「絶縁基体」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

絶縁性基体１の裏面に設けた中間端子１７の導体部の前部に、一対の抵抗終端端子金具７の間に位置する半田付け可能な前方中間端子金具部１７ｄを一体に設ける。例文帳に追加

A front intermediate terminal metal fitting 17d is disposed between the pair of resistance terminating metal fittings 7, can be soldered and is provided integrally to the front portion of a conductor of the intermediate terminal 17 provided to the reverse surface of the insulating substrate 1. - 特許庁

絶縁基体に蓋体を接合させるガラス封止材の軟化溶融温度が400℃程度で高いため、封止材を溶融する熱が内部に収容する電子部品に作用して電子部品に特性劣化を招来させてしまう。例文帳に追加

To solve a problem that since the softening/melting point of a glass sealing material for bonding a cover to an insulating substrate is as high as 400°C or thereabout, heat for melting the sealing material acts on an electronic component contained therein to cause deterioration in the characteristics of the electronic component. - 特許庁

製造過程や使用過程で、絶縁基体と発熱抵抗体との界面で隙間が生じる等の不具合が起こりにくいセラミックヒータ及びこれを用いたグロープラグを提供すること。例文帳に追加

To provide a ceramic heater hardly causing trouble such as generation of a gap in an interfacial surface between an insulating base body and a heat generation resistor in a manufacturing process or a usage process. - 特許庁

セラミックヒータ１１０は、軸線ＡＸ方向に延びる絶縁基体１１１と、これに埋設され、発熱部１１６、リード部１１７，１１７及びリード取出部１１８ａ，１１８ｂを有する発熱抵抗体１１５とを備える。例文帳に追加

This ceramic heater 110 is provided with the insulating base body 111 extending in a direction of an axis AX, and the heat generation resistor 115 having a heat generation part 116, lead parts 117, 117 and lead extraction parts 118a and 118b. - 特許庁

絶縁基体１の側面に研削による微小なクラックが発生しにくいので、パッケージの気密性が低下したり配線用メタライズ導体２に断線が発生したりすることがなくなる。例文帳に追加

Since microscopic cracks due to the grinding are hardly generated in the side surfaces of the base body 1, the airtightness of a package for housing a semiconductor element using the wire board deteriorating or a disconnection being generated in the conductors 2 is eliminated. - 特許庁

絶縁基体１の外周側面１ｂに被着した接続用メタライズ層６を全て除去するのではなく、接続用メタライズ層６の一部を残すようにして研磨除去した。例文帳に追加

A metallized layer 6 for connecting, which is adhered to the outer peripheral side surface 1b of the insulation substrate 1, is ground and removed but not all is removed so that a part of the layer 6 remains. - 特許庁

リード部１３２上でセメント材１０４の先端７５が位置する部位において絶縁基体１１０に存在し得るピンホール等の貫通孔は、コート層８５が形成されることにより埋められる。例文帳に追加

The through-hole such as a pinhole or the like, which is present in the insulating substrate 110 at the region where the leading end 75 of the cement material 104 is positioned on the lead part 132, is filled by forming the coating layer 85. - 特許庁

半導体基体の電気的に絶縁された活性領域内にそれぞれ複数の層を有する第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタおよび第２のＭＯＳＦＥＴトランジスタを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a first MOSFET and a second MOSFET, each of which has a plurality of layers in different electrically insulated active regions of a semiconductor substrate. - 特許庁

分割導体板１４は折曲片１４ｂを絶縁性基体１１の側壁に外嵌させており、この折曲片１４ｂに切れ込み１４ｃや切欠き１４ｅを形成して共振周波数の微調整を行う。例文帳に追加

The split conductor plate 14 has a bent piece 14b fitted into the side wall of the insulating base 11, and a cut 14c or a notch 14e is formed into the bent piece 14b to finely adjust the resonance frequency. - 特許庁

半導体基体１上に、絶縁層２を介して少なくとも１層以上の導電体層３が設けられ、導電体層３の少なくとも一部において、コーナー部がラウンド形状とされている半導体装置を構成する。例文帳に追加

At least one of conductor layer 3 is overlaid on an insulation layer 2 on a semiconductor substrate 1 and corner parts are rounded at least in a part of the conductor layer 3. - 特許庁

セラミックヒータ４は、窒化珪素及び導電性セラミックを主成分として含んでなる発熱体２２が、絶縁性セラミックを主成分とする基体２１に対して形成されることで構成される。例文帳に追加

A ceramic heater 4 is configured by forming a heating element 22, containing a silicon nitride and conductive ceramic as main components, in a substrate 21 mainly composed of insulating ceramic. - 特許庁

転送ゲートは、半導体基体の内部に絶縁膜で覆われて配置されてチャネル制御により、光電変換部から不純物領域へ信号電荷を転送する。例文帳に追加

The transfer gate is arranged in the inside of a semiconductor base material being covered with an insulating film, and transfers signal charges to the impurity region from the photoelectric converting part. - 特許庁

基体シート上に遮光部に囲まれた透光部が透光表示柄として形成され、遮光部が絶縁性黒色インクで形成された静電容量スイッチ操作パネル形成用の加飾シートとする。例文帳に追加

A translucent part surrounded by the shaded part is formed on a base material sheet as the translucent display pattern, and the shaded part is used as a decorative sheet for forming the capacitance switch operation panel formed with an insulating black ink. - 特許庁

スペーサ２０は、表面に高抵抗膜２２が形成された絶縁性基体２１の、メタルバック１９及び基板１１との接合部に低抵抗膜２５を形成したものである。例文帳に追加

The spacer 20 is constituted by forming a low resistant film 25 on a joining portion of an insulation substrate 21, between the metal back 19 and the substrate 11, in which a high resistant film 22 is formed on a surface. - 特許庁

封止用メタライズ層に剥離が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したりすることがない、気密信頼性に優れる電子部品収納用パッケージを提供すること。例文帳に追加

To provide an electronic part storing package superior in airtight reliability without producing peeling on a metalized sealing layer and without producing cracks on the insulation board. - 特許庁

パターン精度の高い配線用導体層を絶縁基体との同時焼成にて表面または内部に形成できるセラミック多層配線基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing ceramics multilayer wiring board, with which a conductive layer for wiring having higher pattern accuracy can be formed on the surface or within the board, in simultaneous baking with an insulating base material. - 特許庁

絶縁性基体１１に、素子実装領域１１ａ及び加熱用開口１１ｂにそれぞれ表面が露出するように導電部材１３を取り付ける。例文帳に追加

In the insulating substrate 11, a conductive member 13 is so fitted to the element mounting region 11a and the heating opening 11b that their surfaces are exposed. - 特許庁

式中、α１、α２、及びα３は、それぞれ、電子部品４１、板状枠部材５１、及び、基体１１、各配線層又は各絶縁層の線熱膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）を示す。例文帳に追加

In the formula, α1, α2 and α3 respectively denote the linear coefficients of thermal expansion (ppm/K) of the electronic component 41, the plate-like frame member 51, and the substrate 11, and respective wiring layers or respective insulating layers. - 特許庁

圧電振動子104が、導電性接着剤105により電極パッド103および絶縁基体101に強固に接着され、下面の端部で支持体113により支持されるため、接着の強度を確保しながら小型化することができる。例文帳に追加

Since the piezoelectric vibrator 104 is adhered firmly to the electrode pads 103 and the insulating substrate 101 by the conductive adhesives 105 and supported by the support 113 at the end on the lower surface, the package can be miniaturized, while the strength of adhesion is secured. - 特許庁

絶縁性の基体５に向けて第１の金属材料を含有する第１の前駆体溶液を噴霧することによって、その第１の金属材料の酸化膜からなるバッファ層１０を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 10 composed of an oxide film of a first metallic material is formed on an insulative base 5 by spraying a first precursor solution containing the first metallic material toward the insulative base 5. - 特許庁

絶縁性基板等の基体上に結晶性に優れた単結晶半導体層を得るうえで、生産性等に優れ、フローパターンディフェクトやＣＯＰ（Crystal OriginatedParticles）の影響を受けない高品質な半導体部材を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor member whose productivity is excellent and whose quality is high without the influence of any flow pattern defect or COP(crystal originated particles) at the time of obtaining a single crystal semiconductor layer whose crystallinity is excellent on a substrate such as an insulating substrate. - 特許庁

封止領域よりも外側において接合材が絶縁基体の上面に流れ出ることが抑制された電子部品封止用基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic component encapsulating substrate which restrains bonding material from flowing out to the top face of an insulating base on the outside from an encapsulation area, and a manufacturing method thereof. - 特許庁

この焼成手順の恩恵をより有効に得られる構成は、絶縁性セラミック基体に対して導電性セラミック発熱部材が占める体積割合を１０％以上とした構成である。例文帳に追加

A structure effectively obtained by the benefits of this baking procedure is a structure where a volume ratio occupied by the conductive ceramic heat generation member in the insulating ceramic base body is set to 10% or more. - 特許庁

封止用メタライズ層に接続されたメタライズ配線導体に断線が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したりすることのない、信頼性の高い電子部品収納用パッケージを提供すること。例文帳に追加

To provide an electronic part storing package high in reliability without producing disconnection on a metalized wiring conductor connected to a sealing metalized layer without producing cracks on an insulation substrate. - 特許庁

エッチング工程においてパターニング後の被処理基体から残留レジストを除去するに際し、低誘電率材料からなる絶縁膜のダメージを十分に抑制することが可能なレジストの除去方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for removing a resist for sufficiently suppressing damage of an insulating film consisting of a low dielectric constant material when removing a residual resist from a base substance to be treated after patterning in an etching process. - 特許庁

ムライト質焼結体からなる絶縁基体に対する接着強度の高い表面配線層を有するプローブカード用配線基板およびプローブカードを提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board for a probe card which has a surface wiring layer having high adhesive strength to an insulting substrate formed of a sintered mullite-based body, and the probe card using the same. - 特許庁

メタライズ層１０２は、凹部１０５を取り囲む第１の領域１０２ａと第１の領域１０２ａから絶縁基体１０１の外縁に向かって突出した複数の第２の領域１０２ｂとを有する。例文帳に追加

The metallized layer 102 is provided with a first region 102a surrounding the recess 105, and a plurality of second regions 102b projected from the first region 102a toward the outer rim of the insulating substrate 101. - 特許庁

第１及び第２の絶縁膜１１ａ、１１ｂをエッチングして漏斗状孔１４ａに連続する第２の孔１５を形成し、半導体基体１０の表面を露出させる。例文帳に追加

The first and second insulating films 11a, 11b are etched, a second hole 15 continued to the funnelform hole 14a is formed, and the surface of the semiconductor substrate 10 is exposed. - 特許庁

樹脂製被覆材と絶縁基体との間に剥離が発生し、半導体素子の気密封止が破れて半導体素子を長期間にわたり安定に作動させることができない。例文帳に追加

To realize a semiconductor device, in which a semiconductor element is hermetically and completely sealed up with a resin covering material to operate stably for a long term, by firmly bonding an insulating base and the resin covering material together, and to surely connect the electrodes of the semiconductor element to prescribed outer circuits. - 特許庁

絶縁材からなる枠型の基体１の表面に導電性回路２となる部分及びシールド層３となる部分を残して被覆材６を射出成形し、触媒付与後に、この被覆材を溶出除去する。例文帳に追加

A coating material 6 is injection-molded on the surface of the frame-shaped substrate 1 made of an insulating material, while remaining the part to be the conductive circuit 2 and the part to be the shield layer 3 thereon, and after providing a catalyst, the coating material is removed. - 特許庁

本発明の光導波モジュール８において、光導波層５及び受光素子９を含むシリコン基体２上に、絶縁膜１６を介して半導体層１７が接合されている、光・電気複合デバイス１４。例文帳に追加

As regards the optoelectric composite device 14, a semiconductor layer 17 is jointed to the silicon substrate 2 including the optical waveguide layers 5 and the light-receiving element 9 in the optical waveguide module 8. - 特許庁

より低い溶接電流値で効率良く気密封止が可能で、絶縁基体にクラックが発生したりすることのない、信頼性の高い電子部品収納用パッケージを提供すること。例文帳に追加

To provide a highly reliable package for containing an electronic component in which airtight sealing can be carried out efficiently with a lower welding current level and cracking does not take place in the insulating basic body. - 特許庁

絶縁基体とダイアフラムとの間に屑が介在してしまった場合、これを検出することができ、外部の圧力を良好に検出することができる圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a package for a pressure detector and the pressure detector, capable of detecting a chip when the chip is interposed between an insulation base and a diaphragm, and capable of satisfactorily detecting external pressure. - 特許庁

絶縁基体を形成する際に積層体を加圧することに起因する、枠部セラミック層により形成されるキャビティの内周側への倒れこみを防止する。例文帳に追加

To prevent a cavity that is formed of a ceramic layer at a frame section from falling to the inner peripheral side caused by the pressing of a laminate when forming an insulating substrate. - 特許庁

プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。例文帳に追加

A DLC film 2 of insulating performance is formed on the surface of the substrate 1 by a film formation method of a plasma CVD method, a sputtering method, a PBII method or the like. - 特許庁

より詳しくは、絶縁基体２０は、外部基板に取着される実装面を有した基板部分２０ｃと、センサ素子１０が接合される接合体部分２０ｄから構成されることにより達成される。例文帳に追加

To be more precise, this sensor device is accomplished by the base substance 20 being made up of substrate portions 20c comprising mounting surfaces attached to an external substrate, and a joint body portion 20d with the sensor elements 10 joined thereto. - 特許庁

絶縁基体の反りに影響して生じる光半導体素子の反りを効果的に防止し、光半導体素子の受光特性を維持し、安定して作動する光半導体装置を作製すること。例文帳に追加

To manufacture an optical semiconductor device in which warp of an optical semiconductor element due to influence of warp of an insulating substrate is effectively prevented, in which a light reception characteristic of the optical semiconductor element is maintained, and which stably operates. - 特許庁

１ＧＨｚ以上の高周波帯でも導電率が高い配線層を具備し、配線層と絶縁基体との界面にクラックや剥離が発生することのない配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board equipped with a wiring layer, high in conductivity, even under a high frequency band of not lower than 1 GHz and that will not generate cracks or separation in an interface between the wiring layer and an insulating substrate. - 特許庁

多結晶基体あるいはその上に形成した半導体層中の粒界部を陽極化成により多孔質化した後、酸素雰囲気中で多孔質化した粒界部を酸化して絶縁化処理を施すことにより、不活性化する。例文帳に追加

A polycrystalline substrate or a grain boundary in a semiconductor layer formed on the polycrystalline substrate is changed into porosity by anodization, and the grain boundary that has been changed into porosity is oxidized in an oxygen atmosphere for executing insulation treatment for inactivation. - 特許庁

絶縁基体に形成した貫通孔を導電部材で充填して成る回路基板において、放熱性が高く、信頼性の高い回路基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a circuit board, in which a penetrating opening formed in an insulating base is filled with a conductive member and which has high heat radiation performance and high reliability. - 特許庁

絶縁基体に搭載される電子部品と外部電気回路基板における実装面との間の平行度が高く、電子部品の機能精度に優れた電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供する。例文帳に追加

To keep high parallelism between an electronic part mounted on an insulating substrate and a mounting surface on an external electronic circuit board to improve the functional precision of the electronic part. - 特許庁

さらに、基体１１の最表面には、駆動トランジスタＴｒ１および第１電極層１３と電気的に絶縁されると共に第２電極層１６と電気的に接続された金属層２３が設けられている。例文帳に追加

The display is provided, on the uppermost face of the base body 11, with a metal layer 23 electrically insulated from the drive transistor Tr1 and the first electrode layer 13 and electrically connected to the second electrode layer 16. - 特許庁

基体上に、少なくともゲート電極パターン、ゲート絶縁層、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン、及び有機半導体材料を含有する半導体層と、を有する有機薄膜トランジスタにおいて、該ゲート絶縁層が、硬膜剤によって架橋されたゼラチンを含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。例文帳に追加

The organic thin-film transistor comprises a gate electrode pattern, a gate insulation layer, a source electrode pattern, a drain electrode pattern, and a semiconductor layer containing an organic semiconductor material formed on a substrate wherein the gate insulation layer contains gelatin bridged by a hardening agent. - 特許庁

選択的に結晶成長させた六角錐形状のＧａＮ系半導体発光素子１１を基体２０の上面にエポキシ樹脂からなる絶縁層２１で埋め込んで固定した後、酸素プラズマ雰囲気下に絶縁層２１を選択的にドライエッチングしてＧａＮ系半導体発光素子１１の上端部を露出させる。例文帳に追加

A hexagonal cone-like GaN-based semiconductor light-emitting element 11, whose crystal is selectively grown, is embedded and fixed on the upper surface of a substrate 20 by using an insulation layer 21 made of epoxy resin, and the insulation layer 21 is selectively dry-etched in an oxygen atmosphere, to expose the upper end part of the element 11. - 特許庁

非接触ＩＣタグ装置を、アンテナコイル１が一体形成されたＩＣ素子２と、ブースタコイル３及び静電容量接続パッド４ａ，４ｂが形成された絶縁部材５と、前記静電容量接続パッド４ａ，４ｂに接続されたチップコンデンサ６と、これらＩＣ素子２、チップコンデンサ６及び絶縁部材５を一体にケーシングする基体７とから形成する。例文帳に追加

This noncontact IC tag device is formed of an IC element 2 integrally formed with an antenna coil 1, the booster coil 3, an insulating member 5 for forming capacitance connecting pads 4a and 4b, a chip capacitor 6 connected to the capacitance connecting pads 4a and 4b, and a base body 7 for integrally casing these IC element 2, chip capacitor 6, and insulating member 5. - 特許庁