「絶縁基体」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

このように作製された絶縁基体１を備えた半導体装置用ソケットでは、半導体パッケージを装着した際に、各外部接続端子がそれぞれ対応する各係合端子３に嵌合して、係合端子３と外部接続端子とが電気的に導通する。例文帳に追加

In the socket for the semiconductor device having the insulating substrate 1, when the semiconductor package is installed, each of external connectors is insertion-engaged with the each corresponding engaging terminal 3 to make the engaging terminal 3 and the external connector electrically conductive with each other. - 特許庁

電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。例文帳に追加

A manufacturing method of the electron emitting element comprises a process to prepare beforehand a substrate having an insulating or a semi-conductive layer, and a process to expose the layer in an atmosphere including a neutral radical containing hydrogen. - 特許庁

固体電解質体７は、酸素イオン伝導性を有する例えばＳｃ安定化ジルコニア固溶体からなり、一方、インターコネクタ５のセラミック基体１３と外側コネクタ６のセラミック基体２１Ａ、２１Ｂとは、酸素イオン伝導性の無いセラミックス材料（酸素イオン絶縁性のセラミックス材料）から構成されている。例文帳に追加

A solid electrolyte 7 is made of an Sc stabilized zirconia solid solution having oxygen ion conductivity for example, a ceramic substrate 13 of an interconnector 5 and a ceramic substrate 21A, 21B of an outside connector 6 are made of a ceramics material having no oxygen ion conductivity ( an oxygen ion insulating ceramics material). - 特許庁

加工硬化による上側電極３と下側電極４との距離の変化を低減するとともに、絶縁基体１が破損する可能性を低減することができ、外部の圧力を長期間にわたって精度良く検出することができる信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置となる。例文帳に追加

This constitution makes it possible to reduce the possibility of change in a distance between the upper-side electrode 3 and the lower-side electrode 4 due to work curing and also to reduce the possibility of damage of an insulated substrate 1, and thus the substrate for the pressure detector, and the pressure detector, capable of accurately detecting the external pressure for a long period and are superior in reliability are achieved. - 特許庁

実質的に真空に調整された真空雰囲気中に基体を配置し、導電材料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも一つあるいはこれら材料の前駆体のうちの少なくとも一つをノズル３から真空雰囲気中に吐出し、基体上の所定位置に少なくとも一つの材料を配置する。例文帳に追加

A method for manufacturing the electronic element and so forth, comprises steps of disposing a base in a vacuum atmosphere substantially regulated to the vacuum, discharging at least one of the conductive material, the semiconductor material and the insulating material or at least one of a precursors of these materials from a nozzle 3 into the atmosphere, and disposing at least one material at a predetermined position on the base. - 特許庁

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。例文帳に追加

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213. - 特許庁

本発明にかかる強誘電体キャパシタ５０は、基体１０と、前記基体の上方に設けられた第１電極２０と、前記第１電極の上方に設けられた強誘電体層３０と、前記強誘電体層の上に設けられた導電膜３２と、前記導電膜の上方に設けられた絶縁性材料からなる犠牲層３４と、前記犠牲層の上方に設けられた第２電極４０と、を含む。例文帳に追加

A ferroelectric capacitor 50 includes a base body 10, a first electrode 20 formed above the base body, a ferroelectric layer 30 provided above the first electrode, a conductive film 32 formed on the ferroelectric layer, a sacrificial layer 34 provided above the conductive film and made of an insulating material, and a second electrode 40 provided above the sacrificial layer. - 特許庁

焼成後に固体電解質体となるジルコニアを主成分とする固体電解質体に、絶縁性セラミックを主成分とする基体が直接接するセンサ素子において、基体と開空間との境界に対する固体電解質体に起こるクラックの発生を抑制するガスセンサの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a gas sensor constituted so as to suppress the occurrence of the crack formed in a solid electrolyte with respect to the boundary of a substrate and an open space, in a sensor element wherein the substrate based on insulating ceramic is in a direct contact with the solid electrolyte based on zirconia becoming the solid electrolyte after baking. - 特許庁

本発明の目的は、ファイン化された回路パターンの形成を可能としつつ絶縁性フィルムである基体シートと導電層との密着力を向上させ、さらに基体シートの吸湿性を改善し高度な寸法安定性を確保したとともに高周波特性にも優れた導電性シートを提供することにある。例文帳に追加

To provide a conductive sheet of which the dimensional stability is highly ensured and the high frequency characteristics are also made excellent by enhancing the adhesion of a substrate sheet being an insulating film and a conductive layer while enabling the formation of a fine circuit pattern and improving the moisture absorbability of the substrate sheet. - 特許庁

基体として絶縁体であるセラミックからなる基体を用い、その上面に素子を載置するためのダイヤモンド膜が形成されたヒートシンクとして使用できる高熱伝導性基板であって、放熱特性に優れ、安定に使用でき、更に切断等の加工を行なった場合にダイヤモンド膜が破損し難い高熱伝導性基板を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate of high thermal conductivity excellent in heat radiation property capable of using stably and moreover a diamond film is hardly broken when machining it such as cutting, where the ceramic substrate as an insulator, on the upper surface of which the diamond film is formed on which an element is provided, is constituted as the substrate of high thermal conductivity usable for a heat sink. - 特許庁

振動空間を有する基体１と、その振動空間Ａを被覆するように前記基体１表面に形成されたダイヤモンドからなる支持膜２と、その上に順次形成された密着層３と、一対の電極５、７で挟持された圧電体６とを具備した圧電共振子であって、密着層３が絶縁体からなる。例文帳に追加

The piezoelectric resonator is equipped with a base body 1 which has a vibration space, the base film 2 made of diamond formed on a top surface of the base body 1 so that the vibration space A is covered, a contact layer 3 which is formed in order thereupon, and the piezoelectric body 6 which is sandwiched between a pair of electrodes 5 and 7, and the contact layer 3 is made of an insulator. - 特許庁

部品内蔵モジュール１００は、上側表面１０ａおよび該上側表面に対向する下側表面１０ｂならびにこれらを接続する側面１０ｃを有して成る絶縁性シート状基体１０；上側表面から側面上を経由して下側表面に延在する少なくとも一本の配線２０；およびシート状基体内に配置された電子部品３２を有して成る。例文帳に追加

The module with a built-in component 100 has an insulating sheet substrate 10 which has an upper surface 10a, a lower surface 10b opposite to the upper surface and a side surface 10c which joins these surfaces; at least one wiring 20 which extends from the upper surface to the lower surface through the side surface; and electronic components 32 disposed within the sheet substrate. - 特許庁

本発明の絶縁膜の形成方法は半導体基板上にシリコン酸化薄膜を有する基体表面を高真空に保持された真空容器内で真空紫外光を照射する工程と、真空紫外光照射後に基体を大気に暴露することなく、高真空状態に保持された真空容器内で窒化或いは酸窒化いずれかの処理を行う工程とを有することを特徴とする。例文帳に追加

A method for forming an insulating film comprises a process for irradiating a substrate surface having a silicon oxide thin film on a semiconductor substrate with vacuum ultraviolet rays in a vacuum container retained in high vacuum; and a process for performing either nitriding or oxynitriding treatment in the vacuum container retained in a high vacuum state without exposing the substrate to the atmosphere after the irradiation of vacuum ultraviolet rays. - 特許庁

本発明の導電性シートは、表面粗化処理がされていない表面を有し、かつ水分を含む揮発性成分の含有率が１質量％以下である絶縁性フィルムを基体シートとし、該基体シートの表裏少なくとも一方の表面にＳｉ含有層を形成し、該Ｓｉ含有層上に導電層を形成したことを特徴としている。例文帳に追加

The conductive sheet has a surface not subjected to surface roughening treatment and is characterized in that the insulating film which is reduced to 1 mass % or less in the content of a moisture-containing volatile component is used as the substrate sheet, an Si-containing layer is formed to at least one of both surfaces of the substrate sheet and the conductive layer is formed on the Si-containing layer. - 特許庁

そして、基体２の上面と下面との間を貫通する貫通孔９と、この貫通孔９を塞ぎ、基体２の下面に形成され励振電極５に電気的に接続された引き出し電極10と、この引き出し電極10をその一部領域を露出させるように覆う絶縁体11とを備えた弾性表面波装置とする。例文帳に追加

The device is provided with a through hole 9, piercing between the top surface and the lower surface of the substrate 2; a lead out electrode 10 which plugs this through hole 9 up, is formed on the lower surface of the substrate 2 and is electrically connected to the excitation electrode 5; and an insulator 11 which covers this electrode 10, in such a way as to make its part region exposed. - 特許庁

基板２と９との間に電解質組成物６が充填され、基体２と９との間に設けられた封止材１０によって電解質組成物６が封入されている湿式デバイス１において、封止材１０の存在領域全体に亘って絶縁性のスペーサー１１が配置され、この絶縁性のスペーサー１１が基板２及び９に対し封止材１０によって接合されていることを特徴とする湿式デバイス１。例文帳に追加

A manufacturing method of a wet-type device 1 comprises the steps of filling electrolyte composition 6 between substrates 2 and 9; sealing the electrolyte composition 6 with a sealing member 10 formed in between the substrates 2 and 9; arranging an insulating spacer 11 across the entire existence range of a sealing member 10; and bonding the insulating spacer 11 to the substrates 2 and 9 with the sealing member 10. - 特許庁

導電性基体上に、絶縁性ブロックと電荷輸送性ブロックとを含む共重合体を含有する感光層を設けた電子写真感光体であって、前記絶縁性ブロック及び前記電荷輸送性ブロックの少なくとも一方に、ゴム弾性を有する構造の少なくとも１種を繰り返し単位として含むことを特徴とする電子写真感光体、並びに、それを備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置である。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor provided with a photosensitive layer having a copolymer containing an insulatable block and a charge transfer type block on a conductive substrate includes at least one kind of structures having rubber elasticity as a repetitive unit in at least either of the insulatable block and charge transfer type block described above as well as the process cartridge and image forming device having the same. - 特許庁

第１の主面にリッジが形成されたガリウムヒ素系または窒化ガリウム系の半導体基体と、前記リッジの側面及び前記リッジの周囲の前記第１の主面を覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に積層された窒化アルミニウム膜と、前記リッジの上面と前記窒化アルミニウム膜の上に設けられた第１の金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

The semiconductor laser element is provided with a gallium-arsenide-based or gallium-nitride-based semiconductor substrate having a ridge formed on a first principal plane, an insulation film provided to cover side faces of the ridge and the first principal plane around the ridge, an aluminum nitride film laminated on the insulation film, and a first metal electrode provided on the upper surface of the ridge and on the aluminum nitride film. - 特許庁

複合電子部品１００は、第１及び第２の磁性基体１１ａ、１１ｂに挟まれたコモンモードフィルタ層１２ａ及び静電気対策素子層１２ｂを備え、静電気対策素子層１２ｂは、下地絶縁層２７の表面に形成されたギャップ電極２８〜３１と、ギャップ電極２８〜３１を覆う静電気吸収層３３とを備えている。例文帳に追加

A composite electronic component 100 includes a common mode filter layer 12a and an antistatic device 12b sandwiched by first and second magnetic base substance 11a, 11b, and the antistatic device 12b includes gap electrodes 28 to 31 formed on the surface of a substrate insulating layer 27 and a static electricity absorption layer 33 covering the gap electrodes 28 to 31. - 特許庁

絶縁性基体１に施した無電解銅めっき２の表面において、レーザー光３の照射による除去が容易な非回路となる部分２２ａ〜２２ｄについて、このレーザー光の照射によって無電解銅めっきを除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材４で被覆する。例文帳に追加

As regards those parts 22a-22d on the surface of an electroless copper plating 2 done onto an insulating substrate 1 that are easily removed by irradiation of the laser beam 3, which become non-circuits, the electroless copper plating is removed by irradiating this laser beam, and the parts not removed by irradiation of the laser beam, which will become non-circuits, are covered with a mask material 4. - 特許庁

電子部品収納用パッケージの絶縁基体１の凹部２の周囲の側壁部の上面に蓋体を樹脂からなる接合剤を介して接合する際に、電子部品収納用パッケージと接合剤との接合面積を広くすることができ、電子部品収納用パッケージと蓋体との接合強度を向上させることができる。例文帳に追加

When the lid body is bonded to upper surfaces of the side wall portions at the periphery of the recessed part 2 of the insulating base 1 of the package for electronic component storage with a bonding agent made of resin, the bonding area between the package for electronic component storage and the bonding agent can be increased to improve the bonding strength between the package for electronic component storage and the lid body. - 特許庁

絶縁基体４の上面に電子部品３が搭載される搭載部Ａおよび該搭載部Ａを取り囲む四角枠状の封止用メタライズ層６を形成して成る電子部品搭載用基板１であって、前記封止用メタライズ層６は、その上面に、該封止用メタライズ層６の外辺に沿った溝状の凹部６ａが形成されている例文帳に追加

In a substrate 1 for mounting an electronic component having a part A for mounting an electronic component 3 and a square frame-like sealing metallize layer 6 surrounding the mounting part A formed on the upper surface of an insulating substrate 4, the sealing metallize layer 6 is provided, in the upper surface thereof, with a groove-like recess 6a along the outer side thereof. - 特許庁

この時絶縁基体２のコーナー部２Ａのコーナー方向と辺方向のキャスタレーション６ａと６ｂ、６ｂにも半田実装時に溶融した半田３１が吸い上げられ、キャスタレーション６ａと６ｂ、６ｂに半田フィレットが形成され、外力の掛かかり易いコーナーの半田接合強度が向上する。例文帳に追加

The solder 31 molten when solder-packaging is also sucked into the castellations 6a, and 6b, 6b along the corner and side directions of the corner 2A of the substrate 2, and solder fillets are formed in the castellations 6a, and 6b, 6b, thereby improving solder joint strength of a corner where external force is apt to work. - 特許庁

開口幅が小さく、アスペクト比の大きいトレンチを有する絶縁性の基体に対して、メッキ法によるトレンチ埋め込みのための導電性下地膜を形成するための方法、乃至多層化構造のスルーホールの内面に厚さの均一な導電性膜を形成する方法として有用なアルミニウム膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a conductive foundation film for burying a trench by a plating method to an insulating base having a trench of a small opening width and a large aspect ratio, or a formation method for forming an aluminum film which is useful as a method for forming a conductive film of a uniform thickness in an inner surface of a through-hole of a multilayer structure. - 特許庁

各種液晶表示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離することができ、しかもその際に、使用される各種半導体層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥離方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a photoresist stripper capable of easily removing a photoresist layer formed on an inorganic substrate, photoresist residue and dust generated in etching in a process for manufacturing various liquid crystal displays or semiconductor devices without corroding various semiconductor layer materials, electrically conductive materials or insulating film materials and to provide a method for stripping a photoresist. - 特許庁

本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第１の層１０３を成膜する工程と、第１の層１０３上に、炭素を主成分とする第２の層１０４を成膜する工程と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The electron emission element manufacturing method includes a process of forming an electron emission film, a process of forming a first layer 103 having insulating or semi-conductive property on a substrate and a process of forming a second layer 104 mainly containing carbon on the first layer 103. - 特許庁

ガラスセラミックス焼結体からなる絶縁基体３と、その内部および／または表面に同時焼成により形成された配線層２および抵抗体１とからなる配線基板であって、抵抗体１が４０〜８０質量％の白金を２０〜６０質量％の酸化錫で被覆した金属粉末の焼成体で形成されている配線基板である。例文帳に追加

In this case, the resistor 1 is formed by the sintered body of metal powder, where a platinum of 40 to 80 mass % covers a tin oxide of 20 to 60 mass %. - 特許庁

絶縁基体は、電極形成部１２ａのコイル軸に直交する断面形状が長方形であるのに対して、コイル形成部１２ｂの断面形状は８角形状をなし、その最大幅をＷ_1 とし、幅広面の幅をＷ_2 としたとき、０．５＜Ｗ_2 ／Ｗ_1 ≦０．９であり且つ稜線部の面間の曲率半径ＲがＲ≦０．０５mmである。例文帳に追加

The part 12b is formed to meet 0.5<W_2/W_1≤0.9 (where W_1 and W_2 respectively denote the maximum width and the widths of the broad surfaces of the part 12b) and R≤0.05 mm (where R denotes the radii of curvature between surfaces in the ridge sections of the part 12b). - 特許庁

グロープラグは、絶縁性セラミックからなるセラミック基体中１３に導電性セラミックからなるセラミック抵抗体１０が埋設された棒状のセラミックヒータ１を備えて構成され、セラミックヒータ１の先端部を突出させる形にて配置される金属外筒３と、内燃機関への取付部が形成された主体金具４が設けられる。例文帳に追加

The glow plug is equipped with a bar-shaped ceramic heater 1 where a ceramic resistor 10 consisting of conductive ceramic is buried in a ceramic substrate 13 consisting of insulating ceramic, and it is provided with a metallic outer tube 3 which is arranged with the tip of the ceramic heater 1 projected, and a main metal fitting 4 where a mounting part to an internal combustion engine is made. - 特許庁

樹脂接着剤層を介して、透光性蓋体等の蓋体が絶縁基体の上面の凹部の周囲に強固に接着されるとともに、蓋体の上面に樹脂接着剤層の一部が付着するようなことのない、気密封止の信頼性に優れるとともに正確な受光が可能な半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is high in hermetic sealing reliability and capable of receiving light with high accuracy, wherein a lid, such as a translucent lid or the like, is firmly bonded around a recess provided on the top surface of an insulating board through the intermediary of a resin adhesive layer, and a part of the resin adhesive layer is hardly sticking to the top surface of the lid. - 特許庁

銅または銅を主成分とする合金から成るメタライズ配線層を外部電気回路に低融点ろう材を介して電気的に接続したときに、メタライズ配線層が絶縁基体から剥がれるような問題が発生することなく、また、配線基板の反りも効果的に防止した、接続信頼性に優れるとともに低電気抵抗の配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board with excellent connection reliability as well as low electric resistance that prevents a metallized wiring layer comprising copper or an alloy predominantly composed of copper from being separated from an insulating substrate when the metallized wiring is connected to an external electric circuit via a low-melting brazing filler metal, and effectively prevents the warpage of the wiring board. - 特許庁

主表面を有するシリコン基板１と、この基板１内に形成された溝２と、この溝２内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部４を有し、かつこの突出部４の頂部から基体の主表面にかけてスロ−プ状５ａ〜５ｃとなっている絶縁膜から成る素子分離領域を有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 having a major surface, a trench 2 made in the substrate 1, and an isolation region comprising an insulation film filling the trench 2 and having a part 4 projecting from the major surface where slopes 5a-5c are formed from the top of the projecting part 4 to the major surface of a basic body. - 特許庁

基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。例文帳に追加

The metamorphic buffer layer 20 on a base body 1 has its extension area 20R formed outside a formation part for a semiconductor element across an inter-element separation groove 41 to reduce a substantial step between the semiconductor element and another part adjacent thereto, thereby improving reliability of an insulating layer, a wire, etc., against the stepping. - 特許庁

絶縁基体１に形成した配線導体２の表面に被着させたニッケルめっき層９上に錫を含有する半田７・８を接合させて成る配線基板であって、ニッケルめっき層９と半田７・８との間の90％以上の面積において厚みが0.05〜５μｍのニッケル−錫合金層10が形成されている。例文帳に追加

In a wiring board with solder 7, 8 containing tin on the nickel plated layer 9 adhered on the surface of a wiring conductor 2 formed on an insulation base substance 1, the nickel-tin alloy layer 10 of thickness of 0.05-5 μm is formed in the area of 90% or more between the nickel plated layer 9 and the solder 7, 8. - 特許庁

圧電素子収納用パッケージ２０１と、凹部１０９に収容され電極が電極パッド１０２に電気的に接続された圧電素子２０２と、絶縁基体１０１の上面に凹部１０９を覆うように搭載され電極２０４が導電パッド１０４に電気的に接続された半導体素子２０３とを備えている。例文帳に追加

The piezo-electric device comprises the piezo-electric element receiving package 201; the piezo-electric element 202 housed in a recess 109 and whose electrode is connected electrically to an electrode pad 102; and the semiconductor element 203 mounted on the upper surface of the insulating substrate 101 so as to cover the recess 109 and whose electrode 204 is connected electrically to a conductive pad 104. - 特許庁

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。例文帳に追加

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment. - 特許庁

絶縁基体４の上面に電子部品３が搭載される搭載部Ａおよび該搭載部Ａを取り囲む四角枠状の封止用メタライズ層６を形成して成る電子部品搭載用基板１であって、前記封止用メタライズ層６は、角部における上面の高さが、辺部における上面の高さよりも低い。例文帳に追加

In a substrate 1 for mounting an electronic component having a part A for mounting an electronic component 3 and a square frame-like sealing metallize layer 6 surrounding the mounting part A formed on the upper surface of an insulating substrate 4, upper surface of the sealing metallize layer 6 is higher at the corner part than at the side part. - 特許庁

金属材料からなる配線層20が表面に形成された絶縁基体10と、配線層20を被覆するめっき層30と、配線層20の金属材料の腐食速度を低減するための腐食抑制剤を含み、少なくともめっき層30の外縁部に被着されている腐食抑制層60とを備える配線基板Ｘである。例文帳に追加

The wiring board X includes an insulating base 10 whose surface is overlaid with the wiring layer 20 made of a metal material, a plating layer 30 coating the wiring layer 20, and a corrosion inhibiting layer 60 which contains a corrosion inhibitor for slowing the corrosion rate of the metal material of the wiring layer 20 and covers at least an outer edge part of the plating layer 30. - 特許庁

半導体デバイスなど電子機器の製造において、硬いバリア層や層間絶縁膜を研磨する際に、凹部の銅或いは銅合金表面を研磨中に保護することにより、研磨後に平坦性に優れた清浄な基体表面が得られる研磨液、及び前記研磨液を用いて生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度に優れ、信頼性の高い化学機械研磨を行う研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing solution for polishing hard barrier layers and layer insulation films while the surface of cupper or a cupper alloy in a recess is protected during polishing to obtain a polished superior-flatness clean substrate surface, in the manufacturing of an electronic apparatus such as a semiconductor device, and to provide a high reliability chemical/mechanical polishing method superior in microprocessing, thinning, and dimension accuracy. - 特許庁

赤外線吸収層４２、この赤外線吸収層４２において発生した熱を電気信号に変換する熱電変換部４１とを備える検知部Ｘ_ｉ，ｊを、画素の主要部とし、この検知部Ｘ_ｉ，ｊの複数個を熱的に絶縁して基体（１，２，４）に配列した熱型赤外線撮像装置である。例文帳に追加

In this thermal type infrared imaging device, a detection part X_i, j equipped with an infrared absorption layer 42 and a thermoelectric conversion part 41 for converting heat generated in the infrared absorption layer 42 into an electric signal is used as a main part of a pixel, and a plurality of detection parts X_i, j are thermally insulated and arrayed on substrates (1, 2, 4). - 特許庁

セラミックヒータは、１対の棒状のリード部、リード部の先端部同士を連結する略Ｕ字状の連結部、及び、各リード部から外周方向に突出する電極取出部を具備し、導電性セラミックからなる発熱素子と、発熱素子を保持する絶縁性セラミックからなる基体とを備える。例文帳に追加

This ceramic heater is provided with a heat generating element comprising an approximately U-shaped connecting portion connecting tip portions of a pair of rod-shaped lead portions, and electrode taking-out portions projecting to the outer peripheral direction from each of the lead portions, and composed of electrically conductive ceramic, and a base retaining the heat generating element and composed of insulating ceramic. - 特許庁

導電性基体と少なくとも感光層の間に、非導電性無機微粒子とバインダーを含有する中間層を有する電子写真感光体において、該非導電性無機微粒子の数平均一次粒径が５〜３００ｎｍであり、該中間層の端部が最上層に覆われず露出している絶縁層であることを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

In the electrophotographic photoreceptor having an intermediate layer containing a nonconductive inorganic particulates and a binder, between a conductive base body and at least the photosensitive layer, the number-average primary particle diameter of the nonconductive inorganic particulates is 5-300 nm, and an end part of the intermediate layer is the exposed insulation layer not covered by the uppermost layer. - 特許庁

その結果、仕切り手段７において、弾性仕切り膜１０が板部材に衝突して振動が発生したとしても、その振動が車体フレームへ伝達されることを、振動伝達経路の一部を構成する防振基体３の振動絶縁効果により、確実に抑制して、異音の発生を大幅に低減することができる。例文帳に追加

As a result, even if the elastic partition membrane 10 collides against a plate member and vibration occurs in the partitioning means 7, transmission of its vibration to the vehicle body frame is securely suppressed by vibration insulation effect of the vibration control basic body 3 constituting a part of the vibration transmission path to reduce occurrence of abnormal sound greatly. - 特許庁

メンブレンスイッチ６は、スイッチ用の電極７ａがマトリックス状に形成された基体７と、電極７ａと対応する位置に孔８ａが形成されたスペーサ８と、電極７ａと共同してスイッチを構成する電極９ａがマトリックス状に形成された絶縁シート９とが積層されて本体部10が構成されている。例文帳に追加

A substrate 7 formed with switch electrodes 7a in a matrix shape, a spacer 8 formed with holes 8a at positions corresponding to the electrodes 7a, and an insulating sheet 9 formed with electrodes 9a constituting switches together with the electrodes 7a in a matrix shape are laminated to form the main body section 10 of this membrane switch 6. - 特許庁

絶縁基体１の内部に複数の内部配線層２を、表面に前記内部配線層２と電気的に接続する複数の接続パッド３を形成して成る配線基板５であって、前記内部配線層２をタングステンおよび／またはモリブデンと銅とで形成するとともに、接続パッド３をタングステンおよび／またはモリブデンと鉄族金属とで形成した。例文帳に追加

In the wiring board 5 where a plurality of internal wiring layers 2 are formed inside an insulating substrate 1 and a plurality of connection pads 3 to be electrically connected with the internal wiring layers 2 are formed on its surface, the internal wiring layers 2 are formed using tungsten and/or molybdenum and copper and the connection pads 3 are formed using tungsten and/or molybdenum and an iron group metal. - 特許庁