「高速スパッタリング」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

高速成膜条件でも割れ発生のない高密度スパッタリング燒結ターゲット材例文帳に追加

HIGH-DENSITY SPUTTERING SINTERED TARGET MATERIAL NOT CRACKED EVEN IN HIGH-SPEED FILM FORMING CONDITION - 特許庁

パーティクルや異常放電現象の原因となる不純物を低減させると同時に、ハイパワースパッタリング（高速スパッタリング）時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させ、成膜時のパーティクルの発生を効果的に抑えることのできる高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a titanium target for sputtering having high quality capable of reducing the amount of impurities causing particles or abnormal discharge phenomenon, preventing occurrence of any crack even during the high-power sputtering (the high-speed sputtering), stabilizing the sputtering characteristic, and effectively suppressing generation of particles during the film deposition. - 特許庁

スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。例文帳に追加

The sputtering apparatus 10 is operated in a transition area mode for performing the sputtering at high speed in an atmosphere containing gaseous oxygen by changing the introduction ratio of a sputtering gas to the gaseous oxygen by a flow rate controller 13. - 特許庁

高速でスパッタリングすることが可能な硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium, which is made of a zinc sulfide-silicon dioxide sintered compact and can perform high-speed sputtering, and its manufacturing method. - 特許庁

安定した放電状態を短時間で達成し、より高速度での成膜を実現したスパッタリング装置及びスパッタリング処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus and a sputtering treatment method for attaining a stable discharge state in a short period of time and achieving film-deposition at higher speed. - 特許庁

ＣＲＴ、ＬＣＤ、ＰＤＰなどのディスプレイ表面の反射を抑制する反射防止膜をスパッタリングで高速に成膜する。例文帳に追加

To fast deposit an antireflection film which suppresses reflection on the display surface such as a CRT, LCD, PDP or the like by sputtering. - 特許庁

高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット例文帳に追加

SPUTTERING TARGET FOR FORMING HIGH DIELECTRIC FILM FREE FROM GENERATION OF CRACKING EVEN IN THE CASE OF HIGH SPEED FILM FORMATION - 特許庁

高速成膜が可能な光記録媒体誘電体保護層形成用導電性焼結スパッタリングターゲット材例文帳に追加

CONDUCTIVE SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING OPTICAL RECORDING MEDIUM DIELECTRIC PROTECTIVE LAYER, CAPABLE OF HIGH SPEED FILM DEPOSITION - 特許庁

Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いた場合に、高速成膜してもスプラッシュの発生を抑制し得る技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technology which can suppress the occurrence of splash even though a film is formed at high speed, when having used a sputtering target of an Al-base alloy. - 特許庁

金属とＳｉＯ_2の混合膜を高速かつ安定してスパッタリングで形成可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition method and a film deposition system for depositing a mixed film of a metal and SiO_2 at high speed by sputtering. - 特許庁

高速成膜が可能な光記録媒体誘電体保護層形成用導電性焼結スパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive sintered sputtering target material for forming optical recording medium dielectric protective layer, capable of high speed film deposition. - 特許庁

二酸化ケイ素：１０〜３０原子％、アルゴン、窒素、またはアルゴンおよび窒素の混合成分：０．０１〜１０原子％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする高速スパッタリングが可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target for forming the protective film of the optical recording medium is the sintered compact which has a composition comprising 10-30 atomic% silicon dioxide, 0.01-10 atomic% argon, nitrogen or a mixture thereof and the balance being zinc sulfide. - 特許庁

カソードの大型化をせずに、ターゲット面に平行になる磁力線の領域を広くし、ターゲットの利用効率の向上、高効率に高い均一性をもって高速に成膜できるスパッタリングカソード及びスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering cathode in which the region of a magnetic flux parallel to the face of a target is widen without increasing its scale, the utilizing effeiciency of the target is improved, and film formation can be executed at a high speed with high efficiency and high uniformity and to provide a sputtering system. - 特許庁

ガスフロースパッタリング法は、高真空排気が不要であるため安価な設備で実施でき、しかも高速成膜が可能であることから、ガスフロースパッタリング法を採用することによる設備費の低減、成膜時間の短縮により、エレクトロクロミック素子を安価に製造することが可能となる。例文帳に追加

Because the gas flow sputtering method does not require high vacuum exhausting, it is conducted by using the low cost equipment, and further because high speed sputter deposition is feasible, the electrochromic element is manufactured at a low cost due to reduction of a cost of equipment and shortening of sputter deposition time by adopting the gas flow sputtering method. - 特許庁

高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電子デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a sputtering device which can form a high quality silicon based thin film inexpensively in safety at high speed, and to provide a sputtering method, and an electronic device such as a solar cell or a liquid crystal display (LCD) which is manufactured using the silicon thin film. - 特許庁

粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus capable of rapidly depositing a high quality silicon thin film having a low oxygen content by using a powder target. - 特許庁

低抵抗で赤外線領域の透過特性に優れた酸化物透明導電膜が作製でき、かつ高速成膜が可能なスパッタリングターゲット用およびイオンプレーティング用の酸化物焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact for a sputtering target and for ion plating with which an oxide transparent electrically conductive film having a low resistance and excellent transmissibility in an infrared ray region can be produced, and high speed film deposition is made possible. - 特許庁

高速スパッタリング法により形成されたＧｅナノ粒子であって、粒子サイズが５〜５０ｎｍであり、且つ７００〜１７００ｎｍの赤外光により発光することを特徴とするＧｅナノ粒子。例文帳に追加

The Ge nanoparticle is formed by a high-speed sputtering method and has a particle size of 5-50 nm and emits light by infrared rays with a wavelength of 700-1,700 nm. - 特許庁

これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなく、酸化チタン薄膜の高速成膜が可能となる。例文帳に追加

This allows high-speed deposition of the titanium oxide thin film without reduction of deposition speed even when sufficient oxygen is introduced, unlike conventional sputtering which is switched to an oxide mode to reduce deposition speed. - 特許庁

従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact. - 特許庁

バッキングプレートのボンディングタイプに比べてターゲット５の冷却性能が向上し、高速のスパッタリングが可能になり、大幅な生産性向上を実現可能とした。例文帳に追加

Compared to the case of the bonding type of a backing plate, the cooling performance of the target 5 is improved, high speed sputtering is made possible, and the remarkably improvement of the productivity can be realized. - 特許庁

スパッタリング装置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、蒸着装置等の真空処理装置の高速タクトの実現を可能とする処理対象物搬送方法を提供する。例文帳に追加

To provide a processing object transfer method realizing a high cycle time in vacuum processing devices such as a sputtering device, a dry etching device, a CVD device and a vapor deposition device. - 特許庁

酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムと酸化ビスマスとを主成分とする光メディアの記録層を高速成膜できる、耐電力特性の高いスパッタリングターゲット及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target and a method for producing a sputtering target, the sputtering target having high power-resistant characteristics, and enabling a recording layer of an optical medium containing as a principal component magnesium oxide or germanium oxide with bismuth oxide to be deposited at high speed. - 特許庁

可視及び紫外域で吸収のないＭｇＦ_２，ＬａＦ_３，ＹＦ_３，ＡｌＦ_３等のフッ化物薄膜や、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。例文帳に追加

To stably deposit a fluoride thin film of MgF_2, LaF_3, YF_3, AlF_3 or the like having no absorption in visible and ultraviolet regions and an oxide film of Al_2O_3, SiO_2, Ta_2O_5, TiO_2 or the like at high speed by sputtering. - 特許庁

これにより高速スパッタリングがターゲット２１の内周面で一様に進行することになり、ターゲット２１の使用寿命が伸び、膜特性，及び膜厚分布の均一性も確保される。例文帳に追加

In this way, high speed sputtering uniformly progresses at the inner circumferential face of the target 21, by which the service life of the target 21 is prolonged, and the uniformity of the film characteristics and the distribution of the film thickness can be secured as well. - 特許庁

これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなく、酸化タングステン薄膜の高速成膜が可能となる。例文帳に追加

In this way, even when oxygen is sufficiently introduced, there is no phenomenon that an oxide mode is formed to reduce a film deposition rate as shown in ordinary sputtering, and the high speed deposition of a tungsten oxide thin film is made possible. - 特許庁

ＰＤＰから放射される近赤外線を反射し、太陽光の近赤外線を反射する近赤外線カットフィルターをスパッタリングで高速に成膜する。例文帳に追加

To fast form films of a cut filter for near IR rays by sputtering which reflects near IR rays emitting from a PDP and which reflects near IR rays in the sun rays. - 特許庁

低抵抗の透明導電膜が作製でき、かつ、アーキングの発生を伴わずに高投入電力を投入した高速成膜が可能なスパッタリングターゲット用の酸化物焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact used as a sputtering target which enables high-speed deposition forming a low-resistance transparent electroconductive film by inputting a high input-power without generating any arcing. - 特許庁

可視及び紫外域で吸収のないＭｇＦ_２，ＬａＦ_３，ＹＦ_３，ＡｌＦ_３等のフッ化物薄膜や、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。例文帳に追加

To stably deposit a fluoride thin film of MgF_2, LaF_3, YF_3, AlF_3 or the like having no absorption in visible and ultraviolet regions, and an oxide film of Al_2O_3, SiO_2, Ta_2O_5, TiO_2 or the like at high speed by sputtering. - 特許庁

レーザーアブレーション法（ＰＬＤ）による成膜で、従来のスパッタリング法による成膜速度の１０倍以上の高速度で厚膜を基板上に成膜し、高速熱処理による結晶化で高保磁力の希土類厚膜磁石とする。例文帳に追加

A thick film is formed on a board through a laser ablation method (PLD) ten times as fast as a conventional sputtering method, then crystallized through a high-speed thermal treatment, and formed into a rare earth thick film magnet having a high coercive force. - 特許庁

基板、基材に対し、安定して長時間、かつ高速でのスパッタ成膜が可能であるスパッタリング装置を提供することであり、また、これを用いて成膜した積層体及び、この積層体を有する光学機能性フィルタおよび光学表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system capable of applying a sputtering film deposition to a substrate and a base material stably for a long time and at a high speed, to provide a layered product, which is film-deposited by using the sputtering system, and to provide an optically functional filter and an optical display device having the layered product. - 特許庁

ＲＦスパッタリング法、減圧下でのプラズマＣＶＤ法等の従来の成膜方法による成膜速度より１０倍以上の高速成膜が可能な大気圧プラズマＣＶＤによって基板上に作製したアモルファスＳｉＣ薄膜を提供する。例文帳に追加

To prepare an amorphous Si thin film produced on a substrate by atmospheric plasma CVD capable of film deposition at a high speed ≥10 times that in the conventional film deposition methods such as an RF sputtering method and a plasma CVD method under the reduced pressure. - 特許庁

基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering system capable of reducing the damage and temperature rising on the surface of a substrate, and also depositing a thin film on the surface of the substrate at a high speed by suppressing the collision of charged particles against the substrate, and to provide a thin film deposition method using the magnetron sputtering system. - 特許庁

パーティクルの発生等に起因する基板への異物堆積を抑制し、またスパッタリング成膜速度を一定かつ高速に維持して製品歩留りを向上させ、光ディスクの誘電体保護膜の作成に好適なターゲットを得る。例文帳に追加

To suppress the deposition of foreign matter due to, e.g. formation of particles onto a substrate, to improve product yield by maintaining sputtering deposition rate at fixed and high rate, and to obtain a target suitable for production of a dielectric protective film of an optical disk. - 特許庁

低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。例文帳に追加

To provide a means capable of attaining low temperature film deposition and high speed film deposition in magnetron sputtering of a dual form for making low temperature film deposition and high speed film deposition compatible, and thereby to obtain various inorganic crystal films being highly functional materials, on organic films at a low temperature and at high speed. - 特許庁

ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target which adopts a material containing an SiO_2 based oxide, hardly causes deterioration in an adjacent reflection layer and a recording layer, has satisfactory adhesion and achieves high speed film-deposition, and to provide a method for producing the same and to provide a thin film (especially used as a protective film) for an optical information recording medium and a method for producing the same. - 特許庁

誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するＢＳＴ膜、このＢＳＴ膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのＢＳＴ膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。例文帳に追加

To provide a BST film, a capacitor insulating film using the BST film, and a sputtering target used for manufacturing the BST film, which make it possible to improve dielectric characteristics of the capacitor insulating film, and to contribute to improving speed and fineness of a semiconductor memory element or a thin-film capacitor by inhibiting deterioration of permittivity, and inhibiting increase of leakage of current and dielectric loss. - 特許庁

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same. - 特許庁

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sintered compact used for a target on which a PZT thin film is deposited by suppressing the local variation of Pb concentration to eliminate the variation of the characteristics of the thin film itself and which is prevented from the breaking even under high voltage and is suitable for high speed film deposition, and a manufacturing method of the sintered compact and the sputtering target using the sintered compact. - 特許庁