「絶縁基体」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

固体電解コンデンサ１は、弁金属基体１０、誘電体層２２、固体高分子電解質層２４、及び絶縁層１６を備えている。例文帳に追加

The solid-state electrolytic capacitor 1 comprises a valve metal base substance 10, a dielectric layer 22, a solid-state polymer molecule electrolytic layer 24, and an insulating layer 16. - 特許庁

絶縁層７は、端子電極５の少なくとも一部が露出するように、基体３及び端子電極５上に形成されている。例文帳に追加

The insulating layer 7 is formed on the substratum 3 and the terminal electrode 5 to have at least part of the electrode 5 exposed. - 特許庁

絶縁性基体と、固体電解質体とを備え、十分な耐久性と優れた応答性とを備える検出素子を有するガスセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a gas sensor, having a detection element equipped with an insulating substrate and a solid electrolyte element and having sufficient durability and superior responsivity. - 特許庁

次いでシリコン二酸化物誘電体層などの絶縁層が支持基体の上に付着されエミッタを覆う（82）。例文帳に追加

Subsequently, insulating layers which are dioxide dielectric layer or the like adhered to the support base, and cover an emitter (82). - 特許庁

トレンチの角部が高不純物濃度の半導体基体に達することがないのでゲート絶縁膜の信頼度を向上させることができる。例文帳に追加

The corners of a trench never reach a semiconductor base with high impurity density, so the reliability of a gate insulating film can be improved. - 特許庁

複数の電極は上記螺旋構造の長さ方向に沿って配設されかつ上記絶縁基体に固定されている。例文帳に追加

A plurality of electrodes are disposed along the length of the helix structure and fixed to the insulating substrate. - 特許庁

集電導体層４１は、第２基体２０にて触媒電極２３と絶縁された状態で配置される。例文帳に追加

The current collecting conductor 41 is arranged on the second substrate in an insulated condition with the catalyst electrode 23. - 特許庁

セラミック層（７）は、アルミナ質の焼結体からなる絶縁体を基体とし、その内部には、内部電極（１１）、（１３）が配置されている。例文帳に追加

The ceramic layer 7 uses an insulating body composed of an alumina sintered compact as a base body and inner electrodes 11 and 13 are disposed in its inside. - 特許庁

金属基体上に、空隙を有する樹脂製シートからなる絶縁層を介して、電熱面発熱体を積層してなる電熱面発熱ユニット。例文帳に追加

The plane heating unit comprises a laminate of plane electric heating elements on a metal base body through an insulating layer made of a resin seat having gaps. - 特許庁

ホール素子領域１４が形成された半導体基体１２上に、第１の絶縁膜２０を形成する。例文帳に追加

A first insulating film 20 is formed on a semiconductor basic body 12 on which a Hall element region 14 is formed. - 特許庁

基体２１上に絶縁性の下地膜２２を形成し、下地膜２２上に第一、第二の電極２３ａ、２３ｂを形成する。例文帳に追加

An insulating base film 22 is formed on a base substance 21, and first and second electrodes 23a, 23b are formed on the base film 22. - 特許庁

ホール素子１を構成する半導体基体の表面の絶縁膜３２の上に電流通路としての導体層１５を設ける。例文帳に追加

A conductor layer 15 as a current passage is placed on an insulating film 32 of the surface of a semiconductor base constituting a Hall element 1. - 特許庁

ホール素子１を構成する半導体基体２３の表面の絶縁膜３２の上に電流通路としての導体層１５を設ける。例文帳に追加

On an insulation film 32 formed on the surface of a semiconductor substrate 23 which constitutes the Hall element 1, a conductor layer 15 is formed as a current path. - 特許庁

絶縁基体１２に渦巻き状に金属帯状体１３を形成してなるコイル要素１１を複数積層した誘導加熱コイルである。例文帳に追加

The induction heating coil is formed by laminating a plurality of coil elements 11 each formed by spirally winding a metallic belt-shaped body 13 on an insulating substrate 12. - 特許庁

半導体基体１０の表面上にエッチングレートの異なる第１、第２及び第３の絶縁膜１１ａ、１１ｂ、１２を形成する。例文帳に追加

A first insulating film 11a, a second insulating film 11b, and a third insulating film 12 whose etching rates are different are formed on the surface of a semiconductor substrate 10. - 特許庁

そして、絶縁基体１、ダイアフラム２およびスペーサにより形成された空間内に検査用電極１２が設けられている。例文帳に追加

Furthermore, an inspection electrode 12 is disposed in a space formed by the insulating base 1, the diaphragm 2 and the spacer. - 特許庁

シリコン基体内には複数の半導体素子が形成され、互いに誘電体材料により電気的に絶縁される。例文帳に追加

A plurality of the semiconductor elements are formed within the silicon base body, and the elements are electrically insulated from each other by the dielectric material. - 特許庁

第１絶縁層６の開口１０１の内部で、半導体基体１００の表面にｐ型の真性ベース領域９を形成する。例文帳に追加

A p-type intrinsic base area 9 is formed on the surface of a semiconductor substrate 100 within an opening 101 of a first insulation layer 6. - 特許庁

斜め方向の外力に対しても実用上問題ないレベルで耐え得るリードピン２と絶縁基体５との高い接合強度を得ることができる。例文帳に追加

High joining strength which is high enough to withstand an oblique external force without any practical problem can be obtained between the lead pins 2 and insulating base body 5. - 特許庁

半導体装置１００は、基体１０上に所定のパターンで配置された配線層１２と、配線層１２を覆う層間絶縁層２０と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor device 100 is provided with a wiring layer arranged with a prescribed pattern on base substance 10, and an interlayer insulating layer 20 covering the wiring layer 12. - 特許庁

半導体基体と絶縁膜の界面特性を向上できる半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for improving an interface characteristic between a semiconductor substrate and an insulating film. - 特許庁

シリコン基体内に電気的に絶縁された半導体素子を形成する方法および該方法により作製された半導体構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming semiconductor elements, which are electrically insulated from each other within a silicon base body, and a semiconductor structure manufactured by this method. - 特許庁

このものにあって、熱可塑性樹脂で形成された絶縁基体３には吸湿材が０．１〜５０質量％含有されている。例文帳に追加

The insulating base body 3 formed of the thermoplastic resin contains 0.1 to 50%, by mass, moisture absorbing material. - 特許庁

絶縁基体１１０の裏面側には電極１３０が配置され、コート層８５は電極１３０のリード部１３２上に位置する。例文帳に追加

An electrode 130 is arranged on the back side of the insulating substrate 110 and the coating layer 85 is positioned on the lead part 132 of the electrode 130. - 特許庁

ガラスのごとき無機絶縁基体上に密着性の金被膜を形成するための簡易化された真空蒸着法を提供する。例文帳に追加

To provide a simplified vacuum vapor deposition method for forming a gold coating film of tight adhesion to an inorganic insulation substrate such as glass. - 特許庁

少なくとも絶縁性基体１０の表面に酸化金属皮膜からなる抵抗膜２０を形成してなる酸化金属皮膜抵抗器１である。例文帳に追加

This metal oxide film resistor 1 is obtained by forming a resistor film 20 consisting of metal oxide film at least on the surface of an insulating substrate 10. - 特許庁

半導体素子４の電流が流れる導体層５を半導体基体の表面上の絶縁膜２０上に設ける。例文帳に追加

A conductor layer 5, where the current of the semiconductor device 4 flows, is formed on the insulating film 20 on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

透明基体上に塗布された光を拡散する粒子を含む絶縁膜等の膜厚を、非破壊・非接触且つ高精度に測定できるようにする。例文帳に追加

To accurately measure the film thickness of an insulating film or the like containing light-diffusing particles and applied to a surface of a transparent substrate by a nondestructive/contactless method. - 特許庁

第１のシールド膜３は基体１の上に積層され、第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の上に積層されている。例文帳に追加

A first shield film 3 is laminated on a substrate 1 and a first insulating film 71 is laminated on the first shield film 3. - 特許庁

低抵抗膜２５は、シート抵抗値が絶縁性基体２１のシート抵抗値よりも低く、印刷法によって形成される。例文帳に追加

A sheet resistance of the low resistant film 25 is lower than that of the insulation substrate 21 and the low resistant film 25 is formed by a printing method. - 特許庁

ホール素子１を構成する半導体基体２３の一方の主面の絶縁膜３２の上に電流通路としての導体層１５を設ける。例文帳に追加

A conductor layer 15 as a current passage is provided on an insulating film 32 in one-side main face of a semi-conductor substrate 23 constituting the Hall element 1. - 特許庁

支持基体１の上にゲート電極２を形成したのち、そのゲート電極２の上にゲート絶縁層３を形成する。例文帳に追加

After a gate electrode 2 is formed on a supporting base 1, a gate insulating layer 3 is formed over the gate electrode 2. - 特許庁

基体２１上に絶縁性の下地膜２２を形成し、下地膜２２上に第一、第二の電極２３ａ、２３ｂを形成する。例文帳に追加

An insulation base film 22 is formed on a substrate 21, and first and second electrodes 23a, 23b are formed on the base film 22. - 特許庁

絶縁性セラミックを材料として成形したセラミック基体２０の内部に、導電性セラミックにより感温部２１を形成する。例文帳に追加

A temperature sensing part 21 formed of conductive ceramics is formed inside a ceramic base body 20 molded by using insulative ceramics. - 特許庁

発光装置１は、金属材料からなる基体１１、絶縁層１２および発光素子１３を有している。例文帳に追加

The light emitting device 1 has a base body 11 made of a metal material, an insulating layer 12 and a light emitting element 13. - 特許庁

電極形成部は、そのチップ上下面で、絶縁基体の端面から長さ０．３mm以下の領域が高さ０．０２mm以上突出している。例文帳に追加

The electrode-forming parts 12a are formed, in a state where regions of ≤0.3 mm in length are protruded from the end faces of the substrate 12 by ≥0.02 mm for the height on the upper and lower surfaces of the chip. - 特許庁

整流子片２１のライザ部２２側に絶縁基体１０方向に突出させた突起部２３を形成し、絶縁基体１０の周面の突起部２３の対応位置には突起部２３に係合する凹所１１ａを形成し、整流子片２１の突起部２３を絶縁基体の凹所１１ａに係合させて突起部２３の外周にワッシャー３０を嵌入することにより整流子片２１を絶縁基体１０の外周面に固定し、整流子片２１が軸方向に変位または離脱することを防止する。例文帳に追加

By making the protruding portions 23 of the commutator pieces 21 engage with the recessed portions 11a of the insulating base and by fitting the washer 30 onto the outer circumference of the protruding portions 23, the commutator pieces 21 are fixed on the outside circumference of the insulating base 10 and the commutator pieces 21 are prevented from being displaced in the axial direction or being detached. - 特許庁

絶縁基体部を共用化して、短納期と低コストを実現することの可能なプローブカード・アセンブリ用基板を提供すること例文帳に追加

To provide a probe card assembly substrate capable of shortening a delivery period and reducing a cost by sharing an insulating base. - 特許庁

ヒューズ要素は２つの電流端子(2,3) と導電性をもって接続されかつ電気的に絶縁する基体に配置されている。例文帳に追加

The fuse element is connected to two current terminals (2, 3) with conductivity and is arranged on an insulating substrate. - 特許庁

基体（５）は、表面における一部の領域（５ａ）が半導電性であり、その他の領域（５ｂ）が絶縁性である結晶体からなる。例文帳に追加

A part of a zone (5a) on the surface of the base body (5) is semi-conductive, and the other zone (5b) on the surface of the base body is made of an insulating crystal. - 特許庁

厚膜抵抗体３は、配線導体２に電気的に接続されており、絶縁基体１に設けられている。例文帳に追加

The thick-film resistor 3 is electrically connected to the wiring conductor 2, and is disposed on the insulation substrate 1. - 特許庁

２層の絶縁層３３，３４のうちの最も基体側の層３３は、金属又は半導体の酸化物からなる。例文帳に追加

The layer 33 on the nearest side to the substrate side of the two layers of the insulating layers 33, 34 consists of a metal or an oxide of a semiconductor. - 特許庁

発光装置１０は、絶縁基体１１と正面金属部材１２と半導体発光素子１３と裏面金属部材１４とを備える。例文帳に追加

A light-emitting device 10 comprises an insulating substrate 11, front-surface metallic members 12, semiconductor light-emitting elements 13, and a rear-surface metallic member 14. - 特許庁

そして、絶縁性セラミックからなるセラミック基体１２０中に保持し、一体にプレス加工して焼成する。例文帳に追加

And the molding body can be held in the ceramic base 120 made of an insulating ceramic, and, by pressing in one body, is calcined. - 特許庁

凹部を有する基体の上に、下部シールド層５と上部シールド層の第１の部分６ａが、互いに絶縁された状態で配置される。例文帳に追加

On a substrate having recessed parts, a lower shielding layer 5 and a 1st part 6a of an upper shielding layer are arranged in a state in which they are insulated from each other. - 特許庁