「FLIP CHIP BONDING」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve workability and heat dissipation effect in an FC (flip chip bonding) mounting technique of a semiconductor light emitting element.例文帳に追加

半導体発光素子のＦＣ（フリップチップボンディング）実装技術における作業性と放熱効果を改良する。 - 特許庁

To provide a flip-chip mounting structure having high connection/bonding reliability without deteriorating, even if it is exposed to a high-temperature environment.例文帳に追加

高温環境下にさらされても劣化せず、高い接続／接合信頼性を有するフリップチップ実装構造を提供する。 - 特許庁

To suppress the reduction of the light extraction efficiency in a semiconductor light-emitting element mounted by flip-chip bonding.例文帳に追加

フリップチップにて実装される半導体発光素子における光取り出し効率の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrating reed for suppressing an increase in the number of steps even when the piezoelectric vibrating reed is bonded to a base by using the FCB (Flip Chip Bonding) method and to provide a piezoelectric vibrator.例文帳に追加

ＦＣＢ法を用いて圧電振動片をベースに接合する場合であっても、毎回の除去工程を抑制する。 - 特許庁

To provide a wiring board with a semiconductor component that does not produce defects such as cracks easily at the time of flip-chip bonding.例文帳に追加

フリップチップ接続のリフロー処理時において、半田接続部に亀裂等の欠陥を生じにくい半導体部品付き配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a camera module package constituted to enable flip-chip bonding by aligning the forming positions of via-holes and pads.例文帳に追加

ビアホールとパッドの形成位置を一致させてフリップチップボンディングされるようにしたカメラモジュールパッケージを提供する。 - 特許庁

Accordingly, additional processes such as an alignment process and flip-chip bonding are not necessary and the production cost of the optical device can be saved.例文帳に追加

これにより、整列工程及びフリップ−チップボンディング等の付加工程が不要になって光デバイスのコストを低減することができる。 - 特許庁

To provide a mounting circuit board in which the residual of voids in a flip-chip bonding interface is suppressed, and also to provide a semiconductor device.例文帳に追加

フリップチップ接合界面におけるボイドの残留を抑制した実装回路基板及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a printed-circuit board with a self-arrangement connection pad in an upper part thereof capable of the increase of the bonding power with a flip chip.例文帳に追加

フリップチップとの結合力を増加可能な上部に自己配置結合パッドを有する印刷回路基板を提供する。 - 特許庁

The sound absorbing material 11 is formed on the rear surface of the element 1 after the element 1 is subjected to flip chip bonding to the substrate 6.例文帳に追加

この吸音材１１は弾性表面波素子１をベース基板６にフリップチップ接続した後に素子１の裏面に形成される。 - 特許庁

An IC 14 for flip-chip bonding is mounted on a wiring board 10, and a lid 18 is mounted by low temperature solder 20 on its rear side.例文帳に追加

配線基板１０に、フリップチップ用ＩＣ１４を取り付け、その背面に、リッド１８を低温ロー材２０により取り付ける。 - 特許庁

To provide an electronic component device, with which sufficient bonding reliability can be provided even when flip chip mounting of a surface acoustic wave(SAW) device on a substrate is performed.例文帳に追加

本発明は、ＳＡＷデバイスを基体にフリップチップ実装しても十分な接合信頼性が得られる電子部品装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of chips 2 are disposed on an interposer 3 in a face-down way, and these chips are bonded by the flip-chip bonding method.例文帳に追加

インターポーザ３上に複数のチップ２をフェースダウンで配置してフリップチップボンディングする。 - 特許庁

To make a package thin, while securing a connection reliability at mounting of components on a wiring board by flip-chip bonding.例文帳に追加

フリップチップ配線基板上に実装する場合において、接続信頼性を確保しながら、薄型化を可能ならしめる。 - 特許庁

The chips are connected to the substrate by either of conventional wiring bonding material or flip-chip, mutually-connecting material.例文帳に追加

チップは、従来の配線接合体またはフリップ・チップ相互接続体のいずれかによって基板に接続される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing bubbles from being left in a sealant in a flip chip bonding.例文帳に追加

フリップチップ接合において、封止材内の泡残存を防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bonding method of flip chip system in a semiconductor device, which is not influenced by the surface state of a substrate.例文帳に追加

基板の表面状態に左右されない半導体装置のフリップチップ方式のボンディング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple mounting method which can suppress the occurrence of thermal fatigue fractures at the bonding of a flip chip having solder bumps to a circuit board.例文帳に追加

はんだバンプを有するフリップチップと回路基板の接合において、熱疲労破壊を抑止する簡便な実装方法を提供する。 - 特許庁

To make bonding of a bump by ultrasonic flip chip packaging firm even when a solder plating bump having a flat upper surface is used.例文帳に追加

上面が平坦なめっきバンプを用いた場合でも、超音波フリップチップ実装によるバンプの接合を強固なものにする。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, which is formed by the use of a flip-chip method and high in bonding reliability, at a low cost.例文帳に追加

低コストで高い接合信頼性を有するフリップチップ方法を用いた半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a heat-dissipating means for dissipating the heat produced by a semiconductor chip, capable of reliably dissipating the heat produced in the semiconductor chip even when the semiconductor chip is mounted through the flip-chip bonding.例文帳に追加

本発明は半導体チップが発生する熱を放熱する放熱手段を有した半導体装置に関し、フリップチップ接合されても半導体チップで発生する熱を確実に放熱することを課題とする。 - 特許庁

The connection reliability of the flip chip connection section is secured by arranging a protruding electrode 3 formed on the LSI chip 1 flip-chip connected to a wiring board 5, and an electrode 4 formed on a LSI chip 8 at the different position in the vertical direction to suppress propagation of mechanical damage caused by wire bonding of the electrode 4 to the flip chip connection section.例文帳に追加

配線基板５にフリップチップ接続されたＬＳＩチップ１に形成された突起電極３と、ＬＳＩチップ８に形成された電極４とを鉛直方向において異なる位置に配置することにより、電極４におけるワイヤボンド時の機械的ダメージがフリップチップ接続部に伝播することを抑制し、フリップチップ接続部の接続信頼性を確保する。 - 特許庁

To provide a transfer pin, a collet and a die bonder capable of efficiently transferring an adhesive, and transporting a semiconductor device bonding a chip by flip-chip bonding without reducing the yield.例文帳に追加

接着剤の効率的な転写を行うことができ、半導体チップが基板にフリップチップボンディングされた半導体装置を歩留まりを低下させることなく移送することが可能な転写ピン、コレットおよびダイボンダを提供する。 - 特許庁

In the flip-chip semiconductor element, a conductor is bonded on a bonding pad on the surface of a semiconductor chip for face-down bonding the chips on the substrate.例文帳に追加

半導体チップ表面のボンディングパッドに、該チップを基板にフェースダウンボンディングするための導体が導電性エラストマーにより接着されていることを特徴とするフリップチップ型半導体素子。 - 特許庁

To provide a bump forming method capable of bonding by a different composite of metal and reducing damage or mounting distortion of a chip or a substrate, by reducing diffusion energy to be applied in mounting (bonding) in bump bonding or flip chip bonding.例文帳に追加

バンプボンディングないしフィップチップボンディングにおいて、実装(接合）時に加わる拡散エネルギーを低減化でき、異種複合金属での接合が行えるとともに、チップないし基板に対する損傷や実装歪等を低減できるバンプ形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic wave flip-chip bonding method which has superior bonding strength and bonding stability of a projection electrode formed on a semiconductor chip to an electrode terminal formed on a circuit substrate, and which prevents the position of the bonding position from deviating.例文帳に追加

半導体チップに形成される突起電極と回路基板に形成される電極端子との接合強度と接合安定性とに優れ、さらに接合箇所の位置ずれを防止することのできる超音波フリップチップ接合方法を提供する。 - 特許庁

To enhance bonding reliability of a semiconductor element and a substrate by lowering the bonding temperature when flip-chip bonding of a semiconductor element is performed thereby reducing thermal stress acting between the semiconductor element and the substrate.例文帳に追加

半導体素子をフリップチップ接続する際の接合温度を低下させ、半導体素子と基板との間に作用する熱応力を低減させて半導体素子と基板との接合信頼性を向上させる。 - 特許庁

After the balls 8 temporarily fitted onto the bumps 3 are abutted on the electrode 7, flip chip loading is performed by thermocompression bonding or ultrasonic bonding or thermocompression bonding using ultrasonic wave together.例文帳に追加

バンプ３上に仮付けされた微小金ボール８が電極７に当接した後さらに熱圧着又は超音波接合あるいは超音波併用熱圧着でフリップチップ実装する。 - 特許庁

Thus, when flip-chip mounting the semiconductor chip 1 for flip-chip mounting onto a circuit board 30, the excess low melting point metal 41 in the molten state generated at the connection part of the bonding bump 12 and a connection terminal 30 is sucked up into the bump gap.例文帳に追加

これにより、フリップチップ実装用半導体チップ１を回路基板３０上にフリップチップ実装する際にボンディング用バンプ１２と接続端子３０との接続部で生じた余分な溶融状態の低融点金属４１は、バンプギャップ内に吸い上げられている。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device in which the LED chip is flip-chip mounted on the substrate, a bump to be thermocompression-bonded to the LED chip is formed on an electrode on the substrate side, and the bonding area of the bump on the substrate side is larger than a bonding area on the LED chip side.例文帳に追加

ＬＥＤチップを、基板へフリップチップ実装しているフェイスダウン構造の半導体発光装置において、ＬＥＤチップと熱圧着させるためのバンプを基板側の電極に形成しており、上記バンプの基板側の接合面積を、ＬＥＤチップ側の接合面積よりも広くしている。 - 特許庁

To prevent crack generated in the board of a pad electrode resulting from difference in the thermal expansion coefficients between a semiconductor chip and a multilayer board in the multilayer board on which a conductor chip is bonded with the flip-chip bonding method.例文帳に追加

導体チップがフリップチップボンディングされる多層基板において、半導体チップと多層基板の間の熱膨張係数の差に起因して、パッド電極部分の基板中に発生するクラックを防止する。 - 特許庁

To provide a mounting substrate capable of preventing a crack at the connection part between a semiconductor chip mounted by a flip chip bonding and the mounting substrate, and to provide a semiconductor device with the semiconductor chip mounted on the mounting substrate.例文帳に追加

フリップチップボンディングで搭載する半導体チップと実装基板との接続部におけるクラックを防止可能な実装基板と、このような実装基板に半導体チップを搭載した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem that solder cracks occur in a solder ball at a portion corresponding to a mounting region of an Si chip when the Si chip for flip chip bonding is mounted on an insulating substrate.例文帳に追加

フリップチップ実装用のＳｉチップを絶縁基板に実装した場合、Ｓｉチップの実装領域に相当する部分の半田ボールに半田クラックが入る。 - 特許庁

After applying the adhesive to an IC chip mounting position of the antenna sheet, the IC chip is mounted thereon and electrically connected to the connecting terminal by flip chip bonding.例文帳に追加

このアンテナシートのＩＣチップ搭載位置に接着剤を塗布した後ＩＣチップを載置しフリップチップボンディングによりＩＣチップを接続端子に電気的に接続する。 - 特許庁

The IC chip 3 is fastened on the bottom face of the second recess 1b by flip chip bonding in such a manner that the circuit formation surface of the IC chip 3 faces the bottom face of the second recess 1b.例文帳に追加

ＩＣチップ３の回路形成面が第２の凹部１ｂの底面に対向するようにして、フリップチップボンディングによりＩＣチップ３を第２の凹部１ｂの底面に固着する。 - 特許庁

In the flip-chip bonding structure, on each circuit-board electrode 21 of a circuit board 2, each leveled solder bump 22b is formed to connect each solder bump 22b and each semiconductor-chip electrode 11 of a semiconductor chip 1 by an anisotropic conductive film 3.例文帳に追加

回路基板２の回路基板電極21上に、レベリングされた半田バンプ22b を形成し、これと半導体チップ１の半導体チップ電極11とを異方導電性フィルム３で接続する。 - 特許庁

The semiconductor chip 1b and the wiring substrate 2c of the second layer are subjected to flip chip bonding to the wiring substrate 2b of the second layer, respectively, outside the plane direction of the semiconductor chip 1a of the first layer and mounted on the wiring substrate 2b.例文帳に追加

２層目の半導体チップ１ｂ及び配線基板２ｃは、１層目の半導体チップ１ａよりも平面方向外側で、それぞれ２層目の配線基板２ｂにフリップチップボンディングされ、配線基板２ｂ上に搭載される。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a semiconductor chip that will enable air bubbles produced in underfill resin to be controlled when flip-chip bonding a semiconductor chip onto a wiring substrate, the semiconductor chip having a metal bump made of solder, and filling up a gap between the semiconductor chip and the wiring substrate with the underfill resin.例文帳に追加

半田からなる金属バンプを有する半導体チップを配線基板上にフリップチップ実装して、半導体チップと配線基板との間隙にアンダーフィル樹脂を充填する際に、アンダーフィル樹脂内に発生する気泡を抑制することができる半導体チップの電極構造を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device (1) comprises a semiconductor chip (2), a substrate (8), a chip surface insulation layer (7) formed on a chip surface, a substrate surface insulation layer (10) formed on a substrate surface and a connection member (11) connecting a chip side electrode (4) and a substrate side electrode (9) by flip-chip bonding.例文帳に追加

半導体チップ（２）と、基板（８）と、チップ面に形成されたチップ面絶縁層（７）と、基板面に形成された基板面絶縁層（１０）と、フリップチップボンディングによってチップ側電極（４）と基板側電極（９）とを接続する接続部材（１１）とを具備する半導体装置（１）を構成する。 - 特許庁

To simply and easily measure the amplitude of a semiconductor chip or a bonding tool in a production field as to a flip-chip bonder which sucks the semiconductor chip to the bonding tool and bonds its bump to an electrode on an interposer substrate by ultrasonic welding.例文帳に追加

ボンディングツールに半導体チップを吸着し、そのバンプをインターポーザ基板上の電極と超音波溶着によって接合させるフリップチップボンダにおいて、半導体チップあるいはボンディングツールの振幅を簡易的にしかも生産現場で容易に測定できるようにする。 - 特許庁

The chip 1 is mounted on a mount pad 4a of the lead frame 4 and wire bonding mounting is performed, or the chip 1 is subjected to flip chip mounting on a bonding pad 2a of the coil 2 serving also as the pad 4a.例文帳に追加

当該リードフレーム４のマウントパッド４ａにＩＣチップ１を載置してワイヤボンディング実装、若しくはマウントパッド４ａを兼ねたアンテナコイル２のボンディングパッド２ａにＩＣチップ１をフリップチップ実装する。 - 特許庁

To provide a thermally conductive bonding material, semiconductor package, heat spreader, semiconductor chip, and joining method which can achieve both a heat transfer property and a connection reliability even if the semiconductor chip mounted on a thin circuit board by flip chip bonding and the heat spreader are joined together.例文帳に追加

薄型回路基板にフリップチップ実装された半導体チップとヒートスプレッダとを接合しても伝熱性と接合信頼性とを両立させることが可能な、熱伝導性接合材、半導体パッケージ、ヒートスプレッダ、半導体チップ、及び接合方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device wherein the lowering of bonding reliability between a substrate and a semiconductor chip is sufficiently suppressed when the semiconductor device, having resin sealed flip chip bonding spots between the substrate and the semiconductor chip, is bonded to a mother board through reflow soldering.例文帳に追加

基板と半導体チップのフリップチップ接合箇所が樹脂封止された半導体素子をリフローハンダ付によりマザーボードに接合する際に、基板に対する半導体チップの接合信頼性の低下が充分に抑制された、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A flip chip pad 12 and a bonding pad 14 of which surfaces are made of different metals are provided together, a solder powder 18 is adhered to an adhesive layer 16 formed on only the flip chip pad 12, and then reflow is conducted to melt the solder powder 18 adhering to only the flip chip pad 12.例文帳に追加

表面が異なる金属で形成されたフリップチップパッド１２とボンディングパッド１４とを基板に併設した後、フリップチップパッド１２のみに形成された粘着層１６にはんだ粉１８を付着した後、リフローを施してフリップチップパッド１２のみに付着しているはんだ粉１８を溶融することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by face down mounting a semiconductor element 2 on an interposer 1, flip-chip bonding the semiconductor element 2 and then sealing the gap formed at the flip-chip joint of the semiconductor element 2 and the back side of the semiconductor element 2 with the same material.例文帳に追加

インターポーザー１上に半導体素子２をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載し、半導体素子２のフリップチップ接合部に形成される間隙及び半導体素子２の背面側を同一材料で封止して形成される半導体装置に関する。 - 特許庁