「素っぴん」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

ジベンゾアゼピン化合物、該ジベンゾアゼピン化合物を骨格とする高分子、および有機薄膜ＥＬ素子例文帳に追加

DIBENZOAZEPINE COMPOUND, POLYMER CONTAINING THE DIBENZOAZEPINE COMPOUND AS SKELETON, AND ORGANIC THIN LAYER EL ELEMENT - 特許庁

上記蛍光分子としては、たとえばＢＯＤＩＰＹ色素、インドシアニン色素、クマリン色素、アニリノナフタレンスルホン酸（ＡＮＳ）色素、Ｐｒｏｄａｎ色素、Ｈｏｅｃｈｓｔ色素、オレンジイエローもしくはその２量体であるＹＯＹＯ色素など、特にインドシアニン色素が好ましい。例文帳に追加

For example, a BODIPY dye, an indocyanine dye, a coumarin dye, an anilinonaphthalenesulfonate (ANS) dye, a Prodan dye, a Hoechst dye, an orange yellow or YOYO dye being its dimer, or the like, and especially, the indocyanine dye is preferable as the fluorescence molecules. - 特許庁

金属含有量が５０ｐｐｍ以下の含フッ素エラストマーを含む組成物から得られ、金属含有量が５０ｐｐｍ以下である成形品。例文帳に追加

The molded product is obtained from the composition containing the fluorine-containing elastomer having the metal content of 50 ppm or less and has a metal content of 50 ppm or less. - 特許庁

このとき、引き上げられたサファイアインゴット３０では、酸化アルミニウムに対し添加元素の重量濃度が２ｐｐｍ〜８０ｐｐｍとなる。例文帳に追加

The thus-pulled up sapphire ingot 30 has a weight concentration of the additional element of 2-80 ppm relative to the aluminum oxide. - 特許庁

［Ｉ］発光素子用材料のイオン化ポテンシャルＩｐ（１）と、不純物のイオン化ポテンシャルＩｐ（２）とが、Ｉｐ（１）≦Ｉｐ（２）である。例文帳に追加

[I] Ionization potential Ip(1) of the material for a light-emitting element and ionization potential Ip(2) of the impurities satisfy a relation Ip(1)≤Ip(2). - 特許庁

ＧＰＵ４９は、ＰＰＰ４８が生成したサブポリゴンの画素データをフレームバッファ５８に書き込み、レンダリング処理を行う。例文帳に追加

A GPU 49 writes pixel data of the sub-polygons generated by the PPP 48 in a frame buffer 58 and executes a rendering process. - 特許庁

前記電解質は、発光色素とイオン液体と２ｐｐｍ以上１３０ｐｐｍ以下の水とを含有することを特徴とする。例文帳に追加

The electrolyte contains emitting dye, ionic liquid, and water of 2 ppm or more and 130 ppm or less. - 特許庁

選抜した菌株の生産酵素を粗精製し、生産酵素のβ−グルカン及びｐＮＰＧ（p-nitrophenyl-β-glucoside）の分解性について判定を行った。例文帳に追加

The enzyme produced by a selected strain is crudely refined and the degradability of β-glucan and pNPG(p-nitrophenyl-β-glucoside) for the enzyme is assessed. - 特許庁

そして、酸化剤２０９が酸化されることによって雰囲気中の酸素が消費され雰囲気中の酸素濃度を１ｐｐｂ以下に低減できる。例文帳に追加

And an oxygen concentration in an atmosphere can be decreased to 1 ppb or below because oxygen in the atmosphere is consumed by oxidizing the oxidizer 209. - 特許庁

窒素化合物半導体積層物、発光素子、光ピックアップシステム、および窒素化合物半導体積層物の製造方法。例文帳に追加

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE, LIGHT-EMITTING DEVICE, OPTICAL PICKUP SYSTEM, AND MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE - 特許庁

ピロロキノリンキノン依存性グルコース脱水素酵素の基質特異性を向上する方法例文帳に追加

METHOD FOR IMPROVING SUBSTRATE SPECIFICITY OF PYRROLOQUINOLINE QUINONE DEPENDENT GLUCOSE DEHYDROGENASE - 特許庁

ピロロキノリンキノン依存性グルコース脱水素酵素の基質阻害を回避する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for avoiding substrate inhibition of pyrroloquinoline quinone-dependent glucose dehydrogenase (PQQGDH). - 特許庁

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子及び発光ダイオード例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

ＬｉＶＯＰＯ_４粉と、第一炭素粉と、第二炭素粉と、を含む活物質である。例文帳に追加

The active material contains LiVOPO_4 powder, first carbon powder, and second carbon powder. - 特許庁

炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法例文帳に追加

CARBON FILM AND ITS FORMATION, AND CARBON FILM COATED ARTICLE AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

炭素膜被覆部材、炭素膜の形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナー例文帳に追加

CARBON FILM COATED MEMBER, METHOD FOR FORMING CARBON FILM, AND CMP PAD CONDITIONER - 特許庁

炭素被覆、炭素被覆を施す方法および装置、およびその様な被覆を施した物品例文帳に追加

CARBON COATING, METHOD AND APPARATUS FOR COATING CARBON, AND ARTICLE HAVING SUCH COATING - 特許庁

炭素膜の形成方法、炭素膜被覆部材及びＣＭＰパッドコンディショナー例文帳に追加

METHOD FOR FORMING CARBON FILM, CARBON FILM-COATED MEMBER, AND CMP PAD CONDITIONER - 特許庁

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源例文帳に追加

P-N JUNCTION BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT SOURCE FOR DISPLAY DEVICE - 特許庁

コンピュータ装置、プログラム実行方法、表示要素編集装置、及び表示要素編集方法例文帳に追加

COMPUTER DEVICE, PROGRAM EXECUTION METHOD, DISPLAY ELEMENT EDITING DEVICE AND DISPLAY ELEMENT EDITING METHOD - 特許庁

銅箔の素材としては、酸素を１５０〜３００質量ppm含有するタフピッチ銅を用いることができる。例文帳に追加

Tough pitch copper containing 150-300 mass ppm of oxygen can be used as a raw material of copper foil. - 特許庁

そしてまた、Ｃａ元素とＰ元素とは主として結晶粒界に存在しているのが好ましい。例文帳に追加

Furthermore, the Ca element and the P element preferably exist mainly in the crystal grain boundary. - 特許庁

試料ガス中の酸素濃度が０．１〜１ｐｐｂのサブｐｐｂレベルであっても正確な酸素濃度を測定することができる酸素濃度の分析方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide an analytical method and analyser for oxygen concentration capable of accurately measuring the oxygen concentration even when the oxygen concentration in a sample gas is at a sub-ppb level of 0.1-1 ppb. - 特許庁

複数の注目画素が有する画素値及びマッピングアドレスを利用して、第２画素列２０６が高密度画素列に再構成される。例文帳に追加

The second pixel array 206 is re-constructed into a high-density pixel array using pixel values and mapping addresses of a plurality of pixels of interest. - 特許庁

有機複屈折膜を用いた偏光分離素子の作製方法、該方法で製作した偏光分離素子、該偏光分離素子を用いた光ピックアップ例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR POLARIZED BEAM SPLITTER OBTAINED BY USING ORGANIC BIREFRINGENT FILM, POLARIZED BEAM SPLITTER MANUFACTURED BY THIS METHOD AND OPTICAL PICKUP USING THE SPLITTER - 特許庁

下記式（１）（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のアシル基であり、Ｒ^３は、水素原子、ヒドロキシル基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）で示されるＰＰＡＲγ活性化剤。例文帳に追加

The PPARγ activator is represented by formula (1) (wherein R^1 and R^2 are each a hydrogen atom, 1-4C alkyl or 1-4C acyl; R^3 is a hydrogen atom, hydroxy or 1-4C alkyl). - 特許庁

パネル素子ＰＥｇのパネル素子ＰＥｒによって電極形成面が隠されてしまう接続部分にも予め駆動ＩＣを実装しておく。例文帳に追加

The drive IC is also previously packaged to the connecting segment of the panel element PEg which the electrode forming surface is concealed by the panel element PEr. - 特許庁

パネル素子ＰＥｂのパネル素子ＰＥｂによって電極形成面が隠されてしまう接続部分にも予め駆動ＩＣを実装しておく。例文帳に追加

The drive IC is also previously packaged to the connecting segment of which the electrode forming surface of the panel element PEb to be concealed by the panel element PEb. - 特許庁

ＣＰＵ３３は、算出した周辺温度、およびＥＥＰＲＯＭ４９に記憶された周辺温度と欠陥画素が発生するＣＣＤ３６の画素の位置との関係から、欠陥画素が発生する画素の位置を検出する。例文帳に追加

The CPU 33 detects a position of a defective pixel on the basis of the calculated ambient temperature and a relation between the ambient temperature stored in the EEPROM 49 and the position of the defective pixel of a CCD 36. - 特許庁

ゲート酸化膜３６およびＰ^＋型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。例文帳に追加

Nitrogen is doped in the gate oxide film 36 and P^+-gate electrode 35, and a nitrogen doped region 30 is formed. - 特許庁

ゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。例文帳に追加

Nitrogen is doped in the gate oxide film 36 and the p^+-type-gate electrode 35 to form a nitrogen doped region 30. - 特許庁

そして、減算回路２０９によって、画素データＰｋの自乗和平均と、画素データＰｋの平均値の自乗との差分が算出される。例文帳に追加

Then a subtractor circuit 209 calculates a difference between the square sum average of the pixel data Pk and the square of the average of the pixel data Pk. - 特許庁

ゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。例文帳に追加

Nitrogen is doped in the gate oxide film 36 and the P+ type-gate electrode 35, and a nitrogen-doped region 30 is formed. - 特許庁

プレゼンテーション素材をマッピングするための方法、システム、および、プレゼンテーション素材のマッピングをするための装置例文帳に追加

METHOD, SYSTEM AND APPARATUS FOR MAPPING PRESENTATION MATERIAL - 特許庁

本発明の炭素繊維の製造方法は、精製された木タールを減圧雰囲気下で加熱してピッチ化し、得られたピッチを溶融紡糸によってピッチ繊維とし、得られたピッチ繊維を炭化して炭素繊維に変えることを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing the carbon fibers comprises heating purified wood tar in an atmosphere under reduced pressure into pitch, subjecting the obtained pitch to melt spinning to give pitch fibers and carbonizing the obtained pitch fibers into carbon fibers. - 特許庁

1895年、第四回内国勧業博覧会に「素尊斬蛇」を出品。例文帳に追加

1895: He exhibited 'Suson Zanja' in the Fourth National Industrial Exhibition.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

一酸化炭素ガスセンサ、及びＰ型半導体の製造方法例文帳に追加

CARBON MONOXIDE GAS SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR - 特許庁

インピーダンスマッチング回路及びこれを備える半導体素子例文帳に追加

IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAME - 特許庁

ＰＶＣの常温脱塩素処理産物から燃料ガスの発生方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING FUEL GAS FROM ORDINARY TEMPERATURE DECHLORINATION TREATMENT PRODUCT OF PVC - 特許庁

ピリジルフェニル置換アントラセン化合物および有機電界発光素子例文帳に追加

PYRIDYLPHENYL-SUBSTITUTED ANTHRACENE COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT - 特許庁

半導体素子試験用ソケットおよびそのコンタクトピン構造例文帳に追加

TEST SOCKET OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND CONTACT PIN STRUCTURE THEREOF - 特許庁

元素マッピング時の各測定点におけるＳＮ比のばらつきを低減する。例文帳に追加

To reduce the dispersion of SN ratios at each measuring point in the element mapping. - 特許庁

磁気インピーダンスセンサチップ及びそれを用いた磁気センサ素子例文帳に追加

MAGNETIC IMPEDANCE SENSOR CHIP AND MAGNETOMETRIC SENSOR ELEMENT USING IT - 特許庁

また、前記架橋工程の酸素分圧は２０９ｈＰａ未満である。例文帳に追加

Oxygen partial pressure of the bridging process is less than 209hPa. - 特許庁

差分基準及びマッピングに基づいて要素を分類する。例文帳に追加

The elements are classified based on the difference measure and the mapping. - 特許庁