「Dislocations」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a high quality semiconductor crystal nearly free from dislocations.例文帳に追加

転位の少ない高品質の半導体結晶を得る。 - 特許庁

METHOD OF DECREASING DISLOCATIONS IN EPITAXIAL FILM OF AlN-BASED GROUP III NITRIDE例文帳に追加

ＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル膜の転位低減方法 - 特許庁

Since the GaN layer 4 hardly takes over dislocations included in the GaN layer 2, dislocations in the GaN layer 4 are reduced.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ層２に含まれる転位がＧａＮ層４に引き継がれにくくなるので、転位の少ないＧａＮ層４を得ることができる。 - 特許庁

Consequently, the transmitting direction of the dislocations 14 is bent from a vertical direction to a lateral direction in a drawing, the loop 26 of the dislocations 14 is formed, and transmission to the dislocations 14 into the gallium nitride semiconductor layer 22 is prevented.例文帳に追加

これにより、転位１４の伝搬方向が図の下から上への方向から図の横方向に曲げられ、転位１４のループ２６が形成され、窒化ガリウム系半導体層２２中への転位１４への伝搬が防止される。 - 特許庁

Therefore, threading dislocations can be eliminated also from a p-type electrode side.例文帳に追加

したがって、ｐ型電極側からも、貫通転位を無くすことができる。 - 特許庁

To provide an embedded semiconductor laser that exhibits reduced dislocations in a contact layer.例文帳に追加

コンタクト層の転位が抑制された埋込型半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

The Burgers vectors of dislocations can be determined by LACBED (large-angle convergent-beam diffraction). 例文帳に追加

転位のバーガーズベクトルは、LACBED(大角度収束電子回折)によって決定できる。 - 科学技術論文動詞集

Since the forms and distributing conditions of the steel components and precipitates are properly set, the propagation of dislocations is easy, and the work cell structure of dislocations is made easy to be formed.例文帳に追加

鋼成分および析出物の形態・分布状態が適正に設定されているので、転位の増殖が容易であり、転位の加工セル組織が形成されやすくなる。 - 特許庁

When the displacements, expressed by a Burgers vector, of the dislocations D1 are preserved and new dislocations produce, the orientations of the displacements are changed by the void portions 13a, 13b.例文帳に追加

空間部１３ａ，１３ｂはまた、バーガース・ベクトルで表される転位Ｄ_1 の変位が保存されて新たに転位が生じる場合に、その変位の向きを変化させる。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based compound semiconductor in which through dislocations are suppressed.例文帳に追加

貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁

The percentage of the dislocation reaching the first principal surface among dislocations leading to the salients is lower than the percentage of the dislocation reaching the first principal surface among the dislocations leading to the recesses.例文帳に追加

凸部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合よりも低い。 - 特許庁

In this chapter, we will confine our considerations to stacking faults and dislocations. 例文帳に追加

この章では、われわれは自分達の考察を積層欠陥と転位に限定しよう。 - 科学技術論文動詞集

More detailed computations and experiments on CBED patterns of dislocations have been undertaken. 例文帳に追加

転位のCBED図形に関するより詳細なコンピュータ計算と実験が着手された。 - 科学技術論文動詞集

Thus the recording device permits variations in recording position dislocations in the main scanning direction to be previously saved, the device can assure of stable images without recording position dislocations for a long time.例文帳に追加

これにより、主走査方向における記録位置ずれの変異を予め保存することが可能となるので、長期間にわたり記録位置ずれのない安定した画像を期待することが出来る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III nitride-based compound semiconductor in which through dislocations are suppressed.例文帳に追加

貫通転位の抑制されたIII族窒化物系化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide prosthesis for knee joints with the property of preventing dislocations, superior to other knee joints of no-hinge type.例文帳に追加

他の非丁番式膝関節に優る脱臼阻止特性を備える補綴膝関節の提供。 - 特許庁

To provide a technology for accurately specifying kinds of dislocations present in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層に存在する転位の種類を正確に特定することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based compound semiconductor having few through dislocations.例文帳に追加

貫通転位の少ない領域を有するIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁

The invention relates to the method for specifying the kinds of the dislocations 6, 8, 10 and 12 present in the semiconductor layer 4.例文帳に追加

半導体層４に存在する転位６，８，１０，１２の種類を特定する方法である。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals.例文帳に追加

マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

In the figure showing perfect and partial dislocations on a (111) fcc plane, the Burgers vector of the perfect dislocation connects an A-site to another A-site, but the Burgers vectors of the partial dislocations connect from A-sites to B-sites. 例文帳に追加

(111) fcc面上の完全及び部分転位を示す図の中で、完全転位のバーガーズベクトルは、1つのAサイトをもう一つのAサイトにつなぐ; しかし、部分的転位のバーガーズベクトルは、AサイトからBサイトにつながる。 - 科学技術論文動詞集

To provide the forming method of a gallium nitride semiconductor layer where the end of dislocations does not occur on a surface.例文帳に追加

表面に転位の終端が生じない窒化ガリウム系半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method for suppressing generation of slip dislocations, in the RTP processing of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハのＲＴＰ処理において、スリップ転位の発生を抑制する熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The dislocations of the workpiece 2a are represented by the angular movement and corner travels of the workpiece 2a.例文帳に追加

ワーク２ａの位置ずれは、ワーク２ａの回転量とワーク２ａの頂点の移動量とで表される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN single crystal substrate in which crystal defects such as dislocations are reduced.例文帳に追加

転位等の結晶欠陥が低減されたＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Dislocations may be lost due to the relaxation of long-range stresses during thinning. 例文帳に追加

転位は、薄膜化の間に長範囲の(におよぶ)歪力の緩和により失われるかもしれない(ことがある)。 - 科学技術論文動詞集

Soon after the first observation of dislocations, several important developments in electron microscopy took place. 例文帳に追加

最初の転位の観察のすぐ後に、電子顕微鏡学におけるいくつかの重要な発展が起こった。 - 科学技術論文動詞集

The interface between the two overlapping crystals may be described in terms of a network that accommodates dislocations. 例文帳に追加

2つの重なった結晶間の界面は、転位を収容する網状組織で説明できるであろう。 - 科学技術論文動詞集

Based on the detection results, a robot controller 9 computes actual dislocations of the workpiece 2a from the standard position to thereby correct the dislocations of the workpiece 2a during carrying by moving the hand H correspondingly.例文帳に追加

この検出結果をもとにロボットコントローラ９は、ワーク２ａの正規の位置と現在のワーク２ａとの位置ずれを演算し、この演算結果をもとにハンドＨを動かしてワーク２ａの位置ずれをワーク搬送中に補正する。 - 特許庁

Since the group III nitride crystal is subjected to a step-flow growth from the portions of the repeated steps, its through-dislocations generated from its upper layer 2 are so bent in response to the step-flow growth of the group III nitride crystal that its penetrative dislocations are eccentrically located as the group III nitride crystal is grown thereafter.例文帳に追加

III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層２からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

To provide a diamond thin film structure having sufficiently low density of lamination defects and threading dislocations, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having a strained Si layer in which the occurrence of penetration dislocations is suppressed to the utmost.例文帳に追加

貫通転位を極力抑制した歪みＳｉ層を有する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

By changing the diffraction condition, the images of the dislocations can shift in position, split in two, or disappear entirely. 例文帳に追加

回折条件を変えることにより、転位の像は位置的に移動するか、2つに分裂するかまたは完全に消滅する。 - 科学技術論文動詞集

To provide a method for producing a nitride semiconductor substrate and the substrate in which dislocations are not released again from the parts where dislocations are accumulated, while parts other than the accumulated dislocation region are of low dislocation density, so that the area of the low dislocation density can be widen.例文帳に追加

転位を集結した部分から転位が再び解き放たれず転位終結部以外の部分が低転位密度であり低転位である部分の面積を広くできるような窒化物半導体基板の製造方法と基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal which has a diameter of 200 mm or more and is free of dislocations.例文帳に追加

２００ｍｍおよびこれより大きい直径を有する転位のない単結晶の製造を可能にする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of easily decreasing dislocations in an AlN-based Group III nitride crystal epitaxially formed on a base material.例文帳に追加

基材上にエピタキシャル形成されたＡｌＮ系III族窒化物結晶の転位の低減を容易に実現する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor substrate adapted for reduced basal plane dislocations in a silicon carbide epitaxial layer.例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル層中の基底面転位を減らすことができる炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffraction conditions for the observation of the dislocations at the interface between a precipitate and the matrix appear to be quite stringent. 例文帳に追加

析出物と母結晶(マトリックス)の間の界面上にある転位観察の回折条件は、かなり厳しいように見える。 - 科学技術論文動詞集

To provide an optical module which is more easily assembled, and moreover, the deterioration of optical coupling efficiency due to the positional dislocations between components is suppressed.例文帳に追加

組み立てがより容易となり、かつ部品間の位置ズレによる光結合効率の低下を抑制できる光モジュールを提供すること。 - 特許庁

Furthermore, the recording device obtains resist adjustment values in response to the positions of the carriage in the main scanning area from the recording position dislocations in the entire main scanning area.例文帳に追加

さらに、これら記録位置ずれ量から主走査領域の全域において、キャリッジの位置に応じたレジスト調整値を求める。 - 特許庁

To form a high resolution patterns without a pattern dislocations, even though the dislocation of a substrate occurs, while continuously carrying the substrate.例文帳に追加

基板を連続的に搬送させている間に基板の位置ずれが生じてもパターンずれを生じず、高解像度のパターンを形成させる。 - 特許庁

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal.例文帳に追加

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal production method by which silicon single crystals having suppressed deformation and dislocations and the successful omission of the tail section are produced.例文帳に追加

変形及び転位が抑制され、且つテール部が省略されたシリコン単結晶を製造し得る、シリコン単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal in which threading dislocations are reduced by a crystal growth method using an alkali metal as a flux.例文帳に追加

アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁