「ARF」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an effective manufacturing method of a highly efficient semiconductor device which can use even ArF (argon fluoride) excimer laser light as exposure light in patterning, can control the thickening amount of a resist pattern to be fixed even if conditions such as temperature and atmosphere change, and has a fine wiring pattern or the like beyond exposure limit in a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件が変化しても一定にコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界を超えて微細な配線パターン等を有する高性能な半導体装置の効率的な製法方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition, in which the problems of the performance improvement technique of a microphoto application of its own using far ultraviolet ray, particularly ArF excimer laser beam are solved and concretely, the improvement of sensitivity and resolution and a problem of generation of development defect at the time of developing are resolved and which is small in roughness and fineness dependency and capable of obtaining an excellent resist pattern.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、感度及び解像力に優れ、現像の際の現像欠陥発生の問題が解消され、疎密依存性が少なく優れたレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To determine the material constitution and the content ratio of the constituent elements of a halftone phase shift mask and a halftone phase shift mask blank adapted to ArF or F2 excimer laser exposure in consideration of film properties such as optical properties and resistance, to provide a halftone phase shift mask and a halftone phase shift mask blank and to provide a method for producing those.例文帳に追加

ＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーデー露光に対応したハーフトーン型位相シフトマスクおよびハーフトーン型位相シフトマスクブランクの材料構成および構成元素の含有比率を、光学特性や耐性等の膜特性等から鑑みて定め、ハーフトーン型位相シフトマスクおよびハーフトーン型位相シフトマスクブランク並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photoresist composition is effectively used for lithography using a light source of a far- ultraviolet range especially an ArF (193 nm) or VUV (157 nm) light source, because of being not only excellent in etching-resistance, thermostability and an adhesive property and capable of development with tetramethyl ammonium hydroxide(TMAH) in aqueous solution but also low in absorbance at 193 nm and 157 nm.例文帳に追加

該フォトレジスト組成物はエッチング耐性、耐熱性、及び接着性が優れ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に現像可能であるだけでなく193nm、及び157nm波長での光吸収度が低いので遠紫外線領域、特にＡｒＦ（193nm）及びＶＵＶ（157nm）光源を利用したリソグラフィー工程に非常に有効に用いることができる。 - 特許庁

Lenses 12, 13, 14 and 22 for forming the stepper 1 are formed from a synthetic quartz glass member having a characteristic which is a dissipation factor of ≤0.0050 cm-1 at 193.4 nm, measured after irradiated with 1×104 pulses ArF excimer laser at an energy density of 0.1 μJ/cm2.p to 200 mJ/cm2.p.例文帳に追加

そして、ステッパー１を構成するレンズ類１２，１３，１４，２２を、ＡｒＦエキシマレーザを０．１μＪ／ｃｍ^2・ｐ以上２００ｍＪ／ｃｍ^2・ｐ以下のエネルギー密度で１×１０^4パルス照射したとき、照射後に測定される１９３．４ｎｍにおける損失係数が０．００５０ｃｍ^-1以下となる特性を有する合成石英ガラス部材により構成する。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

To provide a producing method of a fluorite single crystal material used for producing optical members which can be used for the optical system of a photolithographic device using vacuum UV rays (such as KrF or ArF excimer laser, F2 laser, solid laser, Xe2 lamp and Kr2 lamp), to provide the heat treatment for the producing method, and to provide a fluorite single crystal which can be used as an optical member.例文帳に追加

真空紫外光（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_2レーザー、固体レーザー、Ｘｅ_2ランプ光、Ｋｒ_2ランプ光）を光源とした光リソグラフィー装置の光学系に使用できる光学部材を作製するための蛍石単結晶素材を製造する方法、その製造方法にかかる熱処理方法、及び前記光学部材として使用できる蛍石単結晶を提供すること。 - 特許庁

To provide a new nitrogen-containing organic compound suitably used for a chemically-amplified resist material applicable to immersion exposure that gives a high-resolution image and reduces dependence on mask coverage in photolithography for microfabrication, especially in lithography using as a light source a KrF laser, an ArF laser, an F2 laser, extremely-short ultraviolet rays, an electron beam, X-rays and the like.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ2レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性を達成すると共に、マスク被覆率依存性を低減し、更には液浸露光にも適用可能な化学増幅型レジスト材料に好適に用いられる新規な含窒素有機化合物の提供。 - 特許庁

The method of manufacturing the synthetic quartz glass member for ArF excimer laser lithography is carried out by forming high purity synthetic quartz glass into a synthetic quartz glass member through a homogenizing step, a molding step and a distortion-removing step and irradiating with continuous ultraviolet ray having ≤260 nm wavelength for ≥50 hr to make the internal transmittance to the 193.4 nm wavelength ≥99.8%.例文帳に追加

高純度の合成石英ガラスを均質化処理工程、成型工程及び除歪処理工程を経て合成石英ガラス部材に形成した後、波長２６０ｎｍ以下の連続紫外線を５０時間以上照射し波長１９３．４ｎｍに対する内部透過率を９９.８％以上とすることを特徴とするＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材の製造方法。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition which is suitable for excimer laser lithography with KrF, ArF, etc. is good in various resist performances such as sensitivity and resolution, and suppresses lowering of the smoothness of a pattern wall surface by a stationary wave effect caused particularly in application to a highly reflective substrate or by reduction in the thickness of a resist film.例文帳に追加

ＫｒＦやＡｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に高反射基板への適用時に生じる又はレジスト膜厚の薄膜化によって生じる、定在波効果によるパターン壁面の平滑性の低下を改善したポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which solves problems in a technique for improving the original performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, and to specifically provide a positive resist composition excellent in various properties such as PEB temperature dependency and exposure margin without deteriorating sensitivity, pattern profile, etc., and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケーション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物、より具体的には、感度・パターンプロファイル等を劣化させることなく、ＰＥＢ温度依存性・露光マージンなどの諸性能に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an antireflection film which has a high antireflection effect, with which a photoresist pattern having no large footing in the lower part can be formed without causing to intermix with a photoresist, and which can be used for lithographic processes using irradiation light such as an ArF excimer laser and a F2 excimer laser, and to provide a composition for forming the antireflection film.例文帳に追加

反射光防止効果が高く、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、下部に大きなすそ引き形状を有さないフォトレジストパターンを形成することができ、ＡｒＦエキシマレーザー及びＦ２エキシマレーザー等の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜、及び該反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern by which ArF (argon fluoride) excimer laser light can be used as exposure light upon patterning, a resist pattern can be stably made thick to a desired thickness without depending on the size, and a fine resist cut-out pattern can be inexpensively, easily and efficiently formed over the exposure limit (resolution limit) of a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンをそのサイズに依存することなく、所望の厚みに安定的に厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界（解像限界）を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。 - 特許庁

To provide an acrylate or a methacrylate copolymer suitable for use as a resin component of a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, a resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a high affinity to an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂成分として好適に用いうるアクリル酸若しくはメタクリル酸エステル共重合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high resolution resist material containing acid generation agent of polymer type which is highly sensitive and high resolution to high energy rays particularly to ArF excimer laser, F_2 excimer laser, EUV, X-rays and EB etc., small in line edge roughness and not water soluble, and stable to heat and preservation; and to provide a pattern formation method using the resist material.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線、特にはＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_2エキシマレーザー、ＥＵＶ、Ｘ線、ＥＢ等に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく水への溶解がなく、十分な熱安定性、保存安定性を有するポリマー型の酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a standing wave caused by the variation of ArF light and the thickness of photoresist by preventing the reflection from a lower film layer in the process for forming an ultrafine pattern using a lithographic photoresist in the production process of a semiconductor element, an antireflection composition containing the organic antireflection polymer, an antireflection film produced by using the composition and a method for forming the antireflection film.例文帳に追加

半導体素子の製造工程中におけるリソグラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程において、下部膜層の反射を防止してＡｒＦ光およびフォトレジスト自体の厚さの変化によって生じる定在波の除去法および、このような有機反射防止重合体を含む反射防止用の組成物、これを利用した反射防止膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: disconnection or increase and unevenness in wiring resistance due to resist residue remaining in distribution holes, or impossibility of formation of a fine circuit pattern due to swelling by development, in forming a copper wiring circuit by a dual damascene method in which distribution holes are formed prior to formation of distribution grooves using ArF lithography capable of forming a fine pattern.例文帳に追加

微細パターン形成が可能なＡｒＦリソグラフィを用い、配線孔を配線溝に先だって形成するデュアルダマシン法で銅配線回路を作る場合、配線孔内に残るレジスト残渣の影響で断線や配線抵抗の増大およびバラツキが生じるという問題、あるいは現像膨潤によって微細回路パターン形成ができないという問題を解決することが本発明が解決する課題である。 - 特許庁

To provide a new method for efficiently producing monomer useful for introducing a construction unit having a specific butyrolactone ring into an acrylic resin so as to obtain a chemical amplification type photoresist composition having good transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern forms, dry etching resistance and adhesiveness and having high affinity to alkalis.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な透明性を有し、優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示し、アルカリに対し高い親和性を有する化学増幅型ホトレジスト組成物を得るため、アクリル系樹脂に、特定のブチロラクトン環をもつ構成単位を導入するが、その導入のために有用な単量体を効率よく製造するための新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a synthesized quartz glass of high purity with a VAD method having a resistance to a high power ArF excimer laser resulting from a uniform distribution and a high concentration of OH group and H2 in itself, which originally exist in and are added to the synthesized quartz glass manufactured with a VAD method, focusing on the purity and the uniformity of the OH group and H2 though the concentration is low.例文帳に追加

この発明は、ＶＡＤ法で製造された合成石英ガラスが高純度であることと、ＯＨ基濃度およびＨ_２ 濃度が低いけれども均質であることに着目して、これに別途ＯＨ基およびＨ_２ を添加して高純度でしかもＯＨ基およびＨ_２ 濃度が均一でしかも高い合成石英とし、これによって高出力ＡｒＦエキシマレーザーに耐えるＶＡＤ法による合成石英ガラスを得ようとするものである。 - 特許庁

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁

To solve the problems on a technique for improving the original performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, EUV, electron beam or the like, particularly ArF excimer laser light; to provide an excellent actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which in patterning by liquid immersion exposure as well as by normal exposure, suppresses development defects, can reduce line edge roughness, and ensures a wide exposure latitude; and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

遠紫外光、ＥＵＶ、電子線等、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、通常露光さらには液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、ラインエッジラフネスを抑制でき、さらには露光ラチチュードが広く、優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a polymer useful as a resist material, or the like, especially the polymer as the resist material suitable for a fine processing using an ArF excimer laser or an electron beam, to provide a method for producing the same, to obtain a resist composition by using the same, and to provide a method for forming a pattern.例文帳に追加

レジスト材料等の構成成分樹脂として有用な有機溶剤への溶解性に優れた重合体、このような重合体の製造方法、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィー、中でも波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマレーザー光、および電子線リソグラフィー等に対して高感度でドライエッチング耐性に優れる好適なレジスト組成物、ならびに、このレジスト組成物を用いた高精度で微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which solves problems in a technique for improving performance proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, to specifically provide a positive resist composition having small mask coverage dependence, high post-coating delay stability (PCD) and high post-exposure delay stability (PED), and to further provide a positive resist composition excellent also in process margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、マスク被覆率依存性が小さく、塗布後の経時安定性（ＰＣＤ）、露光後の経時安定性（ＰＥＤ）が大きいポジ型レジスト組成物、更に加えてプロセスマージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁