「絶縁基体」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基体１と、半導体基体１に少なくとも一部が埋め込まれた、素子分離のための絶縁層２と、半導体基体１内に形成された不純物領域を含んで成る能動素子と、絶縁層２と半導体基体１との間に形成された、負の固定電荷を有する膜１１とを含んで半導体装置を構成する。例文帳に追加

The semiconductor device includes a semiconductor base 1, an insulating layer 2 for element isolation which is at least partially embedded in the semiconductor base 1, an active element formed in the semiconductor base 1 and including an impurity region, and a film 11 formed between the insulating layer 2 and semiconductor base 1, and having negative fixed charges. - 特許庁

絶縁基体１の表面に第１の金属から成る電極パッド２を有するとともに、この電極パッド２を電気的に絶縁されて取り囲む、第１の金属よりもマイグレーション感受性の低い第２の金属から成るリング状パターン３を有する配線基板とすることによりマイグレーションによる絶縁不良の発生を防止することができる。例文帳に追加

Generation of faulty insulation due to migration can be prevented by a method wherein the wiring substrate having annular patterns 3 consisting of a second metal having a migration sensibility lower than that of a first metal and surrounding the electrode pads 2 made of the metal 1 and being insulated electrically from the second metal is prepared. - 特許庁

基体の上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口を形成する工程と、前記絶縁膜の前記開口の内壁面に埋込層原材料を吸着させる工程と、前記吸着させた前記埋込層原材料を加熱して埋込層を形成する工程と、前記開口を導電性材料により充填する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming an insulating film on a substrate, providing an opening to the insulating film, enabling the inner wall of the opening bored in the insulating layer to attract the buried layer material, forming a buried layer by heating the buried layer material attracted to the inner wall of the opening, and filling the opening with conductive material. - 特許庁

導電性のパターンと絶縁性のパターンからなるパターンを基体上に重ねて形成する方法であって、前記導電性のパターンを形成するための導電パターン用溶液の表面張力が、前記絶縁性のパターンを形成するための絶縁パターン用溶液の表面張力より大きい溶液を用いる。例文帳に追加

In the method of forming patterns each composed of the conductive pattern and the insulating pattern, on the substrate on top of another, the surface tension of the solution for a conductive pattern for forming the conductive pattern is larger than that of the solution for an insulating pattern for forming the insulating pattern. - 特許庁

ゲート電極１７ａの側周壁及びゲート絶縁膜端部をライナ絶縁膜１８で覆うことによって、製造工程において受けるゲート絶縁膜及び半導体基体の損傷を抑制し、かつ、ソース及びドレイン領域２０を形成した後、エクステンション領域２１を形成することによって、エクステンション領域２１の接合深さを比較的浅くする。例文帳に追加

A liner insulation film 18 covers a side circumferential wall of a gate electrode 17a and the end of a gate insulation film to suppress damages to the gate insulation film and a semiconductor substrate caused in the manufacturing process, and a source and drain region 20 is formed and thereafter the extension region 21 is formed to make the joining depth of the extension region 21 comparatively shallow. - 特許庁

本発明は、絶縁体基体（２）を、弗素有機官能性シラン及び／又はシロキサン少なくとも１種、無機酸少なくとも１種及び触媒としてのアルミニウム（ＩＩＩ）、錫（ＩＩ）、錫（ＩＶ）、鉄（ＩＩＩ）又はチタン（ＩＩＩ）の金属塩少なくとも１種を含有する組成物で被覆することにより得られた表面変性された絶縁体（１）、その製法及び記載の組成物を絶縁体（１）の被覆のために使用する方法に関する。例文帳に追加

In this method, an insulator base body 2 is covered with a composition containing at least one of a fluorine organic functional silane and siloxane, at least one of organic acids, and at lest one of metal salts of aluminum (III), tin (II), tin (IV), iron (III), and titanium (III) to obtain this surface modified insulator 1. - 特許庁

本発明は、複数のセラミック絶縁層が積層されてなる絶縁基体と、前記セラミック絶縁層の内部に導体ペーストによって形成された断面が略矩形状の配線とを含み、平面視による前記配線の線幅が３０μｍ以下であって、前記配線の厚みを線幅で除した値が０．７以上２．０以下であることを特徴とする多層配線基板である。例文帳に追加

The multilayer wiring board includes an insulating base formed by layering a plurality of ceramic insulating layers and the nearly rectangularly sectioned wiring made of conductor paste in the ceramic insulating layer, wherein the line width of the wiring is ≤30 μm in plan view and the value obtained by dividing the thickness by the width of the wiring is 0.7 to 2.0. - 特許庁

複数のセラミック絶縁層１ａが積層されてなる絶縁基体１の上面に、一部のセラミック絶縁層１ａの中央部が厚み方向に貫通されて形成された電子部品収納用の凹部２を有し、凹部２の内側面がセラミック被覆層３で被覆されている電子部品収納用パッケージ９である。例文帳に追加

The package 9 for electronic component storage includes, on an upper surface of an insulating base 1 formed by laminating a plurality of ceramic insulating layers 1a, the recess 2 for electronic component storage formed penetrating center portions of some of the ceramic insulating layers 1a along the thickness, the inner surface of the recess 2 being coated with a ceramic coating layer 3. - 特許庁

絶縁化処理に対して十分な密着強度を有する生産性の高い保護膜を備えた絶縁化処理前基板、および基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法、さらに当該製造方法によって製造された弾性表面波振動子、弾性表面波装置、電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate before insulation processing having a protection film with high productivity and sufficient adhesive strength to the insulation processing; and to provide a manufacturing method of the substrate where only a desired range in a substrate surface is insulated, a manufacturing method of a surface acoustic wave vibrator, the surface acoustic wave vibrator manufactured by the manufacturing method, a surface acoustic wave device, and an electronic apparatus. - 特許庁

絶縁化処理に対して十分な密着強度を有する保護膜を備えた絶縁化処理前基板、および基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法、さらに当該製造方法によって製造された弾性表面波振動子、弾性表面波装置、電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a pre-insulating substrate provided with a protective sheet having sufficient adhesive strength to treatment for rendering the substrate insulated, a method of manufacturing a substrate where only a desired range of a base surface is rendered insulated, a method of manufacturing a surface acoustic wave vibrator, the surface acoustic wave vibrator manufactured by the manufacturing method, a surface acoustic wave device, and electronic apparatus. - 特許庁

基体上に形成された高誘電率材料からなるゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたメタルゲート電極と、メタルゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサ２１とを備える半導体装置１０を構成する。例文帳に追加

A semiconductor device 10 comprises a gate insulating film 15 formed of a high dielectric constant material on a substrate, a metal gate electrode formed on the gate insulating film 15, and a sidewall spacer 21 formed on the sidewall of the metal gate electrode. - 特許庁

基体５３上に下部電極２を形成する工程と、下部電極２上にペロブスカイト型の金属酸化物からなる絶縁体膜３を形成する工程と、絶縁体膜３上に上部電極４を形成する工程と、を含むキャパシタの製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the capacitor comprises the steps of forming a lower electrode 2 on a base body 53, forming an insulating film 3 composed of a perovskite type metal oxide on a lower electrode 2, and forming an upper electrode 4 on the insulating film 3. - 特許庁

ｐ−ＭＯＳ構造をとるもので、基体がｎ型シリコン基板１であり、高電位電極がゲート電極４であり、低電位電極がドレイン領域（またはソース領域）２であり、絶縁層がゲート絶縁層３であることを特徴とする。例文帳に追加

With the p-MOS structure, the base body is an n-type silicon substrate 1, the high-potential electrode is a gate electrode 4, the low-potential electrode is a drain region (or a source region), and the insulation layer is a gate insulation layer 3. - 特許庁

基体２０１上に金属層２０２及び金属層２０２を埋め込むための埋め込み用絶縁層２０３とを備えた半導体装置であって、金属層２０２及び埋め込み用絶縁層２０３の一部の領域に半導体層２０４〜２０７を形成してなることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device having a metal layer 202 and a burying insulation layer 203 for burying the metal layer 202 on a substrate 201 comprises semiconductor layers 204-207 formed in regions at a part of the burying insulation layer 203 and the metal layer 202. - 特許庁

ガス検出素子１のセラミック基体３において、先端側の検出部５が、アルミナ及び酸素イオン伝導性を有するジルコニアから構成されるとともに、鍔部９を含む筒状部７全体が電気を絶縁する絶縁性セラミックであるアルミナから構成されている。例文帳に追加

In a ceramic substrate 3 of the gas detecting element 1, a detector 5 on its end side is made of alumina and zirconia of oxygen ionic conductivity, while an overall tubular part 7, including a collar 9, is made of alumina which is insulative ceramics for electrical insulation. - 特許庁

飲食品調理用素材１０は、基体２０の片面に導電性物質層３０及び保護絶縁層４０を積層してなる積層体１００ａと、保温断熱層５０からなり、積層体１００ａの保護絶縁層４０側の面が保温断熱層５０に接合されている。例文帳に追加

The material for cooking food and drink comprises a laminate 100a including a conductive substance layer 30 and a protective insulation layer 40 which are laminated on one of surfaces of a base 20, wherein a surface of the laminate 100a on a side of the protective insulation layer 40 is joined with a lagging heat insulation layer 50. - 特許庁

ホール素子領域１４を備え、表面がシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜２０で覆われた半導体基体１２上に、ＰＩＱよりなる第１の有機膜２１を形成し、次いで、シリコン窒化膜よりなる第２の絶縁膜２２を形成する。例文帳に追加

A first organic film 21 constituted of PIQ is formed on a semiconductor substrate 12 having a hole element area 14, whose surface is covered with a first insulating film 20 constituted of a silicon oxide film, and a second insulating film 22 constituted of silicon nitride film is formed. - 特許庁

この開口窓４１の内方に取り付けられる光学フィルタ５は、フッ化バリウムからなる絶縁基板５１を基体としており、当該絶縁基板の裏面には検出対象の赤外線のみを透過させるための多層フィルタ膜５２が形成されている。例文帳に追加

An optical filter 5 fixed to the inner part of the opening window 41 has an insulating base plate 51 made of barium fluoride as a substrate, and a multilayer filter film 52 for transmitting only infrared ray which is a detecting object is formed on the back surface of the insulating base plate 51. - 特許庁

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるｐ型シリコン層中のｐ型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。例文帳に追加

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film. - 特許庁

簡易な構成により、絶縁リングを使用することなく複数個の整流子片を絶縁基体の外周面に強固に配設固定することができ、しかも、寸法のばらつきがあっても整流子片を確実に固定することが可能な組立式整流子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for manufacturing an assembly type commutator in which a plurality of commutator segments are secured firmly to the outer circumferential surface of an insulating substrate through a simple arrangement without using any insulating ring, and the commutator segments are secured surely regardless of dimensional variation. - 特許庁

磁気抵抗効果層１５が、絶縁性部材１２と、周囲を絶縁性部材によって囲まれた導電性部材１１とからなる支持基体１３の導電性部材が表出する一面上で、かつ薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体１４側の面に形成される。例文帳に追加

A magneto-resistive layer 15 is formed on one surface, to which a conductive member of a supporting substrate 13 consisting of an insulating member 12 and a conductive member 11 surrounded by the insulating member is exposed, and also on the surface at a magnetic recording medium 14 side of the thin-film magnetic head. - 特許庁

本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０は、絶縁基板の一方の面に接続端子が形成されており、絶縁性基板の他方の面には接続パターンとさらにカード基体側に内蔵される非接触ＩＣカード用アンテナとの接続するパターンを有している。例文帳に追加

This contact type/non-contact type hybrid IC module 10 is configured by forming a connection terminal on one face of an insulating substrate, and forming a connection pattern and a pattern connected to an antenna for a non-contact IC card incorporated at the card substrate side on the other face of the insulating substrate. - 特許庁

ＦＰＣ１０，２０の基体となる絶縁フィルム１５，２５上に、配線１６，２６を形成し、端末部１１，２１となるべき部分を除いた絶縁フィルム１５，２５及び配線１６，２６上にカバーレイを形成してＦＰＣ１０，２０を製造する。例文帳に追加

Wires 16 and 26 are formed on insulating films 15 and 25 as the bases of FPC's 10 and 20, and a cover lay is formed on the insulating films 15 and 25 and wires 156 and 26 except parts which become the terminals 11 and 21 to manufacture the FPC's 10 and 20. - 特許庁

半導体基体２０は、Ｐ型半導体基板１１と、絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成されたＮ^−型半導体領域１３と、Ｎ^＋型半導体領域１４と、Ｎ^−型半導体領域１３を介してＮ^＋型半導体領域１４と対向するＰ^＋型半導体領域１５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 20 has a p-type semiconductor substrate 11, an insulation film 12, an n^--type semiconductor region 13 formed on the film 12, an n^+-type semiconductor region 14, and a p^+-type semiconductor region 15 opposite to the n^+-type semiconductor region 14 through the n^--type semiconductor region 13. - 特許庁

基体３１０上に、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、酸化物半導体薄膜３０６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜３０３が大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method is used to manufacture a thin-film transistor that includes a gate electrode 302, a gate insulating film 303, and a semiconductor thin-film oxide 306 that are formed on the substrate 310, the gate insulating film 303 is formed by atmospheric plasma method. - 特許庁

スライダ基体１及び第１のシールド層３１の間において、第１の絶縁層１６を容量層として発生する寄生容量Ｃ４と、下部磁性層２１及び第２のシールド層３３の間において、第３の絶縁層３４を容量層として発生する寄生容量Ｃ２とが、実質的に等しい。例文帳に追加

A parasitic capacity C4 generated between a slider substrate 1 and a 1st shield layer 31 by using a 1st insulating layer 16 as a capacitor layer is substantially equal to a parasitic capacity C2 generated between a lower magnetic layer 21 and a 2nd shield layer 33 by using a 3rd insulating layer 34 as a capacitor layer. - 特許庁

本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０を形成する工程と、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する工程と、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する工程とを有する。例文帳に追加

This method of manufacturing an element substrate has a process of forming the first conductive film 20 on a base 10; a process of forming the insulation film 30 on the first conductive film 20; and a process of forming the second conductive film 40 on the insulation film 30. - 特許庁

直方体状の絶縁基体上に絶縁間隔を隔てて複数の導電路１７を設けた直方体状接続子９と、直方体状接続子９を収容した状態で第１の回路基板１に取り付けるコネクタハウジング１１とを具備する。例文帳に追加

The connector device is equipped with a rectangular parallelepiped connector 9 in which a plurality of conductive paths 17 are installed on a rectangular parallelepiped insulating board with insulation spacings and a connector housing 11 which is installed on a first circuit board 1, in a state of housing the rectangular parallelepiped. - 特許庁

第１の巻線部１１の導体１４の少なくとも側面全体を覆って絶縁膜１５が形成され、第２の巻線部１２の導体１７は基体１上に絶縁膜１５を介して形成されている薄膜コイル１０を構成する。例文帳に追加

An insulation film 15 is formed at least on all the sides of the conductor 14 of a first winding part 11, and the conductor 17 of a second winding part 12 is formed on a base body 1 through the intermediary of the insulating film 15, to form a thin film 10. - 特許庁

貫通孔７内に段差部を設けることなく封止用金属部材８を貫通孔７内に位置決めすることができるので、絶縁基板４を薄型化することができ、電子装置を低背化することができるとともに絶縁基体４の製造を簡便なものとすることができる。例文帳に追加

Since a metal member 8 for sealing can be positioned in the through-hole 7 without situating the metal member 8 for sealing in the through-hole 7, the insulation substrate 4 can be decreased in thickness, and the electronic device can be decreased in height and also manufacture of the insulation substance 4 can be simplified. - 特許庁

ワークシート１００は、略矩形状の基体１１の一方面に絶縁層２１，３１を備え、絶縁層２１の内部に、電子部品４１、及びその電子部品４１の主材料と同等の材料を主材料とするチップ状ダミー部品５１が埋設されたものである。例文帳に追加

A worksheet 100 includes insulating layers 21, 31 on one surface of an approximately rectangular substrate 11, and electronic components 41 and chip-like dummy components 51 primarily made from the same material as the primary material of the electronic component 41 are embedded into the insulating layer 21. - 特許庁

半導体基体１１と、この半導体基体１１に形成された穴の内部を少なくとも含む半導体基体１１の表面に形成され、ラジカル酸化又はプラズマ酸化によって形成された、ゲート絶縁膜１２と、穴に埋め込まれて形成されたゲート電極１４と、ゲート絶縁膜１２及びゲート電極１４を含んで構成される縦型のＭＯＳトランジスタを含む半導体装置を構成する。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 11; a gate insulating film 12 which is formed by radical oxidation or plasma oxidation, on the surface of the semiconductor substrate 11, including at least the interior of a hole formed in the semiconductor substrate 11; a gate electrode 14 which is formed to be embedded in the hole; and a vertical MOS transistor which is constituted including the gate insulating film 12 and the gate electrode 14. - 特許庁

ＬＥＤパッケージは、金属板、絶縁体および金属基体がこの順に積層され、当該金属基体の上面にＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤパッケージであって、前記絶縁体の一部が除去されて互いに対向する両側面に開口する貫通溝が形成されており、前記金属基体の下面の一部が当該貫通溝内の空間に露出していることを特徴とする。例文帳に追加

For the LED package, a metal plate, an insulator and a metal base body are laminated in the order, and the LED chip is loaded on the upper surface of the metal base body. - 特許庁

フレーム又はバー又は板等から成る基体を有する電着塗装用キャリアにおいて、該基体の表面に絶縁性かつ親水性を有する材料からなる被覆層を形成したこと。例文帳に追加

The carrier for electrodeposition coating has a base formed of a frame, a bar, a plate or the like, wherein the base has a coating layer formed from a material having insulation properties and hydrophilicity on its surface. - 特許庁

半導体装置は、ｐｎ接合面７を有する半導体基体１と、半導体基体１の第１表面１ｃに形成されているアノード電極３と、第１絶縁膜５とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor base body 1 comprising a pn junction surface 7, an anode electrode 3 formed on a first surface 1c of the semiconductor base body 1, and a first insulating film 5. - 特許庁

半導体装置１１は、半導体基体２０と、半導体基体を搭載する絶縁セラミックス板３０と、熱応力を緩和する応力緩衝部４０と、を有している。例文帳に追加

A semiconductor device 11 has a semiconductor substrate 20, an insulation ceramic plate 30 mounting the semiconductor substrate, and a stress relaxation member 40 for relaxing heat stress. - 特許庁

転写ロール１は、金属シャフト１１と、金属シャフト上にある絶縁基体１０と、前記基体上に配置された複数の埋込み電極８と、複数の埋込み電極を囲む順応性半導体層９とを備える。例文帳に追加

The transfer roll 1 is provided with a metal shaft 11, an insulating substrate 10 on the metal shaft, a plurality of embedded electrodes 8 arranged on the substrate and a conformable semiconductive layer 9 surrounding the embedded electrodes. - 特許庁

このＵＨＦ帯無線ＩＣタグ１は、誘電性樹脂からなるシート状の基体層２と、この基体層２の表面に設けられた樹脂絶縁体層３と、アンテナパターン４と、ＩＣタグ５とを備える。例文帳に追加

The UHF band radio IC tag 1 is provided with: a sheet-like substrate layer 2 made of a dielectric resin; a resin insulator layer 3 provided on the substrate layer 2; an antenna pattern 4; and an IC tag 5. - 特許庁

真空容器１に、電磁波を透過させる絶縁材質からなる中空円筒管２０を設け、複数の基体１０を保持した基体保持具２１を中空円筒管２０内に収納する。例文帳に追加

A hollow cylindrical tube 20 made of an insulation material that transmits an electromagnetic wave is placed in the vacuum container 1 to encase the substrate holding jig 21 in the hollow cylindrical tube 20. - 特許庁

支持基体６０１上に形成された、ギャップを有する第一の金属層６０２と、支持基体６０１と第一の金属層６０２の間に第一の金属層６０２とは異なる第二の金属層又は絶縁層６０３を有する。例文帳に追加

The nucleic acid analysis device includes a first metal layer 602, with a gap formed on a support substrate 601, and a second metal layer or an insulation layer 603 different from the first metal layer 602 between the supporting substrate 601 and the first metal layer 602. - 特許庁

放熱基体は中央部に半導体素子が載置される載置部を有しており、絶縁枠体が放熱基体の上面に載置部を囲むように取着されている。例文帳に追加

This heat dissipation substrate has a mounting section to mount the semiconductor device in the center of the substrate, and an insulation frame is attached so that it may surround the mounting section on the upper surface of the heat dissipation substrate. - 特許庁

本発明による電子部品内蔵基板１０は、複数の絶縁層の積層体を有する基体と、その基体に内蔵された電子部品１と、電子部品の信号端子１１ａに接続されたフィルタ回路部２とを有するものである。例文帳に追加

The substrate 10 with the built-in electronic component has a base having a laminate of a plurality of insulating layers, the electronic component 1 built in the base, and a filter circuit portion 2 connected to a signal terminal 11a of the electronic component. - 特許庁

また、基体は、基体の天面(4)から回路基板に向けて段落ちされ、絶縁基板を実装した凹部(16)を備えており、この凹部がアンテナ装置の低背化を図る。例文帳に追加

The base body (2) has a stepped portion formed from a top surface (4) of the base body (2) toward the circuit board (90) to form a concave portion (16), and the concave portion (16) allows the antenna to have a lower height. - 特許庁

基体として絶縁体であるセラミックからなる基体を用い、その上面に素子を載置するためのダイヤモンド膜が形成されたヒートシンクであって、放熱特性に優れ、安定に使用できるヒートシンクを提供する。例文帳に追加

To provide a heat sink superior in radiation characteristic and used stably in the heat sink forming a diamond film for mounting an element on the upper face by using a substrate consisting of ceramics being an insulator as the substrate. - 特許庁

複数の中心導体３１〜３３は、軟磁性基体４の一方の主面４１上に順次折り曲げられて、絶縁シート６０、６１を介して交差し、軟磁性基体４に最も近い中心導体３１が、接着材層５に接着する。例文帳に追加

The plurality of center conductors 31-33 are successively bent on the one main surface 41 of the base 4 and cross with each other via insulating sheets 60, 61, and the center conductor 31 nearest to the base 4 is bonded on the layer 5. - 特許庁