「CMP process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a CMP process and products thereof which can reduce dishing by removing metal selectively and relatively slowly.例文帳に追加

金属を選択的且つ比較的ゆっくりと除去して、ディッシングを少なくすることができるＣＭＰプロセス及び生成物を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP process that removes metal selectively and relatively slowly such that dishing can be minimized, and products therefrom.例文帳に追加

金属を選択的且つ比較的ゆっくりと除去して、ディッシングを少なくすることができるＣＭＰプロセス及び生成物を提供する。 - 特許庁

The CMP process is usefully employed to highlight crystal defects on the Ga-side of the Al_xGa_yIn_zN wafer.例文帳に追加

このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 - 特許庁

To improve the time-varying stability of polishing amount distribution in a wafer surface in a CMP process of a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

半導体製造方法のＣＭＰ工程におけるウェハ面内の研磨量分布の経時的安定性を改善することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress or avoid remaining abrasives in dents on the surface, after a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理後に表面の窪み内に研磨材が残留することを抑制又は回避し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide conditioner for CMP (Chemical Mechanical Polishing) pad exerting a stable polishing performance in a Cu wiring process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスのＣｕ配線工程において、安定した研磨性能を発揮するＣＭＰパッド用のコンディショナを提供することである。 - 特許庁

To provide a method of producing an improved cerium oxide abrasive suitable for forming a slurry composition suitable for a CMP (chemical mechanical polishing) process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程に適したスラリー組成物を形成するのに適した向上した酸化セリウム研磨剤を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, after Cu wiring 14 comprised of the Cu films 14b and 14c is planarized by CMP process, the sacrificial conductor film 12 is removed.例文帳に追加

ついで、Ｃｕ膜１４ｂ，１４ｃからなるＣｕ配線１４をＣＭＰ処理して平坦化した後、犠牲導体膜１２を除去する。 - 特許庁

To provide an end point detector of polishing useful for enhancing efficiency and processing capacity of CMP polishing process.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨における研磨工程の能率および処理能力を向上させることのできる研磨終点検出装置を提供する。 - 特許庁

Then the CMP process is performed to chemically and physically polish the metal wiring film 9 and the polishing rate adjustment film 10.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ処理を行って、金属配線膜９および研磨レート調整膜１０を化学的および物理的に研磨していく。 - 特許庁

The method also includes a step of removing unnecessary UBM film 36 and the fold film 37 on the polyimide resin film 34 by polishing of a CMP process.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法による研磨により、ポリイミド樹脂膜３４上の不要なＵＢＭ膜３６および金膜３７を除去する。 - 特許庁

To form a resistance zone of an active region, while excessive polishing of the resistance zone region by the CMP method and the margin deterioration of a working process in a succeeding process are prevented.例文帳に追加

抵抗帯領域のＣＭＰ過研磨および後工程での加工プロセスのマージン劣化を防止しつつ、活性領域による抵抗帯を形成することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a polishing method to provide high flatness by removing a protrusion part by selective polishing in a CMP flattening process for a micro uneven surface in a semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスでの微小な凹凸面に対するＣＭＰ平坦化加工において、凸部の選択的研磨による除去によって、高度な平坦度を得るようにした研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film which has a low specific dielectric constant and mechanical strength enough for a CMP process in a copper wiring process for a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the influence of a scratch generated in a CMP process as compared with a prior art.例文帳に追加

ＣＭＰ工程により生じるスクラッチの影響を従来よりも低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of preventing scratches on the surface of a material to be polished without lowering the throughput in a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程においてスループットを低下させることなく、被研磨材の表面に生ずるスクラッチを防ぐことのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stabilizing a polishing rate in a CMP process, and improving in-face uniformity.例文帳に追加

ＣＭＰ工程における研磨レートを安定化し、面内均一性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing silicon nitride capable of improving a polishing speed by the CMP of a silicon nitride film in a semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスにおいて窒化ケイ素膜のＣＭＰによる研磨速度を向上することができる窒化ケイ素研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

Concurrently with the increased removing speed of the barrier metal layer, dishing of the bulk metal layer is prevented in the trench during the process of the CMP.例文帳に追加

増大された障壁金属層の除去速度と共に、ＣＭＰ工程の間の、バルク金属層の皿状のくぼみは溝の中で防がれる。 - 特許庁

The abrasive composition for the CMP process comprises water, an abrasive, and a compound (A) which exhibits thermal reversibility in an aqueous medium.例文帳に追加

水、研磨材及び水媒体中で熱可逆性を示す化合物（Ａ）からなることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨組成物を用いる。 - 特許庁

Between an analog block 50 and a digital block 51, a dummy diffusion layer 11 is formed as countermeasures against dishing in CMP of STI process.例文帳に追加

アナログブロック５０とデジタルブロック５１との間に、ＳＴＩ工程のＣＭＰにおけるディッシング対策のために、ダミー拡散層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of dressing a polishing pad of a CMP apparatus which reduces the dressing process time and prolongs the life of the pad.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の研磨パッドのドレッシング方法として、ドレッシング処理時間が短く、研磨パッドの寿命を長くできる方法を提供する。 - 特許庁

A CMP post-cleaning device is provided with two or more drying chambers behind a cleaning process chamber, to enable drying processes to be performed in parallel.例文帳に追加

ＣＭＰ後洗浄装置において、洗浄処理室の後段に、２以上の乾燥室を設け、並列的に乾燥処理を行えるようにした。 - 特許庁

Therefore, a simple wiring circuit forming technique of low resistance without the CMP process is required.例文帳に追加

本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、ダマシン法に代わる簡便な低抵抗の配線形成技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

Thereafter, surface roughness is moderated in the tangsten film by CMP, and a bit line pattern 103 is formed of low-resistance tangsten by an etching process.例文帳に追加

この後、ＣＭＰによりタングステン膜の表面粗さを緩和し、エッチングにより低抵抗タングステンからなるビットラインパターン１０３を形成する。 - 特許庁

After executing a heat treatment on the BPSG film to fluidize it, the BPSG film is subjected to a CMP process to flatten the surface of the film.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜に流動化のための熱処理を施した後、ＢＰＳＧ膜にＣＭＰ処理を施してＢＰＳＧ膜の表面を平坦化する。 - 特許庁

The Cu plating is carried out on this groove, and the flattening process (CMP) is carried out to form the upper layer coil 22, then the subject two layers coil is completed.例文帳に追加

この溝にＣｕめっきを行い、平坦化処理（ＣＭＰ）を行いと上層コイル２２が形成でき、本発明の２層コイルができる。 - 特許庁

The CMP process of a tungsten thin film normally utilizes aqueous slurry containing an abrasive, an oxidizing agent, and a solute having polarity lower than that of water.例文帳に追加

タングステン薄膜のＣＭＰプロセスは通常、研磨剤、酸化剤、および極性が水のそれより小さい溶質を含む水系スラリーを利用する。 - 特許庁

To provide a dresser and its quality control method whereby the variation of individuals is reduced and the increase of their life-time is realized with respect to the dressers used in a CMP process, to provide a CMP apparatus having the improved stability and repeatability of its polishing characteristic, and further, to provide a highly accurate and excellent semiconductor device and its manufacturing technique using the CMP apparatus.例文帳に追加

ＣＭＰ工程で使用されるドレッサにおいて、個体ばらつきを低減させ、長寿命化を実現するドレッサとその品質管理方法、また、研磨特性の安定性、再現性を向上させるＣＭＰ装置、さらに、ＣＭＰ装置を用いた高精度、高品位な半導体装置及びその製造技術を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor wafer of an end surface shape which can reduce a stress produced by a collision between an end surface of the semiconductor wafer and a retainer ring in a CMP (chemical mechanical polishing) and can decrease a fraction defective by chipping in the CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程で、半導体ウェハの端面とリテーナリングとの衝突により発生する応力を小さくでき、ＣＭＰ工程におけるチッピングによる不良率を小さくできる端面形状の半導体ウェハを得ることである。 - 特許庁

The liquid which is used in the polishing process using the CMP method or used in processes before and after the process, and which cleans, or rinses after cleaning is constituted by a component obtained by removing an abrasive grain component from polishing slurry used in the polishing process.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いた研磨工程またはその前後の工程において用いられ、洗浄または洗浄後のリンスを行なう液体を、研磨工程で用いる研磨スラリーから砥粒成分を除去した成分のもので構成する。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which reduces variation in polishing speed in a chemical mechanical polishing process (CMP process) for polishing the surface of a film provided on a semiconductor substrate by a polishing pad, and facilitates the process control.例文帳に追加

半導体基板上に設けられた膜の表面を、研磨パッドによって化学機械的に研磨するプロセス（ＣＭＰプロセス）における研磨速度のバラツキを低減し、プロセス制御が容易な半導体基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加

ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にＣｕ配線を形成するＣＭＰ処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To prevent dropping-out of an edge of a main magnetic pole end and reduction of the thickness of a main magnetic pole film due to dishing for a CMP process of flattening alumina on a main magnetic pole in a trailing shield forming process.例文帳に追加

トレーリングシールド形成プロセスにおいて、主磁極上のアルミナを平坦化するＣＭＰ工程の際、ディッシングによる主磁極端部エッジの欠落及び主磁極膜厚の減少を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus and its manufacturing method capable of controlling and reducing the displacement of vias caused by the deformation derived from a mechanical shock or the deformation of a wafer originated from a bonding process, a CMP process, a thermal stress or the like.例文帳に追加

ボンディング工程、ＣＭＰ工程、熱応力等による機械的衝撃やウエハの変形によるビアの変位を小さく制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating thin film being porous silica which has low specific dielectric constant and mechanical strength sufficiently resistant to a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor device.例文帳に追加

多孔性シリカである絶縁性薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する絶縁性薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

The adhesive film 235 improves the adhesiveness of the SiO_x filling material 240, and prevents peeling in a two-step CMP flattening process.例文帳に追加

接着膜２３５は、ＳｉＯ_ｘ充填材料２４０の接着性を向上させ、続く２段階のＣＭＰ平坦化プロセス中の剥離を防止する。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film magnetic head includes a process for forming a 2nd magnetic substance pattern 9 on an upper part of a flat surface formed by CMP processing.例文帳に追加

ＣＭＰ加工によって形成された平坦面の上方に第２の磁性体パターン９を形成する工程を有する薄膜磁気ヘッド製造方法。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加

２次に亘るウェットエッチング工程により、ＣＭＰ工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid with which even a film composed principally of an organic compound which is "softer" than an inorganic film can be selectively polished through a CMP process.例文帳に追加

無機膜と比較して「柔らかい」有機化合物を主成分とする膜であっても、ＣＭＰプロセスにより選択的に研磨可能な研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for effectively removing abrasive particles which remain on a surface after a flattening process by CMP.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化工程後に表面上に残った研磨粒子を効果的に除去する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Wiring material 9a is buried in the contact hole 11 and groove 12, unnecessary wiring material 9a is removed by a CMP(chemical- mechanical polishing) process to obtain a desired wiring 8.例文帳に追加

配線材料９ａをコンタクトホール１１と溝１２に埋め込み、不要な配線材料９ａをＣＭＰにて削り取り、所望の配線９を得る。 - 特許庁

To efficiently eliminate unevenness of an alumina film with as small a polishing quantity as possible while not increasing the number of processes compared with a conventional CMP process.例文帳に追加

従来のＣＭＰ工程と比較して工程数の増加を伴わずに、アルミナ膜の段差を極力少ない研磨量で効率良く解消する。 - 特許庁