「Al D」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A T and D execution result monitor 2C checks the execution result in a T and D execution result file 24 and outputs an error to an FC-AL fault information file 22 in a pair with the log information if the error is found.例文帳に追加

T&D実行結果監視モニター2CはT&D実行結果ファイル24内の実行結果をチェックし、エラーがあればログ情報と対にしてFC-AL障害情報ファイル22へ出力する。 - 特許庁

D is selected from the group comprising rare earth elements, Al, and Cr.例文帳に追加

Ｄは、希土類、Ａｌ及びＣｒからなる群から選択される。 - 特許庁

Here, a-d satisfy 0<a<0.4, 0.2<b<0.5, 0.3<c<1, b+c≤1, 1.8<d<2.5, and M is at least one kind among Ti, Mg, and Al.例文帳に追加

ａ〜ｄは０＜ａ＜０．４，０．２＜ｂ＜０．５，０．３＜ｃ＜１，ｂ＋ｃ≦１，１．８＜ｄ＜２．５、ＭはＴｉ，ＭｇおよびＡｌのうちの少なくとも１種である。 - 特許庁

The Al layer 17 is made to react on the Ti oxide 16 through vacuum annealing to form an Al oxide layer 18 at an interface between the Al layer 17 and the Ti oxide 16 (d).例文帳に追加

真空アニールを行ってＡｌ層１７とＴｉ酸化物１６とを反応させて、Ａｌ層１７とＴｉ酸化物１６との界面にＡｌ酸化物層１８を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Finally, an Al_2O_3 film 141 is formed in a gate part, and an Al gate electrode 142 is vapor-deposited on the Al_2O_3 film 141 (Fig. 1(d)).例文帳に追加

最後に、ゲート部にＡｌ_2Ｏ_3膜１４１を形成し、その上にＡｌゲート電極４２を蒸着する（図１（ｄ））。 - 特許庁

In addition, a relationship of a≥50, a+b≥80, a+b+c=100 and d≥90 is satisfied, where atomic ratios of Al, Cr, M and N are a, b, c and d, respectively.例文帳に追加

また、Ａｌ、Ｃｒ、ＭおよびＮの原子比をそれぞれａ、ｂ、ｃおよびｄと表した時に、ａ≧５０、ａ＋ｂ≧８０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、およびｄ≧９０の関係を満たす。 - 特許庁

To actualize a method which bypasses a device connected to a hub through association of various monitors, port by port, executes T and D to gather fault information, and manages it in a pair with log information if a fault occurs to a FC-AL(fiber channel arbitrated loop) system.例文帳に追加

FC-AL接続されているシステムで障害が発生した場合、各種モニターの連携によりハブに接続されている装置をポート単位に自動バイパスさせ、T&Dを実行させて障害情報を収集し、ログ情報とペアーにして管理する方法を提供する。 - 特許庁

The Al-containing nitride D caused to deposit on the surface 2A of the susceptor 2 on which a substrate S is set so as to form the III nitride film on the substrate S is removed by dissolving the nitride D in a prescribed alkaline solution, by dipping the nitride D in the solution for a prescribed period of time together with the susceptor 2 containing the nitride D.例文帳に追加

III族窒化物膜を形成すべき基板Ｓが設置されたサセプタ２の表面２Ａ上に堆積されたＡｌ含有窒化物Ｄを、このＡｌ含有窒化物を含むサセプタ２ごと所定のアルカリ溶液に所定時間浸漬させることによって、溶解除去する。 - 特許庁

A resist film 44 is formed on an Al film 42h (c), exposed to light with a reticule 45a as a mask (d), and a pattern of the reticule 45a is transferred to the resist film 44 and is put into a pattern to form a resist pattern 44a.例文帳に追加

Ａｌ膜４２ｈ上にレジスト膜４４を形成し(c)、レチクル４５ａをマスクとして露光し(d)、レチクル４５ａのパターンがレジスト膜４４に転写されてパターン化され、レジストパターン４４ａを形成する。 - 特許庁

The base material of the cutting tool is made of cemented carbide, cermet, or high speed tool steel and is coated with at least one or more layers of hard coating films.例文帳に追加

超硬合金、サーメットまたは高速度工具鋼を基材とする切削工具の基材上に、(Al _a ,Cr _b ,M_c )(C _1-d N _d ) からなる硬質皮膜であって、M は1 種または2 種以上の金属および半金属元素であり、Al、Cr、M それぞれの原子比a 、b 、c が、0.７5 ≦a ≦0 . - 特許庁

A groove 2 having a depth D not less than 10μm deep, for example, is formed on the silicon substrate 1, and the level difference 15 of an Al film 14 formed while coping with the groove 2 is utilized as the registration mark upon forming the Al wiring layer 14'.例文帳に追加

例えば、深さＤが１０μｍ程度以上の溝２をシリコン基板１に形成し、この溝２に対応して形成されたＡｌ膜１４の段差１５を、Ａｌ配線層１４′の形成時の位置合わせマークとして利用する。 - 特許庁

The hydrophilic member is characterized in that a substrate is coated with a hydrophilic film comprising (a) a hydrophilic polymer, (b) a metal alkoxide compound of a metal selected from Si, Ti, Zr and Al, (c) a metal complex catalyst and (d) a thickener.例文帳に追加

基板上に、a)親水性ポリマー、b) Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される金属アルコキシド化合物、c)金属錯体触媒、d)増粘剤を含有する親水性被膜を塗設したことを特徴とする親水性部材。 - 特許庁

The damping alloy material is an Fe-Al-Ni alloy material comprising each of Al and Ni at concentrations in the range surrounded by points A, B, C, D and E in Fig.1 and excluding the line segments of AB, BC, CD, DE and EA, and the balance Fe.例文帳に追加

ＡｌおよびＮｉのそれぞれを、図１の点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅで囲まれ、線分ＡＢ、ＢＣ、ＣＤ、ＤＥ、ＥＡを除外した範囲の濃度で含有し、残部がＦｅよりなるＦｅ−Ａｌ−Ｎｉ合金材料である制振合金材料。 - 特許庁

After a calculation means 17 calculates stresses of a plurality of joints Y in an analysis object data D, a designated area AL designated by a user is arbitrarily set to the entire area of the analysis target data D, via input means 3, 4.例文帳に追加

算出手段１７により解析対象データＤの複数の節点Ｙの応力を算出した後、解析対象データＤの全領域に対してユーザが指定する指定領域ＡＬを、入力手段３，４を介して任意に設定する。 - 特許庁

The image signal wiring d has a two-layer structure comprising a lower layer electrode dB formed by coating with Ag paste and an upper layer electrode dA made of an alloy AL-Nd comprising aluminum and neodymium Nd.例文帳に追加

そして、画像信号配線ｄはＡｇペーストの塗布で形成した下層電極dＢとアルミニウムとネオジムＮｄの合金ＡＬ—Ｎｄからなる上層電極dＡの二層構造である。 - 特許庁

This heat transfer tube provided with fins on the tube inner face composed of a JISA3000 system (Al-Mn system) aluminum alloy, has a ratio [D/t] of an outer diameter D and a bottom thickness t of the heat transfer tube of 10.0 or larger and 17.5 or smaller, and a bottom width W of the fin is 0.1 mm or larger.例文帳に追加

ＪＩＳＡ３０００系（Ａｌ−Ｍｎ系）アルミニウム合金からなる管内面にフィンが形成された伝熱管であって、前記伝熱管の外径（Ｄ）と底肉厚（ｔ）の比［Ｄ／ｔ］が１０．０以上、１７．５以下であり、かつ前記フィン底幅Ｗが０．１ｍｍ以上の伝熱管。 - 特許庁

Since a part specified in each of applications Al to An is regarded as an XML document D preparation process and the XML signatures giving/verifying function is shared, the convenience of a signature can be improved.例文帳に追加

これにより、アプリケーションＡ１〜Ａｎ毎に特化した部分をＸＭＬ文書Ｄ作成のプロセスのみとし、ＸＭＬ署名Ｓの付与・検証機能を共通化させ、利便性を向上させる。 - 特許庁

The composition containing the fluorescent substance is characterized by containing (A) silica fine particles, (B) a metal oxide containing at least one selected from the group consisting of Al, Zr and Ti, (C) the fluorescent substance and (D) a liquid medium.例文帳に追加

（Ａ）シリカ微粒子、（Ｂ） Ａｌ、ＺｒおよびＴｉから選ばれる１以上を含有する金属酸化物、（Ｃ）蛍光体、および（Ｄ）液状媒体を含有することを特徴とする蛍光体含有組成物。 - 特許庁

The oxide ion conductor is represented by the formula (1): La_10±_d(Si_6-xM_x)O_27 (wherein Ms are each identical to or different from each other and each represents Mg, Al, Sc, Ga, Y or In; d is 0.5; and 0<x≤0.9).例文帳に追加

下記一般式（１）；Ｌａ_10±_d（Ｓｉ_6-xＭ_x）Ｏ_27（１）（式中、Ｍは、同一若しくは異なって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ又はＩｎを表す。ｄは、０．５である。）で表され、０＜ｘ≦０．９の関係を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

Class D amplifiers 121L, 121R of a headphone drive circuit 12 amplify a left channel signal L+ and a right channel signal R+ of a stereo signal into signals AL+ and AR+ with a bias voltage VDD/2 as an amplitude center.例文帳に追加

ヘッドホン駆動回路１２のＤ級アンプ１２１Ｌと１２１Ｒとは、ステレオ信号の左チャネル信号Ｌ＋と右チャネル信号Ｒ＋を、バイアス電圧ＶＤＤ／２を振幅の中心とする信号ＡＬ＋とＡＲ＋とに増幅する。 - 特許庁

(d) Having an appropriate contract attorney at law et al. handle the affairs necessary to prepare the documents provided by (c) above for persons who have agreed to pay the JLSC an amount equivalent to the remuneration and other actual costs provided by (c) above instead of the lending of money provided by (c) above. 例文帳に追加

ニ　ハに規定する立替えに代え、ハに規定する報酬及び実費に相当する額を支援センターに支払うことを約した者のため、適当な契約弁護士等にハに規定する書類を作成する事務を取り扱わせること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(d) Having a court-appointed contract attorney at law et al. appointed as a court-appointed defense counsel based on the notice under (a) above or a court-appointed contract attorney at law for victims appointed based on the notice under (c) above handle the affairs 例文帳に追加

ニ　イの通知に基づき国選弁護人等に選任された国選弁護人等契約弁護士及びハの通知に基づき国選被害者参加弁護士に選定された被害者参加弁護士契約弁護士にその事務を取り扱わせること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Thereafter, as shown in step (c), a resist mask 6 having openings only at contact forming portions for connection with Al interconnections is formed, after which P ions of an n-type impurity are implanted in step (d) to form highly doped n-type polycrystalline silicon regions 4a as shown in step (e).例文帳に追加

その後、（ｃ）に示すように、Ａｌ配線とのコンタクトを形成する部分のみ開口したレジストマスク６を形成してから、（ｄ）でｎ型の不純物のＰ（リン）を打ち込み、高濃度のｎ型多結晶シリコン領域４ａを（ｅ）に示すように形成する。 - 特許庁

The Al-Cu film 12 of a lower layer side wiring layer and the TiN film 13 of a barrier metal are formed on a silicon substrate 11 and the d-TEOS film 15 of an interlayer insulating film is formed thereon as an interlayer wiring layer 14 to bury W plugs 16a, 16b and flatten them.例文帳に追加

シリコン基板１１上に下層側配線層のＡｌ−Ｃｕ膜１２、バリアメタルのＴｉＮ膜１３を形成し、この上に層間配線層１４として層間絶縁膜のｄ−ＴＥＯＳ膜１５を形成してＷプラグ１６ａ，１６ｂを埋め込み平坦化する。 - 特許庁

As shown in (d'), when a developer 6 infiltrates through pinholes 7, etc., produced in the Al which is the reflective electrode 4 in a photolithography process, the protective film 9 prevents the passage of the developer 6, and the ITO which is the connecting electrode 3 do not come into contact with the developer 6.例文帳に追加

この保護膜９により、（ｄ´）に示すように、フォトリソ工程で反射電極４であるＡｌに発生したピンホール等７を介して現像液６が浸入しても、現像液６が保護膜９を通過せず、接続電極３であるＩＴＯと接触することがない。 - 特許庁

Preferably, the content of (B) to that of (A) is not more than 95 wt.% but at least 5 wt.%, preferably the composition containing the fluorescent substance contains (E) inorganic fine particles, (C) the fluorescent substance and (D) a liquid medium in which (E) the inorganic fine particles contain at least two selected from Si, Al, Zr and Ti.例文帳に追加

好ましくは、（Ｂ）が（Ａ）に対して５重量％以上９５重量％以下であり、好ましくは、（Ｅ）無機微粒子、（Ｃ）蛍光体、および（Ｄ）液状媒体を含有する蛍光体含有組成物であって、（Ｅ）無機微粒子がＳｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＴｉから選ばれる２以上を含有する。 - 特許庁

The photosensitive paste composition includes at least one kind of metal powder (A) selected from aluminum powder and aluminum alloy powder, an alkali-soluble resin (C), a polyfunctional (meth)acrylate (D), a photopolymerization initiator (E), a solvent (F), and an organometallic compound (G) containing a metal selected from Al, Li and Mg.例文帳に追加

アルミニウム粉末およびアルミニウム合金粉末から選択される少なくとも１種の金属粉末（Ａ）、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）、多官能（メタ）アクリレート（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）、溶剤（Ｆ）、ならびにＡｌ、ＬｉおよびＭｇから選択される金属を含有する有機金属化合物（Ｇ）を含むことを特徴とする感光性ペースト組成物。 - 特許庁

The hydrophilic member has a finish coat layer formed from a hydrophilic composition containing at least one hydrophilic polymer having a specified structure on a substrate and an undercoat layer formed from an undercoat layer composition containing a polyalkylene oxide (C) and the alkoxide compound of an element selected from among Si, Ti, Zr, and Al (D).例文帳に追加

基板上に特定の構造を含む親水性ポリマーの少なくとも一つを含有する親水性組成物から形成される上塗り層と、（Ｃ）ポリアルキレンオキシド及び（Ｄ）Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシド化合物を含有する下塗り層用組成物から形成される下塗り層とを有することを特徴とする親水性部材。 - 特許庁

The composition contains (A) a copolymer resin prepared by adding glycidyl acrylate and/or glycidyl methacrylate to a copolymerized product of methylmethacrylate and methacrylic acid and/or acrylic acid, (B) a photopolymerization initiator, (C) photopolymerizable monomers, (D) at least one kind of conductive metal powder selected from a group comprising Au, Ag, Ni and Al, (E) glass frit and (F) a phosphoric acid compound.例文帳に追加

組成物は、（Ａ）メチルメタクリレートとメタクリル酸及び／又はアクリル酸との共重合物にグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートを付加させた共重合樹脂、（Ｂ）光重合開始剤、（Ｃ）光重合性モノマー、（Ｄ）Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌよりなる群から選ばれた少なくとも１種の導電性金属粉、（Ｅ）ガラスフリット、及び（Ｆ）リン酸化合物を含有する。 - 特許庁