「ARF」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light source unit which outputs coherent light of ≤200 nm, specially, 193 or 157 nm wavelength replacing an ArF excimer laser or F_2 laser by using a new wavelength converting element which is a ferroelectric instead of a conventional wavelength converting element.例文帳に追加

従来の波長変換素子に代えて、強誘電体である新規な波長変換素子を用い、200nm以下、特にArFエキシマレーザーまたはF_2レーザーに代わる波長193nmまたは157nmのコヒーレント光を出力する光源装置を提供する。 - 特許庁

The obtained ultraviolet light 14 has single spectrum light just fit to the wavelengths of ArF and KrF excimer laser beams.例文帳に追加

得られた紫外光は、ＡｒＦ、ＫｒＦエキシマレーザーの波長にジャストフィットした単一スペクトル光を有している。 - 特許庁

To obtain both a photosensitive polymer suitable for a lithographic technique with an ArF excimer laser and a resist composition prepared from the polymer.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーによるリソグラフィ技術に適した感光性ポリマーと、これより得られるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The pellicle for lithography to be used for lithography using ArF excimer laser beam is characterized in that the pellicle film thickness is larger by 1.7 to 2.8% with respect to the film thickness of a film that shows the maximum transmittance for ArF laser beam incident at a right angle.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー光を用いたリソグラフィーに使用されるリソグラフィー用ペリクルであって、そのペリクル膜厚が垂直入射のＡｒＦレーザー光に対して極大透過率を示す膜厚に対し、１．７〜２．８％厚いことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a photosensitive resin composition having high sensitivity not only to a g-line (wavelength; 436 nm) or an i-line (wavelength; 365 nm) of a conventional high-pressure mercury vapor lamp but to a light source of a short wavelength such as a KrF excimer laser (248 nm) or an ArF excimer laser (193 nm) and also having high plasma resistance when used as a resist.例文帳に追加

レジスト用途において、従来の高圧水銀灯のg線（波長436nm）、i線（波長365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）やArFエキシマレーザー（193nm）などの短波長の光源に対しても高感度であり、プラズマ耐性が高い感光性樹脂組成物を得る。 - 特許庁

To provide a means for suppressing the generation of HAZE on a MoSi light-shielding film caused by ArF exposure.例文帳に追加

ＡｒＦ露光によってＭｏＳｉ遮光膜上に発生するＨＡＺＥの発生を抑制する抑制手段の提供である。 - 特許庁

The method is used for forming an extremely fine pattern by using short wavelength light from an ArF excimer laser or by liquid immersion lithography.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマーレーザーなどの短波長光や液浸リソグラフィーなどの非常に微細なパターンを形成する場合に用いられる。 - 特許庁

The additive for a photoresist and the photoresist composition obtained by using the same are useful particularly for ArF excimer light.例文帳に追加

本発明のフォトレジスト用添加剤およびこれを用いたフォトレジスト用組成物は、特にＡｒＦエキシマ光用として有用である。 - 特許庁

In an appropriate embodiment, an ArF excimer laser which is designed specifically to a light source used for integrated circuit lithography is disclosed.例文帳に追加

好適な実施例として、集積回路リソグラフィー用の光源に特定して設計されたＡｒＦエキシマレーザーが提示されている。 - 特許庁

To provide a photoresist monomer which can be used for light source in areas of VUV (157 nm) and EUV (13 nm) in addition to that of ArF (193 nm).例文帳に追加

ＡｒＦ（193nm）だけでなくＶＵＶ（157nm）及びＥＵＶ（１３nm）光源で用いることができるフォトレジスト単量体を提供する。 - 特許庁

To change oscillation pulse width into long pulses in an ArF excimer laser device conducting high repetitive oscillation operation and a fluorine laser device.例文帳に追加

高繰返し発振動作のＡｒＦエキシマレーザ装置及びフッ素レーザ装置において、発振パルス幅をロングパルス化すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which can be used suitably in a process using ArF excimer laser light as an exposure light source, which is superior in line edge roughness and free of pattern collapses, will cause no problem regarding development defects, and is superior in a pattern profile and exposure latitude, and to provide a method for forming a pattern that uses the composition.例文帳に追加

ArFエキシマレーザー光を露光光源とする場合に好適に使用することができ、ラインエッジラフネスに優れ、かつパターン倒れがなく、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which can be suitably used when ArF excimer laser light is used as an exposure light source, excels in line edge roughness, and causes neither pattern collapse nor problem of development defects, and a pattern forming method using the same, and to further provide a positive resist composition excellent in pattern profile and exposure latitude and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ArFエキシマレーザー光を露光光源とする場合に好適に使用することができ、ラインエッジラフネスに優れ、かつパターン倒れがなく、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The pellicles used in photolithography that uses ArF excimer laser beams with a pellicle membrane having a thickness of 400 nm or smaller, when the pellicle membrane exhibits a local maximum transmissivity to a vertically incident ArF excimer laser beam.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー光を用いたリソグラフィーに使用されるペリクルであって、そのペリクル膜厚が垂直入射のＡｒＦレーザー光に対して極大透過率を示す膜厚である場合に、そのペリクル膜の膜厚が４００ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, a mask layer 105 with a predetermined opening pattern formed and consisting of an ArF resist is formed on the antireflective coating 104.例文帳に追加

また、反射防止膜１０４の上には、所定の開口パターンが形成されＡｒＦレジストからなるマスク層１０５が形成されている。 - 特許庁

To provide a reproducing device and a reproducing method for easily reproducing content information including an ARF (Advanced Resource File) encrypted in a CBC (Cipher Block Chaining) mode.例文帳に追加

ＣＢＣモードで暗号化されたＡＲＦを含むコンテンツ情報を容易に再生する再生装置及び再生方法を提供する。 - 特許庁

ArF excimer laser is cast on a reticle 16 to transfer a pattern on the reticle 16 onto a wafer 25 through the projection optical system 23.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザをレチクル１６に照射して、レチクル１６上のパターンを投影光学系２３を介してウェハ２５上に転写する。 - 特許庁

To provide new fluorine-resistant glass which can contribute to the utilization of an excimer lamp using excitation gas such as ArF^*, KrF^* and XeF^*.例文帳に追加

ＡｒＦ^*、ＫｒＦ^*、ＸｅＦ^*などの励起ガスを用いたエキシマランプの実用化に寄与し得る、新規な耐フッ素性ガラスを提供する。 - 特許庁

A light source 1 emits laser light having a wavelength of 200 nm or shorter such as ArF excimer laser (193 nm) and F_2 laser (157 nm).例文帳に追加

光源１は、例えばＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ_2レーザ（１５７ｎｍ）等の２００ｎｍ以下の波長のレーザ光を射出する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition used in ArF excimer laser lithography, etc., and suitable for thermal flow and a resist pattern forming method.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等に使用され、サーマルフロー用として好適なポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To obtain both a new polymer useful for preparing a resist suitable for fine processing by using various kinds of radiations, for example, KrF excimer laser or ArF excimer laser, X-rays such as synchrotron radiation, and a charged particle beam such as e-beam, and a resist composition containing the polymer.例文帳に追加

KrFエキシマーレーザーまたはArFエキシマーレーザー、シンクロトロン放射線などのX-線及び電子線(e-beam)などの荷電粒子線のような各種放射線を用いて微細加工に有用なレジストを調剤するに使用することができる新規重合体及びこれを含有するレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern thickening material, which can utilize ArF laser light, which can thicken a resist pattern regardless of the size by only applying the material on the ArF resist pattern or the like, which is excellent in etching durability and capable of easily and inexpensively forming a fine resist space pattern or the like exceeding an exposure limit.例文帳に追加

ＡｒＦレーザー光を利用でき、ＡｒＦレジストパターン等上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、エッチング耐性に優れ、露光限界を超えて微細なレジスト抜きパターン等を低コストで簡便に形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which can be suitably used, when ArF excimer laser light is used as an exposure light source, which is superior in resist profile, sensitivity, resolution and line edge roughness, and which is free from pattern collapse and of the problems of development defects, and to provide a pattern forming method that uses the composition.例文帳に追加

ArFエキシマレーザー光を露光光源とする場合に好適に使用することができ、レジスト形状、感度、解像力、ラインエッジラフネスが優れるとともに、パターン倒れのなく、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adamantane-based polymer having a high dry etching resistance and an excellent penetrating property to a lower wave length light, and especially suitable for a film-forming composition of a photoresist-forming component used for an ArF excimer laser light or a F2 excimer laser light, and a photoresist composition by using the same.例文帳に追加

高いドライエッチング耐性能と短波長の光に対して優れた透過性を有し、特にArFエキシマレーザー光やF_２エキシマレーザー光用などのフォトレジスト組成物の被膜形成成分として好適なアダマンタン系重合体、及びそれを用いたフォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified resist composition sensitive to far UV, having good transparency particularly to ArF excimer laser beam, excellent also in resolution and sensitivity characteristics and remarkably excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance, developability, etc.例文帳に追加

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストであって、特にArFエキシマーレーザー光に対する透明度が良好で解像度及び感度特性も優秀で、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが顕著に優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography, giving particularly excellent line edge roughness, and capable of giving finer patterns.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、ラインエッジラフネスが良好で、パターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an article for an aligner which can form a high-contrast image even when ArF laser light is used as light for image recording.例文帳に追加

画像記録用光としてＡｒＦレーザー光を使用した場合にも高コントラストな画像を形成可能な露光装置用物品を提供する。 - 特許庁

An organic reflection preventing film 4 is coated on a conductor film 3 as a film to be processed, then a resist 5 against the i line, KrF or ArF is formed.例文帳に追加

被加工膜である導体膜３上に有機反射防止膜４を塗布した後、ｉ線、ＫｒＦまたはＡｒＦ等のレジスト５を形成する。 - 特許庁

An ArF excimer laser system is configured as a MOPA, and is particularly designed to be used as a light source of an integrated circuit lithography.例文帳に追加

ＡｒＦレーザエキシマレーザシステムの好適な実施形態は、ＭＯＰＡとして構成され、特に集積回路リソグラフィの光源として使用されるように設計される。 - 特許庁

To provide a high-quality silica glass member which is suitable for the present exposure apparatus for ArF lithography, and is suppressive in the occurrence of thermal aberration caused by laser beam induction.例文帳に追加

現状のＡｒＦリソグラフィー用露光装置に好適なレーザー光誘起による熱収差発生を抑えた高品質のシリカガラス部材を提供する。 - 特許庁

A coating type carbon film 2 is spin-coated and baked on a semiconductor substrate 1 and a positive ArF resist film 4 is spin-coated and prebaked on the carbon film 2.例文帳に追加

半導体基板１上に塗布型カーボン膜２を回転塗布してベークした後、カーボン膜２上にポジ型ＡｒＦレジスト膜４を回転塗布してプリベークする。 - 特許庁

A first insulating film 2 on a substrate 1 is etched using a multilayer resist including a resist 3 for i-beam, an SOG film 4 and a resist 5 for KrF/ArF.例文帳に追加

基板１上の第１の絶縁膜２を、ｉ線用レジスト３、ＳＯＧ膜４、ＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５を含む多層レジストを用いてエッチングする。 - 特許庁

This system is equipped with an ArF excimer laser chamber 1 that emits light of wavelength 193 nm or so and is surrounded by various optical and electronic parts.例文帳に追加

本発明のシステムは、およそ１９３ｎｍで発光するＡｒＦエキシマレーザ・チェンバ１は種々の光学的部品と電子的部品によって取り囲まれている。 - 特許庁

To provide a stable optical material which has high transmittance to an ArF excimer laser beam of 193 nm in wavelength and is free from a fluctuation in the transmittance.例文帳に追加

波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光に対して透過率が高く、かつ、透過率の変動の無い安定した光学材料を提供する。 - 特許庁

To provide a projection optical system which has a sufficiently large numerical aperture and whose chromatic aberration and monochromatic aberration are satisfactorily corrected with respect to ArF excimer laser beams or the like.例文帳に追加

十分に大きな開口数を有し、たとえばＡｒＦエキシマレーザー光に対して色収差および単色収差が良好に補正された投影光学系。 - 特許庁

To provide an appropriate manufacturing method of an acrylic polymer compound used for a photoresist related to an ArF excimer laser.例文帳に追加

本発明の目的は、ＡｒＦエキシマ・レーザーに関与したフォトレジストに用いられるアクリル系高分子化合物の適正な製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition excellent in sensitivity and resolving power in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、感度、解像力の優れたポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an ArF excimer laser, which prevents efficiently impure gas from being mixed in the interiors of band narrowing boxes and a monitor box, and a band narrowing module of the excimer laser.例文帳に追加

清浄な不活性ガスを効率良くパージして光学素子の劣化を防ぐことの可能なＡｒＦエキシマレーザ装置及びその狭帯域化ボックス。 - 特許庁

To provide a thickening material of a resist pattern, the material allowing ArF laser light to be used, capable of thickening a resist pattern without depending on the size only by applying the material on a resist pattern such as lines of an ArF resist or the like, and capable of efficiently and easily forming a fine space pattern beyond the exposure limit at a low cost.例文帳に追加

ＡｒＦレーザー光を利用でき、ＡｒＦレジスト等のライン系等のレジストパターン上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターン等を低コストで簡便に効率良く形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁

In this induction type thin film magnetic head, film thickness of 3.0 μm or more of an upper part magnetic core can be formed and width of 0.5 μm or less of a lower part of the upper part magnetic core immediately after plating can be formed by forming the upper part magnetic core by a frame plating method using a frame formed by KrF or ArF excimer laser stepper.例文帳に追加

本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドでは、上部磁気コアを、KrFもしくはArFエキシマ・レーザー・ステッパーにより形成したフレームを用いたフレームめっき法により形成することにより、上部磁気コアの膜厚が3.0μm以上でかつ、めっき直後の上部磁気コア下部の幅を0.5μm以下で形成できる。 - 特許庁

To provide a resist pattern thickening material featuring that ArF laser light can be used, a resist pattern can be thickened without depending on its size by only applying the material on the resist pattern such as a line of an ArF resist or the like, and a fine resist cut-out pattern or the like exceeding the exposure limit can be easily and efficiently formed at a low cost.例文帳に追加

ＡｒＦレーザー光を利用でき、ＡｒＦレジスト等のライン系等のレジストパターン上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターン等を低コストで簡便に効率良く形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁

To provide a chemically amplified resist composition useful in microfabrication using far UV such as KrF or ArF excimer laser or vacuum UV such as F_2 excimer laser.例文帳に追加

ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ_２エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる、微細加工に有用な化学増幅型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition having good resolving power to far UV having ≤250 nm wavelength, particularly ArF excimer laser light and also having superior dry etching resistance.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下の波長の遠紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対する解像力がよく、さらに、優れたドライエッチング耐性を有するレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Then, by the interaction of oxygen gas and the ArF laser beam, an organic compound is decomposed, so that it is exhausted out of the optical apparatus where the reflector 1 is used.例文帳に追加

すると、酸素とArＦレーザ光との相互作用により有機化合物は分解され、反射鏡１が用いられている光学装置の排気装置により装置外に排気される。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography, especially having good line edge roughness and giving a finer pattern in a reflow process.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適し、特に、ラインエッジラフネスが良好であり、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁