AFMを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 185件
To provide a locally degenerated semiconductor YBCO element, using AFM, a superconductor YBCO element, and a manufacturing method thereof, in which a semiconductor YBCO thin film is locally degenerated to an insulator by use of an AFM chip, or a superconductor YBCO film is locally degenerated into a non-superconductor.例文帳に追加
AFMチップを用いて半導体YBCO薄膜を絶縁体に局所的に変質させた、あるいは超伝導体YBCO膜を非超伝導体に局所的に変質させた、AFMを用いた局所変質半導体YBCO素子及び超伝導体YBCO素子並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁
This layer is composed of an AFM layer 430, a pin retaining ferromagnetic layer 420 exchange-biased with the AFM layer so as to prevent the rotation of magnetic moment under an applied magnetic field, a free ferromagnetic layer 410 having magnetic moment rotatable under the applied magnetic field, and an insulating tunnel barrier layer 415 disposed between the pin retaining layer and the free layer.例文帳に追加
該層は、AFM層430、印加磁界下で磁気モーメントが回転不可能にAFM層と交換バイアスされたピン止め強磁性層420、印加磁界下で回転できる磁気モーメントを有する自由強磁性層410、およびピン止め層と自由層間に配置の絶縁トンネル・バリア層415である。 - 特許庁
A micromachining apparatus is used, which includes an AFM having a plurality of independently actuatable probes and uses an electron beam or a helium ion beam produced by a gas field ion source; wherein an isolating pattern 9 including a defect is grounded by bringing the conducting probe 6 into contact with the pattern, and then an opaque defect 8 is corrected while preventing charge-up by the electron beam 1.例文帳に追加
独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム微細加工装置で、導電性探針6を接触させることで欠陥を含む孤立したパターン9を接地して、電子ビーム1によるチャージアップを防止しながら黒欠陥8を修正する。 - 特許庁
To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.例文帳に追加
レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト1を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁
The black defect correction technique of the mask comprises recognizing the position of a black defect section of the mask by an atomic force microscope (AFM), moving the probe of the AFM upward of the black defect position, and removing the black defect by electrochemical reaction in the state of interposing an electrolyte between the probe and the black defect section as both electrodes and further comprises confirming the removal of the black defect by the AFM.例文帳に追加
本発明のマスク黒欠陥修正手法は、原子間力顕微鏡によってマスクの黒欠陥部位置を把握し、前記黒欠陥位置上方に前記原子間力顕微鏡の探針を移動させ、前記探針と前記マスク黒欠陥部を両電極とし電解液を介在させた状態で電気化学的反応により前記黒欠陥を除去するものであって、更に前記原子間力顕微鏡によって前記黒欠陥の除去を確認するものである。 - 特許庁
To provide a method of dipping pen nano-lithography (DPN), a substrate processed by patterning by DPN, a kit for carrying out DPN, and an AFM chip coated by hydrophobic compound.例文帳に追加
「つけペン」ナノリソグラフィ(DPN)の方法、DPNによってパターニングされた基板、DPNを行うためのキット及び疎水性化合物で被覆されたAFMチップを提供する。 - 特許庁
The magnetite powder is obtained by reducing hematite and is characterized in that a layered uneven pattern having an interval of 5-80 μm is observed on the surface of each particle in an AFM (atomic force microscope) image.例文帳に追加
AFM(原子間力顕微鏡)像において粒子表面に5〜80nm間隔の層状凹凸模様が観察されるヘマタイトを還元してなるマグネタイトの粉末。 - 特許庁
To provide a magnetic tunnel joining (MTJ) device having an antiferromagnetic (AFM) layer and used as a magnetic sensor in a magnetic disk drive or a memory cell in a magnetic random access array.例文帳に追加
反強磁性AFM層を有し、磁気ディスク・ドライブ中の磁界センサ、または磁気ランダム・アクセスアレイ中のメモリ・セルとして使用する磁気トンネル接合MTJデバイス。 - 特許庁
Further, the magnetic layer is, by combining with the AFM layer by exchange-coupling, fixed strongly by intensive anisotropy provided by a surface texture of the lower layer.例文帳に追加
更に、磁性層は、AFM層に交換結合して組み合わさることによって、また下層の表面テクスチャによって付与された強い異方性によって強く固定される。 - 特許庁
To perform observation utilizing proximity field light and observation utilizing a principle similar to AFM and STM for one microsample with high accuracy.例文帳に追加
一つの微小な試料に対して、近接場光を利用した観察と、AFM及びSTMなどと同様の原理を利用した観察とを、高精度に行うことを可能とする。 - 特許庁
The pinned layer 16 has a synthetic antiferromagnetic pinned structure formed by sequentially stacking an AP2 layer 163, a coupling layer 162 and an AP1 layer 161 from the AFM layer 15.例文帳に追加
ピンド層16は、AFM層15の側から、AP2層163と結合層162とAP1層161とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。 - 特許庁
The curved surface and the end surface of the substrate have surface roughness in the range of 4.0 Å≤Ra≤100 Å, preferably 4.0 Å≤Ra≤50 Å as measured by means of the AFM.例文帳に追加
さらに、この曲面や基板端面の表面粗さもAFMで4.0Å≦Ra≦100Å、好ましくは4.0Å≦Ra≦50Åとする。 - 特許庁
Actually, an error initial value VERRINI# and a damping coefficient RELR# are used, and are reduced in a primary delay with the lapse of time, and an AFM output error VERR is set (S1 to S3).例文帳に追加
具体的には、誤差初期値VERRINI#と減衰係数RELR#とを用い、時間経過と共に一次遅れで減少させてAFM出力誤差VERRを設定する(S1〜S3)。 - 特許庁
In this case, the number of averaged data is set by correcting the number of times of sampling in the specified period by using a correction factor, virtual data is set by correcting the sampling data on the output of the AFM model by using a correction factor, and an averaged value is obtained by dividing the sampling data on the output of the AFM model and the virtual data by the number of the averaged data.例文帳に追加
その際、所定期間内のサンプリング回数を補正係数で補正して平均化データ数を設定すると共に、AFMモデル出力のサンプリングデータを補正係数で補正して仮想データを設定し、所定期間内のAFMモデル出力のサンプリングデータと仮想データとの積算値を平均化データ数で除算して平均値を求める。 - 特許庁
In this tapping mode atomic force microscope (AFM) system 10, the probe 22 is excited at an excitation frequency other than the probe's first natural frequency to produce a response signal manifesting a grazing bifurcation between "non-collision" and "collision" states of the AFM system, so that an additional characteristic frequency component is generated in the "collision" state.例文帳に追加
タッピングモード原子間力顕微鏡(AFM)システム10において、プローブ22は、プローブの1次固有振動数以外の加振周波数にて励振され、AFMシステムの「非衝突」状態と「衝突」状態との間のグレイジング分岐を明示する応答信号を作り出し、その結果、付加的な特性周波数成分が「衝突」状態において創出される。 - 特許庁
Further, when the visual range 1 is detected within a distance of distinct vision (below 24 cm) by the AFM 31, an LED 41 flickers and a microminiature buzzer 42 sounds to output an alarm.例文帳に追加
さらに、AFM31によって、視距離lが明視距離以内(24cm未満)と検知された場合は、LED41が点減し超小型ブザー42が鳴り警報を出力する。 - 特許庁
This polybenzazole fiber is characterized by having an uneven fiber surface and having a fiber surface area rate of ≥1.03 in an AFM (atomic force microscope) observation visual field range of 1×1 μm^2.例文帳に追加
繊維表面に凹凸を有し、当該繊維表面のAFM観察視野範囲1×1μm^2における表面積率が1.03以上であることを特徴とするポリベンザゾール繊維。 - 特許庁
To provide a wafer evaluation method and a wafer evaluation apparatus for raising accuracy of alignment to effectively analyze and evaluate the wafer in the evaluation apparatus such as SEM or AFM or the like.例文帳に追加
SEM、またはAFM等の評価装置でのアライメントの精度を高め、ウェーハの分析評価を効率的に行うことができるウェーハの評価方法および評価装置を提供。 - 特許庁
When an antenna 11 of a vehicle 3 is failed or damaged during driving of the vehicles 1 to 4, the AFM is changed as shown in Fig. and an antenna 11 is automatically switched to an antenna 12 (b).例文帳に追加
(b):車両1〜4の走行中に車両3のアンテナ11が故障又は破損すると、そのAFMが図示のように変化し、アンテナ11がアンテナ12に自動的に切替えられる。 - 特許庁
When AFM observation is performed using a CNT401 as the probe disposed separately from the nano tweezers 1, the CNT401 disposed in a CNT cartridge is gripped with the nano tweezers 1.例文帳に追加
ナノピンセット1と別体で設けられた探針であるCNT401を用いてAFM観察を行う場合には、CNTカートリッジに設けられたCNT401をナノピンセット1で把持する。 - 特許庁
To dispense with the necessity of an antiferromagnetic(AFM) layer in a sensor, to make realizable doubling of read signals and an operation in a differential mode showing high symmetry, and to make achievable a high reading performance.例文帳に追加
センサ内の反強磁性(AFM)層の必要性をなし、読取り信号の倍増と、高い対称性を示すディファレンシャル・モードでの動作とを実現し、高い読取りパフォーマンスを達成する。 - 特許庁
Based on the AFM observation, a four-terminal probe unit 1 is positioned to a measuring position of the sample, probes 11a-14a are brought into contact with the sample, and the electric characteristic is measured.例文帳に追加
そして、そのAFM観察に基づいて、4端子プローブユニット1を試料の計測位置に位置決めし、プローブ11a〜14aを試料に接触させて電気特性を計測する。 - 特許庁
After removing the external magnetic field, their entire are heat treated at a temperature higher than a blocking temperature of an AFM layer and lower than a Curie temperature of the first to third patterns 43A to 43 C.例文帳に追加
外部磁場を取り除いたのち、AFM層のブロッキング温度よりも高く、かつ第1から第3のパターン43A〜43Cのキュリー温度よりも低い温度で全体を熱処理する。 - 特許庁
One end of a cantilever 5 that is the component of AFM is mounted to a fixed stage 4, and a funnel-shaped probe 6 (extraction electrode) is formed at the tip of the cantilever 5.例文帳に追加
AFMの構成要素であるカンチレバー5の一端が固定ステージ4に取り付けられており、カンチレバー5の先端部には、漏斗状の探針6(引出電極)が形成されている。 - 特許庁
A projection aligner 10 is provided with an atomic force microscope(AFM) for measuring a latent image formed on a wafer W with a surface-reaction type resist subjected to silylation as a photosensitive layer.例文帳に追加
露光装置10に、表面反応型のシリル化レジストを感光層としたウエハWに形成される潜像を計測するため、原子間力顕微鏡AFMを備える構成とした。 - 特許庁
A surface analysis method of an insulation material with an atomic force microscope includes performing AFM measurement by suppressing charging of the insulation material due to static electricity under high humidity environment.例文帳に追加
高湿度環境下で絶縁材料の静電気による帯電を抑制してAFM測定を行う原子間力顕微鏡による絶縁材料の表面分析方法である。 - 特許庁
The MTJ element 8 includes: an AFM layer 11, an SyAF pinned layer 12, a tunnel barrier layer 13 comprised of crystalline MgO made by applying natural oxidation process to a magnesium layer, and a free layer 14.例文帳に追加
MTJ素子8は、AFM層11と、SyAFピンド層12と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のMgOを有するトンネルバリア層13と、フリー層14とを含む。 - 特許庁
On a seed layer 11, an antiferromagnetic layer 12, an outer pinned layer 20, an AFM coupling layer 14, an inner pinned layer 15, a barrier layer 16, a free layer 17 and a cap layer 18 are provided in this order.例文帳に追加
シード層11上に、反強磁性層12、外側ピンド層20、AFM 結合層14、内側ピンド層15、バリア層16、フリー層17およびキャップ層18をこの順で備えている。 - 特許庁
Thereby the phase difference of the phase shifting part is measured by the level difference measuring instrument such as an AFM and the phase difference is calculated while considering damage applied to a light shielding film when forming the phase shifting part.例文帳に追加
したがって、その位相シフト部の位相差をAFM等の段差測定器で測定し、また、この位相シフト部を形成する際の遮光膜が受けたダメージも考慮して位相差を算出する。 - 特許庁
The selected region of the surface of the substrate, containing one of a plurality of the points, is measured using AFM (stage 60), and the microroughness measured value of the selected region is provided (stage 70).例文帳に追加
複数のポイントのうちの一つを含む基板表面の選択された領域をAFMを使用して測定し(段階60)、選択された領域のマイクロラフネス測定値を提供する(段階70)。 - 特許庁
Thus, not only the response delay caused in the detection part but also the response delay caused in the circuit part can be compensated, so that the response delay of the AFM is highly accurately compensated.例文帳に追加
これによれば、検出部において生じる応答遅れだけではなく、回路部において生じる応答遅れを補償することができるため、高精度にAFMの応答遅れを補償することができる。 - 特許庁
A sensor body of an air flow meter (AFM) is equipped with a flow channel diaphragm part 22 which gradually reduces width of a diaphragm flow channel 23 from the center side of the height direction of the diaphragm flow channel 23 toward both sides.例文帳に追加
空気流量計(AFM)のセンサボディは、絞り流路23の高さ方向の中央側から両側に向かって絞り流路23の幅を徐々に減少させる流路絞り部22を備えている。 - 特許庁
The aluminum support shows a surface area ratio ΔS of not less than 5% calculated by formula (I) based on three-dimensional data measured using an interatomic force microscope (AFM) and not higher than 20% steepness a45.例文帳に追加
ここで、ΔS^5(0.02-0.2)は、原子間力顕微鏡を用いて得られる3次元データから、波長0.02〜0.2μmの成分を抽出して求めた値であり、ΔS^5は以下の式(I)より算出した値である。 - 特許庁
To provide user-friendly substrate for SPM which makes orientation of any sample on the substrate easier and is shaped suitable for various standards of SPM, or underwater observation by AFM, and the like.例文帳に追加
基板上の試料の位置特定を容易にし、様々なSPMの規格や、AFMによる液中観察等にも適切な形状を有する、使い勝手に優れたSPM用の基板を提供すること。 - 特許庁
Therefore, when the probe 2 is charged up during measurement, the electrostatic force with a body to be measured cannot change, thus measuring accurate electrostatic force when using for an AFM or the like.例文帳に追加
よって、測定中に探針2がチャージアップし、それによって被測定体との間の静電力が変化することがないので、たとえばAFM等に用いる場合に、正確な原子間力の測定が可能となる。 - 特許庁
Titanium carbonitride powder of 64 pts.wt., titanium carbide powder of 30 pts.wt., AFM alloy iron powder as an assistant of 6 pts.wt. and methanol are mixed in a ball mill for 48 hours, and obtains spray granulated powder.例文帳に追加
炭窒化チタン粉体64重量部、炭化チタン粉体30重量部、助剤であるAFM合金鉄粉体6重量部、及びメタノールをボールミルにて48時間混合し、スプレー造粒粉を得た。 - 特許庁
The oxygen-added seed layer 11, AFM layer 12, binder layer 14, upper pinned layer 41, and free layer 25 are formed by sputter deposition using oxygen-added argon (Ar) gas.例文帳に追加
これらの酸素が添加されたシード層11、AF層12、結合層14、上部ピンド層41およびフリー層25は、酸素が添加されたアルゴン(Ar)ガスを使用してスパッタ成膜されることにより形成される。 - 特許庁
To provide a probe and a cantilever for realizing an AFM (Atomic Force Microscope) having high resolution, and a method for manufacturing the probe and the cantilever easily and surely.例文帳に追加
高い分解能を有するAFMを実現し得るプローブ及びカンチレバーと、それらプローブ及びカンチレバーを簡易且つ確実に製造することが可能な製造方法とを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an AFM cantilever constituted so that a probe part is strongly held so as to be hardly detached from a lever part without increasing the weight of the probe part by keeping the lever part thin, and its manufacturing method.例文帳に追加
レバー部の厚さを薄くしたまま探針部の重量を増加させることなく、探針部がレバー部から外れにくいように強固に保持させたAFMカンチレバー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A TMR device includes a laminate 1 on which a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18, and a gap layer 19 are laminated in order on a lower shield layer 10.例文帳に追加
TMR素子は、下部シールド層10の上に、シード層14,AFM層15,ピンド層16,トンネルバリア層17,フリー層18,キャップ層19が順に積層された積層体1を有する。 - 特許庁
A TMR device has a laminated body 1 on which a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18, and a gap layer 19 are laminated in order on a lower shield layer 10.例文帳に追加
TMR素子は、下部シールド層10の上に、シード層14,AFM層15,ピンド層16,トンネルバリア層17,フリー層18,キャップ層19が順に積層された積層体1を有する。 - 特許庁
The substrate for the magnetic disk has ≤0.3 nm long wavelength waviness and ≤0.2 nm AFM surface roughness as its surface characteristics.例文帳に追加
特に、実生産レベルの加工速度を有し、波長の短い表面粗さ(AFM表面粗さ)と波長の長いうねり(長波長うねり)を同時に満足させた磁気ディスク用基板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor test device which can perform a device test for a shorter time by applying a bank memory provided in an AFM and being not used and storing fall information from a DUT.例文帳に追加
AFM内に備える使用されていなかったバンクメモリを適用して、DUTからのフェイル情報を格納させることで、より短時間にデバイス試験が実施可能な半導体試験装置、及び試験方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask by which no correction scum of a residual defect is left when the residual defect of a halftone phase shift mask is removed by using an AFM (atomic force microscope) correcting device.例文帳に追加
ハーフトーン型位相シフトマスクの残留欠陥をAFM型修正機を用いて除去する際、残留欠陥の修正カスを残さないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a cantilever which shows good vibration characteristics in usual AFM measurement and can further perform cell operation by suppressing the damage applied to a cell to the utmost in the case used in the cell operation.例文帳に追加
通常のAFM測定において良好な振動特性を示し、更に、細胞操作に用いられた場合には、細胞に与えるダメージを極力抑えて細胞操作を行うことのできるカンチレバーを提供すること。 - 特許庁
Oxygen (O_2) is added to a seed layer 11, an AFM layer 12, a binder layer 14 and an upper pinned layer 41 of a SyAP pinned layer 18, and a free layer 25, from among a series of layers from the seed layer 11 to a protective layer 27.例文帳に追加
シード層11から保護層27に至る一連の層のうち、シード層11、AFM層12、SyAPピンド層18のうちの結合層14および上部ピンド層41、ならびにフリー層25に酸素(O_2 )を添加する。 - 特許庁
The surface lubricant index of the magnetic layer is in the range of 1.3-5.0, and the central surface mean roughness SRa in the area of 40 μm×40 μm measured by the atomic force microscopy (AFM) is equal to or less than 4 nm.例文帳に追加
前記磁性層の表面潤滑剤指数は1.3〜5.0の範囲であり、かつ原子間力顕微鏡(AFM)により測定された40μm×40μmの面積での中心面平均粗さSRaは4nm以下である。 - 特許庁
A composite upper shield layer S2p has a structure wherein an FM layer S2a-1 and an FM sub layer 16, an AFCT layer 17, an FM sub layer 18 and an FM layer S2a-2, and an AFM layer 19 are layered in this order.例文帳に追加
複合上部シールド層S2pは、FM層S2a−1およびFMサブ層16と、AFCT層17と、FMサブ層18およびFM層S2a−2と、AFM層20とがこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁
The arithmetic mean of roughness Ra when a surface of the accumulated material 17 with which the insulating layer 15 is contacted on the substrate 18 side is observed within a range of 1 μm^2 by using an AFM probe with a 10 nm tip diameter is less than 3 nm.例文帳に追加
絶縁層15が基板18の側において接する被堆積物17の表面を、先端径が10nmのAFM探針を用いて1μm^2の範囲で観察した時の算術平均粗さRaが3nm未満である。 - 特許庁
To obtain a structure for implementing scanning on the stage side by an AFM nanoprober, using multiple probes which quickly corrects the positional relation between a sample and probes, avoids conflicts among the probes, and facilitate electrical measurements in a submicron region.例文帳に追加
多探針を用いたAFMナノプローバで、ステージ側のスキャンを行う構造にして、試料と探針の位置関係の補正を迅速に行い、探針同士の衝突を回避して、サブミクロン領域での電気測定を容易にできるようにする。 - 特許庁
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