「絶縁基体」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

ガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体１の内部および／または表面に、配線導体３と、この配線導体３の上面および下面を覆うフェライトおよび１重量％以下のガラスから成るフェライト層２とが、絶縁基体１との同時焼成で形成されている配線基板である。例文帳に追加

The glass ceramic board comprises wiring a conductor 3, and an ferrite layer 2 containing ferrites covering the upper surface and the lower surface of the conductor 3 and 1 wt.% or less glass formed by simultaneously burning together with an insulating base 1 made of glass ceramic sintered material in the interior and/or the surface of the base 1. - 特許庁

パッケージ３７内に圧電振動片３２を収容した圧電デバイス３０であって、前記圧電振動片３２が、パッケージ内の絶縁性基体に対して、硬化状態で弾性の低い非導電性接着剤４３により固定されており、かつ前記絶縁性基体に形成した電極部３１，３１に対して、前記圧電振動片がワイヤボンディングにより接続されている。例文帳に追加

In this piezoelectric device 30 housing the piezoelectric vibrating piece 32 in the package 37, the piezoelectric vibrating piece 32 is fixed to an insulating substrate in the package by a non-conductive adhesive 43 with low elasticity in a cured state, and the piezoelectric vibrating piece is connected to electrode parts 31, 31 formed on the insulating substrate by wire bonding. - 特許庁

電子部品収納用パッケージを小型化するとともに絶縁基体の凹部底面に配線導体が高密度で形成されるようにし、また凹部を取り囲む側壁部の幅が小さくても絶縁基体の電子部品の搭載部に生じる反りを効果的に抑えて、配線導体の高い接続信頼性を有する小型，高信頼性のものとすること。例文帳に追加

To downsize a package for housing an electronic component, form a high density wiring conductor at the concave bottom of an insulating base, for effectively suppressing warpages occurring on a part for mounting the electronic component of an insulating base, even when the small width of a sidewall for surrounding the concave part, and realize a small and high quality wiring conductor having high connection reliability. - 特許庁

本発明のプッシュスイッチ付回転型エンコーダにおいて、絶縁基体１に埋設されたプッシュスイッチ用の固定接点４，５を設けると共に、絶縁基体１には、エンコーダ用の導電パターン２，３を埋設したため、従来に比して、部品点数が少なく、安価なプッシュスイッチ付回転型エンコーダを提供できる。例文帳に追加

The rotary encoder with a push switch provides fixed contacts 4, 5 for the push switch buried in an insulating base 1, and conductive traces 2, 3 for the encoder are buried in the insulating base 1 so that the inexpensive rotary encoder with the push switch reducing its components less than a conventional encoder, can be provided. - 特許庁

本発明の薄膜電子部品は、基体上４０に、複数の導体ライン層１１，１２，１３…と、該導体ライン層間の電気的絶縁のための絶縁体層２１，２２，２３…とが、基体の面内に対して実質的に垂直方向に積層されており、前記複数の導体ライン層１１，１２，１３…が電気的に直列に接続されているように構成される。例文帳に追加

In this membrane electronic component, a plurality of conductor line layers 11, 12, 13... and insulator layers 21, 22, 23... for electrically insulating the conductor line layers from one another are laminated inside the surface of a substrate substantially in a vertical direction, and the plurality of conductor line layers 11, 12, 13... are electrically connected in series. - 特許庁

本発明は、ガラスセラミックスからなる絶縁基体１と、絶縁基体１の内部に設けられた配線層２とを含む配線基板において、配線層２は金属２ａ中に島状に複数存在するガラス２ｂを含み、ガラス２ｂが配線層２の厚み方向の略中央部に偏在していることを特徴とするものである。例文帳に追加

The wiring board comprises the insulating substrate 1 comprising glass ceramics, and the wiring layer 2 provided in the insulating substrate 1, and the wiring layer 2 comprises a plurality of glass pieces 2b that exist in the metal 2a with the shape of islands; while the glass 2b exists under the state of maldistribution at substantially central part in the direction of thickness of the wiring layer 2. - 特許庁

一対の絶縁基体１と、この一対の絶縁基体１間に設けられたフェライト磁性層２と、フェライト磁性層２内に形成された平面スパイラルコイル３と、平面スパイラルコイル３の中心部に設けられており、フェライト磁性層２より高い透磁率を有する高磁性体８とを備えていることを特徴とするコイル内蔵基板。例文帳に追加

The substrate with a built-in coil comprises a pair of insulating boards 1, a ferrite magnetic layer 2 provided between the pair of insulating boards 1, a flat spiral coil 3 formed in the ferrite magnetic layer 2, and a high magnetic body 8 which has a higher permeability than the ferrite magnetic layer 2 and is provided at the central part of the flat spiral coil 3. - 特許庁

主面に電子部品が搭載される搭載部を有し、側面が外部基板に対向する実装面となる絶縁基体１０と、絶縁基体１０の外部基板に対向する実装面となる側面に形成された外部電極３０と、電子部品が電気的に接続される配線導体２０を具備する。例文帳に追加

The package for receiving electronic components is equipped with an insulating substrate 10 having a mounting unit on which principal surface an electronic component is mounted, and which side surface becomes a mounting surface opposed to the external substrate, the external electrode 30 formed on the mounting surface opposed to the external substrate of the insulating substrate 10 or the side surface, and a wiring conductor 20 with electronic components electrically connected thereto. - 特許庁

絶縁基体１と、該絶縁基体１の少なくとも表面に形成され、電子部品３の電極がボンディングワイヤ７を介して接続される銅を主成分とした金属材から成る配線層５と、該配線層５の表面に被着されている金めっき層９とから成る配線基板であって、前記金めっき層９は光の反射率が４０％以上である。例文帳に追加

The wiring board comprises an insulating substrate 1, a wiring layer 5 of a metallic material principally comprising copper formed at least on the surface of the insulating substrate 1 and connected with the electrode of an electronic component 3 via a bonding wire 7, and a god plating layer 9, formed on the surface of the wiring layer 5 where the reflectance of the gold plating layer 9 is 40% or above. - 特許庁

単結晶シリコンを主成分とする被処理基体上にＣＶＤ処理を施して絶縁膜を形成する工程と、前記被処理基体を、複数のスロットを有する平面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介して処理ガスにマイクロ波を照射することにより生成したプラズマに晒し、このプラズマを用いて前記絶縁膜を改質する工程と、を含む。例文帳に追加

A method comprises the steps of: forming an insulating film by applying CVD treatment on a base substance to be treated whose main component is single crystal silicon; and exposing the base substance to be treated to plasma generated by irradiating treatment gas with microwave via a flat surface antenna member (SPA) having a plurality of slots, and reforming the insulating film using plasma. - 特許庁

Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる電力半導体素子を、それぞれ別の絶縁金属基板に搭載し、さらにこれら絶縁金属基板がそれぞれ別の放熱用金属ベースに搭載されるので、両電力半導体素子間における熱の伝わりが抑制される。例文帳に追加

The power semiconductor device using Si as the base substance and the power semiconductor device using the semiconductor having an energy bandgap wider than the energy bandgap of Si as the base substance are mounted on different insulated metal substrates respectively, and those insulated metal substrates are mounted on different metal bases for heat dissipation respectively, so that conduction of heat between both power semiconductor devices is suppressed. - 特許庁

光透過性を有する絶縁性基体２と、前記絶縁性基体２の一方の面上に所定間隔をもって形成された一対の電極３と、前記一対の電極のうち少なくとも一方の電極上に形成された誘電体層４と、前記誘電体層上に形成された発光体層５と、前記発光体層上に形成された光透過性を有する封止層６とを備えている。例文帳に追加

This display device is provided with a light transmissive insulating base 2, a pair of electrodes 3 formed at a prescribed interval on one surface of the insulating base 2, a dielectric layer 4 formed on at least one electrode of the pair of electrodes, a light emitter layer 5 formed on the dielectric layer and a light transmissive sealing layer 6 formed on the light emitting layer. - 特許庁

セラミックスから成る絶縁基体２の表面および／または内部に金属粉末を焼結して成る配線回路層３および０．０１μｍ以上５μｍ以下の厚みの金属板または金属箔から成る抵抗体層４が絶縁基体２との同時焼成によって形成されているセラミック配線基板１である。例文帳に追加

In the ceramic wiring board 1, a wired circuit layer 3 formed by sintering metal powder on the surface/inside of an insulating base body 2 composed of ceramic, and a resistor layer 4 composed of a metal plate or metal foil whose thickness is 0.01-5μm are formed by sintering them simultaneously with the base body 2. - 特許庁

一方の主面に半導体素子３が搭載される絶縁基体１の他方の主面に、静電容量形成用の電極７を設けるとともにこの電極７と対向する静電容量形成用の金属板２を絶縁基体１との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合させた圧力検出装置用パッケージである。例文帳に追加

An electrostatic capacity forming electrode 7 is provided on one principal plane of an insulated substrate 1 mounted with a semiconductor element 3 on the other principal plane, and an electrostatic capacity forming metal plate 2 facing the electrode 7 is connected in a flexible state to form a closed space between it and the insulated substrate 1 in this package for a pressure detecting device. - 特許庁

絶縁基体１１の表面側に段差１２を形成した後、絶縁基体１１の表面側にシリコンを含むスズ溶融液もしくはシリコンを含むスズ鉛合金溶融液からなるシリコン含有スズ系金属溶融液１４を塗布し、その後冷却処理により、段差１２を起点にしてシリコン含有スズ系金属溶融液１４中のシリコンを結晶成長させ、シリコン層１５を形成するシリコン層の製造方法である。例文帳に追加

After a step 12 is formed on the surface side of an insulating substrate 11, a silicon containing tin-lead alloy solution 14 consisting of a silicon containing tin fused solution or silicon containing tin-lead fused solution is applied to the surface side of the insulating substrate 11. - 特許庁

基体と、前記基体の上に設けられた低誘電率材料からなる絶縁層と、前記絶縁層に形成された穴の側壁に設けられ、前記低誘電率材料よりも酸素含有量が相対的に高い改質層と、前記穴を充填する導電部と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a substrate, an insulation layer of a low dielectric constant material provided on the substrate, a modified layer provided on the sidewall of a hole formed in the insulation layer and having oxygen content relatively higher than that of the low dielectric constant material, and a conductive part filling that hole. - 特許庁

そして、このセンサ１では、電極基体８１が内筒２２１に一体化されると共に、電極支持部７０を介して本体部材２０の段差面２１ｃに着座されており、絶縁板９０及び押え板１２０により電極基体８１を押さえつける構造をなす一方、固定保持部９４が絶縁板９０と一体成形されてなる。例文帳に追加

In this sensor 1, an electrode substrate 81 is integrated with the inner cylinder 221 and seated on the stepped surface 21c of a main body member 20 through an electrode support part 70 to form a structure wherein the electrode substrate 81 is pressed by an insulating plate 90 and a pressing plate 120 while the fixing and holding part 94 is integrally molded along with the insulating plate 90. - 特許庁

該構成ユニットは、基体と該基体に形成される一次元のナノの構成を含む第一電極と、該基体に形成され、前記一次元のナノ構成を囲う機能層と、該第一電極と電気絶縁し、前記機能層を囲う第二電極と、を含む。例文帳に追加

The constituent unit comprises a first electrode which includes a substrate and a one-dimensional nanostructure formed on the substrate, a functional layer which is formed on the substrate and surrounds the one-dimensional nanostructure, and a second electrode which is electrically insulated from the first electrode and surrounds the functional layer. - 特許庁

化合物半導体基体１の表面の少なくとも一部を化合物半導体基体１に接する側４の被覆性が表面側３より高く、且つ、表面側３のレジスト膜に対する密着性が化合物半導体基体１に接する側４より高い窒化珪素系絶縁膜２で被覆する。例文帳に追加

At least part of a surface of a compound semiconductor substrate 1 is coated with a silicon-nitride-based insulation film 2 having higher coating property on a side 4 in contact with the substrate 1 than that on a side 3 of the surface, and having higher adhesion with the resist film on the surface side 3 than that on the side 4 in contact with the substrate 1. - 特許庁

絶縁膜１１は、電着膜でなり、導電性基体１０の少なくとも一面に、導電性基体１０の表面を露出させるグランド電極１１１，１１５等を有し、グランド電極１１１，１１５等を除き、導電性基体１０の全面を覆っている。例文帳に追加

An insulating film 11 is formed of an electrodeposited film, and has ground electrodes 111, 115, etc., for exposing a surface of a conductive base body 10 on at least one surface of the conductive base body 10 and covers the entire surface of the conductive base body 10 except the ground electrodes 111, 115, etc. - 特許庁

半導体基体２０と、半導体基体２０に形成され、光電変換部を有する複数の画素１２が配列されている画素部と、光電変換部を被覆して半導体基体２０上に形成されている絶縁層とを備える固体撮像素子を構成する。例文帳に追加

The solid-state image pickup element includes a semiconductor substrate 20, a pixel section which is formed on the semiconductor substrate 20 and includes a photoelectric conversion section and wherein a plurality of pixels 12 are arrayed, and an insulating layer which is formed on the semiconductor substrate 20 while covering the photoelectric conversion section. - 特許庁

ケイ素原子及び酸素原子により基体１上に形成される網目状構造部２に、π電子共役系分子５ａが、絶縁性分子３ａを介して結合してなる機能性有機薄膜。例文帳に追加

The functional organic thin film has a configuration in which π electron conjugate molecules 5a are connected to a reticulate structure 2 formed of silicon atoms and oxygen atoms on a substrate body 1 via insulating molecules 3a. - 特許庁

絶縁信頼性に優れた全芳香族ポリアミド繊維及びその製造方法ならびにその繊維を用いた基体にエポキシ樹脂を含浸してなるプリプレグと銅張積層板例文帳に追加

WHOLLY AROMATIC POLYAMIDE FIBER HAVING EXCELLENT INSULATION RELIABILITY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, PREPREG OBTAINED BY IMPREGNATING SUBSTRATE WITH EPOXY RESIN USING THE FIBER AND COPPER-CLAD LAMINATE - 特許庁

非可逆回路素子は、磁気回転子２を含み、磁気回転子は、軟磁性基体４と、中心電極３と、複数のガラス絶縁層６１、６２、６３と含む。例文帳に追加

The irreversible circuit element includes a magnetic rotor 2, and the magnetic rotor 2 includes a soft magnetic base 4, a center electrode 3, and glass insulating layers 61, 62 and 63. - 特許庁

また、バッファー層１３から第１の基体１１内にイオンを注入し、イオン注入層１４を形成し、バッファー層を絶縁層をセルフストップ層として除去する。例文帳に追加

An ion implanted layer 14 is formed by implanting the first substrate 11 with ion and the buffer layer is removed by using the insulating layer as a self stop layer. - 特許庁

絶縁被膜１１は、エポキシ樹脂を骨格とし、スルホニウム基を水和官能基として含有する樹脂を基体樹脂とする電解活性型電着塗料組成物を電池ケース６に電着塗装することにより形成される。例文帳に追加

The insulation coating film 11 is formed by electropainting the battery case 6 with an electrolytically active electrodeposition paint composition with epoxy resin as a skeleton, and having as base resin resin containing a sulfonium group as a hydrated functional group. - 特許庁

ショットキバリアダイオード１１は、導電性の窒化物支持基体１３と、ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５と、絶縁体１７と、第１の電極１９とを備える。例文帳に追加

The Schottky barrier diode 11 includes a conductive nitride support substrate 13, an n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15, an insulator 17, a first electrode 19. - 特許庁

圧電振動子の電極パッドおよび絶縁基体に対する接着の強度を確保しながら小型化することが容易な圧電振動子収納用パッケージ、および圧電装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a package for housing piezoelectric vibrators which can be easily miniaturized, while securing strength of adhesion to an electrode pad of a piezoelectric vibrator and an insulating substrate, and to provide a piezoelectric device. - 特許庁

絶縁性基体の両面に金属膜の配線を形成した配線基板において、前記夫々の面に形成される配線の合計面積を近似させる。例文帳に追加

In a wiring board where a metallic film wiring is formed on both surfaces of an insulative substrate, total areas of wiring formed on each surface are approximated. - 特許庁

そして、絶縁基体１の上面１ｂの外縁のうちレンズ固定部材９の取付部９ａに対応する箇所に切欠き部１ｄが設けられている。例文帳に追加

Moreover, notched parts 1d are provided at places corresponding to the attaching parts 9a of the lens fixing member 9 among outer edges of the upper surface 1b of the insulating substrate 1. - 特許庁

緻密な主面を有する耐薬品性に優れた高熱膨張のガラスセラミックスからなる絶縁基体を備えた多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a multilayer wiring board having an insulating base made of glass-ceramics of high thermal expansion with high chemical resistance which has a dense principal surface, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

導電性粉末の表面を樹脂被覆してなり、電子写真法により絶縁性無機質基体上に良好な回路パターンを形成することができるカプセル化粒子、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To form an excellent circuit pattern on an insulating inorganic substrate by an electrophotography method by coating the surface of conductive powder with resin. - 特許庁

脱臭素子は、導電性基体に、触媒機能を有する金属微粒子を担持させた触媒電極層と、対向電極層とを、プロトン透過性を有する絶縁層を挟んで積層した。例文帳に追加

The deodorizing element is constituted so that a catalytic electrode layer carrying metal particles having a catalytic function and a counter electrode layer are laminated on a conductive base body, through an insulation layer having proton transmissivity. - 特許庁

本発明の電気めっき方法は、金属基体２２が基板上に設けられた絶縁膜の表面に形成された金属薄膜からなる場合であっても、前記金属が銅、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルトの場合であっても適用可能である。例文帳に追加

The electroplating method is applied even when the metallic base body 22 comprises a metallic thin film formed on the surface of an insulating film provided on a substrate and the metal is copper, zinc, iron, nickel and cobalt. - 特許庁

セラミックヒータ（７）は、アルミナ質の焼結体からなる絶縁体を基体とし、その内部には、内部電極（１１）、（１３）と発熱体（１７）とが配置されている。例文帳に追加

The ceramic heater (7) is formed of an insulator as the basic material consisting of sintered alumina material, and internal electrodes (11), (13) and a heating generating body (17) are disposed within the ceramic heater (7). - 特許庁

パターン精度の高い配線用導体層を絶縁基体との同時焼成にて表面および／または内部に形成できるセラミック多層配線基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a ceramic multilayer wiring board in which a wiring conductor layer having a high pattern precision can be formed on the surface and/or internally by simultaneous sintering with an insulation substrate. - 特許庁

絶縁基体の上面に形成された複数の接続パッドと電子部品の電極が強固に接合されるとともに、実装信頼性に優れた配線基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a wiring board which can secure high bonding strength between a plurality of connection pads formed on the top face of an insulation substrate and electrodes of an electronic component and hence excels in packaging reliability. - 特許庁

絶縁基体121は、光半導体素子２の実装領域121ａ_１を含む主面121ａ、主面121ａの反対側に設けられた裏面121ｂ、および上面121ｃを含んでいる。例文帳に追加

The insulating substrate 121 includes a main surface 121a including a mounting area 121a_1 of an optical semiconductor element 2, a back surface 121b provided on the opposite side of the main surface 121a, and an upper surface 121c. - 特許庁

電極フィルム３は、可撓性を有する絶縁フィルム３１の一面上に、中心電極を構成する導体パターン３２を有し、軟磁性基体４の外面に添付されている。例文帳に追加

The electrode film 3 has a conductor pattern 32, constituting a central electrode on one surface of a flexible insulating film 31, and is attached to the outer surface of the soft magnetic substrate 4. - 特許庁

半導体素子の電極と金属バンプを介して接続される配線基板の電極パッドが絶縁基体から剥がれ、半導体素子と配線基板との接続信頼性が低下する。例文帳に追加

To overcome a problem that electrode pads of a wiring board connected with electrodes of a semiconductor element via metal bumps are peeled off from an insulating substrate, thus lowering the reliability of connection between the semiconductor element and the wiring board. - 特許庁

基体上に、異方性柱状微細構造をもち、腐食に対し大きな抵抗性を示す熱絶縁層、機能性層を製造する方法、及び製造された部品を提供する。例文帳に追加

To provide a method for the manufacture of a heat insulating layer and a functional layer having an anisotropic columnar micro structure and exhibiting high resistivity to corrosion, and to provide a component manufactured thereby. - 特許庁

半導体基体上に形成された抵抗率の異なる複数の導電層と、複数の絶縁層とからなる抵抗素子を備える半導体装置を構成する。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a resistive element composed of a plurality of conductive layers differing in resistivity and formed on a semiconductor substrate, and a plurality of insulating layers. - 特許庁

異方性エッチングを用いてサイドウォール１０を形成する際に、絶縁膜９が半導体基体１００の主面に対する保護膜として機能するので、主面がエッチングダメージを受けることを回避することができる。例文帳に追加

An insulation film 9 works as a protection film for the main surface of a semiconductor substrate 100 when a side wall 10 is formed by anisotropic etching, so that the main surface is prevented from being damaged by etching. - 特許庁

セラミック絶縁基体１に、メタライズ中心線路２ａと、これを取り囲むセラミック線路２ｂと、これを取り囲むメタライズ外周線路２ｃとから成る配線基板である。例文帳に追加

The wiring board comprises a metalized central line 2a, a ceramic line 2b surrounding the line 2a, and a metalized outer circumferencial line 2c surrounding the line 2b on a ceramic insulaton substrate 1. - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果トランジスタとバイポーラトランジスタとが共通の半導体基体に形成される半導体装置の製造に際して高い歩留りと低い製造コストとの両方を同時に達成する。例文帳に追加

To simultaneously perform both a high yield and a low manufacturing cost in the case of manufacturing a semiconductor device in which an insulated gate field effect transistor and a bipolar transistor are formed on a common semiconductor base. - 特許庁