of 400-1,000°C at 5-30 mass%, and an organic binder at 10-20 mass%. - 特許庁

本発明に係る不揮発性半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の表面に窒素と酸素を有する雰囲気で熱処理を行う工程と、前記シリコン基板上にボトム絶縁膜６を形成する工程と、前記ボトム絶縁膜上に窒化膜７を形成する工程と、前記窒化膜上にトップ酸化膜８を形成する工程と、を具備する。例文帳に追加

The manufacturing method of the nonvolatile semiconductor device comprises a process wherein heat treatment is effected on the surface of a silicon substrate 1 under an atmosphere having nitrogen and oxygen, a process wherein a bottom insulating film 6 is formed on the silicon substrate, a process wherein a nitride film 7 is formed on the bottom insulating film, and a process wherein a top oxide film 8 is formed on the nitride film. - 特許庁

鉄合金、アルミニウム合金またはチタン合金を母材とした被処理物を、窒素ガスと水素ガスとを主成分とするグロー放電により発生させたプラズマ雰囲気中で、揺動または振動させつつ窒化し、上記被処理物の最表面層に鉄の窒化物、アルミニウムの窒化物またはチタンの窒化物を均一に生成させることを特徴とする被処理物のプラズマ窒化装置および窒化方法。例文帳に追加

Regarding the plasma nitriding device and nitriding method for a workpiece, a workpiece using an iron alloy, an aluminum alloy or a titanium alloy as a base material is nitrided while being rocked or vibrated in a plasma atmosphere generated by glow discharge essentially consisting of gaseous nitrogen and gaseous hydrogen, and the nitride of iron, the nitride of aluminum or the nitride of titanium is uniformly formed on the outermost surface layer of the workpiece. - 特許庁

次に、炭化炉２から排出されたリン化合物の炭化物を冷却器３に導いて窒素流通雰囲気下で冷却した後、表面剥離装置４としての篩装置に導いてリン化合物の粒子同士の接触によりその表面を剥離させて、高濃度のリン含有炭化物すなわちリン化合物を得る方法である。例文帳に追加

Then, the carbonized material of the phosphorus compound discharged from the carbonization furnace 2 is led to a cooler 3, cooled under a nitrogen circulation atmosphere, and then led to a sieve device as a surface peeling device 4, the surface is peeled by the contact of the particles of the phosphorus compound with each other, and high-concentration phosphorus-containing carbonized material, that is the phosphorus compound, is obtained. - 特許庁

磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。例文帳に追加

In this plasma processing method, after the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) is subjected to the etching process, processing is carried out for exposing the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) subjected to the etching process into the plasma atmosphere of a gas mixture having a gas containing hydrogen gas or at least hydrogen atoms and also having oxygen gas or nitrogen gas. - 特許庁

導電性薄膜４のテクスチャー構造を形成するに当たり、アルミニウムを含有したＡｇを原材料として用い、かつ真空成膜プロセスを使用し、窒素を含有する雰囲気下で成膜することにより、アルミニウムとＡｇとの反応性の違いを利用してテクスチャー構造を有する導電性薄膜を形成する方法である。例文帳に追加

In the forming method, when a texture structure of a conductive thin film 4 is formed, Ag containing aluminum is used and a vacuum deposition process is used to form the film in an atmosphere containing nitrogen, thereby forming the conductive thin film having the texture structure using a difference in reactivity between aluminum and Ag. - 特許庁

主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレ−トであるポリエステル（Ａ）と、メタキシリレン基含有ポリアミド（Ｂ）とからなるポリエステル組成物であって、前記メタキシリレン基含有ポリアミド（Ｂ）を２６０℃で窒素雰囲気下に加熱処理した際のゲル化時間が３時間以上であることを特徴とするポリエステル組成物。例文帳に追加

The polyester composition which comprises (A) a polyester having the main repeating unit of ethylene terephthalate and (B) a m-xylylene group-containing polyamide, is characterized in that the above m-xylylene group- containing polyamide (B) has a gelation time when heat-treated at 260°C under a nitrogen atmosphere, of 3 hours or longer. - 特許庁

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。例文帳に追加

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere. - 特許庁

酸素過剰の雰囲気において、アンモニアの存在下に窒素酸化物を還元するとともに、一酸化炭素および炭化水素を酸化除去するための触媒を酸化ジルコニウムを主成分とし、鉄およびタングステンを含有する担体に、イリジウムおよびロジウムから選ば れた少なくとも１種の金属と、前記担体に対する質量比で０．００５〜０．０２５％のパラジウムとを担持した触媒で構成する。例文帳に追加

The catalyst for reducing nitrogen oxide and oxidizing/removing carbon monoxide and hydrocarbons in the presence of ammonia in the oxygen-excess atmosphere, is obtained by depositing at least one metal selected from iridium and rhodium, and palladium of 0.005-0.025 mass% of a carrier on the carrier which is based on zirconium oxide and contains iron and tungsten. - 特許庁

（ａ）金属酸化物担体に金属硝酸塩水溶液を吸収させる工程（ｂ）乾燥する工程（ｃ）還元ガス雰囲気下で、金属硝酸塩を還元処理する工程（ｄ）工程（ｃ）で生成するガスから窒素酸化物ガスを除去する工程（ｅ）工程（ｄ）で精製した還元ガスを工程（ｃ）にリサイクルする工程 前記金属酸化物担体がＮiＯ、ＣoＯ、ＣeＯ_2、ＺrＯ_2、Ａl_2Ｏ_3、ＳiＯ_2、ＴiＯ_2、ＢaＯ、ＭgＯから選ばれる１種以上の酸化物、または複合酸化物である。例文帳に追加

The metal oxide carrier is one or more oxides selected from NiO, CoO, CeO_2, ZrO_2, Al_2O_3, SiO_2, TiO_2, BaO and MgO or a multiple oxide. - 特許庁

基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer made of a material containing silicon on a substrate; forming a second layer containing metal and nitrogen on the first layer; and exposing the second layer to active species that is obtained from atmospheric plasma containing a reducing gas. - 特許庁

Crを含むNi基合金を、二酸化炭素ガスならびに一酸化炭素ガス、窒素ガスおよび炭化水素ガスの中から選択される少なくとも１種のガスからなる混合ガス雰囲気下で加熱してNi基合金表面にクロム酸化物からなる酸化被膜を形成させることを特徴とするNi基合金の製造方法。例文帳に追加

The production method of the Ni-based alloy is characterized in that the Ni-based alloy containing Cr is heated in a gaseous mixture atmosphere composed of carbon dioxide and at least one kind selected from carbon monoxide, gaseous nitrogen and gaseous hydrocarbon and an oxide film composed of a chromium oxide is formed on the surface of the Ni-based alloy. - 特許庁

浸炭方法は、６６体積％以上７４体積％以下の濃度の一酸化炭素と、一酸化炭素を除くガスに占める割合が５０体積％以上１００体積％未満である水素と、一酸化炭素を除くガスに占める割合が０より大きく５０体積％未満である窒素とを含む雰囲気で鋼を浸炭する浸炭工程を備えている。例文帳に追加

The carburization method comprises a carburization stage where a steel is carburized in an atmosphere comprising: carbon monoxide with a concentration of, by volume, 66 to 74%; hydrogen whose ratio occupied in gas other than carbon monoxide is 50 to <100%; and nitrogen whose ratio occupied in the gas other than carbon monoxide is >0 to <50%. - 特許庁

本発明によるＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線方法は、酸素、窒素、炭素などからなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物の前駆体ガスが存在する雰囲気下で基板素材上にモリブデン層を蒸着する段階と、前記モリブデン層の上にアルミニウム層を蒸着する段階とを含む。例文帳に追加

The aluminum wiring forming method for the substrate for the TFT LCD includes a step to vapor deposit a molybdenum layer on a substrate raw material under an atmosphere in which precursor gases of either one or more impurities selected from a group comprising oxygen, nitrogen, carbon and so on are present, and a step to vapor deposit an aluminum layer on the molybdenum layer. - 特許庁

【解決手段】 鋼成分として質量％で、Ｃ：０．０５％以上を含有する鋼にＡｌを主体とするめっきを施した鋼板を使用して自動車部材を熱間プレス法で製造するに際し、プレス前の加熱雰囲気中の窒素を９５体積％以下とすることを特徴とする高強度自動車部材の熱間プレス方法。例文帳に追加

In the hot pressing method of a high-strength automobile member by using a steel plate in which steel containing, by mass, ≥ 0.05% C is subjected to plating mainly consisting of Al, the nitrogen content in the heating atmosphere before the pressing is ≤ 95 vol.%. - 特許庁

石炭灰に重量比で炭素源／石炭灰が０．１以上３．０以下となるように炭素源を混合する混合工程と、前記混合工程で得られた混合物を窒素が存在する雰囲気下で５００℃以上１７００℃以下の温度で加熱する加熱工程と、を有することを特徴とする石炭灰の改質化方法。例文帳に追加

The method of modifying the coal ash comprises a mixing step for mixing carbon to the coal ash in a ratio (carbon source)/(coal ash) of ≥0.1 and ≤3.0 and a heating step for heating the mixture obtained in the mixing step at ≥500°C and ≤1,700°C under a nitrogen existing atmosphere. - 特許庁

上記で課題とされる製造方法において、当該部品の銅ろう付け加熱と、焼入れのための加熱とを、該部品の加熱温度を当該合金鋼のＡｒ１点以下にする中間冷却を介して連なげ、且つこれらの加熱をグラファイトマッフル内に供給された窒素等の中性ガス雰囲気下で行う。例文帳に追加

In this producing method, the heating for copper-brazing concerned part and the heating for hardening are successively performed through an intermediate cooling for making the heating temperature of the being ≤Ar_1 point of the alloy steel part, and these heating processes are performed under neutral gas, such as nitrogen, supplied into a graphite muffle. - 特許庁

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma. - 特許庁

プラズマＣＶＤ装置の反応室１０内にシラン系化合物等を導入してウェハー５上に反射防止ＳｉＯＮ膜を成膜後、該成膜工程終了後に窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で反射防止ＳｉＯＮ膜を所望の温度で熱処理し、反射防止ＳｉＯＮ膜のＫｒＦレーザ光吸収特性を安定化させる。例文帳に追加

A silane compound or the like is introduced into the reaction chamber 10 of a plasma CVD device to form an antireflection SiON film on a wafer 5, and the antireflection SiON film formed on the wafer 5 is thermally treated at a required temperature in an inert gas atmosphere of nitrogen gas or the like so as to be kept stable in KrF laser beam absorption characteristics after a film forming process is finished. - 特許庁

半田槽２内に半田吹き口、例えばチップ吹き口11と仕上げ吹き口12を備えた半田付け装置１において、窒素ガス等の不活性ガスの導入により半田槽２内の半田表面より上方の雰囲気Ａにおける酸素濃度を極めて低い濃度に、しかも槽２内の半田表面全体にわたって均一に、低減することができ、よって溶融半田１０の酸化をより有効に抑制しうるようにする。例文帳に追加

To reduce an oxygen density in an atmosphere above a solder surface in a solder tank to an extremely low density evenly across the entire solder surface in the tank by lead-in of inert gas such as nitrogen gas, whereby effectively restraining oxidation of the molten solder in a soldering device equipped with a solder blow port, a chip blow port, and a finish blow port in the solder tank. - 特許庁

Ｗ膜２６によって構成された容量素子の下部電極の上部に酸化タンタル膜２８によって構成された容量絶縁膜を堆積した後、水素＋亜酸化窒素混合ガス雰囲気中でアニールを行うことにより、Ｗ膜２６の酸化を抑制しつつ、酸化タンタル膜２８を改質・結晶化する。例文帳に追加

After a capacity insulting film structured of a tantalum oxide film 28 is deposited on the upper part of the lower electrode of a capacity element structured of a W film 26, annealing is connected in a hydrogen plus nitrous oxide mixed gas ambience, thereby restricting oxidization of the W film 26, while modifying and crystallizing the tantalum oxide film 28. - 特許庁

振動発生器６の振動は加振棒７を介してオリフィス５近傍の溶湯に振動を付与することで、この一定量の溶湯を均一なサイズに分断し、液滴８として窒素ガス雰囲気で満たされた凝固チャンバ９内に排出され、凝固チャンバ９内で凝固した液滴がはんだボール１０となる。例文帳に追加

A vibration generator 6 imparts a vibration to the molten in the vicinity of the orifice 5 through a shaking rod 7 thus dividing the specified quantity of molten into liquid drops 8 of uniform size which are then discharged into a solidification chamber 9 filled with nitrogen gas atmosphere and solidified to produce solder balls 10. - 特許庁

少なくとも分圧、一時的に窒素分圧を有する雰囲気中で焼結することによって、バルク領域へ向かって内方へ延出する略均一な厚さを有する非層状のバインダ濃縮ゾーンを有した焼結されたままの基体３０が形成され、コーティングされた超硬合金工具２０及びその作成方法を提供する。例文帳に追加

There are provided a cemented carbide tool 20 and a method for forming the same in which a base substance 30 having the non-layered binder concentration zone having a substantially uniform thickness extending inwardly toward a bulk region as sintered is formed by being sintered in the atmosphere having at least the partial pressure, temporarily nitrogen partial pressure to be coated. - 特許庁

また、本発明に係る改質炭素素材の製造方法は、窒素、酸素、硫黄のようなヘテロ原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している、天然由来の素材からなる高分子物質を、不活性ガス雰囲気中で、５００℃〜１０００℃の温度で焼成して炭素素材を形成する工程と、該炭素素材にマイクロ波を照射する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the modified carbon material includes a process for forming the carbon material by firing a polymer material of natural origin having atomic groups containing a heteroatom such as nitrogen, oxygen or sulfur in the main chain or the side chain at 500-1,000°C under an inert gas atmosphere and a process for irradiating the carbon material with microwaves. - 特許庁

前記芯鞘型複合繊維は、ＪＩＳ Ｋ ７１９６の熱機械分析法で測定した芯成分の軟化点が鞘成分の軟化点より２０℃以上低い芯鞘型複合繊維で、前記芯成分が、窒素雰囲気下、１０℃／分の昇温速度で加熱する示差熱分析法で融点ピークを生じない実質的に非晶質のポリマーからなるものが好ましい。例文帳に追加

The sheath-core type conjugate fiber has ≥20°C lower softening point of the core component than the softening point of the sheath component measured by thermomechanical analysis of JIS K 7196 and the core component is preferably a substantially amorphous polymer having no melting- point peak measured by differential thermal analysis at 10°C/min heating rate in nitrogen atmosphere. - 特許庁

樹脂及び、（Ａ）窒素含有化合物及び、（Ｂ）ＴＧＡによる不活性ガス雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎで常温から６００℃まで加熱した時の、５０重量％の重量減少時の温度と５重量％の重量減少時の温度の差が４０〜１００℃である五価のリン化合物からなる難燃性樹脂組成物。例文帳に追加

The flame-retardant resin composition comprises a resin, (A) a nitrogen-containing compound and (B) a pentavalent phosphorus compound having a difference of 40-100°C between the 50% weight loss temperature and the 5% weight loss temperature when heated from ordinary temperature to 600°C at a temperature-raising rate of 10°C/min as measured by TGA in an inert gas atmosphere. - 特許庁

ガラス基板２上に透明電極３，絶縁層３，有機層５及び背面電極６を順次積層した後、所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中にて、両電極３，６間に所定の逆バイアス電圧を印加することで、少なくとも背面電極６が透明電極３に接触している部分を透明電極３から剥離させる電圧印加工程を有している。例文帳に追加

The manufacturing method has a voltage application process for sequentially stacking the transparent electrode 3, an insulation layer 3, the organic layer 5 and the back electrode 6 on the glass substrate 2, and thereafter separating a part where at least the back electrode 6 is in contact with the transparent electrode 3 from the transparent electrode 3 by applying a reverse bias voltage between both electrodes 3 and 6 in a nitrogen environment having a predetermined oxygen concentration. - 特許庁

シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。例文帳に追加

A silicon thermal oxide film 21 formed on a surface of a silicon substrate 11 is thermally nitrided in an atmosphere (for example, an ammonia atmosphere) including nitrogen and hydrogen to form a silicon nitride oxide film 22 at least on a surface of a part of the silicon thermal oxide film 21 by nitriding the silicon thermal oxide film 21, and a dangling bond of an interface between the silicon substrate 11 and the silicon thermal oxide film 21 is terminated by hydrogen. - 特許庁

本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。例文帳に追加

A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維にＴｉＯ__2粉末、ＭｇＯ粉末、ＴｉＣ粉末またはＴｉＮ粉末の少なくとも１種を添加し、それを混合したセラミックス粉末またはセラミックス繊維でプリフォームを形成し、そのプリフォームにマトリックスである溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させることとした金属-セラミックス複合材料の製造方法、例文帳に追加

The metal/ceramic composite material is manufactured by adding at least one kind of TiO2 powder, MgO powder, TiC powder and TiN powder into ceramic powder or a ceramic fiber, which is a reinforced material, and mixing to form a perform from the ceramic or the ceramic fiber and infiltrating molten aluminum or the aluminum alloy of a matrix into the perform in a nitrogen atmosphere under non-pressure. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末でプリフォームを形成し、そのプリフォームに溶融した金属を浸透させる金属−セラミックス複合材料の製造方法において、該セラミックス粉末が、Ｓｉ粉末を含むセラミックス粉末であり、そのセラミックス粉末で形成したプリフォームに窒素雰囲気中で７００℃以上の温度でアルミニウム合金を溶融して非加圧浸透法で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

In this method for producing a metal-ceramics composite material, a preform is formed by ceramics powder as a reinforcing material, and molten metal is permeated into the preform, the ceramics powder contains Si powder, and the preform formed by the ceramics powder is permeated with an aluminum alloy melted at ≥700°C in a nitrogen atmosphere by a non-pressure permeation method. - 特許庁

シリコンと、アルミニウムまたはアルミニウム合金とから構成され、かつ、ヤング率が１００ＧＰａ以上で、室温から４００℃の間での線熱膨張係数が１０×１０^−６／℃以下であるシリコン−アルミニウム複合金属であって、該シリコン−アルミニウム複合金属が、シリコン粉末の体積充填率が５０〜７０％である充填体または成形体に、溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を、マグネシウム蒸気を含む窒素雰囲気中の７００〜１０００℃の温度下で非加圧浸透させることにより得られることを特徴とするシリコン−アルミニウム複合金属。例文帳に追加

Further, the silicon-aluminum composite metal is obtained by infiltrating, under no pressure, molten aluminum or an aluminum alloy into a filled body or molded body of 50 to 70% volume filling ratio of silicon powder at 700 to 1,000°C in a nitrogen atmosphere containing magnesium vapor. - 特許庁

（ａ）蛍光体を構成する少なくとも１種の金属元素及び少なくとも１種の付活元素Ｍ^１とを溶融させて、これらの元素を含む合金溶湯を得る融解工程、（ｂ）該合金溶湯を不活性ガス中で微細化する微細化工程、（ｃ）該微細化した合金溶湯を凝固させる凝固工程、及び、（ｄ）該凝固させて得られた合金粉末を窒素含有雰囲気下で焼成する焼成工程 合金の粉砕工程における不純物の混入を防止して、輝度の高い蛍光体を、原料金属から蛍光体の製造までを一貫した工程として、工業的に有利に製造することができる。例文帳に追加

Mixing of impurities in the pulverization step of the alloy is prevented and a phosphor having high luminance can be industrially advantageously produced by the process throughout from the raw material metals to the production of the phosphor. - 特許庁

セラミックス粉末でプリフォームを形成し、そのプリフォームに溶融したアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させる金属−セラミックス複合材料の製造方法において、セラミックスがアルミナ系のセラミックス粉末であっても、加工面に存在する５００μｍ以上のポアの数が従来より大幅に減少する複合材料を作製することができる金属−セラミックス複合材料の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ceramic/metal composite material by which a composite material where the number of pores of ≥500 μm existing in a working face can be remarkably reduced as compared with that in a conventional one can be produced even if alumina ceramic powder is used as the ceramics. - 特許庁

原料粉末またはその成形体に対し炭素を近接配置した状態とし、窒素ガス含有雰囲気中で焼成することにより、Ｂａ、ＳｒおよびＣａの少なくとも１種からなる第１成分と、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、ＴｉおよびＨｆの少なくとも１種からなる第２成分とを金属元素成分として含む酸窒化物ペロブスカイトを生成させる酸窒化物生成工程を有する電子放出材料の製造方法。例文帳に追加

In a method for fabricating an electron emitting material, raw powder or its mold is baked in a nitrogen gas containing atmosphere in a state located near carbon, wherein the method includes an oxynitride producing process for producing oxynitride perovskite containing a first component composed of at least one kind of Ba, Sr and Ca and a second component composed of at least one kind of Ta, Zr, Nb, Ti and Hf as metallic element components. - 特許庁

ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）３０〜８０重量％、ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）１０〜４０重量％、平均粒子径１．２μｍ以下の焼成カオリン（Ｃ）と非繊維状無機充填材（Ｄ）から構成された無機フィラー０．１〜４０重量％からなるポリエステル樹脂組成物であって、窒素雰囲気下２７０℃で１０分間放置したときの重量減少率が５重量％未満の離型剤（Ｅ）を（Ａ）〜（Ｄ）の合計１００重量部に対して０．０１〜１．０重量部含む光反射体用ポリエステル樹脂組成物。例文帳に追加

This polyester resin composition also contains 0.01-1.0 pt.wt., based on a total of 100 pts.wt. of the components(A) to (D), of a releasant(E) less than 5 wt.% in weight reduction percentage when left to stand at 270°C for 10 min in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

セラミックス粉末またはセラミックス繊維でプリフォームを形成し、そのプリフォームに溶融したアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させる金属−セラミックス複合材料の製造方法において、溶融したアルミニウム合金の浸透速度をさらに早めることができると共に、プリフォームに肉厚部分があってもその肉厚部分にも浸透したアルミニウム合金を行き渡らせることができる金属−セラミックス複合材料の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ceramic/metal composite material by which the infiltration rate of a molten aluminum alloy can be increased and, even if a preform has a thick part, the infiltrated aluminum alloy can be penetrated into the thick part as well. - 特許庁

金属シリサイド膜の形成方法は、表面にシリコン部分を有する基板を準備する工程（ステップ１）と、窒素を含有する金属化合物を成膜原料として用いたＣＶＤによりシリコン部分の表面に金属膜を成膜する工程（ステップ２）と、その後、基板に水素ガス雰囲気でアニールを施して金属膜とシリコン部分との反応により金属シリサイドを形成する工程（ステップ３）とを有する。例文帳に追加

The forming method of the metal silicide film has a step 1 for preparing a substrate having the silicon part on a surface, a step 2 for forming the metal film on a surface of the silicon part by CVD using the metal compound including nitrogen as the film forming raw material, and a step 3 for forming the metal silicide by reaction of the metal film and the silicon part by annealing the substrate under hydrogen gas atmosphere. - 特許庁

超臨界状態のアルゴン、二酸化炭素または窒素を雰囲気流体とする密閉容器内に炭素源となる原料化合物を供給しつつ、前記密閉容器内に設けられた２つの電極に電圧を印加することで前記２つの電極間に生起させた放電プラズマによって前記原料化合物を分解し、前記２つの電極のうちの少なくとも一方の電極上に膜状の炭素材料を形成する炭素材料の製造方法。例文帳に追加

In this method of manufacturing a carbon material, while a feed compound as carbon source is supplied in a closed vessel in which argon, carbon dioxide or nitrogen in supercritical state is contained as an ambient fluid, discharge plasma is generated by applying a voltage between the two electrodes set in the closed vessel and the feed compound is decomposed by the discharge plasma and a membranal carbon material is formed at least on one of the two electrodes. - 特許庁

シリコン基板１０の素子領域１４に、ハロゲン元素又はアルゴンを選択的に導入する工程と、シリコン基板１０を、減圧下又は窒素若しくは希ガスにより希釈された雰囲気でウェット酸化することにより、素子領域１６にシリコン酸化膜２４を、領域１４にシリコン酸化膜２４より厚いシリコン酸化膜２２を、それぞれ形成する工程とを有する製造方法により半導体装置を製造する。例文帳に追加

The semiconductor device is fabricated by a process of selectively introducing halogen element or argon to an element region 14 of a silicon substrate 10 and a process of forming a silicon oxide film 24 over an element region 16 and a silicon oxide film 22, which is thicker than film 24, over the element region 14 by wet oxidation of the substrate 10 under the reduced pressure or the diluted atmosphere by nitrogen or rare gas. - 特許庁