「C-N」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目)

重量%で、C:0.0020%以下、Si:0.05%以下、Mn:0.05〜0.35%、P:0.025%以下、S:0.01%以下、sol.Al:0.01〜0.06%、N:0.0020%以下、Ti:0.025〜0.045%を含有し、かつ、Ti^*/4C:1.4〜9.2(ただし、Ti^*=Ti-(48/14)N-(48/32)Sであり、Ti^*、Ti、C、N、Sは重量%)であり、さらに、下記(1)式、(2)式を満足することを特徴とする複合成形性に優れた冷延鋼板。 - 特許庁

Firstly, feature extraction is performed on N sheets of images, and based on the result, N sheets of images are divided into C levels of hierarchies to obtain N×C sheets of images (C is a natural number of two or greater).例文帳に追加

まず、Ｎ枚の画像に対して特徴抽出を行い、その結果に基づいてＮ枚の画像をＣ個の階層に分け、Ｎ×Ｃ枚の画像を得る（Ｃは２以上の自然数）。 - 特許庁

Fast Fourier transform (FFT) is applied to signals received by antennas 11_1, 11_2 and thereafter C/N arithmetic sections 17_1, 17_2 calculate the C/N of each symbol, and the calculated C/N ratios are averaged by smoothing processing sections 18_1, 18_2.例文帳に追加

各アンテナ１１_1,１１_2で受信された信号は、ＦＦＴされた後、Ｃ／Ｎ演算部１７_1,１７_2においてシンボルごとのＣ／Ｎ比が算出され、スムージング処理部１８_1,１８_2において平均化される。 - 特許庁

As a result, the range of the external magnetic fields where the regenerative signal of a carrier to noise ratio (C/N) of maximum C/N (db)-1 (dB) can be obtained in the C/N of the regenerative signals with respect to the external magnetic fields can be made to ≥150 (Oe).例文帳に追加

これにより、外部磁界に対する再生信号のＣ／Ｎにおいて最大Ｃ／Ｎ（ｄＢ）−１（ｄＢ）以上のＣ／Ｎの再生信号が得られる外部磁界の範囲を１５０（Ｏｅ）以上にすることができる。 - 特許庁

N-acetylglucosamine acts to inhibit the RNA replication of human hepatitis C virus and accordingly, is useful as a human hepatitis C virus RNA replication inhibitor, a therapeutic agent for human hepatitis C virus infectious disease or the like, and the use of an N-acetylglucosamine derivative using N-acetylglucosamine as a lead compound enables screening of the human hepatitis C virus RNA replication inhibitor and the human hepatitis C virus infectious disease therapeutic agent.例文帳に追加

N-アセチルグルコサミンは、ヒトC型肝炎ウイルスのRNA複製を抑制する作用を有することから、ヒトC型肝炎ウイルスのRNA複製抑制剤、ヒトC型肝炎ウイルス感染症治療剤などとして有用であり、N-アセチルグルコサミンをリード化合物としたN-アセチルグルコサミン誘導体を用いることにより、ヒトC型肝炎ウイルスRNA複製抑制剤やヒトC型肝炎ウイルス感染症治療剤のスクリーニングが可能となる。 - 特許庁

A ratio calculation unit 1555 determines the degree of similarity between C(n+1) and C(n-1) by comparison between an absolute difference value D1 between C(n+1) and C(n-1) and a threshold Th1.例文帳に追加

比率算出部１５５５は、Ｃ（ｎ＋１）及びＣ（ｎ−１）の差分絶対値Ｄ１と閾値Ｔｈ１との比較によって、Ｃ（ｎ＋１）とＣ（ｎ−１）の類似度を判定する。 - 特許庁

For the hydrophobic anion, an anion (e.g., [N(CF_3SO_2)_2]-) which has moderate viscosity and does not have a weak bond such as a C-C bond is used to avoid the release of impurities.例文帳に追加

疎水性のアニオンとしては、適度な粘性を有し、不純物を放出しないためにC-C結合のような弱い結合を持たないアニオン（例えば[N(CF_3SO_2)_2]^-）を用いる。 - 特許庁

In the Ti-added extra low carbon steel sheet, the content of C is 0.001 to 0.025%, the content of N is ≤0.01%, and the content of Ti is controlled to the range of [(48/12×C+48/32×S+48/14N)+0.01] to 0.10%, by mass.例文帳に追加

Ti添加極低炭素鋼板は、Cが0.001~0.025質量％，Nが0.01質量％以下で、Ti含有量が[(48／12×C＋48／32×S＋48／14N)＋0.01]〜0.10質量％の範囲に調整されている。 - 特許庁

A hysteresis characteristic is applied by increasing the number of revolutions N_F when the intake air temperature T_C is a first threshold or higher, and reducing the number of revolutions N_F when the intake air temperature T_C is lower than a second threshold lower than the first threshold.例文帳に追加

吸気温度Ｔ_Cが第一閾値以上であるときに回転数Ｎ_Fを増大させるとともに、吸気温度Ｔ_Cが該第一閾値よりも小さい第二閾値未満であるときに回転数Ｎ_Fを減少させ、ヒステリシス特性を与える。 - 特許庁

In addition, even the change in the number of the printing heads and nozzles can be dealt with by managing the number of the printing heads (C_num) and the number of the nozzles (C_n_num) per printing head.例文帳に追加

また、ヘッドの個数（C_num）およびヘッド毎のノズル個数（C_n_num）を管理することで、ヘッドおよびノズル個数の変更にも対応できるようにする。 - 特許庁

function returns a pointer to the next character in dest after c, or NULL if c was not found in the first n characters of src. 例文帳に追加

は、dest 中に見つかったc の次にあるキャラクター型の変数を指すポインタを返す。見つからなかった場合、NULL を返す。 - JM

The low resistance n-type semiconductor diamond can be obtained by controlling the lithium atomic concentration C_Li and the phosphorous atomic concentration C_P to be C_Li≤C_P when both of the lithium concentration C_Li and the phosphorous concentration C_P are ≥10^17/cm^3.例文帳に追加

リチウム原子濃度Ｃ_Ｌｉとリン原子濃度Ｃ_Ｐとが共に１０^１７ｃｍ^−３以上であり、Ｃ_Ｌｉ≦Ｃ_Ｐとすれば、低抵抗なｎ型半導体ダイヤモンドを得ることができる。 - 特許庁

After linearizing F(C)=0 by using an interval Jacobian matrix J(c^*(k), C^I(k)), a solution N'(c^*(k), C^I(k)) relaxed about a simultaneous interval polynomial F(C)=0 is calculated by using interval Gaussian elimination.例文帳に追加

区間ヤコビ行列Ｊ（ｃ^＊（ｋ），Ｃ^Ｉ（ｋ））を用いてＦ（Ｃ）＝０を線形化した後に、区間ガウスの消去法を用いて連立区間多項式Ｆ（Ｃ）＝０についての緩和した解Ｎ’（ｃ^＊（ｋ），Ｃ^Ｉ（ｋ））を求める。 - 特許庁

The hydraulic fluid composition for a shock absorber contains a lubricating base oil containing a paraffinic mineral oil and/or a naphthenic mineral oil and the lubricating base oil has a %C_N of ≥28 and a %C_P/%C_N ratio of 1.0-2.4.例文帳に追加

本発明の緩衝器用油圧作動油組成物は、パラフィン系鉱油及び／又はナフテン系鉱油を含有する潤滑油基油を含み、該潤滑油基油の％Ｃ_Nが２８以上、％Ｃ_P／％Ｃ_Nが１．０〜２．４であることを特徴とする。 - 特許庁

And the crystal melting temperature n of the crystallized glass frit is 700 to 835°C and the softening point m of the amorphous glass frit is (n-50)-(n+45)°C against the crystal melting temperature n.例文帳に追加

また、結晶化ガラスフリットの結晶溶融温度ｎは７００〜８３５℃であり、非晶質ガラスフリットの軟化点ｍは前記結晶溶融温度ｎに対し、（ｎ−５０）〜（ｎ＋４５）℃である。 - 特許庁

A coefficient completing means 201 provided in an image quality enhancing apparatus 200 applies complementary operation to an orthogonal transformation coefficient c (m, n) using a predetermined function f_m, n to generate a new orthogonal transformation coefficient c'(m, n).例文帳に追加

画質改善装置２００に備えた係数補完手段２０１は、所定の関数ｆ_ｍ，ｎを用いて直交変換係数ｃ（ｍ，ｎ）に対し補完演算を施し、新たな直交変換係数ｃ’（ｍ，ｎ）を生成する。 - 特許庁

The electrolytic solution contains an imide salt expressed by LiN(C_n F_2n+1 SO_2) (C_m F_2m+1SO_2) (n and m are respectively an integer number from 1 to 4, and a different value from each other).例文帳に追加

電解液には、ＬｉＮ（Ｃ_n Ｆ_2n+1ＳＯ_2 ）（Ｃ_m Ｆ_2m+1ＳＯ_2 ）（ｎおよびｍはそれぞれ１から４の整数であり、互いに異なる値である）で表されるイミド塩が含まれている。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

On the first substrate 10, photodiodes PD1-PDN are two-dimensionally arranged and pads PC(1)-PC(N) and PA for bump connections are formed.例文帳に追加

第１の基板１０上には、フォトダイオードＰＤ_1〜ＰＤ_Nが２次元状に配列されて形成されており、また、バンプ接続用のパッドＰ_C(1)〜Ｐ_C(N)およびＰ__Aが形成されている。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

例文

The arithmetic part 104 receives input of a bit string M_i as input to the arithmetic unit C_i (i=1, ..., n), and calculates a hash value of a message M' comprising the bit strings M_1, ..., M_n by use of the arithmetic units C_1, ..., C_n.例文帳に追加

演算部１０４は、演算器Ｃ_ｉ（ｉ＝１，・・・，ｎ）への入力としてビット列Ｍ_ｉの入力を受け付け、ビット列Ｍ_１，・・・，Ｍ_ｎからなるメッセージＭ´のハッシュ値を、演算器Ｃ_１，・・・，Ｃ_ｎを用いて演算する。 - 特許庁

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