「窒素ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

ベニコウジ色素またはベニコウジ色素で染色した食品または化粧品を、脱酸素剤存在下、酸素濃度１０％以下、窒素濃度９０％以上の雰囲気下、または減圧条件下で保存する。例文帳に追加

Monuscus color or a food or a cosmetic dyed with Monuscus color is preserved in the presence of an oxygen scavenger in an atmosphere having ≤10% oxygen concentration and ≥90% nitrogen concentration or under reduced pressure. - 特許庁

窒素酸化物を含有する被処理ガスを、３４０℃以上、酸素濃度８％以下の雰囲気下、且つ炭素存在下において、Ｉａ族金属水酸化物を主成分とする脱硝剤に接触させる。例文帳に追加

The gas to be treated containing nitrogen oxides is brought into contact with a denitration agent based on a hydroxide of a Group Ia metal in an atmosphere with a temperature of 340°C or higher and an oxygen concentration of 8% or less in the presence of carbon. - 特許庁

本法では、肉、魚や野菜類などの食材を、酸化防止ガス、例えばアルゴン、窒素ガスなどのガス雰囲気中で加熱調理することで、表面が軟らかくなるなど良好な品質を有する調理食材を得ることができる。例文帳に追加

This method for cooking a food material comprises cooking the food material such as meat, fish and vegetables in a gas atmosphere of anti-oxidant gas, for instance, argon and nitrogen gas so as to obtain the cooking food material having excellent quality such as having a soft surface. - 特許庁

容器のヘッドスペース内の不活性ガスによるガス置換が置換部５において行われ、液体窒素充填部６においても不活性ガスの側方からの吹き付けによって充填雰囲気が低酸素濃度に維持される。例文帳に追加

A gas substitution is implemented with the inert gas in the head space of the container in a gas substitution section 5, and a filled atmosphere is kept in a low oxygen concentration by laterally spraying the inert gas also in a liquid nitrogen filling section 6. - 特許庁

遷移金属又は遷移金属の合金を含む基材からなる基層１３と、基材を窒素雰囲気下で窒化して得られた窒化層１４とを備え、窒化層１４は開裂１５を有する。例文帳に追加

A base layer 13 made of a base material containing transition metal or an alloy of transition metal and a nitrided layer 14 obtained by nitriding a base material under a nitrogen atmosphere are provided, of which, the nitrided layer 14 has a cleavage 15. - 特許庁

しかる後に、不純物を打ち込んだ低濃度領域（６０４ａ）を窒素雰囲気中で温度が約３００℃の条件で約１時間の熱処理を行なって、不純物を活性化する。例文帳に追加

After that, the low-concentration region (604a) implanted with impurities is subjected to heat treatment at about 300°C for about 1 hour in a nitrogen atmosphere, and thereby the impurities are activated. - 特許庁

成形工程では、前記のようにして結着剤により被覆した軟磁性合金を、窒素雰囲気中にて成形圧力１６００ＭＰａで加圧成形することにより、成形体を形成する。例文帳に追加

In the molding process, the soft magnetic alloy coated with the binder is press-molded under a molding pressure of 1,600 MPa in a nitrogen atmosphere to form a molding. - 特許庁

この多孔質体の内部に触媒含有溶液を含浸した後、多孔質体を窒素雰囲気中で再焼結して緻密化し、緻密焼結体（傾斜複合材）とする。例文帳に追加

After a catalyst-containing solution is impregnated into the inner part of the porous body, the porous body is resintered in a nitrogen atmosphere and densified into a dense sintered compact (functionally gradient composite material). - 特許庁

シリコン半導体基板１の上にアルミニウムを含むペーストを塗布し、酸素と窒素の分圧の和が１０ｋＰａ以下の雰囲気中で加熱することによってペーストを焼成してアルミニウム電極層８を形成する。例文帳に追加

The upper section of the substrate 1 is coated with a paste comprising aluminum, the paste is baked in an atmosphere in which the sum of the partial pressure of oxygen and nitrogen reaches 10 kPa or less, and the aluminum electrode layer 8 is formed. - 特許庁

窒素雰囲気下での５％重量減少温度が３００℃以上である滑剤及び環状オレフィン付加重合体を含有し、ガラス転移温度が２３０〜４００℃である樹脂組成物を溶融成形して成形体を得る。例文帳に追加

The molded product is obtained by carrying out melt molding of a resin composition having 5% weight reduction temperature of ≥300°C under nitrogen atmosphere, containing a lubricant and a cycloolefin addition polymer and having 230-400°C glass transition temperature. - 特許庁

酸素過剰雰囲気下でも十分な窒素酸化物浄化が可能な、排ガス浄化用触媒とその製造方法および浄化方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a catalyst for cleaning an exhaust gas which is capable of sufficiently cleaning a nitrogen oxide even under an oxygen-rich atmosphere as well as a method for manufacturing the catalyst and a method for cleaning an exhaust gas. - 特許庁

接着熱処理は熱処理室の温度を１１００℃を越える温度にし、酸化速度の遅い窒素ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気中で行う。例文帳に追加

The bonding and heat-treating process is conducted in a heat treatment chamber in an atmosphere of a mixed gas of a nitrogen gas and an oxygen gas and of a slow oxidation speed at over 1100°C. - 特許庁

青酸を重合して得られる重合物であるアズルミン酸を不活性ガス雰囲気中で４００〜３０００℃で加熱処理した後に、賦活処理して窒素含多孔体を得る。例文帳に追加

Azulmic acid which is a polymer obtained by polymerizing hydrocyanic acid is heat-treated at 400-3,000°C in an inert gas atmosphere and then subjected to activation treatment to obtain the nitrogen-containing carbon porous body. - 特許庁

リンス処理が行われた後は、前記空間が窒素ガス雰囲気に維持されたまま、所定の高回転速度でウエハＷが回転されて当該ウエハＷが乾燥する（図４（ｃ）参照）。例文帳に追加

After rinsing, with the space kept as nitrogen gas atmosphere, the wafer W is rotated at a specified high rotational speed so that the wafer W is dried (refer to figure 4(c)). - 特許庁

本発明の圧延方法は、鉱油、合成油および油脂から選ばれる少なくとも１種の基油を含有する圧延油を用い、窒素濃度８０〜１００容量％の雰囲気中で金属材料を圧延することを特徴とする。例文帳に追加

In the rolling method, rolling oil containing at least one of base oil selected from mineral oil, synthetic oil, and oil and fat is used to roll a metal material in an atmosphere of having a nitrogen concentration of 80 to 100 vol.%. - 特許庁

窒化アルミニウム又は窒化珪素を主体とするセラミック体と銅板との接合を、窒素雰囲気下の焼成によって、接合強度を維持しつつ、縁部の未接合部分を著しく軽減させて行うこと。例文帳に追加

To reduce the unjoined part of edge parts remarkably and to keep the joining strength at the same time by carrying out the joining of a ceramic body consisting essentially of aluminum nitride or silicon nitride to a copper plate by firing in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

リフロー半田付け装置において炉内の窒素ガス中の酸素濃度を所望の値に維持できる炉内雰囲気管理方法及びそれを実現するリフロー半田付け装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for management of an in-furnace atmosphere by which the oxygen atmosphere in gaseous nitrogen in a furnace of reflow soldering equipment is kept at a desired value and reflow soldering equipment which realizes the method. - 特許庁

本発明においては、成形体を窒化硼素製容器又は窒化硼素で内張りされた容器に入れ、窒素体積分率が８０％以上の非酸化性ガス雰囲気中、温度１８００℃以上で焼結することが好ましい。例文帳に追加

In this method, it is preferable that the formed body is charged in a vessel made of boron nitride or lined with boron nitride and sintered at a temperature of ≥1,800°C in a non-oxidizing gas atmosphere wherein the volume percentage of nitrogen is ≥80%. - 特許庁

特に前記加熱処理は真空中にて２００〜５００℃で加熱処理する第１の工程と、前記第１の工程の後に窒素ガス雰囲気中にて４５０〜８５０℃で加熱処理する第２の工程とを含むことで効率よく製造できる。例文帳に追加

Especially an efficient production can be achieved by performing the heat treatment comprising the first heat treating step at 200 to 500°C in vacuum and subsequently the second heat treating step at 450 to 850°C in a nitrogen gas atmosphere. - 特許庁

重合性ビニル系単量体を重合させて得られた樹脂粒子の表面を含窒素芳香族化合物に由来する重合体で被覆した後、不活性ガスの雰囲気下で焼成する。例文帳に追加

The method for producing the hollow carbon particle includes steps for coating a surface of a resin particle obtained by polymerizing a polymerizable vinyl-based monomer with a polymer derived from a nitrogen-containing aromatic compound, and sintering the resin particle in an inert gas atmosphere. - 特許庁

本発明の殺菌剤の好適例においては、該抽出物は、モモタマナの葉を水又はエタノールを用い、８０〜１００℃且つ窒素雰囲気下で抽出した抽出物である。例文帳に追加

Preferable example of the germicidal agent is the extract obtained by extracting the leaves of the Terminalia catappa L. with water or ethanol at 80-100°C in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

そして、気体送出部４３から送出される窒素ガスの流量を調整することにより、所望の粒径の２次微粒子を所望の速度にて基板９上の所望の範囲に向けて噴射することができる。例文帳に追加

By controlling the flow rate of the nitrogen gas fed out from the gas feeding part 43, the secondary microparticles with the desired grain diameter can be emitted at the desired speed toward a desired range on the substrate 9. - 特許庁

高純度ケイ素を酸素濃度低減下の雰囲気中又は真空中で加熱溶融し、窒素ガスと１４００℃以上１５５０℃未満で反応させるα−窒化ケイ素単結晶の合成方法である。例文帳に追加

The method for synthesizing the α-silicon nitride single crystal comprises heating and melting high purity silicon under an atmosphere containing oxygen in a reduced concentration or under vacuum and then reacting the silicon with gaseous nitrogen at a temperature of ≥1,400 and <1,500°C. - 特許庁

窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。例文帳に追加

First thermal treatment (750°C) is performed in a nitrogen atmosphere to self-aligningly form silicide films 31, 32 and 33 (thickness: 30 nm each) on a gate region, a source region, and a drain region, respectively. - 特許庁

窒素雰囲気下での熱処理により、コンタクトホール１２ａ底部のＴｉ膜１ａとＳｉを反応させてＣ５４相ＴｉＳｉ_2 層３を形成する。例文帳に追加

A Ti film 1a on the bottom of the contact hole 12a is allowed to react with Si through a heat treatment using a nitrogen atmosphere, so as to form a C54-phase TiSi2 layer 3. - 特許庁

この投入ノズル３によれば、別の設備を用いて袋体１５内を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気下とする必要がなく、投入ノズル３の取り付け時の作業効率が問題となることもない。例文帳に追加

By the throwing-in nozzle 3, another equipment to make inner gas (nitrogen gas) atmosphere in the bag 15 is not necessitated, and the working efficiency in attachment of the throwing-in nozzle 3 is good. - 特許庁

雰囲気遮断板３０を基板Ｗに近接させて基板Ｗを回転させつつ、その下面から処理液や窒素ガス等を供給して洗浄や乾燥等の処理を行う。例文帳に追加

While the atmosphere shield plate 30 is brought closer to the substrate W and the substrate W is rotated, the processing liquid and gaseous nitrogen, etc., are supplied from the lower surface and the processings of washing and drying, etc., are performed. - 特許庁

相分離処理材3に加圧状態で窒素雰囲気中で熱処理を施して、Fe相11中のFeを窒化してα”Fe_16N_2相を生成することで磁性体4が得られる。例文帳に追加

A phase separation processing member 3 is subjected to a heat treatment under a pressurized state in a nitrogen gas atmosphere in order to nitride Fe in the Fe phase 11, generate a α"Fe_16 N_2 phase and obtain the magnetic substance 4. - 特許庁

スタックトキャパシタＳＣ形成後、シリコン基板１を、窒素雰囲気中で、例えばランプ加熱により５００〜８００℃に急速に加熱して、約３〜６０秒間のＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）を行う。例文帳に追加

After a stacked capacitor SC is formed, a silicon substrate 1 is rapidly heated to 500 to 800°C inside the nitrogen atmosphere by lamp heating, for example, and Rapid Thermal Annealing(RTA) for about 3 to 60 sec is performed. - 特許庁

貯蔵室５内を−１０℃から−５℃の弱冷凍温度帯に設定するとともに、この貯蔵空間内を減圧、あるいは酸素と窒素を分離することで低酸素濃度雰囲気に調整する手段２５を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

A storage chamber 5 is set to the weak freezing temperature zone from -10 °C to -5 °C, and has a means 25 for providing a storage space with a low oxygen concentration atmosphere by reducing a pressure or separating oxygen and nitrogen. - 特許庁

次に、窒素雰囲気にてキセノンエキシマレーザを本体部の側面、即ち電極層１２及び２２が露出していた面に照射することにより、塗膜を構成するパーフルオロポリエーテルを本体部の側面と結合させる。例文帳に追加

Next, a xenon excimer laser is given to the side of the main part in a nitrogen atmosphere, namely, a surface where electrode layers 12 and 22 are being exposed, so as to joint a per fluoro poly ether forming the coating film with the side of the main part. - 特許庁

シースヒータ３の使用に際し、チューブ７内部は低酸素・高窒素雰囲気となり、発熱コイル９表面にはＡｌＮの連続膜が形成される。例文帳に追加

In using the sheath heater 3, the inside of the tube 7 is kept in a low-oxygen high-nitrogen atmosphere, and an AlN continuous film is formed on a surface of the heating coil 9. - 特許庁

窒素雰囲気下の高温・高圧での焼成を必要とせず、高い熱伝導率と強度を有する高熱伝導窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high heat-conductive silicon nitride-based sintered product having high heat conductivity and high strength without requiring a sintering process at a high temperature and at a high pressure in a nitrogen atmosphere, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

（１）窒素含有率が１質量％以上（２）不活性ガス雰囲気下で３００℃から５００℃まで昇温した際の質量減少率が５０％以内例文帳に追加

The polymer satisfies the conditions of: (1) ≥1 mass% of a nitrogen content; and (2) ≤50% of a mass reduction rate when elevating a temperature from 300-500°C under an inert gas atmosphere. - 特許庁

本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。例文帳に追加

A method of manufacturing a piezoelectric thin film with an aluminum nitride thin film containing scandium, includes a sputtering process wherein sputtering is carried out with aluminum and scandium in an atmosphere including at least nitrogen gas. - 特許庁

上記管状窒化アルミニウムは、原料として、繊維状アルミナを用い、窒素ガス雰囲気下、１６００℃〜１９００℃で、還元窒化することで製造することができる。例文帳に追加

The tubular aluminum nitride can be manufactured by using fiber-like alumina as a raw material and reduction-nitriding at 1,600-1,900°C under a nitrogen gas atmosphere. - 特許庁

この急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理時に、ＲＴＡ装置２１の炉内雰囲気を、窒素を含むように、ガスＧを流入させるのが好ましい。例文帳に追加

It is desirable that gas G is made flow in so that furnace atmosphere of the RTA device 21 includes nitrogen when a rapid heating/rapid freezing (RTA) processing is performed. - 特許庁

また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。例文帳に追加

By applying a reverse sputtering treatment and a heat treatment under nitrogen atmosphere to the buffer layer, the buffer layer having the higher conductivity than that of the oxide semiconductor layer can be formed. - 特許庁

乾式冷却装置３内が窒素雰囲気であり、竪型乾留炉２と乾式冷却装置３との接続部分が二重の遮断弁で遮断されていることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the dry cooling device 3 has nitrogen atmosphere, and a connecting part of the vertical carbonization furnace 2 and the dry cooling device 3 is intercepted by double shut-off valves. - 特許庁

外部からはんだ付け処理部へ塵埃等が入らないようにすると共に、はんだ付け処理部内から外部への窒素ガス等の雰囲気の漏洩を防止できるようにする。例文帳に追加

To provide a soldering device which prevents dust from entering the soldering processing part from the outside and which also prevents the atmosphere such as nitrogen gas from leaking to the outside from the inside of the soldering processing part. - 特許庁

加熱成形方法により得られたガラス光学部材３０に対して行うガラス光学部材の熱処理方法において、熱処理を窒素ガス（Ｎ_２）等の非酸化性ガスの雰囲気中で行う。例文帳に追加

In the heat-treatment method of an optical glass member performed for a glass optical member 30 which is obtained by a heat-forming method, heat-treatment is performed in an atmosphere of a non-oxidizing gas such as nitrogen gas (N_2). - 特許庁

炭素短繊維を連続的に抄造することにより得られた炭素繊維紙に、熱硬化性樹脂を含浸した後、加熱プレス成形し、窒素雰囲気下１２００℃以上で焼成する炭素電極基材の製造方法。例文帳に追加

This carbon electrode material is manufactured by impregnating a carbon fiber paper, which is obtained by continuously sheet-forming the carbon short fibers into a sheet of paper, with the thermosetting resin, and pressing for formation, while heating, and burning it under the nitrogen atmosphere at 1,200°C or more. - 特許庁

窒素雰囲気中で黒鉛製坩堝１２内を1700℃〜2750℃に熱することにより、原子オーダーのレベルで平坦（平坦度〜0.3nm）な面が従来よりも高速（エッチング速度200〜300μm/hour）に得られる。例文帳に追加

The crucible 12 is heated in a range from 1,700°C to 2,750°C under a nitrogen atmosphere to obtain a planarized surface at an atomic level (planarity of about 0.3 nm) at a higher speed (etching rate of 200-300 μm/hour) than that in a prior method. - 特許庁

窒素雰囲気下、１７００℃以上で焼結する態様、混合物における焼結助剤の含有量が１〜５重量％である態様、熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・°Ｋ以上である態様、等が好ましい。例文帳に追加

The embodiment in which the molding is sintered at ≥1,700°C in a nitrogen atmosphere, the embodiment in which the content of the sintering assistant in the mixture is 1 to 50 wt.%, the embodiment in which the thermal conductivity is ≥180 W/M.°K, etc. are more preferable. - 特許庁

次に、６００℃の窒素雰囲気中で６時間熱処理を行い、非晶質シリコン層５ａを結晶化して結晶シリコン層５ｂに変換する（ステップ２０４）。例文帳に追加

Then an amorphous silicon layer 5a, having a thickness of 1 μm, is formed on the Ni layer (step 203), and the silicon layer 5a is crystallized into a crystalline silicon layer 5b by heat-treating the layer 5a for six hours in a nitrogen atmosphere, maintained at 600°C (204). - 特許庁