「Dynamic Random Access Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Inside a USB memory 10 to which a power supply unit 11 is connected, for example, are provided with a controller 102, a dynamic random access memory (DRAM) 103 as a storage medium, a timer battery 104, a timer 105, and a remaining time display LED 106.例文帳に追加

例えば、電源装置１１が接続されたＵＳＢメモリ１０の内部に、コントローラ１０２と、記憶媒体としてのダイナミック型ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）１０３と、タイマ用電池１０４と、タイマ１０５と、残時間表示ＬＥＤ１０６などを備える。 - 特許庁

To reduce power request at a data route by using a multiplayer metal layer for reducing a capacity on a data bus in an architecture for an embedded dynamic random access memory(DRAM) of an integrated circuit, having a large aspect ratio.例文帳に追加

アスペクト比が大きい、集積回路の埋込型ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のためのアーキテクチャが、データバス上の容量を減じる多層の金属層を用いることにより、データ経路での電力要求を減じる。 - 特許庁

This refreshing method is for a dynamic random access memory (DRAM) 3 provided in the microcontroller 1, and the DRAM 3 is refreshed during the preset standby time Tw of a microprocessor 2 controlling the microcontroller 1.例文帳に追加

マイクロコントローラ１内に設置されるダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）３のリフレッシュ方法であって，ＤＲＡＭ３は，マイクロコントローラ１を制御するマイクロプロセッサ２の予め設定された待機時間Ｔｗ中にリフレッシュされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit, in which the degree of freedom of the interface of a DRAM(dynamic random access memory) is improved, by optimizing the area and the consumption power of the DRAM to a necessary minimum limit, according to the power source specification of the integrated circuit.例文帳に追加

ＤＲＡＭの面積と消費電力とを本半導体集積回路の電源仕様に応じて必要最小限に最適化しＤＲＡＭのインターフェースの自由度を増大させた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The multi-chip module comprises a first semiconductor chip on which a digital signal processing circuit is mounted; a second semiconductor chip constituting a dynamic random access memory; a third semiconductor chip constituting a nonvolatile memory; and a mounting substrate, all assembled into a stacked structure.例文帳に追加

デジタル信号処理回路が搭載された第１半導体チップと、ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリを構成する第２半導体チップと、不揮発性メモリを構成する第３半導体チップと、搭載基板とを積層構造に組み立ててマルチチップモジュールを構成する。 - 特許庁

The delay amount may be one or more currents or voltages indicating an amount of PVT compensation to be applied to input or output signals of an application circuit, such as a memory-bus driver, a dynamic random access memory, a synchronous DRAM, a processor or other clocked circuit.例文帳に追加

遅延量は、１つ以上の電流または電圧となる場合があり、メモリバスドライバ、動的ランダムアクセスメモリ、同期ＤＲＡＭ、プロセッサ、あるいは他のクロック回路のようなアプリケーション回路の入力信号または出力信号に適用されるＰＶＴ補正量を示す。 - 特許庁

To provide an on-chip test interface being integrated and always enabled which is used for verifying a function of high speed incorporated memory such as a synchronous dynamic random access memory(SDRAM) enabling performing a test with an existing tester having comparatively low operation speed (therefore, low cost), or the like.例文帳に追加

既存の比較的低速度の、（よって低コストの）テスタでテストを行なうことを可能にする、シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ（「ＳＤＲＡＭ」）などの高速組込みメモリの機能を検証するために用いる、統合され常に可能化されたオンチップテストインターフェイスを提供する。 - 特許庁

An FPD correction part 154 generates a correction YUV 203, in which the FPD is corrected, from an FPD YUV 202 (image data converted from FPD RAW 201), in which the FPD is caused, and stores it in a DRAM (Dynamic Random Access Memory) 119.例文帳に追加

ＦＰＤ補正部１５４は、このＦＰＤが生じたＦＰＤ ＹＵＶ２０２（ＦＰＤ ＲＡＷ２０１から変換された画像データ）から、ＦＰＤが補正された補正ＹＵＶ２０３を生成してＤＲＡＭ１１９に記憶する。 - 特許庁

The IC includes a dynamic random access memory (DRAM) for storing at least one of graphic pixel data and video pixel data, and a pixel data unit (PDU) for processing the pixel data, integrated in the same integrated circuit (IC) chip as the DRAM.例文帳に追加

グラフィック画素データとビデオ画素データの少なくとも１つを記憶するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）と、画素データを処理するための画素データユニット（ＰＤＵ）とから構成され、ＤＲＡＭと同じ集積回路（ＩＣ）チップに集積される。 - 特許庁

To especially ensure capacitance of a capacitor and easily form a contact which is formed on a portion except a capacitor forming part, concerning a semiconductor device having the capacitor of concave structure in a DRAM (dynamic random access memory) mixed loading device etc.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部混載デバイスなどにおけるコンケーブ構造のキャパシタを有する半導体装置に関し、特にキャパシタの容量を確保するとともに、キャパシタ形成部以外の箇所に形成されるコンタクト部の形成を容易行うものである。 - 特許庁

The single chip display processor is constituted of a dynamic random access memory (DRAM) storing at least one of graphic pixel data and video pixel data and a pixel data unit (PDU) for processing the pixel data and is integrated on the same integrated circuit (IC) as the DRAM.例文帳に追加

グラフィック画素データとビデオ画素データの少なくとも１つを記憶するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）と、画素データを処理するための画素データユニット（ＰＤＵ）とから構成され、ＤＲＡＭと同じ集積回路（ＩＣ）チップに集積される。 - 特許庁

In a step S1, FAT blocks corresponding to a size to the capacity of a synchronous dynamic random access memory (SDRAM) for the FAT blocks are copied in the SDRAM for the FAT blocks in order from the head side out of the FATs recorded in the information recording medium.例文帳に追加

ステップＳ１で、情報記録媒体に記録されているＦＡＴのうち、先頭側から順に、ＦＡＴブロック用ＳＤＲＡＭの容量に対するサイズに対応するＦＡＴブロックを、ＦＡＴブロック用ＳＤＲＡＭにコピーさせる。 - 特許庁

On this DRAM (dynamic random access memory) chip, a polysilicon wiring layer (p-Si) is used to form a line 3 of an external ground voltage ext.VSS, and first and second aluminum wiring layers (Al1, Al2) are used to form lines 4 and 5 of an external power voltage ext.VCC.例文帳に追加

このＤＲＡＭチップでは、ポリシリコン配線層（ｐ−Ｓｉ）で外部接地電位ｅｘｔ．ＶＳＳのライン３を形成し、第１および第２のアルミ配線層（Ａｌ１，Ａｌ２）で外部電源電位ｅｘｔ．ＶＣＣのライン４，５を形成する。 - 特許庁

The memory controller 110 comprises a counter 120 counting the prescribed period after detection of an idle state, and self-refresh shift instructing circuits 130, 140 preforming processing required for instructing shifting to a self-refresh state for the dynamic random access memory after the counter 120 counts the period.例文帳に追加

前記メモリコントローラ１１０は、アイドル状態を検出したあと、所定期間をカウントするカウンタ１２０と、前記カウンタ１２０が前記期間をカウント後に、ダイナミックランダムアクセスメモリに対しセルフリフレッシュ状態への移行を指示するために必要な処理を行うセルフリフレッシュ移行指示回路１３０，１４０と含む。 - 特許庁

When one macro block consists of 16×16 pixels (bytes) and macro blocks are stored in a frame memory consisting of a DRAM(dynamic random access memory) or the like, addresses are successively assigned in the ascending order, for example, addresses 0000 to 0255 are assigned to a first macro block and addresses 0256 to 0512 are assigned to a second macro block.例文帳に追加

１マクロブロックが１６×１６ピクセル（byte）で構成され、そのマクロブロックをDRAMなどから構成されるフレームメモリに記憶させる際、第１マクロブロックは、アドレス００００乃至０２５５に、第２マクロブロックは、アドレス０２５６乃至０５１２といったふうに、順次、昇順にアドレスが割り振られ、記憶されていく。 - 特許庁

This method, device and system are disclosed for redistributing memory allocation to insufficiently used portions of a dynamic random access memory (DRAM) device and a dual in-line memory module (DIMM) device in order to balance memory usage more evenly amongst active devices so as to limit the amount of power and the thermal load consumed by an individual memory component.例文帳に追加

個々のメモリ構成要素によって消費される電力および熱負荷の量を制限するためにアクティブ・デバイスの間でより均等にメモリ使用のバランスをとるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）デバイスおよびデュアル・インライン・メモリ・モジュール（ＤＩＭＭ）デバイスのうちで十分に利用されていない部分にメモリ割振りを再配分する方法、装置、およびシステムを開示する。 - 特許庁

A level detector 12 of a DRAM (dynamic random access memory) resets a flip-flop 27, 28, when the external reference voltage VR2 becomes lower than the threshold potential in the voltage test mode, to produce the internal power-supply potential VCCP according to the external reference potential VR2, and releases the voltage test mode.例文帳に追加

ＤＲＡＭのレベル検出器１２は、外部基準電位ＶＲ２に従って内部電源電位ＶＣＣＰを生成するための電圧テストモードにおいて、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下したことに応じてフリップフロップ２７，２８をリセットし、電圧テストモードを解除する。 - 特許庁

The power supply for a dynamic random access memory is equipped with multiple array blocks and multiple pads arranged in the center of the multiple array blocks, arranged near the multiple pads and equipped with multiple voltage source for generating the supply voltage to the multiple array blocks.例文帳に追加

本発明は、複数のアレイブロックと、複数のアレイブロックの中央に配置された複数のパッドとを具えるダイナミックランダムアクセスメモリ用の電源であって、複数のパッドの近傍に配置され、複数のアレイブロックへの供給電圧を生成するための複数の電圧源を具えている。 - 特許庁

This device is a dynamic random access memory cell operated with read lines (r1), word lines (w1), and bit lines (b1), and comprising of a first transistor connected between a bit line and a word line, a second transistor connected between a bit line and a read-line, and a third other transistor connected between two transistors and accumulating electric charges.例文帳に追加

リードライン（ｒｌ）、ワードライン（ｗｌ）、およびビットライン（ｂｌ）で動作し、ビットラインとワードライン間に接続された第一のトランジスタ、ビットラインとリードライン間に接続された第二のトランジスタ、他の二つトランジスタの間に接続されて電荷の蓄積を行う第三のトランジスタからなるダイナミックランダムアクセスメモリセル。 - 特許庁

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

By using a clock signal x4Clk having a frequency higher than that of the operation clock c1Clk of a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR-SDRAM), a strobe signal edge detection part 1303 samples data strobe signals Dqs to detect the switching edge of the data strobe signals Dqs, and output an edge switching detection signal.例文帳に追加

ダブルデータレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ）の動作クロックｘ１Ｃｌｋの周波数より高い周波数をもつクロック信号ｘ４Ｃｌｋを用いて、ストローブ信号エッジ検出部１３０３が、データストローブ信号Ｄｑｓをサンプリングして、データストローブ信号Ｄｑｓの切り替わりエッジを検出し、エッジ切り替わり検出信号を出力する。 - 特許庁

An SDRAM (static and dynamic random access memory) module MMD is constituted of macro selection circuits MSE0 to 3 to select whether or not instructions from the outside is carried out, operation registers provided in the macro selection circuits so that the instructions selected by the macro selection circuits are programmed from the outside and SDRAMs 10 to 13 to be operated by receiving instructions from the macro selection circuits.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭモジュールＭＭＤを、外部からの命令を実行するか否かを選択するマクロ選択回路ＭＳＥ０〜３と、このマクロ選択回路が選択する命令を外部よりプログラムできるようにマクロ選択回路内に設けたオペレーションレジスタと、マクロ選択回路からの指示を受けて動作するＳＤＲＡＭ１０〜１３により構成する。 - 特許庁

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric.例文帳に追加

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a dynamic random access memory, having a memory array region arranged on a semiconductor substrate, a peripheral circuit region, and a silicon nitride film provided in between the memory array and peripheral circuit regions includes at least a process 1 for removing the silicon nitride film provided in the peripheral circuit region and a process 2 for treating a substrate to be treated obtained by the process 1 under a hydrogen gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板に配置されたメモリアレイ領域と、周辺回路領域とを備え、 前記メモリアレイ領域と前記周辺回路領域とに設けられた窒化シリコン膜を有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法であって、（１）前記周辺回路領域に設けられた窒化シリコン膜を除去する工程と、（２）水素ガス雰囲気下に前記工程（１）により得られた被処理基板を処理する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁

The voltage regulator for the dynamic random access memory is further provided with a circuit for generating a reference voltage from a voltage supplied from the outside, an amplifier for amplifying the reference voltage by a gain larger than one unit to generate an internal supply voltage to be used by first and second buses, and a control logic for generating a control signal to control the amplifier.例文帳に追加

また、本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータは、外部から供給された電圧から基準電圧を生成する回路と、第１バス及び第２バスで利用可能な内部供給電圧を生成するために、１単位よりも大きなゲインで基準電圧を増幅するための増幅器と、 増幅器を制御するための制御信号を生成する制御ロジックと、を有している。 - 特許庁

The EU and the United States initiated countervailing duty investigations on July 25, 2002, and November 27, 2002, respectively, against imports of DRAMs (Dynamic Random Access Memory) manufactured by Hynix and Samsung Corporations of Korea. According to the petitions, Korean DRAM producers benefited from corporate bonds issued by the Korean Development Bank and other institutions, as well as from new investment and debt restructuring measures introduced by the Korean Government in 2001 to help rebuild Korea's industry after the Asian financial crisis.例文帳に追加

アジア通貨危機を背景とした、韓国開発銀行等による社債引受、並びに2001年に行われた韓国政府及び関係金融機関による新規融資、債務繰り延べ等の再建支援策から利益を受けた韓国のハイニックス社及びサムソン社製造のDRAM（記憶保持動作を必要とする随時書き込み及び読み出しが可能な半導体記憶素子）輸入により、国内産業への損害が発生したとして、EUは2002年７月25日に、米国は同年11月27日に、それぞれ相殺関税調査を開始した\\ - 経済産業省