「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(398ページ目) - Weblio英語例文検索

A first main electrode on the inside and a second main electrode on the outside formed in the surface region of a semiconductor layer on a substrate are connected by the resistive field plate.例文帳に追加

基板上における半導体層の表面領域において形成された内側の第１の主電極及び外側の第２の主電極とを抵抗性フィールドプレートで接続する。 - 特許庁

The first thermoplastic resin layer 12 is composed of either of a polyvinyl chloride, an olefin resin or a polyester resin.例文帳に追加

第１の熱可塑性樹脂層１２はポリ塩化ビニル、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂のいずれかからなり、第２の熱可塑性樹脂層１５は表面がエンボス加工されたポリエステル樹脂層である。 - 特許庁

A first spacer layer 28 is on at least part of the active region surface between a gate electrode 24 and a drain electrode 22 and between the gate electrode 24 and a source electrode 20.例文帳に追加

第１のスペーサ層２８が、ゲート電極２４とドレイン電極２２との間、およびゲート電極２４とソース電極２０との間の活性領域の表面の少なくとも一部の上にある。 - 特許庁

A pair of counter electrodes 4 includes a first electrode 4a formed of a metallic electrode and a second electrode 4b wherein the metallic electrode part is coated with an insulating layer thin film 5.例文帳に追加

１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。 - 特許庁

When a high AC voltage signal is applied between the first and third electrodes, a fluid flow is induced between the electrodes excited to assist the delay of the peeling of a boundary layer.例文帳に追加

第１および第３の電極にわたって高いＡＣ電圧信号が与えられると、境界層の剥離の遅延を助ける励起された電極間の流体流を誘導する。 - 特許庁

The conductive layer 106 includes the third electrode part 106a facing the first electrode part 103a and the fourth electrode part 106b facing the second electrode part 103b.例文帳に追加

導電層１０６は、第１の電極部１０３ａと対向する第３の電極部１０６ａ及び第２の電極部１０３ｂと対向する第４の電極部１０６ｂを含む。 - 特許庁

The current output electrode 132 is connected electrically with a substrate electrode 118b provided on a first wiring layer 114 through a bonding wire 134 such as a gold wire.例文帳に追加

電流出力用電極１３２は、金線などのボンディングワイヤ１３４を介して、第１の配線層１１４に設けられた基板電極１１８ｂと電気的に接続されている。 - 特許庁

The first thermal treatment is performed on the single crystal silicon substrate, a prescribed amount of a surface layer is removed, and the oxygen ions are implanted from the removed surface side.例文帳に追加

好ましくは、単結晶シリコン基板に対し、第１の熱処理を行なった後、表面層を所定量除去し、該除去された表面側から前記酸素イオン注入を行なう。 - 特許庁

A diblock copolymerization layer containing at least two polymers and having a lamellar structure perpendicularly to a substrate 3 is deposited on a first gate insulator 4 formed on the substrate.例文帳に追加

少なくとも２つの重合体を備え、かつ、基板３に垂直のラメラ構造を有するダイブロック共重合体層が、基板に形成された第１のゲート絶縁体４に堆積される。 - 特許庁

The first electrode 15 formed on the substrate 12 side comprises a transparent electrode formed by an ITO layer, and a metal having reflectivity to light is used for the second electrode 16.例文帳に追加

基板１２側に形成された第１電極１５はＩＴＯ層で形成された透明電極からなり、第２電極１６には光に対する反射性を有する金属が使用されている。 - 特許庁

A first metal layer 106a is formed by vapor-depositing and forming a nickel (Ni) on this flat top surface Σ and the insulating wall 110, and its film thickness is formed about 250 nm.例文帳に追加

第１金属層１０６ａはニッケル（Ｎｉ）をこの平頂面Σ及び絶縁壁１１０の上に蒸着して形成したものであり、その膜厚は約２５０ｎｍとした。 - 特許庁

A first protective film 4 comprising a magnesium oxide MgO is formed to further cover a dielectric layer 3 which is formed to cover a front face side glass substrate 1 and a display electrode 2.例文帳に追加

酸化マグネシウムＭｇＯを成分とする第１の保護膜４を前面側ガラス基板１及び表示電極２を覆う形で形成された誘電体層３を更に覆う形で形成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device 10 includes a first main electrode, connected to the third diffusion layer 2, a second main electrode connected to the semiconductor substrate 21 and a bus line 12 connected to both ends of the gate electrode.例文帳に追加

さらに、第３の拡散層２７と接続する第１主電極と、半導体基板２１と接続する第２主電極と、ゲート電極の両端に接続されるバスライン１２とを含む。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 23 is sandwiched between the first layers 31 made of aluminum oxide from both sides for suppressing desorption of oxygen or the like and stabilizing electrical characteristics of the TFT 20.例文帳に追加

酸化物半導体層２３を、酸化アルミニウムよりなる第１層３１によって両側から挟み込み、酸素などの脱離を抑制し、ＴＦＴ２０の電気特性を安定化させる。 - 特許庁

Subsequently, the first silicon insulation film 28 in that specified region is removed by etching liquid of aqueous solution containing hydrofluoric acid through a removing part 29W of the photoresist layer.例文帳に追加

その後、このフォトレジスト層の除去部２９Ｗを通じてその特定領域の第１のシリコン絶縁膜２８を弗化水素酸を含む水溶液によるエッチング液によって除去する。 - 特許庁

This manufacturing method is to manufacture the organic EL element formed by laminating an organic layer 5 having at least luminescent layers (first and second luminescent layers) 5b, 5c between a pair of electrodes.例文帳に追加

少なくとも複数の発光層（第一，第二の発光層）５ｂ，５ｃを有する有機層５を一対の電極間に積層形成してなる有機ＥＬ素子の製造方法である。 - 特許庁

The boundary between the first and second ferromagnetic films 13 and 15 and another layer is a surface (111), and the diffusion of iron atoms or cobalt atoms or the like from the intermediate firm 14 is inhibited.例文帳に追加

第１および第２の強磁性膜１３，１５における他の層との界面は（１１１）面となっており、中間膜１４からの鉄原子やコバルト原子などの拡散が抑制される。 - 特許庁

In the surface treatment method for a gallium arsenide semiconductor in the first invention, the surface of the gallium arsenic semiconductor is brought into contact with nitric or ammonium plasma, so as to form a gallium nitride layer on the surface.例文帳に追加

第１の発明のガリウム砒素半導体の表面処理方法は、ガリウム砒素半導体表面を、窒素あるいはアンモニアプラズマに接触させ、表面に窒化ガリウムの層を形成する。 - 特許庁

The adhesive layer 3 comprises a resin composition having a fluorene skeleton and the thickness of at least one of the first and second substrates 1 and 2 is 0.1-10 μm.例文帳に追加

接着層３がフルオレン骨格を有する樹脂組成物からなり、第１の基材１と第２の基材２の少なくとも一方の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下である。 - 特許庁

A primary damaged layer in slicing formed at the first main surface side of a silicon single-crystal substrate 1 obtained by slicing a silicon single crystal ingot is removed mechanically or chemically.例文帳に追加

シリコン単結晶インゴットのスライスにより得られるシリコン単結晶基板１の第一主表面側に形成されているスライス時の一次ダメージ層を機械的もしくは化学的に除去する。 - 特許庁

The anisotropic conductive adhesive 17 projects to the circumferential part of the semiconductor device 11 and the outside thereof, and is coated with a first organic layer 18 composed of an epoxy-based resin, etc.例文帳に追加

半導体装置１１の周端部およびその外側に食み出している異方性導電接着剤１７は、エポキシ系樹脂等からなる第１の有機質層１８で覆われている。 - 特許庁

A first conductivity-type gallium nitride-based semiconductor region 13, the active layer 17, and a second conductivity-type gallium nitride-based semiconductor region 15 are disposed in a predetermined axis Ax direction.例文帳に追加

第１導電型窒化ガリウム系半導体領域１３、活性層１７および第２導電型窒化ガリウム系半導体領域１５は、所定の軸Ａｘの方向に配列されている。 - 特許庁

The first substrate 10 comprises a selective reflection layer 14 which selectively reflects linearly polarized light in a specified polarization direction from the light entering the side face 10a into the inside of the substrate.例文帳に追加

第１基板１０は、その側面１０ａから内部に入射した光のうちの特定の偏光方向の直線偏光を選択的に反射する選択反射層１４を含んでいる。 - 特許庁

By properly controlling states of voltages applied to the first electrode group 14 and the second electrode group 24, a lens effect on the liquid crystal layer 3 is controlled properly.例文帳に追加

それら第１の電極群１４と第２の電極群２４とに印加する電圧の状態を適切に制御することで液晶層３におけるレンズ効果を適切に制御する。 - 特許庁

A first insulation film 4 and a second insulation film as a gate insulation film are provided between a semiconductor layer 2 formed on an insulation substrate 1 and a gate electrode 3.例文帳に追加

絶縁基板１上に形成される半導体層２と、ゲート電極３との間には、ゲート絶縁膜としての第１の絶縁膜４及び第２の絶縁膜が備えられている。 - 特許庁

A second electrode formed of a transparent electrode is formed on the luminescent layer, and the auxiliary electrodes are formed to expose the region of the first electrode being the luminescent region.例文帳に追加

前記発光層上には、透明電極からなる第２電極を形成し、前記補助電極は前記発光領域である第１電極の領域を露出させるように形成される。 - 特許庁

Since the first and second NiFe layers 50a, 50b have magnetostriction constants which are opposite in sign, net magnetostriction constant of the free layer 50 is extremely reduced.例文帳に追加

第１および第２のＮｉＦｅ層５０ａ，５０ｂは、磁歪定数の符号が互いに逆なので、この両者の組み合わせにより、フリー層５０の正味の磁歪定数が極めて小さくなる。 - 特許庁

The first prism layer 22 is formed on the surface 211 of the base film 21 and includes a plurality of prisms 220 each transverse shape of which is a triangle having obtuse vertical angle.例文帳に追加

第１プリズム層２２は、ベースフィルム２１の表面２１１上に形成され、各々の横断形状が鈍角の頂角を有する三角形状である、複数のプリズム２２０を備える。 - 特許庁

Besides, the polymer particulates 21 in the first processing liquid layer 22 suppress the shift of the ink droplets 24, then, the good image free from the abnormal dot size and the displacement of dots is obtained.例文帳に追加

また、第１処理液層２２内のポリマー微粒子２１によってインク液滴２４の移動を抑制し、ドットサイズ異常やドットの位置ズレが防止された好ましい画像を得ることができる。 - 特許庁

A pair of impurity added regions are made on the surface layer of the semiconductor substrate on both sides of the gate structure including the floating gate electrode and the first control gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極及び第１のコントロールゲート電極を含むゲート構造体の両側の、半導体基板の表面層に一対の不純物添加領域が形成されている。 - 特許庁

The thin-film transistor substrate includes a base substrate 110, a gate electrode G, a gate insulating film 120, a first surface treatment film 130, an active layer A, a source electrode S and a drain electrode D.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板は、ベース基板１１０、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１２０、第１表面処理膜１３０、活性層Ａ、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを含む。 - 特許庁

The carbon content layer 2 comprises carbon particles 22, and the second surface part 21 is formed between the first surface part 3 and the carbon particles 22 and comprises carbide of aluminum.例文帳に追加

炭素含有層２は炭素粒子２２をさらに含み、第２の表面部分２１は第１の表面部分３と炭素粒子２２との間に形成されてアルミニウムの炭化物を含む。 - 特許庁

The first electrode 13 and an auxiliary wiring 17 composed of aluminum or aluminum alloy and a covering layer 40 composed of titanium or molybdenum are continuously film formed, and then simultaneously processed.例文帳に追加

アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる第１電極１３および補助配線１７と、チタンまたはモリブデンよりなる被覆層４０とを連続成膜したのち同時に加工する。 - 特許庁

Between a first electrode (8) and a zirconia substrate (2), an electrode base material layer (9) is provided which comprises a zirconia solid electrolyte comprising no yttria or comprising it by 3 mol.% or less.例文帳に追加

第１の電極（８）とジルコニア基板（２）との間に、イットリアを含まないかもしくは３mol％以下のイットリアを含むジルコニア固体電解質からなる電極下地層（９）を設ける。 - 特許庁

After that, a second heat treatment is performed in a second atmosphere containing oxygen to form an oxide layer 7 being the oxide of the first metal element over the surface of the copper alloy wiring 6.例文帳に追加

その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 - 特許庁

Further a cushioning section 16 formed of a high-hardness second rubber member, which is formed in one body with the first rubber member, is arranged on a lower side of the bottom plate cored bar 12 under the shear rubber layer 132.例文帳に追加

剪断ゴム層１３２において、底板芯金１２の下側には、第１のゴム部材と一体的に成形される高硬度の第２のゴム部材からなる緩衝部１６が設けられる。 - 特許庁

Additionally, the second semiconductor layer including a plurality of the layers are formed by repeating the first step, the second step, and the third step in this order.例文帳に追加

さらに、前記第１の工程と、前記第２の工程と、前記第３の工程と、をこの順に繰り返すことにより、複数の前記層を含む前記第２半導体層を形成する。 - 特許庁

A thin film 5 is formed in the front surface of a processed layer 4 on a substrate 1, and a first pattern 6 is formed in the front surface of the thin film 5 by a lithographic process (resist application, a pattern exposure, development, etc.).例文帳に追加

基板１上の被加工層４の表面に薄膜５を形成し、リソグラフィ工程（レジスト塗布、パターン露光、現像等）により薄膜５の表面に第１のパターン６を形成する。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 in the surface on the passivation film 20 side is arranged on the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４上に配置されるように形成されてなる。 - 特許庁

Then, the first and the second changing means are controlled, the light converging position is set to the position of a j-th (where j is a natural number) of one recording layer and the amount of tilt at that position is detected.例文帳に追加

第１変更手段と第２変更手段を制御して、集光位置を、一の記録層の第ｊ（但し、ｊは自然数）番目の位置に合わせ、その位置のチルト量を検出する。 - 特許庁

A signal for evaluation is supplied between the first second-layer wiring 21 and wiring 51 for evaluation to easily evaluate the resistance of a via-hole and specify the via-hole on which abnormality occurs.例文帳に追加

第１の２層目配線２１と評価用配線５１との間に評価用の信号を流すことで、ビアの抵抗評価や異常が発生したビアの特定を容易に行うことができる。 - 特許庁

The second capacitive electrode 202 facing to the first electrode 201 is provided in the middle of the layer.例文帳に追加

補助電極２０３は、第１のキャパシタ電極２０１及び第２のキャパシタ電極２０２の面積より小面積に構成され、第１のキャパシタ電極２０１に電気的に接続されている。 - 特許庁

A high potential side potential supply line VHa and a low potential side potential supply line VSa are disposed in an area Y outside an area Z in which a first planarizing layer F1 is provided.例文帳に追加

高位側電位供給線ＶＨａおよび低位側電位供給線ＶＳａは第１の平坦化層Ｆ１が設けられた領域Ｚの外側の領域Ｙに配置される。 - 特許庁

One or both of the first metal film and the second metal film are formed so that an adhesive layer (adhesive agent 21) of a specimen is brought into contact with the metal layers and the specimen can be placed on the metal layers.例文帳に追加

第１の金属膜または第２の金属膜の一方または双方は、被試験体の接着層（接着剤２１）が接触して被試験体が載置可能に形成されている。 - 特許庁

The second resin layer 4 has a second impregnating part 41 in which the remaining component of the fiber base material 2, which is not impregnated with the first resin composition, is impregnated with the second resin composition.例文帳に追加

第２の樹脂層４は、繊維基材２の第１の樹脂組成物が含浸されていない残りの部分に第２の樹脂組成物が含浸した第２の含浸部４１を有している。 - 特許庁