「Active Channel」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

There is provided a chip including an active semiconductor region and a field effect transistor (FET) having a channel region, a source region, and a drain region, all of which are arranged in the active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域と、全てが該活性半導体領域内に配置されたチャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）とを含むチップが提供される。 - 特許庁

The controller minimizes the channelization code per scheduling active set cell to be monitored by the user equipment based on the channelization code in response to handoff and/or transferring to an active channel state.例文帳に追加

コントローラは、ハンドオフおよび／またはアクティブチャネル状態への移行に応答して、チャネル化コードに基づいて、ユーザ機器によって監視すべきスケジューリングアクティブセットセル当たりのチャネル化コードを最小限に抑える。 - 特許庁

A chip is provided which includes an active semiconductor region and a field effect transistor ("FET") having a channel region, a source region, and a drain region all arranged within the active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域と、いずれもこの活性半導体領域内に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）とを含むチップが提供される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate including an active region and a gate region, and a gate channel formed in a portion of the active region that overlaps the gate region.例文帳に追加

以上のようにして製造された半導体素子は活性領域とゲート領域を含む半導体基板と、ゲート領域と重畳する活性領域の一部に形成されたゲートチャンネルとを含む。 - 特許庁

This semiconductor device includes an element isolation film formed in a predetermined region of a semiconductor substrate to define a cell active region, a resistor active region, and a mask ROM active region and a floating junction region, a resistive junction region, and a channel junction region which are respectively formed in those active regions.例文帳に追加

この半導体装置は半導体基板の所定領域に形成されてセル活性領域、抵抗体活性領域及びマスクＲＯＭ活性領域を限定する素子分離膜及びこれら活性領域に各々形成される浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域を含む。 - 特許庁

In a gate electrode 5 of a pair of transistors consisting of an n-channel-type MISFETQn and a p-channel MISFETQp, gate length in a boundary from an active region B to an element separation region A is relatively increased as compared with that in the active region B.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐからなるペアトランンジスタのゲート電極５において、活性領域Ｂから素子分離領域Ａにかけての境界部分におけるゲート長を、活性領域Ｂにおけるゲート長よりも相対的に長くする。 - 特許庁

Concerning a transmitter 1 provided with two multiplexed units 2 and 3 in the redundant configuration of active and standing systems, when all channels are selected to a side of the active system (a) and one channel (CH1) is broken down (b), the fault channel is switched to the side of the standing system (c).例文帳に追加

運用系および予備系で冗長構成をとる二つの多重化ユニット２，３を備えた伝送装置１において、全チャネルが運用系の側に選択されていて（ａ）、一つのチャネル（ＣＨ１）が故障した場合（ｂ）、故障チャネルは予備系の側に切替えられる（ｃ）。 - 特許庁

To provide a method for suppressing abdominal pain by regulating a T-type calcium channel, an abdominal pain inhibitor containing a T-type calcium channel inhibitor as an active ingredient, and a method for screening an abdominal pain inhibitor by investigating a T-type calcium channel inhibitor activity.例文帳に追加

本発明はＴ-タイプカルシウムチャンネルを調節して腹痛を抑制する方法、Ｔ-タイプカルシウムチャンネル抑制剤を有効成分に含む腹痛抑制剤及びＴ-タイプカルシウムチャンネル抑制活性を調査して腹痛抑制剤をスクリーニングする方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a medicinal composition containing a new spiroisoquinoline derivative having excellent SK channel-inhibiting activities and useful as a medicine as an active ingredient.例文帳に追加

優れたＳＫチャネル阻害作用を有し医薬として有用な新規なスピロイソキノリン誘導体を有効成分とする医薬組成物を提供する。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE THIN FILM, METHOD OF PRODUCING SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR FREE OF DIRECTIONAL DEPENDENCE WITH RESPECT TO ACTIVE CHANNEL PRODUCED BY USING SAME例文帳に追加

多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造されたアクティブチャネルに対する方向依存性がない薄膜トランジスタ - 特許庁

Then, the channel formation area 14 of the silicon active layer 3 is made smaller in thickness than the impurity diffused layers 12 and 13.例文帳に追加

その後、シリコン活性層３のチャネル形成領域１４の厚さを、不純物拡散層１２、１３の厚さよりも薄くなるように加工する。 - 特許庁

A three-terminal device includes a first electrode, second electrode, gate electrode and an active channel coupling the first and second electrodes.例文帳に追加

３端子デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、ゲート電極と、第１の電極と第２の電極を結合する能動チャネルを有する。 - 特許庁

As necessary, LDD regions may be formed through an ion implantation using a mask for protection of a gate channel region of an active area.例文帳に追加

必要に応じて、ＬＤＤ領域が、アクティブ領域のゲートチャネル領域の保護のためのマスクを用いてイオン注入によって形成され得る。 - 特許庁

Each gate 1 is formed in the active layer 4, to control the formed state of a channel in the channel forming area, by expanding and contracting to and from a depletion area surrounding the gate 1, upon receiving the control for the voltage impressed upon the gate 1.例文帳に追加

各ゲート１は、電圧印加制御を受けてその周りへの空乏領域の伸縮を行なってチャネル形成領域内でのチャネルの形成状態を制御する様に、活性層４の中に形成される。 - 特許庁

By using a combination of the periodic pilot strength measurement message and an incoming channel signal strength/spectral noise density ratio, it is decided which of the radio base stations is to be used for the active set of the supplemental channel.例文帳に追加

周期的パイロット強度測定メッセージと上り回線信号強度/スペクトラル雑音密度比値の組み合わせを使用して、どの無線基地局を補助チャネルのアクティブセットのために使用するべきかを決定する。 - 特許庁

An amorphous silicon layer is patterned to form a filtering channel 63 for connecting an active layer region containing a crystallization source region 60, a source region 64, a channel region under a gate electrode 65, and a drain region 66.例文帳に追加

アモルファスシリコン層をパターニングし、結晶化ソース領域６０とソース領域６４、ゲート電極６５下部のチヤネル領域、及びドレイン領域６６を含む活性層領域を連結するフィルタリングチャンネル６３を形成する。 - 特許庁

The wireless telecommunication device has a dormant state that the wireless telecommunication device bridges the control channel with a communication server and an active state that the wireless telecommunication device bridges a dedicated communication channel with the communication server.例文帳に追加

また、無線電気通信デバイスは、無線電気通信デバイスが制御チャネルを通信サーバとブリッジする休止状態と、無線電気通信デバイスが専用通信チャネルを通信サーバとブリッジするアクティブ状態とを有する。 - 特許庁

The plural system 1 of this invention is provided with a selector 22 that selects any communication channel from each system 21-i and the selector 22 connects a communication channel from a system 2 of a communication opposite party to an active system at all times.例文帳に追加

各系２１−ｉからの通信回線のうちのいずれかを選択するセレクタ２２を複数系システム１に設け、セレクタ２２により、通信相手のシステム２からの通信回線が常に現用系に接続される。 - 特許庁

In such constitution, an annular channel region is formed on a Si layer 5 in an active region, for example, in a square or rectangular shape, and the channel width of the MOSFET diode is efficiently widened.例文帳に追加

このような構成であれば、例えば正方形或いは長方形のアクティブ領域のＳｉ層５に、環状のチャネル領域を形成することができ、ＭＯＳＦＥＴダイオードのチャネル幅を効率良く広げることができる。 - 特許庁

Therefore, a region of bending deformation of a piezoelectric body 100 becomes a dimension of a common electrode 137 on one face of the active region part 100A, namely, the active region part 100A formed by a channel part 102.例文帳に追加

したがって、圧電体１００が撓み変形する領域は、能動領域部１００Ａの一方の面の共通電極１３７の大きさ、すなわち、溝部１０２によって形成される能動領域部１００Ａとなる。 - 特許庁

The semiconductor element comprises: the recessed channel region formed in a semiconductor substrate while containing the vertical type SOI channel structure which is formed in an active region and the element isolation structure defining the active region and is positioned at the side walls of the element isolation structure on both the sides in the longitudinal direction of the gate region; and a gate structure formed at the upper part of the recessed channel region of the gate region.例文帳に追加

半導体基板内に形成され、活性領域を画成する素子分離構造と活性領域内に形成され、ゲート領域の長手方向で両側の素子分離構造の側壁に位置した垂直型ＳＯＩチャンネル構造を含むリセスチャンネル領域と、ゲート領域のリセスチャンネル領域の上部に形成されるゲート構造物を含む半導体素子及びその製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein degradation of transistor characteristics is prevented by preventing an injected channel stop layer to be formed in an active region.例文帳に追加

チャネルストップ注入層が活性領域に形成されることを防止して、トランジスタ特性の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At first, a model formula of stress is obtained in the longitudinal direction of the channel of an MOS transistor having parameters of the length and width of an active region and in the lateral direction perpendicular thereto.例文帳に追加

まず、活性領域の長さと幅をパラメータとするＭＯＳトランジスタのチャネル長方向およびそれに垂直な横方向の応力のモデル式を得る。 - 特許庁

The gates 1 are distributed in the active layer 4, in such a uniform state and density that almost the entire surrounding area of each gate 1 can contribute to the on/off of the channel.例文帳に追加

各ゲート１のほぼ周り全体がチャネルのオン・オフに寄与できる様な一様さと密度で、複数のゲート１が活性層４の中に分布している。 - 特許庁

This direct conversion digital X-ray detector has an N-channel active matrix TFT array, co-planar photoconductive structure 14 and a high voltage bias electrode 16.例文帳に追加

直接変換ディジタル式Ｘ線検出器は、Ｎチャンネル活性マトリックスＴＦＴアレイと、コプレナ光伝導構造体と、高電圧バイアス電極とを有する。 - 特許庁

The read selection section 122b uses a switching signal 12C to select read of data from the active and standby channel control memories 26a, 26b, to avoid missing/duplication of data.例文帳に追加

読出し選択部122bは切換信号12C により現用と予備用の通話路制御メモリ26a, 26bの読出しを選択してデータの欠落・重複を回避する。 - 特許庁

These oscillations cause relative motion of the liquid contained in a channel 13, with respect to the active surface 15 of the chip-shaped carrier.例文帳に追加

これらの振動によって、チップ形状キャリヤの活性表面１５に関する、チャネル１３中に入っている液体の相対的運動を引き起こされる。 - 特許庁

A protective diffusion region is formed preferably in a non-active cell so as to form a diode to be connected in parallel to a channel region in each MOSFET.例文帳に追加

各ＭＯＳＦＥＴ内のチャネル領域に並列に接続されるダイオードを形成するように、保護拡散部が、好ましくは非アクティブセル内に生成される。 - 特許庁

To provide a display for suppressing variations in the characteristics of a thin-film transistor having a crystalline silicon layer as a channel active layer with a simple configuration.例文帳に追加

簡便な構成で、チャネル活性層として結晶性シリコン層を有する薄膜トランジスタの特性のバラツキを抑制した表示装置を提供する。 - 特許庁

At least either of a first selector 10a and a second selector 10b selects data from an active port and outputs it to a corresponding channel CH1, CH2.例文帳に追加

第１セレクタ１０ａ、第２セレクタ１０ｂの少なくとも一方は、アクティブポートのデータを選択し、対応するチャンネルＣＨ１、ＣＨ２へと出力する。 - 特許庁

Turn-on in sub-channel TFT at the side of the active layer 12 is delayed, and characteristic deterioration of the thin film transistor 6 can be suppressed even if microfabrication is realized.例文帳に追加

活性層12の側部のサブチャネルＴＦＴでのオンを遅くして、微細化を図る場合でも薄膜トランジスタ６の特性劣化を抑制できる。 - 特許庁

To provide a multi-channel acousto-optic modulator containing an integrated structure for providing active compensation for transient thermal effects.例文帳に追加

本発明の多重チャンネルの音響光学変調器は、過渡的な熱効果のための活発な補償を提供するための統合された構造を含む。 - 特許庁

Regions of the gate insulating film 16 that are to be on a channel region 11 and LDD regions 14, 15 of the active layer 5 constitute thick-film sections 17, which are made thicker than the thin-film sections 18.例文帳に追加

活性層５のチャネル領域11および各ＬＤＤ領域14,15となる部分上のゲート絶縁膜16を厚膜部17として薄膜部18より厚くする。 - 特許庁

Contents of paging recorded in the sound storage part are reproduced while the paging storage device channel selecting function of one interphone master machine is made active.例文帳に追加

更に、１つのインターホン親機のページング記憶装置選局機能が能動とされている間において、音声記憶部に録音されたページングの内容が再生される。 - 特許庁

It is newly found that a compound inhibiting cluster formation of an acetylcholine receptor becomes an active ingredient of ion channel inhibitor to complete the invention.例文帳に追加

アセチルコリン受容体のクラスター形成を阻害する化合物がイオンチャンネル阻害剤の有効成分となることを新規に見出し、本発明を完成した。 - 特許庁

To provide a medicinal composition containing a new medicinally useful pyrazolopyrimidine compound having an excellent SK (small conductance Ca^2+-activated K^+) channel-blocking activity, as an active ingredient.例文帳に追加

優れたＳＫチャネル遮断作用を有し、医薬として有用な新規な新規ピラゾロピリミジン化合物を有効成分としてなる医薬組成物を提供する。 - 特許庁

This method can be applied to an interface between an a-Si layer and an active semiconductor layer, and the method can be also applied to a back channel type or an etching stop type TFT.例文帳に追加

この方法はａ−Ｓｉの活性半導体層との界面であれば応用でき、またバックチャンネルエッ型やエッチストップ型ＴＦＴにも応用可能である。 - 特許庁

Thereafter, when a gate oxide film 23 and a gate electrode 23 are formed, the gate electrode 23 is never sneaked to the side of an active region (channel region).例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜２２やゲート電極２３を形成しても、ゲート電極２３が活性領域（チャネル領域）の側方に回り込むことがない。 - 特許庁

A channel ion implantation region is formed by ion-implanting a dopant of a first conductivity type in the active region of the semiconductor substrate using the mask pattern.例文帳に追加

前記マスクパターンを前記半導体基板の活性領域に第１導電型のドープ剤をイオン注入してチャンネルイオン注入領域を形成する。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor film as an active layer is provided with microscopic cavities in a source region and a drain region adjacent to a channel region.例文帳に追加

酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。 - 特許庁

A semiconductor device includes a device isolated structure which is formed on a semiconductor substrate, and defines an active region; a surrounded channel structure which connects a source region and a drain region, and is separated from the semiconductor substrate under the active region by a predetermined distance; and a gate electrode surrounding the surrounded channel structure.例文帳に追加

本発明は半導体素子及びその製造方法に関し、特にゲート電極でサラウンディングチャンネル構造を取り囲むよう素子を設計することにより、電流駆動能力とショートチャンネル效果の改善によってトランジスタの制御能力を向上させ、高速の低電圧半導体素子を形成することができる技術である。 - 特許庁

The RNC 200 transmits to the base station 100 and the mobile terminal 1 a radio channel release request to release a radio channel of an incoming high-speed signal set in cells determined to be eliminated from the active set.例文帳に追加

ＲＮＣ２００は、アクティブセットから削除すると決定したセルに対して設定されている上り高速信号の無線回線を解放するための無線回線解放要求を基地局１００および移動端末１に対して送信する。 - 特許庁

In the thin film transistor substrate, an active layer exposed on a channel region of the thin film transistor is protruded from the channel region to the outside, by a width of preferably 30% or less to the width of a source line.例文帳に追加

本発明の一つの観点による薄膜トランジスタ基板では、薄膜トランジスタのチャンネル領域に露出した活性層がチャンネル領域から外に、ソースラインの幅に対して好ましくは30％以下の幅まで突出している。 - 特許庁

In such constitution, a channel region in a zigzag shape is formed on an Si layer 5 in an active region, for example, in a square or rectangular shape, and the channel width of the MOSFET diode is efficiently widened.例文帳に追加

このような構成であれば、例えば正方形或いは長方形のアクティブ領域のＳi層５に、蛇行形状のチャネル領域を形成することができ、ＭＯＳＦＥＴダイオードのチャネル幅を効率良く広げることができる。 - 特許庁

Such a configuration results in an increased path length for charged particles 670 diffusing from one cell channel to an adjacent cell channel, compared to a configuration where the active dielectric stack and/or the semiconductor layer do not reside below cell channels.例文帳に追加

そのような構成は、活性誘電体スタックおよび／または半導体層がセルチャンネルの下に位置しない構成に比べて、あるセルチャンネルから隣接セルチャンネルに拡散する荷電粒子６７０に対して経路長の増大をもたらす。 - 特許庁