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遠視野の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 59



例文

発光径が大きく、遠視野像の小さいアイセーフ発光素子を得る。例文帳に追加

To obtain an eye-safe light-emitting device having a large light- emitting diameter and a small far-field image. - 特許庁

遠視野像をガウシアン形状にできる半導体レーザ素子の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device capable of making a far-field image in Gaussian form. - 特許庁

遠視野画像絶対ナビゲーションセンシングのための方法、及びシステム例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR ABSOLUTE NAVIGATION SENSING OF FAR FIELD IMAGE - 特許庁

遠視野像の劣化を抑えることが可能な半導体レーザ及びその製造方法を実現する。例文帳に追加

To realize a semiconductor laser capable of restraining deterioration of a far field image and its manufacturing method. - 特許庁

例文

出射光の遠視野像の水平広がり角を広げ、遠視野像におけるアスペクト比を小さくし、且つ歩留まりの高い半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element having high yield, while enlarging the horizontal spread angle of a far-field pattern of exiting light and decreasing the aspect ratio in the far-field pattern. - 特許庁


例文

遠視野像のピークのCCD画像における座標を測定し、前記発光点像の座標と前記遠視野像のピークのCCD画像における座標から前記半導体レーザの光軸ズレ角を測定する。例文帳に追加

The coordinates of a far visual-field image peak are measured on a CCD picture image, a deviation angle of the optical axis of a semiconductor laser is measured based on the coordinates of a light-emitting point image and the coordinates of the far visual-field image peak on a CCD picture image. - 特許庁

半導体レーザ光源の有する近視パターン及び遠視野パターンによる照明強度のばらつきの影響を極力少なくする。例文帳に追加

To extremely make an influence of dispersion of an illumination strength by a near-field pattern and a far-field pattern which a semiconductor laser light source has less. - 特許庁

リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To achieve a nitride semiconductor laser device capable of reducing ripples and having a far-field image of a shape close to Gaussian shape. - 特許庁

狭い遠視野像を得ることができると共に、閾値電流を十分に小さくできる半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser capable of obtaining a narrow far-field pattern and also sufficiently reducing a threshold current. - 特許庁

例文

横モード制御のため反射率分布を与える段差構造を設けた面発光レーザにおいて、遠視野像の波面収差を抑制する。例文帳に追加

To suppress wavefront aberration of far-field patterns for a surface emitting laser comprising a step structure giving reflectance distribution for transverse mode control. - 特許庁

例文

ストライプ幅が広く、しかも遠視野像の複峰化が生じない光出力の高い半導体レーザ素子を適用する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which is provided with a wide current injection stripe, hardly produces double peaks in a far-field pattern, and has a high optical output. - 特許庁

大出力で利得導波型の半導体レーザ装置で、FFP//(活性層に平行な遠視野像)が双峰性とならないようにする。例文帳に追加

To avoid forming a double humped shape of FFP//(far-field image parallel to an active layer), when a laser is of high-power gain-guide type. - 特許庁

遠視野像(FFP)にリップルが出現することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element capable of preventing an occurrence of a ripple in a far-field pattern (FFP). - 特許庁

LEDダイはまた、特定の遠視野パターンを発生させるように選ばれた異なる大きさ及び色を有することができる。例文帳に追加

The LED dies can also have different sizes and colors selected so as to generate a specific long sight field pattern. - 特許庁

発光点像を測定した後、半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野像を測定する半導体レーザの特性測定方法において、発光点像測定状態から遠視野像測定状態に再現性、精度を良好に保ったまま変化させる。例文帳に追加

To change from a light-emitting point image-measuring state to a far visual-field image-measuring state, with excellent reproducibility and accuracy kept, in a semiconductor laser characteristic-measuring method where the far visual-field image of laser light emitted from a semiconductor laser element is measured after a light-emitting point image is measured. - 特許庁

遠視領域VL、近視領域VP、および中間視領域VIを具備した多焦点眼用レンズであって、高い近視領域と、近視領域、中間視領域、および遠視領域VLにおける広い視とを有するレンズが提供される。例文帳に追加

A multifocal ophthalmic lens comprises a far vision region VL, a near vision region VP, and an intermediate vision region VI and has a high near vision region and has a wide visual field in the neat vision region, the intermediate vision region, and the far vision region VL. - 特許庁

出力光線21の特性と共に、その角ポジションと横ポジションの両方が、近視位置と遠視野位置の両方において検出された後に決定される。例文帳に追加

The performance of the laser output and both the angle and the lateral positions are decided after the detection at both the far and the near field positions. - 特許庁

近視光学領域でも遠視野光学領域でも適用可能な互換ドライブ用対物レンズ、および対物レンズを備える光学データ記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide an objective lens for compatible driving applicable to both a near-field optical range and a far-field optical range, and an optical data storage device having the objective lens. - 特許庁

遠視野領域および近視領域の間の屈折力領域の分配状態が装着者の目の経路および眼球の屈折力の必要条件を概ね満足する眼鏡レンズを提供する。例文帳に追加

To provide a spectacle lens where the power zone distribution between a far vision zone and near vision zone substantially meets the requirements of the wearer's eye path and refractive power of the eyeballs. - 特許庁

出力光線21の一つの成分がその成分の光路に沿った遠視野位置において検出され、また同じく近視位置においても検出される。例文帳に追加

A component of the output beam 21 is detected at a far-field position along the component beam passage and is detected at a near-field position along the same passage. - 特許庁

蛍光体層のパターン形状が電極2aのパターン形状に対応しており、上記遠視野像や近視像に対応するため、色ばらつきが小さく、かつ発光パターンも均一な白色LEDを得ることが可能となる。例文帳に追加

A white LED of small dispersion in color and uniform light emitting pattern can be obtained because the pattern shape of a fluorescent material layer corresponds to that of the electrode 2a and the far field image and the near field image. - 特許庁

投影機(22)は、初期偏向角度θ_0より大きい出力偏向角度θで、その出力空間(34)の遠視野(38)に出力光束を放射する。例文帳に追加

The projector 22 emits output luminous flux to a far visual field 38 of an output space 34 with the larger output deflection angle θ than the initial deflection angle θ0. - 特許庁

リッジ導波型ストライプ構造を有する窒化ガリウム系半導体化合物レーザおいて、遠視野像にリップルが現れるためにレーザスポットの集光に支障きたす。例文帳に追加

To solve the problem that ripples appear in far field images and interrupt the concentration of laser spot light, in a gallium nitride-based compound semiconductor laser, having a ridge optical waveguide-type stripe structure. - 特許庁

従来の窒化物半導体レーザで問題であった、レーザ光の一部が基板により散乱され、遠視野像に干渉縞が生じてしまうという現象を解決すること。例文帳に追加

To solve the problem raised by the conventional nitride semiconductor laser that part of laser light is scattered by a substrate and causes interference fringes in the far field pattern of laser light. - 特許庁

これにより、レーザ光の遠視野像は楕円形の形状を維持し、従来の窒化物半導体レーザで問題であった縞状の干渉を生じることはない。例文帳に追加

Consequently, the far field pattern of the laser light maintains an elliptic shape and does not cause the interference fringes which have been the problem of the conventional nitride semiconductor laser. - 特許庁

したがって、光出射端面3から出射するレーザ光は、凹面4,4によって遠視野像が略単一ローブになって、光通信機器や光メモリ機器に好適なレーザ光になる。例文帳に追加

Accordingly, the beam emitted from the end face 3 becomes substantially single lobe of the far field pattern by the recesses 4 and 4 to become the beam suitable for an optical communication equipment or an optical memory device. - 特許庁

遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser which can perform sufficiently powerful self-pulsation operation without making the shape of a far-field image worse and stably obtain low-noise laser light, and is easy to manufacture. - 特許庁

そのため、溝部15より外側に分布する光の半導体による吸収により、光出力変化に伴う水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光を得ることができる。例文帳に追加

Therefore, the intensity center of the far field pattern in the horizontal direction does not vary with the optical output variation and the laser beam which is stable in shape can be obtained by absorption of light distributed outside the groove 15 by the semiconductor. - 特許庁

一方、グルーブ上に集光スポットを形成する場合には、対物レンズ11aへの入射光の遠視野像は、光記録媒体の接線方向に長軸を有する楕円形状になる。例文帳に追加

On the other hand, when a focused spot is formed on a groove, the far-field image of the light incident on the objective lens 11a becomes elliptic with its a long axis in the tangential direction of the optical recording medium. - 特許庁

光記録媒体のランド上に集光スポットを形成する場合には、対物レンズ11aへの入射光の遠視野像は、光記録媒体の半径方向に長軸を有する楕円形状になる。例文帳に追加

When a focused spot is formed on the land of an optical recording medium, the far-field image of the light incident on an objective lens 11a becomes elliptic with its long axis in the radial direction of the optical recording medium. - 特許庁

リッジ部を保護する台座領域を有する場合においても、リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser device that reduces ripple even if it has a pedestal region for protecting a ridge and has a nearly Gaussian-shaped far-field pattern. - 特許庁

従来のレンズの欠点を克服すると共に、装着者の良好な視的快適性と、高い近視領域と、近視領域、中間視領域、および遠視領域における広い視とを確保する。例文帳に追加

To overcome defects of conventional lenses, and to assure wearing person's good visual comfortableness, a high near vision region, and a wide visual field in a near vision region, an intermediate vision region and the far vision region. - 特許庁

レーザ光のパワーを高出力化してもFFP(遠視野像)特性が安定して広角化が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser device that has stable far-field pattern (FFP) characteristics even when the power of laser light is increased to be wide angled. - 特許庁

光やキャリアの閉じ込め効率が高く、遠視野像がガウシアン形状で単峰である窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting device, which has a high efficiency in light and carrier containment, and which forms a far-field pattern of the Gaussian shape including a single peak, and to provide a method of manufacturing the light-emitting element. - 特許庁

第1軸116方向の放射角は第2軸117方向の放射角に比べて狭く、第2軸117方向で双峰の遠視野像を有する。例文帳に追加

A radiation angle in the direction of the first axis 116 is narrower than a radiation angle in the direction of the second axis 117, and the surface emitting laser has a far-field image having double humps in the direction of the second axis 117. - 特許庁

光出力変化に伴う水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光を出射する半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser for emitting a laser beam where the shape is stable and the intensity center of a far field pattern in the horizontal direction does not vary with an optical output variation. - 特許庁

GaN基板への光滲み出し、及びn型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のFFP(遠視野像)全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction. - 特許庁

照明光源40の遠視野領域における強度分布の最大である方向と、結像光学系18の光軸方向とは、原稿面の法線方向に対し、相対する略等しい角度になるように配置するとよい。例文帳に追加

The direction of maximum intensity distribution in a far visual field area of the illumination light source and the direction of an optical axis of the optical image formation system 18 may be disposed to face each other at an approximately equal angle with respect to the direction of a normal of an original surface. - 特許庁

光出力変化に伴う水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光を出射する半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser outgoing a laser beam in which the strength center of a far field pattern in the horizontal direction accompanied with an optical output variation doesn't fluctuate and a profile is stable. - 特許庁

半導体レーザ素子から発せられるレーザ光の遠視野像において、複数スポットを生ずる如きレーザ光の品質の劣化の少ない半導体レーザ素子及びその製造方法を与えることを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which hardly has aging defects in quality of laser light such as a plurality of spots in a far-field pattern of the laser light and also provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

200mW超級の高出力動作時においてもガウシアン形状が良好な遠視野像(FFP)を得ることができ、且つ長期信頼性を歩留まり良く得ることができるようにする。例文帳に追加

To obtain a far-field pattern (FFP) of which the Gaussian shape is good even in high output power operation of the class exceeding 200 mW, and to obtain long term reliability with good yield ratio. - 特許庁

いわゆるオフ基板を使用して形成されるAlGaAs系イオン注入型ゲインガイドレーザ発光装置における、通電による遠視野像の水平方向の半値幅(θ//)の減少の改善を図る。例文帳に追加

To improve reduction of half-width (θ//) in the horizontal direction of a far field pattern by current flow, in an AlGaAs based ion implantation type gain guide laser light emitting device which is formed by using a so-called off substrate. - 特許庁

電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged. - 特許庁

発光ストライプ領域の幅が広いにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が略単一ローブをなす半導体レーザ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which has a stable lateral mode even when the width of a light emitting stripe region is wide and in which the optical intensity of a far field pattern forms a substantially single lobe. - 特許庁

この凹面4,4の深さLrおよび位置は、レーザ光の近視像が、予め定めた単一ローブの遠視野像を逆フーリエ変換して求めた光強度分布および位相分布と同じ分布をなすように決められている。例文帳に追加

In this case, the depth Lr and the position of each of the recesses 4 and 4 are decided so that the near field pattern of the laser beam has the same distribution as the light intensity distribution and the phase distribution obtained by inverse Fourier transformation of the far field pattern of the predetermined single lobe. - 特許庁

本発明の窒化ガリウム系半導体化合物レーザは、遠視野像におけるリップルの原因である水平横モードの広がりを制御するために、リッジの直下領域から離隔した位置に不純物原子を導入して形成される光吸収領域を有することを特徴とする。例文帳に追加

A gallium nitride-based compound semiconductor laser has a light-absorbing region, which is formed by introducing impurity atoms to a position separated from a position immediately underlying a ridge for controlling the spread of a horizontal lateral mode, which causes ripples in far field images. - 特許庁

菜汁または果汁を膜分離や遠視分離することにより得られた分離処理結果物を、消費者の健康状態に適した配合比率で飲料中に含ませることにより、消費者が希望する疾病予防効果を有するマルチカロチノイドを含有する飲料とする。例文帳に追加

This beverage containing multi-carotenoids is obtained by incorporating a resultant product of a separation treatment obtained by performing a separation treatment of vegetable juice or fruit juice by a membrane separation or centrifugal separation into the beverage in a suitable blending ratio suitable for the state of health of the consumers. - 特許庁

発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device in which a desired lateral mode is stable and a far-field pattern of light intensity has a solely-high main peak and extremely low side-lobes although a width of a light emitting stripe region is wide and high power is extracted, and to provide an optical wireless communication system employing the same. - 特許庁

屈折率可変領域18に注入するキャリアの量を独立に変化させることによって、屈折率可変領域18の屈折率が独立に変化するから、屈折率可変領域18におけるレーザ光の通過部分の屈折率が変化して、遠視野像を変化させることができる。例文帳に追加

As a refractive index at the refractive index variable region 18 is independently changed by independently changing the amount of a carrier to be implanted to the refractive index variable region 18, the refractive index changes at a portion where the laser beam passes in the refractive index variable region 18, by which an image of a far view area is changed. - 特許庁

例文

半導体レーザ(10)の発光点像のCCD画像における位置座標を測定した後、集光レンズ(40)と半導体レーザ(10)の間の光路中から平行平板からなる補正板(30)を抜き出し、遠視野像をCCD画像として測定する。例文帳に追加

The position coordinates of a light emitting point image of a semiconductor laser 10 on a CCD picture image are measured, then a correction plate 30 as a parallel flat plate is extracted out from an optical path between a condensing lens 40 and the semiconductor laser 10, and a far visual-field image is measured as a CCD picture image. - 特許庁

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