「Active Channel」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of 0 system, 1 system spread processing sections 3a, 3b in duplicate configuration generates a perch channel signal, an active system synthesis spread signal and a standby system synthesis spread signal.例文帳に追加

二重化構成の０系、１系拡散処理部３ａ、３ｂの各々は、止まり木チャネル信号と現用系合成拡散信号と予備系合成拡散信号とを生成する。 - 特許庁

A region (transmission channel) having the same size in an audio signal region 102 of a transmission frame is allocated to each of an active engine C and a standby engine D.例文帳に追加

運用系エンジンＣと待機系エンジンＤのそれぞれに対して伝送フレームの音響信号領域１０２の領域（伝送チャンネル）を同量ずつ割り当てる。 - 特許庁

The first opening bottom part includes a channel part semiconductor layer 17ch constituting an active layer of the thin film transistor, and the semiconductor layer 17 of the second opening bottom part is removed.例文帳に追加

第１開口底部には薄膜トランジスタの活性層を構成するチャネル部半導体層１７ｃｈを設け、第２開口底部の半導体層１７は除去する。 - 特許庁

Floating gate electrodes (each composed of polysilicon films 4 and 5) are formed on channel regions in active regions through gate insulating layers 3 and also in the recessed sections 14 of the insulating layers 2.例文帳に追加

フローティングゲート電極（ポリシリコン膜４，５）は、活性領域のチャネル領域上にゲート絶縁膜３を介して形成され、かつ、絶縁層２の凹部１４内にも形成される。 - 特許庁

Thus, when two pass transistors are formed on one active region, the sizes of the pass transistor parts 123_L, 123_R in a channel direction can be reduced.例文帳に追加

これにより、１つの活性領域の上に２つのパストランジスタを形成する場合、パストランジスタ部１２３＿Ｌ、１２３＿Ｒのチャンネル方向の大きさを減らすことができる。 - 特許庁

In a substrate for active elements, on the upper side of a channel layer 12 and a contact layer 14, a low reflective layer 2a is formed, on which an uppermost layer of source wiring 6b is provided.例文帳に追加

アクティブ素子基板において、チャネル層１２及びコンタクト層１４の上部に低反射層２ａを形成し、その上に最上層ソース配線６ｂを設ける。 - 特許庁

The channel is maintained in an active state to receive a signal during an idle and a non-idle period, or only the idle period in one embodiment.例文帳に追加

このチャネル自身が、アイドルおよび非アイドル期間中に、あるいは一実施形態ではアイドル期間中にのみ、信号を受信するためにアクティブ状態に維持される。 - 特許庁

Defects such as the connection of the source and drain electrodes of the formed thin film transistor and the disconnection of the active layer of the channel region are effectively prevented.例文帳に追加

本発明によって、形成された薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極の連結及びチャンネル領域の活性層の切断などの不良を効果的に防止した。 - 特許庁

A semiconductor substrate is injected with ions of well impurity ions and channel impurity ions in active region and then heated rapidly.例文帳に追加

この方法は、半導体基板の活性領域にウェル不純物イオンとチャンネル不純物イオンとを注入した後に、急速熱処理工程を適用することを特徴とする。 - 特許庁

The threshold voltage of each transistor is adjusted by reducing the thickness of a portion constituting a channel region by etching the silicon active layer 103 in the gate grooves 130 and 132.例文帳に追加

これら、ゲート溝１３０、１３２内において、シリコン活性層１０３をエッチングし、チャネル領域を構成する部分の厚さを薄くして、各トランジスタの閾値電圧を調整する。 - 特許庁

Then, the active (channel) region of the semiconductor device is formed by the use of the silicon film in a region other than the region where the element selected from the 5 B group is introduced.例文帳に追加

そして、その５族Ｂから選ばれた元素が導入された領域以外の領域のケイ素膜を用いて、半導体装置の能動(チャネル)領域を形成する。 - 特許庁

The field-effect transistor (FET) comprises a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a gate dielectric, and a semiconductor layer which functions as an active channel of a transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート誘電体と、トランジスタの能動チャネルとして機能する半導体層と、を含んでいる。 - 特許庁

The active channel is constituted so that electric current is conducted between the source electrode and the drain electrode and has conductivity, in response to voltage applied to the gate electrode.例文帳に追加

この能動チャネルは、ソース電極とドレイン電極の間で電流を伝えるように構成されると共に、ゲート電極に印加する電圧に応答して導電率を有する。 - 特許庁

The circulation channel 2 is provided with an electrolyzing tank 3 for electrolyzing seawater and a chlorine removing apparatus 4 for removing active chlorine species formed by the electrolysis of sea water.例文帳に追加

海水を電気分解する電解槽３と、海水の電気分解で生成される活性塩素種を除去する塩素除去装置４を循環経路２に設ける。 - 特許庁

A data transfer control circuit 15 transfers the data of the DMA channel determined to be active by the Ch selection control circuit 11 according to the respective data traffic by DMA channels set by the respective DMA channel data amount set part 12.例文帳に追加

データ転送制御回路１５は、Ｃｈ選択制御回路１１によりアクティブと判断されたＤＭＡチャネルのデータを、各ＤＭＡチャネルデータ量設定部１２により設定された各ＤＭＡチャネル別のデータ転送量に従いデータ転送する。 - 特許庁

In the channel water treatment device, photocatalyst-supporting active carbon is installed in the surface of a rotor so as to be effectively brought into contact with organic matter in waste water and so as to feed the organic matter to the surface of the photocatalyst-supporting active carbon having high activity, thus the organic matter is adsorbed/decomposed.例文帳に追加

光触媒担持活性炭を回転体表面に設置し、排水中の有機物と効果的に接触でき、有機物が高活性な光触媒担持活性炭表面まで送り込まれる事によって吸着・分解させる。 - 特許庁

The arrangement concentration of dummy active regions 11 in a p-type well 3 is relatively low, making a stress to be applied on a p-type active region 5 relatively small and hence preventing a decline in driving current of the n-channel type MOS transistor.例文帳に追加

Ｐウエル３側におけるダミー活性領域１１の配置密度は比較的低くなっており、Ｐ型の活性領域５に及ぶ応力は比較的小さく、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの駆動電流の減少を低減させることができる。 - 特許庁

To provide a transistor of semiconductor device in which a channel region is formed on a sidewall of an active region that protrudes above a device isolation film, and a contact to a landing plug is extended to the sidewall in the direction of the major axis of the protruding active region to improve short channel effect as well as to reduce contact resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャンネル領域を素子分離膜の上部に突出された活性領域の側壁に形成し、ランディングプラグとのコンタクトを突出した活性領域の長軸方向の側壁まで拡張してショートチャンネル効果を改善し、コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子のトランジスタおよびその形成方法を提供する。 - 特許庁

A compressive stress is applied to a channel region of a PFET by a structure including an independent stress-producing dielectric element that entirely underlies the bottom surface of an active semiconductor region in which a source, a drain and a channel region of the PFET are disposed.例文帳に追加

ＰＦＥＴのソース、ドレイン、及びチャネル領域が配置される活性半導体領域の底面の下全面に存在する独立した応力を発生する誘電体エレメントを含む構造体によって、圧縮応力がＰＦＥＴのチャネル領域に加えられる。 - 特許庁

To enable a semiconductor device and its manufacturing method to realize an ultra high-speed semiconductor device, wherein using Si/SiC Hetero junction in an active region, a suitable strain for n-channel transistor and p-channel transistor respectively is made to be applicable by SiC.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、動作領域にＳｉ／ＳｉＣのヘテロ接合を用い、ＳｉＣに依ってｎチャネル・トランジスタ及びｐチャネル・トランジスタそれぞれに好適な歪みを印加できるようにして超高速の半導体装置を実現しようとする。 - 特許庁

As the high driving force gate 10ph or 20ph is disposed in the discontinuous active region R10p or the two-input active region R20p, a high driving p-channel-type MISFET can be attained by utilizing a right hole caused by a lattice distortion.例文帳に追加

不連続活性領域Ｒ１０ｐ 又は２入力型活性領域Ｒ２０ｐ に、高駆動力型ゲート１０ｐｈ又は２０ｐｈが配置されているので、格子歪みによって生じたライトホールを利用して高駆動型Ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴが得られる。 - 特許庁

In normal operation, a radio transmission processing circuit 4 synthesizes the perch channel signal and the active system synthesis spread signal from the 0 system spread processing section 3a and the active system synthesis spread signal from the 1 system spread processing section 3b and an antenna 5 emits the synthesized signal.例文帳に追加

正常動作時には、０系拡散処理部３ａからの止まり木チャネル信号と現用系合成拡散信号と、１系拡散処理部３ｂからの現用系合成拡散信号とが、無線送信処理回路４で合成され、アンテナ５から放射される。 - 特許庁

The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。 - 特許庁

In the active matrix device involving pixel regions and drive circuits on the same substrate, all thin film transistors are of a p-channel type and the drive circuits comprise those thin film transistors 223 containing boron in channel forming regions, and the pixel regions are composed of those thin film transistors 225 not containing boron in the channel forming regions.例文帳に追加

同一基板上に画素領域および駆動回路を含むアクティブマトリクス装置において、全ての薄膜トランジスタはＰチャネル型であり、前記駆動回路はチャネル形成領域にホウ素を含む薄膜トランジスタ２２３を含み、前記画素領域はチャネル形成領域にホウ素を含まない薄膜トランジスタ２２５からなることを特徴とする。 - 特許庁

A region consisting of an intrinsic semiconductor which does not include impurities is made to be the active layer (channel region) of the thin film transistor and the region added with impurities is made to be the electrically conductive element of the transistor.例文帳に追加

不純物を含まない真性半導体からなる領域を薄膜トランジスタの活性層（チャネル領域）とし、不純物を添加された領域を導電要素とする。 - 特許庁

To realize further improvement in a method of manufacturing semiconductor device in which drop of transistor characteristic can be prevented by preventing formation of a channel-stop implantation layer within an active region.例文帳に追加

チャネルストップ注入層が活性領域に形成されることを防止して、トランジスタ特性の低下を防止した半導体装置の製造方法において、さらなる改良を施す。 - 特許庁

To provide a technology capable of avoiding the redundant transfer of the same file even if a peer-to-peer communication channel is set between pieces of equipment where push transfer service and sync-transfer service are active.例文帳に追加

プッシュ転送サービスおよびシンク転送サービスが起動中の機器間にピアトゥピア型通信路が設定されても、同一ファイルの重複転送が回避可能な技術を提供する。 - 特許庁

The active matrix substrate or electro-optical device where a dual-gate thin-film transistor is formed has, for example, a region of channel polysilicon and a pixel electrode arranged overlapping each other in a plane.例文帳に追加

デュアルゲートの薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリクス基板又は電気光学装置において、例えば、チャネルポリシリコンの領域と、画素電極とが平面的に重なるように配置する。 - 特許庁

The active layer has at least one channel forming region and three impurity doped regions or over, and each of the connection electrodes is respectively in contact with one different region among the doped regions.例文帳に追加

活性層は、少なくとも１つのチャネル形成領域と、３つ以上の不純物ドープ領域とを有しており、接続電極はそれぞれ異なる不純物領域の１つに接している。 - 特許庁

The sections on both sides of the recessed pat are doped to form a drain and a source, providing the active channel of a MOSFET device located below the base of recessed part as a whole.例文帳に追加

得られた凹部の両側の区域にドープしてドレイン及びソースを形成し、それによって、ＭＯＳＦＥＴデバイスの活性チャンネルを全体的に前記凹部のベースより下に設ける。 - 特許庁

The method further comprises the steps of providing a gate electrode on the region 82, then implanting an impurity for a channel in the active region to diffuse the impurity in a lateral direction, and connecting the gate electrode to the connector.例文帳に追加

さらに、十字状アクティブ領域８２の上にゲート電極を設けたのち、アクティブ領域にチャネル用不純物を注入して横方向に拡散させ、接続部に接続する。 - 特許庁

To provide a monitor system by which a user can confirm a current active system together with indication of an alarm in the case that the an alarm of a transmission channel on a network being an object of management is received.例文帳に追加

管理しているネットワーク上の伝送路でアラームが通知された場合に、アラームの表示とともに、現在の運用系を確認することが可能な監視システムを提供する。 - 特許庁

After a fin is formed as an active region, an aperture is formed to a position corresponding to a channel part of a first gate insulating film 22 and a silicon nitride film 23 covering the fin.例文帳に追加

活性領域であるフィン部を形成した後、フィン部を覆う第１ゲート絶縁膜２２及びシリコン窒化膜２３のチャネル部となる部分に対応する位置に開口を形成する。 - 特許庁

Two gate electrodes of a thin film transistor are formed in planar columns per one display pixel of the active matrix type display device, and two channel areas of the thin film transistor are also formed in planar columns.例文帳に追加

アクティブマトリックス型表示装置の表示１画素につき、薄膜トランジスタのゲート電極が２個平列に形成されており、薄膜トランジスタのチャネル領域も２個平列に形成されている。 - 特許庁

Transmission conflicts between two mobile terminals are avoided by inhibiting transmissions from an active microstation to at least one of co-channel cell mobile terminals when a transmission conflict is detected.例文帳に追加

２つの移動端末間の送信競合はそれが検出されたらアクティブマイクロステーションから同一チャネルセル移動端末の少なくとも１つへの送信を抑制することにより回避される。 - 特許庁

When the total of the calculated occupancy rates exceeds a predetermined threshold value, a control change signal CHS issued from the bus monitor part 8 to a channel control part 15 is made active.例文帳に追加

そして、算出された占有率の合計が予め決められたしきい値を越えると、バスモニタ部８からチャンネル制御部１５へ発せられている制御変更信号ＣＨＳがアクティブとなる。 - 特許庁

A serving base station pools and resolves information from active base stations and sends the resolution of the pooled information over a downlink control channel for evaluation and response by the mobile device.例文帳に追加

サービング基地局は、アクティブ基地局からの情報をプールし解析して、プールした情報の解析をダウンリンク制御チャネルを介して送信し、移動装置が評価し応答する。 - 特許庁

The radio transmission processing circuit 4 allows the antenna 5 to emit the perch channel signal, the active system synthesis spread signal and the standby system synthesis spread signal from the 1 system spread processing section 3b.例文帳に追加

無線送信処理回路４は、１系拡散処理部３ｂからの止まり木チャネル信号と予備系合成拡散信号と現用系合成拡散信号とをアンテナ５から放射する。 - 特許庁

To achieve broader bandwidth by improving a current channel in a semiconductor laser element having a structure in which a diffraction grating is disposed between a semiconductor substrate and an active layer.例文帳に追加

半導体基板と活性層との間に回折格子が配置された構成を備える半導体レーザ素子において、電流の流路を改善することにより広帯域化を可能とする。 - 特許庁

The dedicated message is one of an active set update message, a cell update confirm message, a physical channel reconfiguration message, a radio bearer reconfiguration message, a radio bearer release message, a radio bearer setup message, a transport channel reconfiguration message, a UTRAN mobility information message and a HANDOVER TO UTRAN COMMAND message.例文帳に追加

専用メッセージは、アクティブセット更新メッセージ、セル更新確認メッセージ、物理チャネル再構成メッセージ、無線ベアラ再構成メッセージ、無線ベアラ解放メッセージ、無線ベアラセットアップメッセージ、輸送チャネル再構成メッセージ、ＵＴＲＡＮ移動度情報メッセージ、及びHANDOVER TO UTRAN COMMANDメッセージ、のいずれかである。 - 特許庁

To provide a processor replacing system capable of replacing a processor while continuing a service with an active channel, confirming a normal system operation with the processor of a backup channel, then continuing the service with the new processor.例文帳に追加

本発明はプロセッサのリプレースシステムに関し、現用系ではサービスを継続しながらプロセッサをリプレースし、予備系のプロセッサでシステムが正常動作することを確認した後に新しいプロセッサでサービスを継続することができるプロセッサのリプレースシステムを提供することを目的としている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, an element active region, where an insulated gate field effect transistor is formed, is enclosed with a channel element isolation region, with the gate electrode pattern being thicker in the region striding the channel element separation region of the gate electrode of the insulating gate field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板上であって絶縁ゲート電界効果トランジスタの形成される素子活性領域が溝素子分離領域で囲繞され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の溝素子分離領域を跨る領域で上記ゲート電極パターンの寸法が太くなっている。 - 特許庁

The noise control device controls noise in the exhaust channel 15 by an active noise control system 17, and is provided with detection-position changing means 32, 33 which change a noise position sensed by a control microphone 18 arranged in the exhaust channel.例文帳に追加

排気経路１５の騒音をアクティブノイズコントロールシステム１７で抑制する騒音抑制装置であって、前記排気経路に配置したコントロールマイク１８の騒音検知位置を変更する検知位置変更手段３２、３３…を備えた騒音抑制装置により前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a fuel cell and a separator for the fuel cell advantageous to contribution to improvement of dispersal diffusibility that an active material in an active material-containing fluid disperses and diffuses into an electrode in the downstream side of a fluid channel, i.e., in the side near a fluid outlet.例文帳に追加

流体通路の下流側つまり流体出口に近い側において、活物質含有流体の活物質が電極の内部に分散して拡散する分散拡散性の向上に貢献するのに有利な燃料電池及び燃料電池用セパレータを提供する。 - 特許庁

There are provided a CIS element in which an active pixel sensor comprises a non-flat surface transistor having a perpendicular gate electrode and a channel and effects of post-image and a dark current are minimized, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

アクティブピクセルセンサが垂直ゲート電極及びチャンネルを有する非平面トランジスタで構成され、残像及び暗電流の効果が最小化されたＣＩＳ素子及びその製造方法である。 - 特許庁