「AFM」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A cantilever 12 having a probe 12a for characteristic measurement is resonated by an exciting section 5, the vibration of the cantilever 12 is detected by a vibration detecting section 6, and AFM (Atomic Force Microscope) observation of a sample is determined based on the detection result by a control/arithmetic section 9.例文帳に追加

特性計測用プローブ１２ａが形成されたカンチレバー１２を励振部５により共振させ、カンチレバー１２の振動を振動検出部６で検出し、その検出結果に基づいて試料のＡＦＭ観察を制御・演算部９で求める。 - 特許庁

Then, before actually exposing the pattern of a reticle R onto the wafer W, is the pattern of the reticle R is illuminated with an EUV beam EL to measure a latent image formed on the resist subjected to silylation with the atomic force microscope(AFM).例文帳に追加

そして、レチクルＲのパターンをウエハＷ上に本露光するに先立って、レチクルＲのパターンをＥＵＶ光ＥＬで照明することによってシリル化レジストに形成された潜像を、原子間力顕微鏡ＡＦＭで計測する構成とした。 - 特許庁

First, a structure consisting of support 102 and a probe matrix 120, that is, an AFM cantilever chip, is prepared, with a specific surface of the probe matrix 120 covered with a light-blocking film 130 made of, e.g. tellurium, to form a preliminary molding 100' of the near-field probe.例文帳に追加

まず、支持部１０２とプローブ母材１２０から成る構造体すなわちＡＦＭカンチレバーチップを用意し、そのプローブ母材１２０の特定の表面を例えばテルルから成る遮光膜１３０で被覆して、近接場プローブの予備成形品１００'を形成する。 - 特許庁

To correct a detecting error in an intake air flow rate equivalent to lead heating by heat conduction to a lead from a heat-ray element without being influenced by an intake air system layout when detecting the intake air flow rate on the basis of output voltage of a heat-ray type air flowmeter (AFM).例文帳に追加

熱線式エアフローメータ（ＡＦＭ）の出力電圧に基づいて吸気流量を検出する場合に、熱線素子からリードヘの熱伝導によるリード加熱分の吸気流量の検出誤差を、吸気系レイアウト等の影響を受けずに補正可能とする。 - 特許庁

To provide an exchange-coupling film capable of increasing a Hex/Hc ratio between an AFM layer and an AP2 pinned layer without degrading an MR ratio and stably holding the magnetization of the AP2 layer in a fixed direction, and a magnetoresistance effect element using the same.例文帳に追加

ＭＲ比を低減することなく、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間のＨｅｘ／Ｈｃ比を増加させることができ、ＡＰ２層の磁化を一定方向に安定して保持することのできる交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide radial clusters of sharp-ended multiwalled carbon nanotubes, which are new carbon nanostructures useful as a probe for STM (scanning tunneling microscope) or AFM (atomic force microscope), a field emission electron source of a display element, a display, or the like, and to provide a method for preparing the radial clusters.例文帳に追加

ＳＴＭやＡＦＭ用探針、表示素子、ディスプレイ等の電界放出電子源などとして有用な、新規なカーボンナノ構造物である鋭端多層カーボンナノチューブ放射状集合体とその製造方法鋭端多層カーボンナノチューブ放射状集合体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The cantilever for processing, for processing a micropattern by use of an atomic force microscope (AFM), has a great number of probes as cutting blades provided at the top end of a lever part of a cantilever, and has the probes integrally formed with a common base material.例文帳に追加

原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を利用して微細パターンの加工を行うための加工用カンチレバーについて、切れ刃となるプローブ（探針）がカンチレバーの１本のレバー部先端に多数設けられていることであり、上記プローブが共通の基材と一体に形成されていること。 - 特許庁

The probe 22 of an AFM is brought into contact with the surface of a GaAs substrate or an AlGaAs substrate 10a, negative bias is applied to the probe 22, positive bias is applied to the GaAs substrate or the AlGaAs substrate 10a, and a doughnut-shaped oxide film 13 is formed.例文帳に追加

ＡＦＭの探針２２をＧａＡｓ基板又はＡｌＧａＡｓ基板１０ａの表面に接触させ、探針２２に負のバイアスを印加し、ＧａＡｓ基板又はＡｌＧａＡｓ基板１０ａに正のバイアスを印加することにより、ドーナツ状の酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

The CVD-coated cutting tool insert is provided with a TiC_xN_y layer having a low tension stress level of 50-390 MPa, and an α-Al_2O_3 layer having a highly flat and smooth surface characteristic of an average Ra of 0.12 micrometers or less, which is measured by an AFM technique.例文帳に追加

本発明は、５０〜３９０ＭＰａの低い引張応力レベルを有するＴｉＣ_xＮ_y層と、ＡＦＭ技術により測定された平均Ｒａ≦０．１２μｍの高い表面平滑性を有するα−Ａｌ_2Ｏ_3層とを備えたＣＶＤ被覆の切削工具インサートに関する。 - 特許庁

The reference dimensions of the plurality of patterns may be obtained by measuring the plurality of patterns by an Atomic Force Microscope: AFM, or alternatively, may be obtained on the basis of sectional shapes or the like of the patterns obtained by applying simulation to semiconductor pattern design data.例文帳に追加

複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 - 特許庁

To provide an NC-AFM capable of stably performing approach and the surface observation of a sample with proper resolving power even with respect to any sample in a non-contact atomic force microscope and the operation program thereof.例文帳に追加

本発明は非接触原子間力顕微鏡及び非接触原子間力顕微鏡の動作プログラム関し、どのような試料においても、適した分解能で安定にアプローチ及び試料表面観察をすることができるＮＣ−ＡＦＭを提供することを目的としている。 - 特許庁

The intake air amount detecting device includes: a first compensation means for compensating response delay caused in a detection part as a response delay compensation means for compensating the response delay of an AFM; and a second compensation means for compensating the response delay caused in the circuit part.例文帳に追加

吸入空気量検出装置は、ＡＦＭの応答遅れを補償する応答遅れ補償手段として、検出部において生じる応答遅れを補償する第１補償手段と、回路部において生じる応答遅れを補償する第２補償手段とを備えている。 - 特許庁

Otherwise, the foreign substance P is irradiated with an electron beam to deposit a solid material on the foreign substance P in a deposition gas atmosphere in which the solid material is generated by irradiation with the electron beam, and a force by the probe of an AFM (atomic force microscope) is applied to the solid material.例文帳に追加

又は、電子ビームが照射されることにより固体材料が生成されるデポジションガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射して異物Ｐ上に固体材料を堆積させ、この固体材料に対してＡＦＭの探針により力を印加する。 - 特許庁

A metal structure 11 having an acute point as an STM chip and an AFM chip is made to approach the surface of a semiconductor substrate 10, and when an electrical pulse 12 is applied to this structure 11, fine projected matters 13 which are several tens to several nm in their diameter and height are formed on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

半導体基板（10）の表面に、ＳＴＭチップやＡＦＭチップのような、先端が先鋭な金属構造物（11）を近接せしめ、これに電気的パルス（12）を印加すると、前記基板（10）の表面に直径・高さが数１０〜数ｎｍの微細突起物（13）が形成される。 - 特許庁

Since the FM layer S2a-1 and the FM sub layer 16, and the FM sub layer 18 and the FM layer S2a-2, are antiferromagnetically coupled via the AFCT layer 17 by the AFM layer 19, the magnetic domain of the composite upper shield layer S2p is stably and strongly fixed.例文帳に追加

ＡＦＭ層１９により、ＦＭ層Ｓ２ａ−１およびＦＭサブ層１６とＦＭサブ層１８およびＦＭ層Ｓ２ａ−２とがＡＦＣＴ層１７を介して反強磁性的に結合されるため、複合上部シールド層Ｓ２ｐの磁気ドメインは、安定かつ強固に固定される。 - 特許庁

There is provided the CVD coated cutting tool insert including: a TiCxNy layer having a low tensile stress level of 50-390 Mpa; and Al_2O_3 having surface smoothness having a high average Ra of 0.12 μm or lower measured by an interatomic force microscope (AFM) technology.例文帳に追加

本発明は、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具インサートに関する。 - 特許庁

The deflection generating on a cantilever 41 is detected by an inter-atomic force between a probe 44 of the cantilever 41 and the air bearing surface 13 of the thin-film magnetic head Q in the manner of using an atomic force microscope(AFM) 4 provided with the cantilever 41 mounting a magnetic field generating element 45 thereon.例文帳に追加

磁界発生素子４５を取り付けたカンチレバー４１を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）４を用い、カンチレバー４１の探針４４と薄膜磁気ヘッドＱの空気ベアリング面１３の間の原子間力によって、カンチレバー４１に生じる撓みを検知する。 - 特許庁

The method for photoresist characterization includes a step 102 of forming a photoresist on a supportive structure, a step 104 of baking the photoresist, a step 106 of staining the photoresist with a staining agent, and a step 108 of characterizing the photoresist using at least one of TEM, SEM and AFM.例文帳に追加

フォトレジストの特性化方法は、支持構造上にフォトレジストを形成する工程１０２と、フォトレジストをベーキングする工程１０４と、フォトレジストを染色剤により染色する工程１０６と、ＴＥＭ、ＳＥＭおよびＡＦＭのうちの少なくとも１つを利用し、フォトレジストを特性化する工程１０８と、を含む。 - 特許庁

To provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus by which a pattern in a relatively wide region of a square millimeter or larger can be formed in a short time by electrochemical lithographic pattern forming method and the pattern can be formed without using an expensive apparatus such as an AFM (atomic force microscope) and an STM (scanning tunneling microscope).例文帳に追加

電気化学リソグラフィーによるパターン形成方法において、平方ミリメートル以上の比較的広い領域に渡るパターン形成を、短時間で行うことを可能とするとともに、ＡＦＭ、ＳＴＭなどの高価な装置を用いることなくパターンを形成し得るパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。 - 特許庁

The insert coating comprises a TiC_xN_y layer with a low tensile stress level of 50-500MPa and an α-Al_2O_3 layer with a high surface smoothness with a mean Ra<0.12μm as measured by AFM-technique, obtained by subjecting the coating to an intensive wet blasting operation.例文帳に追加

このインサート被覆は、５０−５００ＭＰａの低い引張応力レベルを有するＴｉＣ_xＮ_y層と、強烈な湿式ブラスト作業をその被覆に受けさせることによって得られる、ＡＦＭ法によって測定された平均Ｒａ＜０．１２μｍを有する高い表面平滑性を有するα−Ａｌ_2Ｏ_3層とを含む。 - 特許庁

This air quantity inferring device infers flow rate of air whose delay in detection is compensated and which flows into a compressor actually (flow rate of air flowing into the compressor) mcmi by inputting output amount Vafm of an air flow meter 61 arranged in an intake passage on the upstream side of the compressor 91a into AFM reverse model M1.例文帳に追加

この空気量推定装置は、コンプレッサ９１ａの上流の吸気通路に配設されたエアフローメータ６１の出力量VafmをＡＦＭ逆モデルＭ１に入力することにより、検出遅れが補償された実際にコンプレッサに流入する空気の流量（コンプレッサ流入空気流量）mcmiを推定する。 - 特許庁

A intensive wet blasting operation is applied to a coating film of a CVD coated cutting tool equipped with a TiC_XN_Y layer containing a cemented carbide as base material and having a low tensile stress level of 50-390 Mpa and Al_2O_3 having a high surface smoothness with a mean Ra 0.12 μm or below as measured by the atomic force microscope (AFM) technique.例文帳に追加

超硬合金を母在とし、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具の被膜に、非常に激しい湿潤吹き付け処理を施す。 - 特許庁

An insert coating regarding the CVD coated cutting tool includes a TiC_xN_y layer which has a low tensile stress level of 50-500 MPa, and an α-Al_2O_3 layer that is obtained by applying an intensive wet-blasting operation to the coating and has high surface smoothness with a mean Ra<0.12 μm as measured by an AFM method.例文帳に追加

本発明のＣＶＤ被覆切削工具に関するインサート被膜は、５０−５００ＭＰａの低い引張応力レベルを有するTiC_ｘN_ｙ層と、強烈な湿式ブラスト作業をその被膜に受けさせることによって得られる、ＡＦＭ法によって測定された平均Ｒａ＜０．１２μｍを有する高い表面平滑性を有するα−Ａｌ_2Ｏ_3層とを含む。 - 特許庁

The surface shape of the information recording medium is measured in a prescribed area with an optical interferometer or an AFM, to conduct line analysis in the direction along the circumference, the product of a PSD, corresponding to a prescribed wavelength ν and frequency f being the reciprocal of the prescribed wavelength ν, that is, PSD×f, is computed, and the maximum value of PSD×f is at most a prescribed value.例文帳に追加

情報記録媒体の表面形状を所定領域において、光干渉計またはＡＦＭで測定し、円周方向に沿った方向でライン解析し、所定の波長νに対応するＰＳＤと当該所定の波長νの逆数である周波数ｆとの積ＰＳＤ×ｆを算出し、これの最大値を所定の値以下とする。 - 特許庁

To provide a carbon nano structure called CNT, CNF and GNF having superior durability, allowing high measuring accuracy and inexpensively and nonvariably manufacturable in a short time; its manufacturing method; its cutting method; a probe for STM and AFM having this structure or an electric field electron emitting source such as FED, an X-ray device, SEM and TEM.例文帳に追加

優れた耐久性を備え、高い測定精度を可能とし、短時間・低コストでばらつき無く作製できるＣＮＴ、ＣＮＦ、ＧＮＦという炭素ナノ構造体、その製造方法、その切断方法、それを有するＳＴＭやＡＦＭ用の探針あるいはＦＥＤ、Ｘ線装置、ＳＥＭ、ＴＥＭ等の電界電子放出源を提供する。 - 特許庁

The atomic force microscope (AFM) 102 includes also an electric power source 130 for impressing a potential between the first tip 302 and the second tip 304, at least one mechanism 108 for generating relative motion between a probe and the surface 131, and at least one sensor 132 for detecting a current flowing between the first tip 302 and the second tip 304.例文帳に追加

該原子間力顕微鏡(102)は更に、第１の先端部(302)と第２の先端部(304)との間に電位を印加する電圧源(130)と、表面(131)とプローブ(106)との間の相対的な運動を生じさせる少なくとも１つの機構(108)と、第１の先端部(302)と前記第２の先端部(304)との間に流れる電流を検出する少なくとも１つのセンサ(132)とを含む。 - 特許庁

In the easily lubricating polyamide laminate film comprising a film layer made of a binder resin and provided on at least one side surface of a polyester film, a mean value of a roughness according to an AFM(atomic force microscope) on an outer surface of the film layer is 3 to 20 nm and specks of roughness are 5 to 70%.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、バインダー樹脂からなる皮膜層を設けた積層フィルムであって、皮膜層の外表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による粗さの平均値が３〜２０ｎｍで、且つ、粗さの斑が５％以上７０％以下であることを特徴とする易滑性積層フィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体。 - 特許庁

Moreover, primary beam enters through the measurement hole 12 in the vicinity of the probe point 8 to detect secondary beam radiated from the surface of the sample in the surroundings, and primary beam is irradiated from the surroundings to detect secondary beam through the measurement hole 12, so that high precision property of AFM measurement and SNOM measurement are compatible.例文帳に追加

また、探針点８の近傍にある測定孔１２から１次ビームを入射させて試料表面から放出される２次ビームを周辺で検出したり、周辺から１次ビームを照射して測定孔１２を通して２次ビームを検出することもでき、ＡＦＭ測定の高精度性とＳＮＯＭ測定を両立させることに成功したものである。 - 特許庁

An apparatus for atomic force microscopy (AFM) comprises: a first actuator 310 configured to move a cantilever 301 along an axis; a second actuator 311 configured to move the cantilever along the axis; an amplifier 308; and a crossover network 309 connected between the amplifier 308, and the first actuator 310 and the second actuator 311.例文帳に追加

原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）用の装置は、軸に沿ってカンチレバー３０１を移動するように構成された第１のアクチュエータ３１０と、この軸に沿ってカンチレバーを移動するように構成された第２のアクチュエータ３１１と、増幅器３０８と、この増幅器３０８と第１のアクチュエータ３１０及び第２のアクチュエータ３１１との間に接続されたクロスオーバ回路網３０９とを具備する。 - 特許庁

With the result measured by the first measuring means taken into account, the object is measured again by a second measuring means such as an AFM, a probe type profiler or the like which is possible to contact.例文帳に追加

被計測物の表面の立体形状を計測する際に、光計測プロファイラ（例えば、ミラウ干渉計方式）等の接触する可能性のない第１の計測手段により被計測物に対して非接触に計測を行い、第１の計測手段で計測した結果を考慮して、ＡＦＭ、触針式プロファイラ等の接触する可能性のある第２の計測手段により再度計測する。 - 特許庁