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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 窒素ふん囲気に関連した英語例文

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窒素ふん囲気の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 903



例文

なお、この薄膜の膜質は、上記の所定の雰によって決まり、この所定の雰を構成する体には、酸素や窒素及びこれらの混合体、水蒸が考えられる。例文帳に追加

The property of the thin film is decided depending upon the predetermined atmosphere, and an oxygen, a nitrogen and their mixed gas and steam are considered as the gas for constituting the predetermined atmosphere. - 特許庁

そして、上方導入管24から処理チャンバ11内に窒素ガスが導入されるとともに、処理チャンバ11内の雰がウエハ周口26から急速に排されて、処理チャンバ11内の雰が上方導入管24から導入される窒素ガスの雰に短時間で置換される。例文帳に追加

Then, nitrogen gas is introduced from an upper introducing pipe 24 into a treating chamber 11, the atmosphere inside the treating chamber 11 is rapidly exhausted from a wafer peripheral exhaust port 26, and the atmosphere inside the treating chamber 11 is replaced with the atmosphere of the nitrogen gas introduced from the upper introducing pipe 24 in a short time. - 特許庁

アンモニアガス雰下または窒素ガス雰下で、密封容器内に、粉砕用ボールと、所定の金属を含む金属酸化物から成る化合物の粉末と、アルカリ金属の窒化物の粉末とを封入する。例文帳に追加

Balls for pulverization, the powder of a compound composed of a metal oxide including a prescribed metal and the powder of the nitride of an alkali metal are sealed into a sealing vessel in an ammonia gas atmosphere or in a nitrogen gas atmosphere. - 特許庁

反応容器101内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液103を形成し、該混合融液103と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物110を結晶成長させる場合に、反応容器101内の体雰を、少なくとも窒素を含む物質と不活性体との混合体とする。例文帳に追加

When a mixed melt 103 is formed from an alkaline metal and a substance containing at least a group III metal in a reaction vessel 101, and a group III nitride 110 constituted of the group III metal and nitrogen is grown from the mixed melt 103 and a substance containing at least nitrogen, the atmosphere in the reaction vessel 101 is constituted of a mixed gas of the substance containing at least nitrogen and an inert gas. - 特許庁

例文

第1の溶体化と第2の溶体化とは、1〜10%の水素を含み、雰露点−7〜0℃の窒素下、前記マルエージング鋼の再結晶温度以上、850℃以下の範の温度にて行う。例文帳に追加

The first and second solid solution treatments are applied under the nitrogen atmosphere containing 1-10% hydrogen with the dew point of the atmosphere -7 to 0°C, and in the temperature range not lower than the recrystallization temperature of the maraging steel and ≤850°C. - 特許庁


例文

金属を含むタンパク質を、窒素中、又はアルゴン雰中、水素等の還元性ガスを含む還元性雰中、若しくは、不活性ガスに水蒸や二酸化炭素を加えた雰中で加熱することで炭化させて得られる一酸化炭素触媒。例文帳に追加

The carbon monoxide catalyst is obtained by carbonization through heating protein containing metal in a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a reducing atmosphere containing reducing gas such as hydrogen, or an atmosphere of inert gas mixed with water vapor or carbon dioxide. - 特許庁

炭化水素を還元剤として酸素過剰の雰下に窒素酸化物を還元するにあたり、幅広い温度範で高い窒素酸化物の除去性能を得ると共に、未反応の炭化水素の排出をも低減しうる排ガス浄化方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide an exhaust emission control method and a device that can ensure high removal performance for nitrogen oxides in a wide temperature range and also reduce the emission of unreacted hydrocarbon, in reducing nitrogen oxides under an oxygen-rich atmosphere with the use of hydrocarbon as a reducing agent. - 特許庁

例えば、熱処理を1ppm以上の酸素又は/及び窒素を含む雰下又は大下で、母材自体の少なくとも1種の構成元素の酸化反応又は窒化反応の最低温度以上の温度で行なう。例文帳に追加

For example, the heat treatment is carried out under the atmosphere containing ≥1 ppm oxygen or/and nitrogen or under the air atmosphere at a temperature not lower than the lowest temperature in the oxidizing reaction or nitriding reaction of at least one constituent element of the base material itself. - 特許庁

本発明の窒化アルミニウムの製造方法は、アルミニウム粉末を窒素ガス圧が103〜200KPaの窒素ガス雰中に保持し、500〜1000℃で窒化反応を進行させる窒化アルミニウムの製造方法であって、アルミニウム粉末が浮遊した状態で窒化反応を完結させることを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of aluminium nitride comprises holding aluminium powder in a nitrogen atmosphere having a nitrogen pressure of 103-200 KPa, and proceeding a nitriding reaction at 500-1,000°C, wherein the nitriding reaction is finished in a state where the aluminium powder is suspended. - 特許庁

例文

SiO_2換算として0.02wt%以上、2wt%未満の酸素を含み、比表面積が0.5m^2/g以上である窒化ケイ素質粉末原料を窒素あるいは窒素/水素の非酸性雰下にて、温度1400℃以上で熱処理することを特徴とする窒化ケイ素質粉末の製造方法。例文帳に追加

For the method for manufacturing a silicon nitride-based power, the raw material contains oxygen in the range of ≥0.02 wt.%, <2 wt.% in SiO2 conversion and has a specific surface area of ≥0.5 m2/g, is characteristically heated above 1,400 degree C in the non-acidic atmosphere of nitrogen or nitrogen/hydrogen. - 特許庁

例文

上記シリコンウェーハを100%酸素雰下又は酸素と窒素の混合雰下、1130〜1200℃の温度で1分〜6時間熱処理する。例文帳に追加

The silicon wafer is heat- treated for one minute to 6 hours at a temperature of 1130 to 1200°C under an atmosphere of 100% of oxygen of under an atmosphere mixed oxygen with nitrogen. - 特許庁

次いで乾燥した粉末混合物を溶融温度以上(575℃)に加熱し、さらに窒素下で数時間575℃で加熱を続ける(この溶融プロセスは減圧雰で行ってもよい)。例文帳に追加

The dried powder mixture is heated at the melting temperature (575°C) or higher and further continued to be heated at 575°C for several hours under nitrogen atmosphere(this melting process may be carried out under reduced pressure atmosphere). - 特許庁

シリコーンゴムに黒鉛粉末と窒化硼素を混合したものを所要の形状に賦形後、酸化雰下で380℃まで昇温して焼成し、更に窒素下で1100℃まで昇温して焼成する。例文帳に追加

A mixture obtained by mixing graphite powder and boron nitride in silicone rubber is shaped in required shape, then fired at a temperature raised to 380°C in an oxidizing atmosphere, and further baked at a temperature raised to 1100°C in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

窒素ガスとアンモニアガスの混合ガス雰中で、ホウ素と窒素と酸素とからなる化合物の蒸の存在の下に、硫化亜鉛双晶ナノウィスカーを加熱することによって窒化ホウ素で被覆された硫化亜鉛ナノ構造物を形成する。例文帳に追加

A zinc sulfide nanostructure coated with boron nitride is formed by heating zinc sulfide twin crystal nanowhiskers in the presence of a vapor of a compound comprising boron, nitrogen, and oxygen in an atmosphere of a mixed gas of a nitrogen gas and an ammonia gas. - 特許庁

塵芥収集車1は、(i)圧縮空を前記ガス分離膜モジュール29に供給することにより、そのモジュールで窒素ガスを発生させ、(ii)発生した窒素ガスを前記荷箱11内に供給することで、荷箱内を防爆雰に維持するように構成されている。例文帳に追加

The refuse collecting vehicle 1 (i) supplies the compressed air to the gas separator membrane module 29 to generate nitrogen gas, and (ii) supplies the generated nitrogen gas into the cargo box 11 to keep the inside of the cargo box at an explosion-proof atmosphere. - 特許庁

鉄を酸素、並びに窒素を含む体雰中で加熱溶融して得られる「酸窒化鉄」のような酸素・窒素含有鉄化合物が、水に混合されてなる混合液や、この混合液を静置して得られる上澄み液を主成分とする健康飲料である。例文帳に追加

The health drink consists mainly of mixture liquid produced by adding an oxygen/nitrogen-containing iron compound such as "iron oxynitride" obtained by fusing iron in gaseous atmosphere containing oxygen and nitrogen to water or a clear supernatant liquid obtained by still standing the same. - 特許庁

層間絶縁膜3を形成した状態の半導体基板SBをチャンバー内に収容し、大量の窒素ガスをチャンバー内に導入してチャンバー内の空等をパージし、チャンバー内の雰ガスを窒素ガスに置換する。例文帳に追加

A semiconductor substrate SB having an interlayer insulating film 3 formed thereon is accommodated in a chamber, and a large quantity of a nitrogen gas is introduced into the chamber to purge air or the like in the chamber and to replace an atmospheric gas in the chamber with a nitrogen gas. - 特許庁

ヤシ殻活性炭を4000ppmの一酸化窒素を含む不活性ガス雰下で、800℃で3時間熱処理することにより、窒素を原子比で0.3〜0.6%、酸素を原子比で0.7〜1.2%含有する多孔質炭素を製造し、電二重層キャパシタ用の電極材料とする。例文帳に追加

Porous carbon containing 0.3 to 0.6 atom% nitrogen and 0.7 to 1.2 atom% oxygen is manufactured by carrying out a heat treatment on palm shell activated carbon at 800°C for three hours in an inert gas atmosphere containing 4,000 ppm nitrogen monoxide to provide the electrode material for the electrode for electric double layer capacitor. - 特許庁

テーブル1の下方には、試料Sを挟んでビーム導入管2の先端と対向するようにイオンビームの電流測定用ファラディカップを設け、これに窒素ガス導入管を接続し、試料の下面からファラディカップまで空間の空を排除して窒素ガス雰を形成する。例文帳に追加

A Faraday cup for measuring the current of the ion beam is installed oppositely to the head of the beam introduction pipe 2 across the sample S under a table 1, and a nitrogen gas introduction pipe is connected thereto, and the air in the space from the under surface of the sample to the Faraday cup is evacuated to form a nitrogen gas atmosphere. - 特許庁

酸化アルミニウム層または酸窒化アルミニウム層を形成する工程の前に、アルミニウムを窒素下で熱処理することにより、前記アルミニウムと窒素を反応させて前記窒化アルミニウム粉末を製造する工程を備えていてもよい。例文帳に追加

A process for producing the aluminum nitride powder by heat treating aluminum in a nitrogen atmosphere to react the aluminum with nitrogen may be provided before the process for forming the aluminum oxide layer or the aluminum oxynitride layer. - 特許庁

金属珪素粉末と、窒化促進元素を有する水溶性化合物の水溶液又はアルコール溶液を混合して成形し、該成形体を窒素ガス中、又は窒素ガスを含む非酸化性雰中で反応焼結を行う窒化珪素反応焼結体の製造方法。例文帳に追加

In the production method for a silicon nitride reaction sintered compact, a metallic silicon powder is mixed with an aqueous solution or an alcohol solution of a water-soluble compound having a nitriding acceleration element and molded; and the resultant molded product is reaction sintered in a non-oxidative atmosphere containing a nitrogen gas. - 特許庁

処理室5内を、空窒素)よりも密度の低い体の雰としたので、電子線管から照射される電子線が到達する距離を長く、また、到達する範を広くすることができる。例文帳に追加

Since there is the gas with density lower than the air (nitrogen) in the process chamber 5, the attainable length of the electron beam from the electron beam tube is made long or its attainable range is made large. - 特許庁

なお、酸素元素含有雰を構成するのはオゾンあるいは活性酸素であり、不活性元素含有雰を構成するのは窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンである。例文帳に追加

Ozone or active oxygen is used for constituting the oxygen element-containing atmosphere, and nitrogen, helium, neon, argon, krypton or xenon is used for constituting the inert element-containing atmosphere. - 特許庁

一酸化炭素,水素,窒素を含む雰ガスを高いSV値においても効率的に発生させることができる小型の雰ガス発生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a small atmosphere gas generating equipment which can effectively generate atmosphere gas including carbon monoxide, hydrogen and nitrogen at the value of high SV. - 特許庁

サファイア単結晶基板1をアンモニア雰などの窒素含有雰中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分1Bを形成する。例文帳に追加

A surface-nitrided part 1B is formed by arranging the sapphire single crystal substrate 1 in an atmosphere containing nitrogen such as ammonia and heating the sapphire single crystal substrate 1 for a predetermined time. - 特許庁

ガスを従来の窒素ガスからこれよりも熱伝導率の高い、例えばヘリウムガスに変更し、この雰の中で加熱、成形を行う。例文帳に追加

An atmospheric gas is changed from conventionally used gaseous nitrogen to a gas such as helium having higher thermal conductivity than that of gaseous nitrogen, and the heating and molding are carried out under that atmosphere. - 特許庁

液体又は固体状の窒素含有物質をハロゲン化硼素で処理した後、ハロゲン化硼素の雰下又は不活性ガスの雰下で熱処理する炭窒化硼素の製造方法。例文帳に追加

A liquid or solid nitrogen-containing substance is treated with boron halide, and heat treatment is performed thereto in an atmosphere of boron halide or in an atmosphere of an inert gas. - 特許庁

ディスクカートリッジ2を密閉構造とし、その密閉された内部空間を少なくとも水分の排除された乾燥雰、より好ましくは乾燥窒素ガスなどの不活性ガス雰により満たす。例文帳に追加

A disk cartridge 2 is made closed structure, the closed internal space is made dried atmosphere, preferably, the space is fill with inert gas such as dried nitrogen gas or the like. - 特許庁

活性炭担持Ni−Ru触媒およびη^4−(1,5−シクロオクタジエン)Pt(II)ジメチルの混合物を窒素下で撹拌後、水素雰に置換して加熱する。例文帳に追加

After a mixture of activated carbon-carrying Ni-Ru catalyst and η^4-(1,5-cyclooctadiene)Pt(II) dimethyl is stirred in a nitrogen atmosphere, the atmosphere is replaced with hydrogen and the mixture is heated. - 特許庁

密着チャンバー2内には窒素と酸素の混合ガスを雰ガス15として流し、雰酸素濃度が0.1〜5%となるように調整する。例文帳に追加

Within a closed chamber 2 mixed gas of nitrogen and oxygen is passed as atmospheric gas 15, and the atmospheric concentration of the oxygen is controlled to be 0.1 to 5%. - 特許庁

その後、酸素雰あるいは窒素中で加熱処理を施し、加熱消滅性樹脂からなるエッチングマスク5aを熱分解し完全に除去する。例文帳に追加

Heat treatment is then carried out in an atmosphere of oxygen or nitrogen, whereby the etching mask 5a comprising the heat disappearing resin is thermally decomposed and thoroughly removed. - 特許庁

窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰のような、窒素が不足している雰中で少なくとも約1000℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。例文帳に追加

The volume resistivity of the body consisting essentially of aluminum nitride is reduced by exposing the body to a soak temperature of at least about 1,000°C in an atmosphere deficient in nitrogen, such as an atmosphere consisting essentially of argon. - 特許庁

基板1上に導電膜2を形成し、続いて酸素雰下又は窒素下において導電膜2をレーザ加熱することで、導電パターンを形成する領域以外の領域を酸化又は窒化(即ち、絶縁化)する。例文帳に追加

A conductive film 2 is formed on a substrate 1 and then the region excluding the region where the conductive pattern is formed is oxidized or nitrided (namely, insulated) by laser heating the conductive film 2 under an oxygen atmosphere or nitrogen atmosphere. - 特許庁

この光触媒顔料粒子B1は、水素化チタンと、二酸化チタンとを混合した混合物を窒素以外の不活性雰において焼成することにより得たものである。例文帳に追加

The photocatalytic pigment particle B1 comprises titanium sub-oxide having a chemical composition of Ti_2O_3 and is obtained by firing a mixture of titanium hydride and titanium dioxide in an inert atmosphere except a nitrogen atmosphere. - 特許庁

プレス成形前のガラス材料を、真空雰中で300℃以上かつ1時間以上加熱処理を行うか、乾燥窒素中で100℃以上かつ3時間以上加熱処理を行うか、あるいは、その両方を行う。例文帳に追加

A glass material before press forming is subjected to the heat treatment at300°C for ≥1 hour in a vacuum atmosphere or to the heat treatment at100°C for ≥3 hours in a dry nitrogen atmosphere or to the both of the above heat treatments. - 特許庁

本方法では、シリコン酸化膜をプラズマCVD法により成膜前に、O_2 雰中又はN_2 O(亜酸化窒素)雰中でウエハに熱処理を施す。例文帳に追加

Before depositing the silicon oxide film by plasma CVD, the wafer is heat-treated in an O2 atmosphere or N2O(nitrous oxide) atmosphere. - 特許庁

よって、キルン本体2内の任意の箇所に雰改善のための窒素ガスGを供給することができ、キルン本体2内の雰改善を図り易くなる。例文帳に追加

Thus, the nitrogen gas G to improve the atmosphere can be supplied to any portion within the kiln body 2, so as to facilitate atmosphere improvement within the kiln body 2. - 特許庁

また従来窒素で2000℃まで温度を上げることが必要であったが、真空雰中にて使用することにより1600℃〜1800℃の温度にてSiを含浸させることができる。例文帳に追加

In addition, excessive Si can be inhibited from escaping from the SiC molded body and the step for removing off the remaining Si therein can be cut. - 特許庁

弾性表面波素子の焦電破壊がなく、弾性表面波素子とベース基板との間の間隙内の雰を確実に、かつ簡単に窒素とすることができる弾性表面波装置及びその製造方法となる例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave equipment in which a surface acoustic element is prevented from current collection destruction and atmosphere in a gap between the surface acoustic element and a base substrate is surely simply turned to nitrogen atmosphere and to provide its manufacturng method. - 特許庁

窒化処理温度への昇温過程で、かつ、硫化水素を含む窒素ガス雰中で不動態被膜を有する鋼材を加熱して硫化処理した後、窒化雰中で所定時間加熱保持して窒化処理する。例文帳に追加

In a temp. rising stage to a nitriding treating temp. and also in a gaseous nitrogen atmosphere contg. hydrogen sulfide, steel having a passive film is heated, is subjected to sulfurizing treatment, is thereafter held under heating for a prescribed time in a nitriding atmosphere and is subjected to nitriding treatment. - 特許庁

活性炭担体上への貴金属化合物の固定化工程で貴金属化合物担持活性炭を好ましくは不活性ガス雰下、例えば窒素下で、好ましくは温度100〜450℃で、好ましくは1〜3時間以上熱処理する。例文帳に追加

In the process for fixing the noble metal compd. on the activated carbon carrier, the noble metal compd. supported activated carbon is heat-treated pref. at 100-450°C for 1-3 hr or more in an inert gas atmosphere, for example, in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

この複合体の製造方法は、MoSi_2又はMo_5Si_3を、1600℃以上の温度で、窒素又はアルゴン雰中において、カーボンが存在する焼成炉内で焼成することによりMo_5-xSi_3C_1-yを生成させることができる。例文帳に追加

This method for producing the complex comprises baking MoSi2 or Mo5Si3 at a temp. of ≥1600°C in a nitrogen or argon atmosphere in a baking furnace containing carbon so as to form Mo5-xSi3 C1-y. - 特許庁

シリコーンゴム成形品を製造する最終工程においては、窒素下で加熱後、処理槽内を圧力10Pa〜1×10^−4Paの真空雰下とし、該成形品を100〜200℃に加熱する。例文帳に追加

In the final process for producing the silicone rubber molding, after the molding is heated in a nitrogen atmosphere, the pressure of the treatment tank is adjusted at 10-1×10^-4 Pa, and the molding is heated at 100-200°C. - 特許庁

金属アミド前駆体をパルス送りする工程、未反応金属アミドをパージ除去する工程、プラズマ雰下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、未反応窒素源ガスをパージ除去する工程、ケイ素前駆体をパルス送りする工程、未反応ケイ素前駆体をパージ除去する工程、プラズマ雰下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、及び未反応窒素源ガスをパージ除去する工程を含む被着方法。例文帳に追加

The deposition method comprises the steps of: pulsing a metal amide precursor; purging away the unreacted metal amide; introducing nitrogen source gas into a reaction chamber under plasma atmosphere; purging away the unreacted nitrogen source gas; pulsing a silicon precursor; purging away the unreacted silicon precursor; introducing nitrogen source gas into a reaction chamber under plasma atmosphere; and purging away the unreacted nitrogen source gas. - 特許庁

SIMOX基板の上部シリコン領域42の表面に窒素をドープする工程と、酸素を含む雰中において窒素がドープされた領域の少なくとも一部を含む領域に電子ビームを照射し、それによってシリコン表面に窒素を含む酸化膜46を成長させる工程とを包含する。例文帳に追加

A process, in which the surface of the upper silicon region 42 of an SIMOX substrate is doped with nitrogen, and a process in which an electron beam, is applied to a region including at least a part of the region doped with nitrogen in an atmosphere containing oxigen to make an oxide film 46 containing nitrogen grow on the silicon surface are included. - 特許庁

酸素過剰雰下において窒素酸化物を還元剤により還元する際に使用される窒素酸化物選択還元触媒であって、ゼオライトと、前記ゼオライトに担持された鉄とを備え、前記ゼオライトにイオン交換により常磁性の鉄(III)イオンとして担持された鉄の量が、担体の全量に対して金属換算で1.0質量%以上であることを特徴とする窒素酸化物選択還元触媒。例文帳に追加

The catalyst for the selective reduction of nitrogen oxide for use in reducing nitrogen oxide by virtue of a reducing agent in an atmosphere with excessive oxygen comprises zeolite and iron carried on the zeolite, and the amount of iron as paramagnetic iron(III) ions carried on the zeolite by ion exchange is 1.0 mass% or higher in terms of metal relative to the total amount of the carrier. - 特許庁

冷凍貨物兼自動車運搬船において、雰制御を行なう際、窒素ガスを排出するのに必要となる通風装置の改善を図ったものであり、天井部の構造部材によってエアの流れが寸断され、窒素ガスが滞留するのを防ぎ、窒素ガスを迅速に、効果的に排出できる通風装置を得ることを目的とする。例文帳に追加

To improve a ventilation device necessary for discharging nitrogen gas when performing an atmospheric control in a carrying vessel for a refrigerated cargo common to an automobile to provide a ventilation device capable of preventing the interruption of an air flow by a structural member of a ceiling part to prevent the staying of the nitrogen gas and quickly and efficiently discharging the nitrogen gas. - 特許庁

30vol%以下の窒素を含有するアルゴンガス雰中でスパッタリングすることを特徴とする摺動部品に30at%以下の窒素、特に20〜26at%の窒素を含有するダイヤモンド状カーボンからなる低トライボマイクロプラズマ発生膜を形成することを特徴とする低トライボマイクロプラズマ発生膜の形成方法。例文帳に追加

In the method of depositing a low tribomicroplasma generation film, sputtering is performed in a gaseous argon atmosphere comprising30 vol.% nitrogen, so that the low tribomicroplasma generation film consisting of diamond like carbon comprising30 at%, particularly, 20 to 26 at% nitrogen is deposited on sliding parts. - 特許庁

窒素酸化物に炭化水素を還元剤として作用させることによって、当該窒素酸化物を窒素及び水に変換する反応に用いるためのGa−Al系脱硝触媒の触媒活性を予測する方法であって、前記脱硝触媒を水素含有雰において還元した際のGa1mol当たりの水素消費量を測定する工程、を備えた、脱硝触媒の触媒活性の予測方法。例文帳に追加

The method of preestimating the catalytic activity of the Ga-Al type denitration catalyst to be used in a reaction of converting a nitrogen oxide into nitrogen and water by way of causing a hydrocarbon as a reducing agent to react with the nitrogen oxide includes a process of measuring the amount of hydrogen consumed per mole of Ga upon reducing the denitration catalyst in a hydrogen-containing atmosphere. - 特許庁

例文

金属アルミニウム、あるいは、アルミニウム合金をアノード酸化して得られるアルミニウム酸化物を含む成形体を、窒素またはアンモニアガス、あるいは窒素とアンモニアガスを含む雰下に加熱、焼成することを特徴とする窒化アルミニウム成形体の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing an aluminum nitride formed body, a formed body containing metal aluminum or aluminum oxide obtained by anodically oxidizing an aluminum alloy is heated and fired in an atmosphere containing nitrogen or ammonia gas or nitrogen and ammonia gas. - 特許庁

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