Bad blockの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 38件
If the uppermost block of the corresponding area is not a Bad block, the specific page is provided within the uppermost block; if it is the Bad block, the specific page is provided within the block (normal block other than Bad block) subsequent to the Bad block.例文帳に追加
上記特定ページは、該当するエリアの最上位ブロックがBadブロックでなければ当該最上位ブロックの中に設けられ、一方、BadブロックであればそのBadブロックに続くブロック(Badブロックでない正常なブロック)の中に設けられる。 - 特許庁
FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING BAD BLOCK MANAGEMENT PART例文帳に追加
バッドブロック管理部を含むフラッシュメモリシステム - 特許庁
When NG, the test block adds a control mark as a bad block.例文帳に追加
NG時、その検査ブロックはバッドブロックとして管理マークを付加する。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit device has a memory section including a block replacement information registration area capable of registering the block replacement information containing the address information of defective blocks, a bad block information registration area capable of registering the bad block information containing the bad block address information; a block replacement information register group to set the block replacement information; and a bad block flag register group to set the bad block information.例文帳に追加
ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群とを備える。 - 特許庁
The bad block flag register group makes settings according to both the block replacement information read from the memory and the bad block information (ST. 6 and ST. 8).例文帳に追加
また、バッドブロックフラグレジスタ群は、記憶部から読み出したブロック置換情報、及びバッドブロック情報の双方に従ってセットする(ST.6及びST.8)。 - 特許庁
This management table 35 compares a bad block allowable total number optionally set to a bad block allowable total number value setting register with the total number of the bad blocks of the test which a bad block total number counter counts, and when a counter value reaches the allowable limit, a flag of upper limit of the bad blocks is set and the test failure is determined.例文帳に追加
この管理テーブル35は、バッドブロック総数許容値設定レジスタに任意に設定されたバッドブロック総数の許容値とバッドブロック総数カウンタによりカウントされるテストのバッドブロックの総数とを比較し、カウンタ値が許容値に達した際にバッドブロック数上限フラグを立てテストフェイルとする。 - 特許庁
Then the refresh management table is searched properly, and refresh is executed for the block of the flag "Low" and the bad block processing is performed for the block of the flag "High".例文帳に追加
そして適宜リフレッシュ管理テーブルをサーチし、フラグ“Low”のブロックはリフレッシュし、フラグ“High”のブロックはbadブロック処理を行う。 - 特許庁
This invention includes a flash memory part 100 and a bad block management part 200.例文帳に追加
本発明はフラッシュメモリ部100とバッドブロック管理部200とを含む。 - 特許庁
Then, the bad block management part 200 converts a page address with a defect of the data block 130 into a page address of the spare block 110 by referring to the management block 120.例文帳に追加
そしてバッドブロック管理部200は前記管理ブロック120を参照して前記データブロック130の欠陥があるページアドレスを前記予備ブロック110のページアドレスに変換する。 - 特許庁
The method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory comprises storing block state information on the bad block of the flash memory and on the alternate block for replacing the bad block, and providing the block state information to a user when a specific command is inputted.例文帳に追加
フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法において、前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶し、特定コマンドが入力されたときに前記ブロック状態情報を使用者に提供する。 - 特許庁
In an image processor 1, BAD BLOCK occurs in writing of data to a NAND type flash memory 17 for performing at least writing and reading of data, a CPU 11 acquires at least one of BAD BLOCK occurrence frequencies and BAD BLOCK occurrence intervals which are BAD BLOCK occurrence-related information on the occurrence of the BAD BLOCK for storing in a NVRAM 14.例文帳に追加
画像処理装置1は、少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるNAND型フラッシュメモリ17へのデータの書き込みにおいてBAD BLOCKが発生すると、CPU11が、該BAD BLOCKの発生に関するBAD BLOCK発生関連情報であるBAD BLOCK発生回数とBAD BLOCK発生間隔のうち少なくともいずれかを取得して、NVRAM14に記憶する。 - 特許庁
This device comprises a bad block determining part 15 for determining an unusable block (bad block) of a tested memory 20 on the basis of a result of comparison of contents of an output signal SG6 from the tested memory 20 and an expected value included in an expectation signal SG5, and storing a block address for specifying the block.例文帳に追加
被試験メモリ20からの出力信号SG6の内容と期待信号SG5に含まれる期待値とを比較する比較部13の比較結果に基づいて、被試験メモリ20の使用不可能なブロック(バッドブロック)の判定を行い、そのブロックを特定するブロックアドレスを記憶するバッドブロック判定部15を備える。 - 特許庁
To provide a method for managing a memory that efficiently prevents a read disturb error and performs bad block processing.例文帳に追加
リードディスターブエラーの防止とbadブロック処理を効率よく行うメモリの管理方法の提供。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND SYSTEM INCLUDING RE-MAPPED BAD BLOCK ADDRESS, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加
再マッピングされた不良ブロックアドレスを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法 - 特許庁
An external memory BIST 21, which tests a nonvolatile semiconductor memory which is an external memory, is provided with a bad block address management table having a function which monitors block addresses, stores bad block addresses and perform test control in a test of nonvolatile semiconductor memory 4.例文帳に追加
外部メモリである不揮発性半導体メモリをテストする外部メモリBIST21には、不揮発性半導体メモリ4のテストにおいて、ブロックアドレスの監視、バッドブロックアドレスの格納、ならびにテスト制御などの機能を有するバッドブロックアドレス管理テーブルが設けられている。 - 特許庁
A sequence control part 10 performs the control to stop the test to the block, when the address outputted from a pattern generating part 11 is included in the block specified by the block address stored in the bad block determining part 15.例文帳に追加
シーケンス制御部10は、パターン発生部11から出力されるアドレスがバッドブロック判定部15に記憶されているブロックアドレスで特定されるブロックに含まれる場合には、そのブロックに対する試験を中止する制御を行う。 - 特許庁
Also, a method of scanning the nonvolatile memory device for the bad blocks can be provided by sequentially scanning blocks in the nonvolatile memory device for data indicating that a respective block is a bad block starting at a starting block address that is above a lowermost block address of the nonvolatile memory device.例文帳に追加
また、不良ブロックに対する不揮発性メモリ装置のスキャニング方法は、各ブロックが不揮発性メモリ装置の最も低いブロックアドレス上にある開始ブロックアドレスで始まる不良ブロックであるということを表すデータに対する前記不揮発性メモリ装置のブロックを順次スキャニングすることによって提供することができる。 - 特許庁
Under this constitution, the tint block and the design pattern of the printed part are visually recognized bad are invisible in the copied coupon.例文帳に追加
この構成により、印刷部ではその部分の地紋や模様パターンが視覚認識できるが、複写品では消失する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory device and system including a re-mapped bad block address, and a method of operating the same.例文帳に追加
再マッピングされた不良ブロックアドレスを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法を提供する - 特許庁
To provide a highly reliable aggregate battery exerting no bad influence to other battery block connected in parallel to one battery block, even if an accident such as internal short-circuiting occurs in unit batteries composing the one battery block.例文帳に追加
電池ブロックを構成する素電池に内部短絡等の事故が発生しても、これに並列接続されている他の電池ブロックに悪影響を及ぼすことのない、信頼性の高い集合電池を提供する。 - 特許庁
To eliminate the bad influence of thermal stratification formed by a cavity flow generated inside of a block branch pipe line to the piping.例文帳に追加
閉塞分岐管路内に生じるキャビティフローにより形成される熱成層に基づく配管への悪影響を排除すること。 - 特許庁
Modern IDE drives also have bad block remapping features in the controller, and they ship with this feature turned on. 例文帳に追加
もしカードが十分新しければ、彼らは交換に応じてくれるでしょう。 FreeBSD 2.1 は ファームウェアリビジョン 2.21 以降のものをサポートしています。 - FreeBSD
To provide a test apparatus by which all of the prescribed data patterns can be written efficiently also to a memory having a bad block.例文帳に追加
バッドブロックを有するメモリに対しても、所定のデータパターンの全てを効率よく書き込むことができる試験装置を提供する。 - 特許庁
To provide an electronic device, which allows an application program to efficiently write or read data without regard to a bad block.例文帳に追加
アプリケーションプログラムがバッドブロックを意識せずにデータの書き込みや読み出しを効率的に行うことができる電子機器を提供すること。 - 特許庁
As a block pattern is formed, a basic performance (bad road running, running on ice) as a tire for four-wheel drive can be secured.例文帳に追加
ブロックパターンを形成しているので、四輪駆動用のタイヤとしての基本性能(悪路走行、氷雪上走行等)を確保できる。 - 特許庁
A flash memory device has an error correction circuit and a block management means, and after the remaining count of reserved blocks reaches a threshold set for the block management means, the flash memory device corrects error data having bit errors below a bad block threshold, sends out the error-corrected data to a host, and refreshes a block in which the error has occurred.例文帳に追加
フラッシュメモリデバイスにエラー訂正回路とブロック管理手段とを設け、予備ブロックの残数が前記ブロック管理手段に設定された閾値に至った後は、bitエラーがbadブロック閾値未満であったデータをエラー訂正してホストに送出するとともに、該エラーを生起したブロックをリフレッシュする。 - 特許庁
To provide a storage device that efficiently prevents a read disturb error and performs bad block processing, a system composed of the storage device, and a game machine loading the system.例文帳に追加
リードディスターブエラーの防止とbadブロック処理を効率よく行う記憶装置、該記憶装置で構成されるシステム、該システムを搭載した遊技機の提供。 - 特許庁
When a main block address MRAD held in a main refresh-address counter MRAC coincides with an access block address BAD corresponding to an access request, counter values are transmitted to a sub-refresh address counter SRAC.例文帳に追加
メインリフレッシュアドレスカウンタMRACに保持されているメインブロックアドレスMRADがアクセス要求に対応するアクセスブロックアドレスBADに一致するときに、カウンタ値は、サブリフレッシュアドレスカウンタSRACに転送される。 - 特許庁
When writing of information data is instructed to memories 11-13 of a storage part 1, a writing auxiliary controller 4 discriminates writable blocks in reference to a congenital bad block table 5 and an acquired bad block table 6, and a writing/reading controller 2 writes the information data to each of the determined blocks.例文帳に追加
蓄積部1のメモリ11〜13に対し、情報データの書き込みが指示された場合には、書き込み補助コントローラ4は先天性バッドブロックテーブル5と後天性バッドブロックテーブル6とを参照して書き込み可能なブロックを判別し、書き込み/読み出しコントローラ2はそのブロックそれぞれに情報データを書き込む。 - 特許庁
To provide a method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory to provide state information on an alternate block with which a user can replace a bad block so that the user can execute an operation to maintain the stability of data.例文帳に追加
不良ブロックを代替できる代替ブロックの状態情報を提供することにより、使用者がデータに対する安定性を確保するための行為を行うことができるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。 - 特許庁
To prevent the data block of a storage device from being bad blocked to prevent degradation of the storage capacity of the storage device when the number of generated errors can be corrected.例文帳に追加
発生したエラー数が訂正可能な数の場合に記憶装置のデータブロックがバッドブロック化されることを防止し、記憶装置の記憶容量の低下を防止する。 - 特許庁
At the time of write operation after the late-coming BAD occurs, the seek area and the destination of exchange is optimized and the performance degradation due to the late-coming BAD can be lessened by setting the position of the origin of exchange on the last/head of a track boundary or block.例文帳に追加
後発BADが発生した後のライト動作時、交替元の位置をトラック境界もしくはブロックの最終/先頭に設定することで、当該領域と交替先のシークを最適化し、後発BAD発生による性能低下を小さくすることができる。 - 特許庁
When storing a piece of image data in main memory, in a case where an address on the main memory of the band descriptor BAD allotted to a band area including a first pixel of the block area is the band descriptor associating address, the block descriptor processing section executes processing on each of the plural block descriptors BLD to store the block descriptor BLD including a piece of information of the band descriptor-associated address in the main memory.例文帳に追加
ブロックディスクリプタ処理部はメインメモリに画像データが格納される際に、ブロック領域の先頭の画素を含むバンド領域に割り当てられたバンドディスクリプタBADのメインメモリ上のアドレスをバンドディスクリプタ関係付けアドレスとした場合、バンドディスクリプタ関係付けアドレスの情報を含むブロックディスクリプタBLDをメインメモリに格納する処理を、複数のブロックディスクリプタBLDのそれぞれにおいて実行する。 - 特許庁
To provide a drum index brake device never to give a sense of discomfort to a person in a vehicle by restraining generation of abnormal sound due to collision of a brake shoe and an anchor block when the vehicle travels on a bad road.例文帳に追加
車両が悪路を走行するときに、ブレーキシューとアンカーブロックとの衝突による異音発生を抑制し、車内の人に不快感を与えることがないドラムインディスクブレーキ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a flooring block never having a bad influence on a human body, highly durable, interesting, free from the crack, warp or the like of a surface plate, and conformable to a frequent office layout change.例文帳に追加
人体に悪影響を及ぼさず、耐久性が高く、味わい深く、しかも表面板にひび割れや反り等が発生せず、頻繁なオフィスレイアウトの変更にも対応できるフローリングブロックを提案する。 - 特許庁
On a veranda deck in which a wooden block 1 is fixed by a connection member 2 having a bending force, the connection member is bent even if it causes deformation and shrinkage in a drying process and adheres closely to an installation face to prevent a walker from giving bad walking sense of.例文帳に追加
木製ブロック(1)をたわみ力のある連結材(2)で固定したベランダデッキで乾燥の工程で変形収縮等を起こしても連結材がたわむため設置面に密着し歩行感も悪く感じなかった。 - 特許庁
The user data write control section 6 writes user data stored in a user data storage section 4 conforming to a previously set user type in an address except the bad block of the memory 1 to be tested conforming to a write format stored in a format storage section 8 through the control section 3 successively from the head address.例文帳に追加
ユーザデータ書込制御部6は予め設定されたユーザータイプに従ってユーザデータ記憶部4に記憶したユーザーデータを、フォーマット記憶部8に記憶された書込みフォーマットに従い被検メモリ1のバッドブロック以外のアドレスに先頭アドレスから順次メモリ制御部3を介して書き込む。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array with a plurality of blocks each being the erasing unit; a ready/busy control circuit that outputs a busy signal when an internal operation is being done to the blocks; and a control unit that registers the blocks as defective blocks when the ready/busy control circuit outputs the busy signal in receiving an input of a bad block command.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、消去単位であるブロックを複数有するメモリセルアレイと、ブロックに対する内部動作の実行期間中は、ビジー信号を出力するレディ/ビジー制御回路と、バッドブロックコマンドの入力を受けた時に、レディ/ビジー制御回路がビジー信号を出力している場合は、ブロックを不良ブロックとして登録する制御部と、を具備する。 - 特許庁
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