「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(402ページ目) - Weblio英語例文検索

The ammonia gas sensor 200A includes a first solid electrolyte layer 6A, containing one or more oxides selected from among a group of V, Bi and Sb as the major component; a reference electrode 4A, formed on the surface of the first solid electrolyte layer and where a combustible gas is burned on the surface; and a detection electrode 2A where the combustible gas does not burn on the surface.例文帳に追加

Ｖ、Ｂｉ及びＳｂの群から選ばれる１種以上の酸化物を主成分とする第１固体電解質層６Ａと、該第１固体電解質層の表面にそれぞれ形成された可燃性ガスが表面にて燃焼する基準電極４Ａ及び可燃性ガスが表面にて燃焼しない検知電極２Ａとを備えたアンモニアガスセンサ２００Ａである。 - 特許庁

This substrate is equipped with a color filter part comprising plural colored layers 9 formed on a display region 5a of a substrate 3, first spacers 12 formed on the colored layers 9 of the color filter part, a shielding layer 10 formed on a non-display region 5b of the substrate 3, and a second spacer 14 higher than the first spacers 12, formed on the shielding layer 10.例文帳に追加

基板３の表示領域５ａ上に形成された複数の着色層９からなるカラーフィルタ部１と、カラーフィルタ部の着色層上に形成された第１のスペーサ１２と、基板の非表示領域５ｂ上に形成された遮光層１０と、この遮光層上に形成され、第１のスペーサよりも高さの高い第２のスペーサ１４と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a reflective area and a transmissive area, and includes a first panel and a second panel facing each other, a liquid crystal layer interposed between the first panel and the second panel, and a tilt direction determining member such as a protrusion, located in the reflective area, for determining a tilt direction of liquid crystal molecules of the liquid crystal layer equipped on the second panel.例文帳に追加

本発明は液晶表示装置に関し、反射領域と透過領域を具備しており互いに対向する第１及び第２表示板、第１表示板と第２表示板の間に封入されている液晶層、そして液晶層の液晶分子の傾斜方向を決定し、第２表示板に具備されており、反射領域に位置する突起などの傾斜方向定義部材を含む。 - 特許庁

The barrier fabric includes a fabric substrate having a first surface and a second surface; a low surface energy stain preventing compound disposed on at least the first surface of the fabric substrate; a polymer stabilization layer disposed on the second surface of the fabric substrate; an adhesive composed of a polymer material containing an elastic component, which is disposed on the polymer stabilization layer; and a barrier film disposed on the adhesive.例文帳に追加

第１面及び第２面を有する布基材、布基材の少なくとも第１面に配置された低表面エネルギー防汚化合物、布基材の第２面上に配置されたポリマー安定化層、ポリマー安定化層上に配置された、弾性成分を含むポリマー物質からなる接着剤、接着剤の上に配置されたバリアフィルムを含んでなるバリア布。 - 特許庁

A first network interface is utilized to establish link layer connection with a first connection point, a second network interface is then utilized to detect a second connection point and to establish link layer connection with the second connection point, and compatibility of a connecting router connected with the second connection point and the terminal equipment is judged to connect the terminal equipment and the connecting router.例文帳に追加

第１のネットワークインターフェースを利用して第１の接続ポイントとリンク層接続を成立させたのち、第２のネットワークインターフェースを利用して、第２の接続ポイントを検出し、第２の接続ポイントとリンク層接続を成立させ、第２の接続ポイントと接続している接続ルータと端末装置の適合性を判定して、端末装置と接続ルータとを接続することができる。 - 特許庁

The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.例文帳に追加

半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁

Opening and closing of a pair of fixed contact 6 and a movable contact 10 is repeated several hundred times by actuating an electromagnetic relay, in order to provide a transfer part 6c of pure gold transferred from the first pure gold layer 10a of the movable contact 10 at a position making contact with the movable contact 10 on the surface of the first layer 6 of the fixed contact 6 of silver and palladium.例文帳に追加

電磁継電器Ｒｙを動作させて固定接点６と可動接点１０の接点対の開閉を数百回程度繰り返すことによって、固定接点６の銀・パラジウム合金の第１層６ａ表面における可動接点１０と接触する部位に、可動接点１０の純金の第１層１０ａから転写された純金から成る転写部６ｃが設けてある。 - 特許庁

Optical transmission equipment 20 is provided with a metal film 10 which has an aperture 12 formed, a first dielectric layer 14a which is practically provided adjacently to a first surface 10a of the metal film 10 and has a refractive index nd1, and a second dielectric layer 14b, which is provided practically adjacently to a second surface 10b of the metallic film 10 and has a refractive index nd2.例文帳に追加

光伝送装置２０は、開口１２が形成された金属フィルム１０と、金属フィルム１０の第１の表面１０ａに実質的に隣接して設けられた屈折率ｎ_d1の第１の誘電体層１４ａと、金属フィルム１０の第２の表面１０ｂに実質的に隣接して設けられた屈折率ｎ_d2の第２の誘電体層１４ｂとを有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a stamper for an optical recording medium used in roughening a substrate composing an optical recording medium has; an electrocasting treatment process which produces a first metal layer 66 having a thickness of t ≥300 μm by electrocasting; and a blast treatment process which produces an original stamper 76 by roughening a part of a main surface of the first metal layer 66 by blast processing.例文帳に追加

光記録媒体を構成する基板を粗面化する際に使用される光記録媒体用スタンパの製造方法であって、電鋳によって厚みｔが３００μｍ以上の第１金属層６６を作製する電鋳処理工程と、第１金属層６６の一主面の一部をブラスト処理によって粗面化して原版スタンパ７６を作製するブラスト処理工程とを有する。 - 特許庁

In this photodetector 10, the injection of carriers of different polarities from first and second electrically conductive layers 15 and 11 into the photoconduction layer 13 is suppressed by respectively providing first and second electric charge injection inhibition layers 14 and 12 between the conductive layers 15 and 11 and the photoconduction layer 13.例文帳に追加

光検出装置１０において、第１の導電層１５と光導電層１３との間に第１の電荷注入阻止層１４を設け、第２の導電層１１と光導電層１３との間に第２の電荷注入阻止層１２を設けることにより、光導電層１３内に、導電層１１および１５からそれぞれの極性のキャリアが注入されるのを抑制する。 - 特許庁

The antenna unit 20 is mounted on a mobile terminal having a metal hinge part 24 for connecting a first housing and a second housing, and comprises a ground layer 21 arranged inside the first housing, a power supply part 22 formed in the ground layer 21, and a power supply element 23 electrically connected to the power supply part 22 and the hinge part 24.例文帳に追加

本発明のアンテナ装置２０は、第１筐体と第２筐体とを連結する金属製のヒンジ部２４を備えた携帯端末に搭載するアンテナ装置であって、第１筐体内部に配置されたグランド層２１と、グランド層２１に形成された給電部２２と、給電部２２に接続されると共にヒンジ部２４に電気的に接続された給電素子２３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor layer 2, an emitter electrode 6 formed on the surface of the semiconductor layer 2, a first convex part 4 with the insulation property at least on the surface, formed around and on the inner side of the outer periphery of the surface of the semiconductor device 100, and a second convex part 8 formed in the inner side range of the first convex part 4.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体層２と、半導体層２の表面に形成されているエミッタ電極６と、半導体装置１００の表面の外周に沿って外周の内側を一巡しているとともに、少なくとも表面が絶縁性である第１凸部４と、第１凸部４の内側範囲に形成されている第２凸部８を備えている。 - 特許庁

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6.例文帳に追加

基板２の一主面側に埋込誘電体層３を介して形成された第１導電型の半導体活性層４に、第２導電型の不純物領域７と、第１導電型のコンタクト不純物領域６とが互いに離れて形成され、第２導電型の不純物領域７およびコンタクト不純物領域６上に、それぞれ素子電極１０，９を有する。 - 特許庁

A Shottky diode 10 comprises a semiconductor substrate 11 of n-type 4H-SiC, a first SiC layer 12 of 4H-SiC provided on the semiconductor substrate 11, a Schottky electrode 14 of nickel provided on the first SiC layer 12, and an ohmic electrode 15 of nickel provided on the lower surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明のショットキーダイオード１０は、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の上に設けられた４Ｈ−ＳｉＣからなる第１ＳｉＣ層１２と、第１ＳｉＣ層１２の上に設けられ、ニッケルからなるショットキー電極１４と、半導体基板１１の下面上に設けられ、ニッケルからなるオーミック電極１５とから構成されている。 - 特許庁

This method for producing the organic electroluminescent element comprises steps of forming a first electrode on a substrate; preparing a solution containing a hole carrier organic material, an electron carrier organic material and a light emitting organic material; atomizing the solution on the first electrode by use of a pressurized gas to form the organic thin film layer; and forming a second electrode on the organic thin film layer.例文帳に追加

基板上に第１の電極を形成し、正孔輸送性有機材料、電子輸送性有機材料および発光性有機材料を含む溶液を調製し、この溶液を加圧気体を用いて第１の電極上に噴霧して有機薄膜層を形成し、有機薄膜層上に第２の電極を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device 100 is provided with a first conductive semiconductor board 10, a first conductive well 12 formed on the semiconductor board 10, a gate insulating layer 20 formed on the semiconductor substrate 10, a gate electrode 22 formed on the gate insulating layer 20, and second conductive source/drain layers 14a and 14b formed on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された、第１導電型のウェル１２と、半導体基板１０の上に形成されたゲート絶縁層２０と、ゲート絶縁層２０の上に形成されたゲート電極２２と、半導体基板１０に形成された第２導電型のソース／ドレイン層１４ａ，１４ｂと、を有する。 - 特許庁

The first and second deformation parts 41, 42 for fixing and the first extension/contraction deformation part 43 include: electric active polymers 44 having a layer shape to be deformed by energization; and electrodes 45, 46 having the layer shape for performing energization to the electric active polymers 44, respectively, and includes actuators 410, 420, 430 which are operated (deformed) by performing energization between the electrodes 45, 46.例文帳に追加

第１固定用変形部４１、第２固定用変形部４２および第１伸縮変形部４３は、それぞれ、通電により変形する層状をなす電気活性ポリマー４４と、電気活性ポリマー４４に通電するための層状をなす電極４５、４６とを有し、電極４５、４６間に通電することにより作動（変形）するアクチュエータ４１０、４２０および４３０を備えている。 - 特許庁

The upper shield layer includes a first part 3a arranged in an area including an area opposite to the thin film coil 5, a second part 3b connected to a face of the first part 3a at the side of the thin film coil 5, and a third part 3c opposite to the lower shield layer 6 via the MR element 9 and connected to the second part 3b.例文帳に追加

上部シールド層は、薄膜コイル５に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分３ａと、下部シールド層６の側方に配置され、第１の部分３ａにおける薄膜コイル５側の面に接続された第２の部分３ｂと、ＭＲ素子９を挟んで下部シールド層６と対向すると共に第２の部分３ｂに接続された第３の部分３ｃを有している。 - 特許庁

A first recess face 53a and a second recess face 53b are placed on the inclined upper face at a position to reduce game balls flowed down in a double stacked layer condition to a one layer condition to arrange and control the balls wherein the first recess face 53a is formed to have a curvature larger than that of the second recess face 53b.例文帳に追加

この傾斜穴２０には、遊技球が１段となって１個ずつ前進する位置の後方であって、２段重ね状態で流下する遊技球を１段に減少させて整列規制する位置における傾斜上面に、第１の凹曲面５３ａ及び第２の凹曲面５３ｂを配し、第１の凹曲面５３ａに比べて第２の凹曲面５３ｂを大きな曲率とする。 - 特許庁

The paper feeding device 2 has a lift plate 16 for lifting up a leading end PSa side of a paper layer PS; and a fan 14 for sucking the first paper P1 of the paper layer PS lifted up by the lift plate 16 and blowing air between the first paper P1 and the second paper P2 positioned at its lower side to separate the two sheets of paper P1, P2.例文帳に追加

給紙装置２は、用紙層ＰＳの先端ＰＳａ側を持ち上げるためのリフト板１６と、リフト板１６によって持ち上げられた用紙層ＰＳの第１枚目の用紙Ｐ１を吸引し、かつ、第１枚目の用紙Ｐ１とその下側にある第２枚目の用紙Ｐ２との間に送風してこれら２枚の用紙Ｐ１，Ｐ２を分離するためのファン１４と、を有している。 - 特許庁

A surface layer 4, at least high in seed defect density, is removed in a first conductive silicon carbide epitaxial film 2 grown from the front surface of the first conductive silicon carbide single crystal substrate 1 by chemical vapor deposition method, and thereafter, a second conductive silicon carbide epitaxial film 3 is made to grow from the front surface of the silicon carbide epitaxial film 2, whose surface layer 4 is removed.例文帳に追加

化学気相蒸着法によって第１導電型の炭化珪素単結晶基板１の表面から成長させた第１導電型の炭化珪素エピタキシャル膜２における少なくとも種欠陥密度が高い表層４を除去した後、表層４を除去した炭化珪素エピタキシャル膜２の表面から第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させる。 - 特許庁

This organic EL spotlight is equipped with an organic EL illumination panel 1, in which an organic EL layer formed by holding an organic luminescent layer containing at least a luminescent layer between a translucent first electrode layer and a reflective second electrode layer is disposed on a translucent substrate, and an engagement member 2 provided in the organic EL illumination panel 1 and rotatably engaged with a mounting member disposed on a mounting surface.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬスポットライト等は、透光性の第１電極層及び反射性の第２電極層によって少なくとも発光層を含む有機発光層を挟んで成る有機ＥＬ層を透光性の基板上に配設し、前記基板と協同して前記有機ＥＬ層を封止する封止部材を備える有機ＥＬ照明パネル１と、有機ＥＬ照明パネル１に設けられた、取付け面に配設された取付け部材と回転可能に係合する係合部材２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In this phase-change type optical recording medium, at least a first protective layer, the recording layer, a second protective layer and a reflecting layer are provided on a substrate in this order or reverse order; electromagnetic-wave irradiation causes a reversible change between a crystal phase and an amorphous phase on the recording layer; and at least the recording and reproduction of information are performed by utilizing the optical change.例文帳に追加

基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有し、電磁波の照射により記録層に結晶相と非晶相の可逆的な相変化を生じ、その光学的な変化を利用して少なくとも情報の記録、再生が行われる相変化型光記録媒体において、記録層がＳｂとＳｂ以外の一つの元素を主成分とする記録材料で構成され、次の条件を満足することを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The transparent electrode includes a first transparent conductive layer containing conductive fibers on a transparent base and a conductive polymer compound having a structure unit expressed by general formula (I), or a second transparent conductive layer containing a conductive polymer compound having a structure unit expressed by the general formula (I) on the first transparent conductive layer.例文帳に追加

透明基材上に、導電性繊維を含有する第一の透明導電層を有する透明電極であって、該透明電極は、該第一の透明導電層が下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有する導電性高分子化合物を含有するか、または該第一の透明導電層上に下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有する導電性高分子化合物を含有する第二の透明導電層を有することを特徴とする透明電極。 - 特許庁

The organic EL element comprises a substrate having a first electrode, a surface of the substrate on which a hydrophilic/hydrophobic region can be formed by granting energy thereto, at least one organic compound layer containing an organic luminous layer, provided on the hydrophilic region after forming the hydrophilic region on the first electrode by granting the energy to the surface in an imaging manner, and a second electrode provided on the organic compound layer.例文帳に追加

第１の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられたエネルギー付与により新／疎水性領域を形成し得る表面と、該表面に画像様にエネルギー付与を行って、前記第１の電極上に親水性領域を形成させた後、該親水性領域上に設けられた有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層と、該有機化合物層上に設けられた第２の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁

The electron emission layer is made up of a plurality of layers, and a first electron emission layer formed on the first conductive member uses insulator particles with smaller average particle diameters as compared with those of the second electron emission layer.例文帳に追加

第一の導電性部材と、第二の導電性部材が互いに向かい合うように形成され、該導電性部材間に電圧を印加することにより、電子を放出する電子放出素子であって、前記第一の導電性部材と第二の導電性部材間に、絶縁体粒子を有する電子放出層が形成され、電子放出層は複数の層からなり、第一の導電性部材上に形成される第一の電子放出層は第二の電子放出層より平均粒径の小さい絶縁体粒子を用いている。 - 特許庁

Namely, the signal characteristics are defined by a condition that the adjacent recording layer (first layer) is in an already-recorded state with less leakage as shown in Figure (b) on definition of the various signals of the optical information recording medium having a plurality of the recording layers.例文帳に追加

即ち、複数の記録層を持つ光情報記録媒体の各種信号規定について、図５（ｂ）に示すように、隣接する記録層（第１層）が漏れ込みの少ない既記録状態である条件で各種信号の特性を規定することで、課題を解決するようにした。 - 特許庁

The method includes the steps of forming a mask layer 2 having a plurality of openings, which are arranged one or two dimensionally, on a first-conductive-type or semi-insulating semiconductor substrate 1, and selectively growing a plurality of semiconductor layers 3a, 3b, and 3c including an absorption layer 3b in the openings.例文帳に追加

第１導電型または半絶縁性の半導体基板１上に、一次元または二次元に配列された複数の開口部を有するマスク層２を形成する工程と、前記開口部に受光層３ｂを含む複数の半導体層３ａ、３ｂ、３ｃを選択成長させる工程とを含む。 - 特許庁

A light emitting element includes: an anode 71 as one example of a first electrode, a cathode 73 as one example of a second electrode paired with the anode 71, a third electrode 79 not contributing to the light emission of a light emitting layer 72, and the light emitting layer 72 disposed between the anode 71 and the cathode 73.例文帳に追加

第１電極の一例としての陽極７１と、陽極７１と対をなす第２電極の一例としての陰極７３と、発光層７２の発光には寄与しない第３電極７９と、陽極７１と陰極７３との間に配置された発光層７２と、を備える。 - 特許庁

This lens manufacturing method includes a first process for forming a layer comprising an optical material on a curved surface by the relative scanning of a nozzle with respect to the curved surface and the discharge of the optical material from the nozzle and a second process for curing the layer comprising the optical material to form a lens.例文帳に追加

レンズの製造方法が、曲面に対するノズルの相対走査と前記ノズルからの光学材料の吐出とによって前記曲面上に前記光学材料の層を形成する第１の工程と、前記光学材料の層を硬化してレンズを形成する第２の工程と、を含む。 - 特許庁

The method of forming the PCMO thin film having a bipolar switching characteristic comprises: a step 602 of forming a lower electrode; a first deposition step 606 of depositing an ultrafine crystal PCMO layer; a second deposition step 608 of depositing a polycrystalline PCMO layer; and a step 610 of forming a multilayer PCMO film having a bipolar switching characteristic.例文帳に追加

下部電極を形成する工程６０２と、超微細結晶ＰＣＭＯ層を堆積する第１堆積工程６０６と、多結晶ＰＣＭＯ層を堆積する第２堆積工程６０８と、バイポーラスイッチング特性を備える多層ＰＣＭＯ膜を形成する工程６１０と、を有する。 - 特許庁

In annealing, the temperature is given a distribution in the plane of an SiC wafer 1, and the part of the boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 which is parallel to the <11-20> or <1-100> is activated first and crystals are reoriented.例文帳に追加

そして、アニール処理においてＳｉＣウェハ１の面内において温度分布を持たせ、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線のうち＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行な部分からアクティブ化すると共に結晶を再配列させるようにする。 - 特許庁

A partition wall 53 is formed in the turbine wheel 50 so as to partition a clearance between the wheel main body 51 and a wall face of the turbine chamber 31 into an inner layer CLi to which the exhaust blows from the first exhaust passage 34 and an outer layer CLo to which the exhaust blows from the second exhaust passage 35.例文帳に追加

タービンホイール５０にはホイール本体５１とタービン室３１の壁面との間隙を、第１の排気流路３４から排気が吹き付けられる内側層ＣＬｉと第２の排気流路３５から排気が吹き付けられる外側層ＣＬｏとに仕切る仕切り壁５３が形成される。 - 特許庁

Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed.例文帳に追加

その語、第２配線用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１配線層４ａを形成するのと同時に第２配線層７を形成する。 - 特許庁

To transmit recording light or reproducing light for recording/ reproducing with respect to a first recording layer 3 with high transmissivity without making thin a second recording layer 5 arranged on a side to make incident the recording light or the reproducing light in an optical recording medium having two or more recording layers.例文帳に追加

２層以上の記録層を有する光記録媒体において、記録光又は再生光が入射する側に配された第２の記録層５の膜厚を薄くすることなく、第１の記録層３の記録再生を行うための記録光又は再生光を高い透過率にて透過させる。 - 特許庁

The reflecting electrode 2 formed on a substrate 1 has a first Al-(Ni/Co)-X alloy layer 2a containing X of Ni and/or Co of 0.1-2 atom% and La or the like of 0.1-2 atom% and a second Al oxide layer 2b containing Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に形成される反射電極２は０．１〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＬａなどのＸを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金層２ａと、ＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂとを有している。 - 特許庁

A method of manufacturing a gas tank includes: a first step of winding a fiber impregnated with a thermosetting resin around the outer circumference of a container 20 to form the fiber reinforced resin layer 21 on the outer circumference of the container 20; and a second step of thermally setting the fiber reinforced resin layer 21.例文帳に追加

ガスタンクの製造方法は、熱硬化性樹脂が含浸された繊維を内容器２０の外周に巻回して内容器２０の外周に繊維強化樹脂層２１を形成する第１の工程と、繊維強化樹脂層２１を熱硬化する第２の工程と、を有している。 - 特許庁

On the liquid crystal layer side of the first substrate, a plurality of gate lines 12, a plurality of source lines 14, a TFT element 20, and a pixel electrode 16 electrically connected to the TFT element 20 are placed, while a common electrode is placed on the liquid crystal layer side of the second substrate.例文帳に追加

第１の基板の液晶層側には、複数のゲート線１２と、複数のソース線１４と、ＴＦＴ素子２０と、ＴＦＴ素子２０に電気的に接続された画素電極１６とが配置され、第２の基板の液晶層側には共通電極が配置されている。 - 特許庁

The second substrate 30 onto which the uppermost layer portion 12b of the density region 12 is transferred is used as a semiconductor substrate to be acquired by this method, and the first substrate 20 in which the lower layer 12a of the density region 12 remains is re-utilized as a substrate as epitaxial growth.例文帳に追加

低転位密度領域１２の表層部１２ｂが転写された第２の基板３０は本発明の製造方法で得られる半導体基板とされ、低転位密度領域１２の下層部１２ａが残存した状態の第１の基板２０は再度エピタキシャル成長用の基板として利用される。 - 特許庁

A lens sheet 30 comprises: a sheet-like translucent substrate 33; a lens layer 32 arranged on a first face of the sheet-like translucent substrate 33 and provided with a plurality of substantially parallel lens arrays; and a light diffusion layer 34 arranged on a second face of the sheet-like translucent substrate 33.例文帳に追加

レンズシート３０は、シート状透光性基材３３と、シート状透光性基材３３の第１の面に付されており且つ略平行な複数のレンズ列を有するレンズ層３２と、シート状透光性基材３３の第２の面に付された光拡散層３４とを備える。 - 特許庁

A metal silicide film is formed only on the surface of the gate electrode out of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the first transistor of a memory cell array, and a metal silicide film is formed on the surfaces of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the second transistor of a logic circuit.例文帳に追加

また、メモリセルアレイ部の第１のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極のうちゲート電極の表面のみに金属シリサイド膜が形成され、ロジック回路部の第２のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極の表面に金属シリサイド膜が形成される。 - 特許庁

The tip of the welding rib 19 welds only to the solid portion by fusing itself while fusing the thin walled solid layer 13 by pressingly and contactingly vibrating against the thin walled solid layer 13 corresponding to the thick walled solid part 17 so as to weldingly integrate the first resin panel 3 and the second resin panel 5.例文帳に追加

溶着リブ１９先端を、厚肉ソリッド部１７に対応する薄肉ソリッド層１３との圧接振動により薄肉ソリッド層１３を溶融させつつ自身も溶融してソリッド部分のみと溶着させ、第１樹脂パネル３と第２樹脂パネル５とを溶着一体化する。 - 特許庁

The patch preparation has the pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a substrate, wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises a first synthetic rubber having a viscosity-average molecular weight of 1,600,000-6,500,000, a drug, an organic liquid component, and a tackifier.例文帳に追加

本発明は、支持体の少なくとも片面に粘着剤層を備える貼付製剤であって、該粘着剤層は、粘度平均分子量１，６００，０００〜６，５００，０００の第一の合成ゴム、薬物、有機液状成分およびタッキファイヤーを含む、貼付製剤を提供する。 - 特許庁

Then, in the Ni-P film 8, the first layer 10 has a P content of 3 to 6 wt.%, and the second layer 11 has a P content of >6 to 9 wt.%, and the thickness thereof is 0.1 to 1.0 μm.例文帳に追加

そして、Ｎｉ−Ｐ皮膜８のうち、第１層１０は、Ｐ含有率が３重量％以上６重量％以下であり、第２層１１は、Ｐ含有率が６重量％を超えかつ９重量％以下であってその厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。 - 特許庁