「ELECTRON BEAM PROBE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING FOREIGN MATTER BY OBLIQUE EMISSION ELECTRON BEAM PROBE MICRO-X-RAY ANALYSIS例文帳に追加

斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析による異物の分析方法およびその装置 - 特許庁

To provide a scanning probe microscope provided with a mean measuring a dose of particle beam such as electron beam and ion beam.例文帳に追加

電子ビームやイオンビーム等の粒子線の粒子線量を測定する手段を備えた走査形プローブ顕微鏡を提供すること。 - 特許庁

SHARPENED DIAMOND NEEDLE, CANTILEVER USING THE SAME FOR SCANNING-PROBE MICROSCOPE, PHOTOMASK-CORRECTING PROBE, AND ELECTRON BEAM SOURCE例文帳に追加

先鋭化針状ダイヤモンド、およびそれを用いた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源 - 特許庁

Moreover, the apparatus is equipped with functions such as an electron probe controlling function, an electron beam alignment function, the CT function and the element analysis function.例文帳に追加

更に、電子プローブ制御機能、電子線軸合わせ機能、ＣＴ機能、元素分析機能などの機能を搭載する。 - 特許庁

To provide an analyzer using an electron beam capable of combining a scanning electron microscope 1 and a scanning probe microscope and introducing a probe A11 between a sample W and the top end of a body tube while achieving high resolution of the scanning electron microscope 1.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡１及び走査型プローブ顕微鏡を組み合わせることができ、さらに、走査型電子顕微鏡１の高分解能を実現しつつ、プローブＡ１１を試料Ｗ及び鏡筒先端間に導入可能にする。 - 特許庁

OBLIQUE EJECTION ELECTRON BEAM PROBE MICRO X-RAY ANALYSIS METHOD, PROGRAM USED THEREIN, AND OBLIQUE EJECTION ELECTRON BEAM PROBE MICRO X-RAY ANALYZER例文帳に追加

斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法およびそれに用いられるプログラム、並びに、斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析装置 - 特許庁

This surface analyzer is provided with a cantilever having a conductive probe opposed to a sample, an electron beam source for emitting an electron beam to a probe portion of the cantilever, and a spectrometer for collecting a charged particle generated from the sample by the X-ray generated from the probe, and for dispersing it spectrally, and the electron beam is emitted toward a probe opposite face of the cantilever.例文帳に追加

試料に対向する導電性探針を有するカンチレバーと、前記カンチレバーの前記探針部分に電子線を照射する電子線源と、前記探針から発生したＸ線により前記試料から発生した荷電粒子を捕集して分光する分光器を備えた表面分析装置であって、前記電子線が前記カンチレバーの探針反対面に照射する表面分析装置。 - 特許庁

To provide a probe for an electron source capable of emitting an electron beam even if a voltage to be applied is a low voltage, and capable of emitting an electron beam having uniform energy, high directivity, and high focusing ability.例文帳に追加

印加する電圧が低電圧であっても電子ビームを放出することができ、エネルギーが揃った、指向性と集束性の高い電子ビームを放出することが可能な電子源用探針を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic field lens used for an electron gun of an electron beam device, particularly a probe-forming system (spot beam type electron beam aligner, electron microscope, etc.) which is suitable to an ultrahigh vacuum atmosphere, and can perform wabbling operation.例文帳に追加

電子ビーム装置、特に大電流で小直径なビームが必要とされるプローブフォーミングシステム（スポットビーム型電子線露光装置、分析用電子顕微鏡など）の電子銃に使用する磁場レンズに関し、超高真空雰囲気に適合し、かつワブリング動作が可能な磁場レンズを提供する。 - 特許庁

When the tip of the diamond probe 1 for machining is worn away or altering of the probe tip shape is needed, machining of the tip of the diamond probe for machining is performed by selective irradiation of an electron beam 4 to only a region requiring with increase in amount of water vapor and current of the electron beam 4.例文帳に追加

加工用ダイヤモンド探針1の先端が磨耗している場合や探針先端形状の変更が必要な場合は水蒸気量と電子ビーム4の電流量を増やして電子ビーム4を必要な領域のみ選択照射して加工用ダイヤモンド探針先端を加工する。 - 特許庁

To provide a particle analyzing device by means of an electron probe microanalyzer capable of correctly determining the compounds to be analyzed even if particles are small enough to fall under an electron diffusion domain of an electron beam irradiated to a specimen.例文帳に追加

試料照射電子線の電子拡散領域以下の小さい粒子の場合でも、正しく分析目的の化合物を判定することが可能な電子プローブマイクロアナライザによる粒子解析装置を提供する。 - 特許庁

The specimen hybridized on the probe on a chip is traced by an electron beam of a scanning electromicroscope to be detected.例文帳に追加

チップ上のプローブにハイブリダイズした試料を走査型電子顕微鏡の電子線でトレースして検出する。 - 特許庁

To provide an electron beam probe micro X-ray analytical method capable of analyzing a depth-directional element distribution from a surface of an analyzed sample.例文帳に追加

被分析試料の表面から深さ方向の元素分布分析をすることができる電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること - 特許庁

To provide an electron beam device, capable of suppressing contamination of a differential exhaust throttle regardless of the magnitude of probe current.例文帳に追加

プローブ電流の大小に拘わらず、差動排気絞りの汚染を抑止できる電子線装置を提供する。 - 特許庁

The position of the sample surface and the position in the Z-direction of the probe are revealed based on a two-dimensional electronic signal detected by the two-dimensional scanning of the electron beam.例文帳に追加

電子ビームの２次元走査により検出された２次電子信号に基づき試料表面の位置と探針のＺ方向の位置とが判明する。 - 特許庁

To provide an electron beam device capable of suppressing contamination of a differential exhaust throttle regardless of the magnitude of a probe current.例文帳に追加

プローブ電流の大小に拘わらず、差動排気絞りの汚染を抑止できる電子線装置を提供する。 - 特許庁

The method of drawing the interatomic force electron beam line comprises the steps of: impressing a voltage between a cantilever 11 and an exposed substrate 13; focusing by a focusing magnetic field 16 an electron beam line 15 consisting of a tunnel electron emitted from a probe 12 attached to the cantilever 11; and focusing and irradiating the electron beam line 15 on a resist film 14 of the exposed substrate 13.例文帳に追加

原子間力電子線描画法は、カンチレバー１１と被露光基板１３との間に電圧を印加して、該カンチレバー１１に取り付けられたプローブ１２から放出するトンネル電子から成る電子線１５を集束磁界１６で収束して、被露光基板１３のレジスト膜１４上に収束照射させるものである。 - 特許庁

When machined waste is strongly deposited on the diamond probe 1 for machining and its removing is needed, selective irradiation of the electron beam 4 is performed only for the machined waste deposited on the tip of the diamond probe for machining under xenon fluoride atmosphere to remove it.例文帳に追加

加工用ダイヤモンド探針1に加工屑が強く付着していて除去が必要な場合はフッ化キセノン雰囲気下で電子ビーム4を加工用ダイヤモンド探針先端についた加工屑のみに選択照射して除去する。 - 特許庁

The OH radical is irradiated with a probe laser beam 3e to electron-excite the OH radical, and fluorescence in transition of excited electron by relaxation is measured time-serially.例文帳に追加

ＯＨラジカルにプローブ・レーザー光３ｅを照射してＯＨラジカルを電子励起し、励起された電子が緩和し遷移する際の蛍光を時系列で測定する。 - 特許庁

The extracted residue is removed by physical removal by an AFM probe, electron beam gas assist etching, or focused ion beam gas assist etching to make the mold reusable.例文帳に追加

抽出された残渣をAFM探針による物理的な除去または電子ビームガスアシストエッチングまたは集束イオンビームガスアシストエッチングで除去してモールドを再利用可能にする。 - 特許庁

The height of the defect being machined by electron beam or gas ion beam etching is measured with one probe in the independently actuatable probes to detect an end point.例文帳に追加

独立に駆動できる探針のうち1本の探針で、電子ビームまたはガスイオンビームエッチングで加工中の欠陥の高さを測定して終点検出を行う。 - 特許庁

Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect.例文帳に追加

黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。 - 特許庁

Otherwise, the foreign substance P is irradiated with an electron beam to deposit a solid material on the foreign substance P in a deposition gas atmosphere in which the solid material is generated by irradiation with the electron beam, and a force by the probe of an AFM (atomic force microscope) is applied to the solid material.例文帳に追加

又は、電子ビームが照射されることにより固体材料が生成されるデポジションガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射して異物Ｐ上に固体材料を堆積させ、この固体材料に対してＡＦＭの探針により力を印加する。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system 31 and an electron beam optical system 41 in an identical vacuum device, and a probe 72 that separates a minute sample containing a desired area of the wafer 21 by a charged particle beam type molding process and takes out the separated minute sample.例文帳に追加

同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 - 特許庁

This sampling apparatus used in preparing samples for transmission electron microscope observation by a focused ion beam processing apparatus includes a probe which can rotate which its shaft being as an axis of rotation and a rotating means for rotating the probe.例文帳に追加

また、集束イオンビーム加工装置による透過電子顕微鏡観察用試料作製に用いるサンプリング装置は、プローブの軸を回転軸とする回転が可能なプローブと、その回転を行うための回転手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A micromachining apparatus is used, which includes an AFM having a plurality of independently actuatable probes and uses an electron beam or a helium ion beam produced by a gas field ion source; wherein an isolating pattern 9 including a defect is grounded by bringing the conducting probe 6 into contact with the pattern, and then an opaque defect 8 is corrected while preventing charge-up by the electron beam 1.例文帳に追加

独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム微細加工装置で、導電性探針6を接触させることで欠陥を含む孤立したパターン9を接地して、電子ビーム1によるチャージアップを防止しながら黒欠陥8を修正する。 - 特許庁

To provide a low vacuum scanning electron microscope including an evacuation system in which an orifice diameter can be made larger than the conventional one so that a throughput until observation from sample exchange can be improved, and a required amount of a probe current can be obtained when irradiating an electron beam.例文帳に追加

本発明の目的は、試料交換から観察までのスループット向上を図ると共に、電子ビーム照射時には、必要なプローブ電流量が得られるようオリフィス径を従来より拡大することができる排気システムを備えた低真空電子顕微鏡を提供することにある。 - 特許庁

To form the cross section of an ink transfer part by a focusing ion beam device, in the observation of the transfer and penetration of the ink transferred to a printed matter wherein ink is printed on paper or a written matter written by using a ball point pen or a marking pen, to observe the same by an electron microscope or an electron probe microanalyser.例文帳に追加

紙に印刷された印刷物や、ボールペンやマジックなどを用いて筆記された筆記物に転移したインキ等の転移及び浸透状態を、集束イオンビーム装置等により断面を作製し、該断面を電子顕微鏡或いはエレクトロンプローブマイクロアナライザーにより観察する。 - 特許庁

A histogram is created by executing electron beam scanning (S12), and the histogram is secondarily differentiated (S13) to calculate gradation where contrast of a sample image changes and the amount of a probe current (S16).例文帳に追加

電子線走査を行い、ヒストグラムを作成し（Ｓ１２）、ヒストグラムを２次微分することによって（Ｓ１３）、試料像のコントラストが変化する階調とプローブ電流量を算出する（Ｓ１６）。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring current, capable of measuring minute current which flows in a measurement sample such as a semiconductor substrate or the like under a probe irradiation such as an electron beam or the like, over a wide frequency band with low noises.例文帳に追加

電子ビーム等のプローブ照射により半導体基板等の測定サンプルに流れる微小電流を、低ノイズでかつ広周波数帯域で測定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。 - 特許庁

The sampling device includes a board for placing the sample of minute article, a probe for moving the sample of minute article, and electron beam radiating means for charging the sample of minute article.例文帳に追加

前記目的を達成するために本発明は、微小物体試料を載せる基板と、前記微小物体試料を移動させるプローブと、前記微小物体試料を帯電させる電子線照射手段とを備えるサンプリング装置を提供する。 - 特許庁

The invention relates to the apparatus and the method for automatically detecting the failure position on even long wiring line using an image of an absorbed current absorbed by a sample by irradiating the sample with an electron beam in a state wherein a probe is applied to the sample.例文帳に追加

試料にプローブと電子線を当て試料に吸収された吸収電流の像を利用して、長い配線でも不良位置を自動で検出する装置とその方法。 - 特許庁

This device includes a focus ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and also includes a probe for separating the microscopic sample containing the desired region of the sample by a charged particle beam type molding process to take out the separated microscopic sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In the micro testpiece processing and observation device, a focused ion beam optical system and an electron optical system are equipped in an identical vacuum device, and a micro testpiece including the desired region of the testpiece is separated by a charged particle beam forming process, and a probe for sampling the micro testpiece separated is equipped.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, as well as a probe 72 separating a minute sample including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

This apparatus is provided with a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and provided with a probe separating a minute sample including the desired area of the sample by charged particle beam molding processing and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

This device is provided with a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and a probe separating a trace sample including a desired region of the sample by a charged particle beam molding work and picking up the separated trace sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

The micro testpiece processing and observation device are equipped with a focused ion beam optical system and an electron optical system in an identical vacuum device, and separate a micro testpiece including the desired region of the testpiece by a charged particle beam forming process, and have a probe for sampling the micro testpiece separated.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

An atomic force microscope with a probe in its light condensing system is installed in the cathode luminescence composite device which detects light from a sample irradiated by a electron beam.例文帳に追加

試料に電子線を照射して、その電子線照射により試料から発生した光を検出するカソードルミネッセンス装置において、集光システムとして探針をプローブとする原子間力顕微鏡を設けたことを特徴とするカソードルミネッセンス複合装置。 - 特許庁

The analyzing condition sheet 100 displays an element that is an object to be analyzed in the analysis of a sample using an electronic probe and a combination of the irradiation current value of an electron beam that is the optimum condition at the time of analysis of the element and an accelerated voltage value.例文帳に追加

分析条件シート１００は、電子プローブを用いた試料分析において分析対象となる元素と、当該元素の分析時に最適条件となる電子線の照射電流値及び加速電圧値の組み合わせとが表されている。 - 特許庁

A restricting mechanism 34 having a throttle having a plurality of different opening diameters is arranged between a second anode 4 and a first focusing lens 6, and the maximum value of probe current Ip of the primary electron beam 3 advancing toward the first focusing lens 6 is determined by the throttle.例文帳に追加

さらに、第二陽極４と第一収束レンズ６の間には、相異なる複数の開口径の絞りを持った絞り機構３４が配置され、この絞りによって、第一収束レンズ６方向へ進行する一次電子ビーム３のプローブ電流Ｉｐの最大値が決定される。 - 特許庁

The analyzing condition recording medium is used for recording the element that is an object to be analyzed in the analysis of a sample using an electronic probe and a combination of the irradiation current value of an electron beam that is the optimum condition at the time of analysis of the element and an accelerated voltage value.例文帳に追加

分析条件記録媒体は、電子プローブを用いた試料分析において分析対象となる元素と、当該元素の分析時に最適条件となる電子線の照射電流値及び加速電圧値の組み合わせとが記録されている。 - 特許庁

In addition, a throttle mechanism 34 having throttles with a plurality of different opening diameters is disposed between a second anode 4 and a first focus lens 6, and the maximum value of the probe current I_p of the primary electron beam 3 travelling toward a first focus lens 6 is determined by this throttle.例文帳に追加

さらに、第二陽極４と第一収束レンズ６の間には、相異なる複数の開口径の絞りを持った絞り機構３４が配置され、この絞りによって、第一収束レンズ６方向へ進行する一次電子ビーム３のプローブ電流Ｉ_ｐの最大値が決定される。 - 特許庁

The sample analyzer stores the element that is an object to be analyzed in the analysis of a sample using an electronic probe and a combination of the irradiation current value of an electron beam that is the optimum condition at the time of analysis of the element and an accelerated voltage value.例文帳に追加

試料分析装置は、電子プローブを用いた試料分析において分析対象となる元素と、当該元素の分析時に最適条件となる電子線の照射電流値及び加速電圧値の組み合わせとが記憶されている。 - 特許庁