| 意味 | 例文 |
Dynamic Random Access Memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 181件
To provide a method for controlling operation of a dynamic random access memory(DRAM) system having a plurality of memory cells constituted of rows and columns.例文帳に追加
ロウおよびカラムに編成された複数のメモリ・セルを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)システムの動作を制御する方法を提供すること。 - 特許庁
METHOD FOR PERFORMING ACCESS OPERATION IN SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING CIRCUIT FOR CONTROLLING COLUMN SELECTING SIGNAL例文帳に追加
同期型ダイナミックランダムアクセスメモリアレイにおいてアクセス動作を実行するための方法およびコラム選択信号を制御するための回路を含む集積回路素子 - 特許庁
This memory control device 37 imposed between a plurality of masters M1-Mn and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) includes a memory sequence control circuit 64, and a latency improvement circuit 67 or the like.例文帳に追加
複数のマスターM1〜MnとDRAMとの間に介在するメモリーコントローラー37は、メモリーシーケンス制御回路64とレイテンシー改善回路67等を備える。 - 特許庁
FORMING METHOD OF TRANSISTOR AND MEMORY CELL WITH CAPACITOR, METHOD OF FORMING STACKED CAPACITOR ON UPPER SURFACE OF SILICON WAFER, AND MEMORY CELL USED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
トランジスタおよびキャパシタを含むメモリセルの形成方法、スタックトキャパシタをシリコンウェハの上表面に形成する方法、およびダイナミックランダムアクセスメモリで使用されるメモリセル - 特許庁
To provide a method for improving write time for a dynamic random access memory(DRAM) having destructive read architecture.例文帳に追加
破壊読取りアーキテクチャを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)のための書込み時間を改善する方法を提供すること。 - 特許庁
To enable a feeder wiring connected to the electrode of a DRAM (dynamic random access memory) data storage capacitor to be improved in connection reliability.例文帳に追加
DRAMの情報蓄積用容量素子の電極に接続される給電用配線の接続信頼性を向上させる。 - 特許庁
This method is a method for prepairing dynamic random access memory(DRAM) cells for write operation having a condition previously set.例文帳に追加
事前設定された状態を有する書込み動作のためにダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)セルを準備する方法が開示される。 - 特許庁
EARLY WRITE WITH DATA MASKING TECHNIQUE FOR INTEGRATED CIRCUIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) DEVICES AND THOSE INCORPORATING EMBEDDED DRAM例文帳に追加
集積回路ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスおよび混載DRAMを組み込むデバイス用のデータマスキング技術を使用する早期書込み - 特許庁
To provide an output driver circuit which offers control and logic level adjustment for high speed data communications in a synchronous memory such as a synchronous dynamic random access memory (SDRAM).例文帳に追加
同期ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)などの同期メモリにおける高速データ通信のための制御および論理レベル調整を提供する出力ドライバ回路。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dynamic random access memory capable of restraining a fail occurrence rate, even if the degree of integration is increased.例文帳に追加
集積度が上昇しても不良発生率を低く抑えることのできるダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法を提供すること。 - 特許庁
METHOD OF TRANSFERRING FRAME DATA USING SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, METHOD OF TRANSFERRING FRAME DATA TO SOURCE DRIVER, AND TIMING CONTROL MODULE例文帳に追加
シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリを用いたフレームデータの転送方法及びフレームデータのソースドライバへの転送方法並びにタイミング制御モジュール - 特許庁
The dielectric material is especially useful for usage by a silicon chip integrated circuit device having capacitors of a dynamic random access memory (DRAM) device.例文帳に追加
本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 - 特許庁
To provide a method of forming a dynamic random access memory having a highly stored capacitance using a dielectric layer having a high dielectric constant.例文帳に追加
高誘電率を有する誘電体層を使用して、高蓄積キャパシタンスを有するダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法を提供する。 - 特許庁
An extra bus control apparatus 2 comprises a first and a second extra bus controllers 15 and 16 corresponded respectively to a plurality of devices, such as a SRAM (Static Random Access Memory) and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) connected to an extra bus EXBUS, and an extra bus arbiter 17.例文帳に追加
外部バス制御装置2は、外部バスEXBUSに接続された複数の装置(例えば、SRAM、DRAM)に各々対応した第1及び第2バスコントローラ15、16と、外部バスアービタ17とを有している。 - 特許庁
Respective SLDRAM(sink link dynamic random access memory) 5.0 to 5.n execute a test of an internal memory part in accordance with an execution command that is given from a memory controller 3 and give a defective address to the controller 3.例文帳に追加
SLDRAM5.0〜5.nの各々は、メモリコントローラ3からテスト実行コマンドが与えられたことに応じて内蔵メモリ部24のテストを実行し、不良アドレスをメモリコントローラ3に与える。 - 特許庁
A control part 132 of the SSD 130 uses a part of the main memory 120 having a DRAM (Dynamic Random Access Memory) as a buffer area 121 in the data storage into a NAND type flash memory 131.例文帳に追加
そして、SSD130の制御部132が、DRAMを有するメインメモリ120の一部を、NAND型フラッシュメモリ131へのデータ格納におけるバッファ領域121として利用する。 - 特許庁
To make control of a semiconductor memory by a controller easy in an electronic device mounting a semiconductor memory requiring refresh to hold data such as DRAM(dynamic random access memory) and a controller.例文帳に追加
DRAM等のように、データ保持にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置と、コントローラとを搭載する電子装置であって、コントローラによる半導体記憶装置の制御を容易にする。 - 特許庁
The problems of losing the data in the dynamic random access memory due to cut in power supply can be avoided by supplying power for maintaining data stored in the dynamic random access memory using a rechargeable battery module and by charge from a main device power source via the rechargeable battery module.例文帳に追加
充電用電池モジュールを用いてダイナミックランダムアクセスメモリの蓄積データ維持に必要な電力を提供し、充電用電池モジュールを介して、主装置電源からの充電により、ダイナミックランダムアクセスメモリにおける無電力供給による蓄積内容の流失を解決する。 - 特許庁
To provide a method for designating an address with lower power consumption than before in a nonvolatile memory device while conforming to a specification of an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) of JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).例文帳に追加
不揮発性メモリ装置において、JEDECのSDRAMの規格に準拠しつつ、アドレス指定を従来よりも低消費電力で行う方法を提供する。 - 特許庁
Therefore, single chip design characteristic of both of a dynamic random access memory DRAM and an electrically programmable read only memory EPROM can be obtained.例文帳に追加
これにより、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)、及び電気的にプログラマブルな読出し専用メモリ(EPROM)の両方を特徴とする単一チップ設計がもたらされる。 - 特許庁
One implementation form is a method for dynamically regulating a refresh rate of a dynamic random access memory (DRAM) 102 in a computer system 100.例文帳に追加
一実施形態は、コンピュータシステム(100)においてダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(「DRAM」)(102)のリフレッシュレートを動的に調節する方法である。 - 特許庁
The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加
半導体装置は、ビットライン22が容量素子31より下方にあるスタック型の構成を有するDRAMとSRAMとが混載されてなる。 - 特許庁
The integrated circuit also includes a single transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) cell 212 arranged adjacent to and integrated with the bulk IC.例文帳に追加
この集積回路はまた、バルクICに隣接して設けられ且つ一体化された単一トランジスタのダイナミックランダムアクセスメモリ(1T−DRAM)セル212を備えている。 - 特許庁
A partially non-volatile dynamic random access memory PNDRAM uses a DRAM array formed by plural single transistors 1T cells or two transistors 2T cells.例文帳に追加
部分的に不揮発性のダイナミック・アクセス・メモリ(PNDRAM)が、複数の単一トランジスタ(1T)・セルまたは2トランジスタ(2T)・セルにより形成されるDRAMアレイを使用する。 - 特許庁
In an SDRAM(synchronous dynamic random access memory), a columnar decoder is divided into four blocks DB1-DB4, and intrinsic predecode signals Yk are assigned to each block DB.例文帳に追加
SDRAMにおいて、列デコーダ11aを4つのブロックDB1〜DB4に分割し、各ブロックDBに固有のプリデコード信号Ykを割当てる。 - 特許庁
By this setup, the lower electrode 59 of a DRAM (dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 58 and a granular silicon crystal 57.例文帳に追加
これによりDRAMの情報蓄積用容量素子の下部電極59を多結晶シリコン膜58および粒状シリコン結晶57とから構成する。 - 特許庁
To provide a bus system and an image forming device, reducing the occurrence of deadlock due to access to a DRAM (Dynamic Random Access Memory) during refreshing operation while reducing power consumption.例文帳に追加
消費電力を低減しつつリフレッシュ動作中のDRAMへのアクセスによりデッドロックに陥るおそれを低減することができるバスシステム、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.例文帳に追加
スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for performing a command cancel (CC) function on a dynamic random access memory (DRAM) semiconductor device for enhancing reliability and speed of a memory system.例文帳に追加
メモリ・システムの信頼性および速度を向上させるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)半導体デバイス上でコマンド取消し(CC)機能を実行するための方法を提供すること。 - 特許庁
A digital multifunctional machine 1 comprises: a FIFO memory 112 serving as a buffer for temporarily storing data DMA (Direct Memory Access)-transferred from a DDR-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 104; and a FIFO memory 114 serving as a buffer for temporarily storing data to be DMA-transferred to the DDR-SDRAM 104.例文帳に追加
デジタル複合機1は、DDR−SDRAM104からDMA転送されてきたデータを一時的に保持するバッファであるFIFOメモリ112と、DDR−SDRAM104へDMA転送するデータを一時的に保持するバッファであるFIFOメモリ114とを備える。 - 特許庁
In this memory module 100, an address generation circuit 120 generates the highest order bit B2 of the bank address insufficient for the purpose of specification of the memory cell that is the access target by use of the highest order bit of the row address output from the memory controller 12, and outputs it to SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 110.例文帳に追加
メモリモジュール100において、アドレス生成回路120は、メモリコントローラ12から出力されたロウアドレスの最上位ビットを用いて、アクセス対象となるメモリセルを特定するために不足するバンクアドレスの最上位ビットB2を生成し、これをSDRAM110に出力する。 - 特許庁
To provide a DRAM refreshing system with which reduction of opera tion efficiency of a central processing unit can be prevented by preventing access for write-in or read-out during refreshing of a dynamic random access memory(DRAM).例文帳に追加
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)のリフレッシュ中に書き込み又は読み出しのためのアクセスを避け、中央処理ユニットの動作効率の低下を避けることが可能なDRAMリフレッシュ方式を提供する。 - 特許庁
An SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) address control part 25 stores the pixel data of the pixels stored in the storage areas of the number of the pixels in one row of the division number into the same storage area of an SDRAM.例文帳に追加
SDRAMアドレス制御部25は、分割した数の1行の画素数の記憶領域に記憶された画素の画素データをSDRAMの同じ記憶領域に記憶する。 - 特許庁
To improve the capacity of a network processor for moving data to a dynamic random access memory(DRAM) chip to be used for a computer system or moving data from the chip.例文帳に追加
コンピュータ・システムで使用されるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)チップへデータへ移動し、また該チップからデータを移動するためのネットワーク・プロセッサの能力をいくつかの点で高める。 - 特許庁
To solve a problem that the satisfaction of a high dielectric constant, a small leakage current and a temperature depending property for the same is required by a capacitance insulating film employed for the capacitor of a DRAM (dynamic random access memory).例文帳に追加
DRAMのキャパシタに用いられる容量絶縁膜には高い誘電率と共に小さいリーク電流およびその温度依存性を満たすことが要求される。 - 特許庁
Priority order of the request arbitration to the requests RQ0-RQn is order of a page hit, bank open, and LRU, and a bank priority order to SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) is determined.例文帳に追加
そして、リクエストRQ0〜RQnに対するリクエスト調停の優先順位はページヒット、バンクオープン、LRUの順で、SDRAMに対するバンク優先順位が決定する。 - 特許庁
To provide a DRAM(dynamic random-access memory) of a non- independence bank system in which occurrence probability of operation restriction is reduced, high speed operation can be performed, and system performance is improved.例文帳に追加
動作制約の発生確率を低減して、高速動作を可能にすると共に、システムパフォマンス向上を図った非独立バンク方式のDRAMを提供する。 - 特許庁
In a step 1, a CPU controls an information recording medium I/F through a CPU bus to copy a file allocation table (FAT) of the information recording medium in a dynamic random access memory (DRAM) for the FAT.例文帳に追加
ステップS1において、CPUは、CPUバスを介して、情報記録媒体I/Fを制御し、情報記録媒体のFATを、FAT用DRAMにコピーさせる。 - 特許庁
A circuit outside a memory controller in a processing system sets a dynamic random access memory to a self-refresh state by responding to a predetermined condition associated with a power-down or reset event.例文帳に追加
処理システム中のメモリ・コントローラの外部にある回路は、電源遮断またはリセット・イベントに関連付けられた所定の条件に応答して、動的ランダム・アクセス・メモリをセルフリフレッシュ状態にする。 - 特許庁
To provide a dynamic random access memory formed at a semiconductor body comprising individual paired memory cell separated each other by a vertical electric isolation trench and separated from a support circuit.例文帳に追加
垂直方向の電気的アイソレーショントレンチにより互いに分離され、かつサポート回路から分離されている個々のメモリセルペアを有する半導体ボディに形成されたダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
Flip-flops 6 and 7 of the memory controller 1 operate with respective clock signals CLK_-A and CLK_-B different in the change of timing at the same period, and fetch the read data from an SDRAM(synchronous dynamic random access memory) 2 at the same period and at different timings.例文帳に追加
メモリコントローラ1のフリップフロップ6,7は、互いに同一周期で変化のタイミングが異なるクロック信号CLK_AとCLK_Bのそれぞれにより動作してSDRAM2からのリードデータを同一周期で異なるタイミングで取り込む。 - 特許庁
A digital audio signal is supplied to an audio compression encoder/decoder 25, and the compressed signal is saved once in DRAM 27 (Dynamic Random Access Memory) via a memory controller 26 and them supplied to EFM and CIRC encoder/decoder 28.例文帳に追加
デジタルオーディオ信号が音声圧縮エンコーダ/デコーダ25に供給され、圧縮された信号はメモリコントローラ26を介してDRAM27に一度蓄えられてEFM及びCIRCエンコーダ/デコーダ28に供給される。 - 特許庁
A chip 10 is constituted so that a DRAM (dynamic random access memory) controller (memory controller) 14 includes a dither circuit 15 for performing dither processing in order to reduce the data amount of data at the time of performing the storing or reading of data.例文帳に追加
本発明のチップ10は、DRAMコントローラ(メモリコントローラ)14に、データの記憶または読み出し時に、データのデータ量を減縮するために、ディザー処理をおこなうディザー回路15を含むように構成した。 - 特許庁
To shorten a data write-in time at a test time by giving a function writing the data read out from a specified bank in another bank in a synchronous type DRAM(dynamic random access memory) having multi-bank constitution.例文帳に追加
マルチバンク構成を有する同期型DRAMにおいて、特定のバンクから読み出したデータを他のバンクに書き込みを行う機能を持たせ、試験に際してデータ書き込み時間を短縮する。 - 特許庁
A DRAM (Dynamic Random Access Memory) 11 in a transmitter transmits a frame at a communication speed α, and an NIC (Network Interface Controller) 12 in the transmitter transfers the frame at a communication speed β which is slower than the communication speed α.例文帳に追加
送信装置内DRAM11はフレームを通信速度αで送信し、送信装置内NIC12は当該フレームを通信速度αより遅い通信速度βで転送する。 - 特許庁
In view of maintaining a voltage on the bit line higher than the low reference voltage source, a circuit is provided to clamp the voltage appearing on the bit lines 3, 4 of a dynamic random access memory(DRAM) device.例文帳に追加
ビット線上の電圧を低基準電圧源より高く維持するようにダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)装置のビット線上に表われる電圧をクランプする回路を設ける。 - 特許庁
To provide a low power consumption dynamic random access memory which reduces current consumption as a DRAM by an external signal and does not malfunction in the case of small current consumption.例文帳に追加
外部の信号によりDRAMとしての消費電流を小さくして、かつこの低消費電流時に誤動作をしない低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリを提供することにある。 - 特許庁
To provide a silicon-on-insulator (SOI) method with a pattern for manufacturing a composite integrated circuit having both of a logic circuit part and a buried dynamic random access memory (DRAM) array part.例文帳に追加
論理回路部分と埋め込みダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)アレイ部分の両方を有する複合集積回路を製作するパターン付きシリコンオンインシュレータ(SOI)方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data relay control device capable of suitably combining the decrease of operation load and the suppression of circuit scale required for relay processing of data to and from a DRAM (Dynamic Random Access Memory).例文帳に追加
DRAMとの間でのデータの中継処理にかかる演算負荷の低減と回路規模の抑制との好適な両立を図ることのできるデータ中継制御装置を提供する。 - 特許庁
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