「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(404ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the corresponding optical signal passes through the first film layer, the semiconductor substrate, and the second film layer, and enters the optical waveguide structure, and is transmitted therethrough, or the optical signal is transmitted in a reverse direction, received by the optical/electrical signal conversion device, and converted into a corresponding electrical signal.例文帳に追加

また、対応光信号は、第１膜層と、半導体基板と、第２膜層とを通り抜け、光導波路構造に入って伝送され、または光信号は逆方向で伝送されて光電気信号変換デバイスにより受信され対応電気信号に変換される。 - 特許庁

At least a part of at least one power source line among the plurality of power source lines 103R, 103G, and 103B is formed by a conductive film arranged on a first wiring layer 135 and a conductive film arranged on a second wiring layer 136, thereby narrowing a line width of each power source line.例文帳に追加

複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

The fixing device is provided with a fixing rotating body 21 having a first heat generating layer that is electromagnetic induction-heated by an exciting coil part 25; and a heat generating member 23 having a second heat generating layer that is electromagnetic induction-heated by the exciting coil part 25 facing it through the fixing rotating body 21.例文帳に追加

励磁コイル部２５によって電磁誘導加熱される第１発熱層を具備する定着回転体２１と、定着回転体２１を介して対向する励磁コイル部２５によって電磁誘導加熱される第２発熱層を具備する発熱部材２３と、を備える。 - 特許庁

When compressing a source image by means of a compression processing section (image compressor) 3, in a color image processing apparatus 2, an edge of a black character and/or line drawing in the source image is detected, a foreground layer (first image) is produced by representing the detected edge as a binary image, and the foreground layer is reversibly compressed.例文帳に追加

カラー画像処理装置２は、圧縮処理部（画像圧縮装置）３で、原画像を圧縮する際に、原画像中の黒色の文字及び／又は線画のエッジを検出し、検出したエッジを２値画像で表した前景レイヤ（第１画像）を生成し、前景レイヤを可逆圧縮する。 - 特許庁

To provide a consumable electrode type arc welding method by which tolerance to deviation from aim in a first layer is high, sufficient penetration is obtained and also the generation of spatters is suppressed, in a multi-layer welding method of the consumable electrode type arc welding using carbon dioxide gas.例文帳に追加

炭酸ガスを使用した消耗電極式アーク溶接方法の多層盛溶接方法において、初層盛の溶接にて狙いずれに対する許容度が高く、十分な溶け込みが得られると共に、スパッタの発生も抑制することができる消耗電極式アーク溶接方法を提供する。 - 特許庁

To provide: an organic electroluminescent device having a first optical path length-adjusting layer made of an organic material and a second optical path length-adjusting layer made of an inorganic material, and with durability improved; a method of manufacturing the organic electroluminescent device with its manufacturing process simplified; and an organic electroluminescent display.例文帳に追加

有機材料からなる第１の光路長調整層及び無機材料からなる第２の光路長調整層を有し、耐久性が向上した有機電界発光装置、及び製造プロセスを簡易化する有機電界発光装置の製造方法、並びに有機電界発光ディスプレイの提供。 - 特許庁

Accordingly, the intrusion of the stress-relaxation layer material B to the forming section of a first bonding pad 2 can be prevented even when the stress-relaxation layer material B intrudes into a fine opening (d) formed between a silicon wafer A and the metal mask 11A by a capillary phenomenon.例文帳に追加

これにより、シリコンウエハＡとメタルマスク１１Ａとの間に形成される微小な隙間ｄ内に毛細管現象により応力緩和層材料Ｂが侵入したとしても、第１ボンディングパッド２の形成部への応力緩和層材料Ｂの侵入を防止することができる。 - 特許庁

When laser light is radiated to the recording layer (laminated recording layer) 18, main component metals contained in the first and second subsidiary recording layers 18A and 18B are diffused and mixed by irradiation, and a recording mark which has had the reflection factor unreversibly changed is formed by this mixture.例文帳に追加

レーザ光を記録層（積層記録層）１８に対して照射すると、第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂに含まれる主成分金属が照射により拡散して混合され、この混合によって反射率が不可逆的に変化した記録マークが形成される。 - 特許庁

A capacitor C is composed by a lower electrode L1a formed of a first wiring layer L1, an upper electrode L2a formed of a second wiring layer L2, and an interlayer insulating film 12a interposed thereby, and is formed between a substrate 10 and a pad 5 on a pad arrangement region 4.例文帳に追加

パッド配置領域４上で基板１０とパッド５との間には、第１の配線層Ｌ１に形成された下部電極Ｌ１ａと、第２の配線層Ｌ２に形成された上部電極Ｌ２ａと、それらに挟まれた層間絶縁膜１２ａとから構成されるキャパシタＣが形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal device (transmissive liquid crystal device) 1 has a first substrate 10, a second substrate 20 opposed thereto, and a liquid crystal layer 50 between them, the liquid crystal layer 50 being formed of liquid crystal which is initially aligned in a vertical direction and has negative dielectric anisotropy.例文帳に追加

本発明の液晶装置（透過型液晶装置）１は、第１基板１０と、これに対向する第２基板２０と、これら基板間に液晶層５０とを備え、液晶層５０は初期配向状態が垂直配向でありかつ誘電体異方性が負の液晶によって形成されている。 - 特許庁

The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.例文帳に追加

誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 - 特許庁

The light emitting module 10 has: a metal substrate 12; multilayer interconnections (first and second interconnection layers 14, 18) formed on the upper surface of the metal substrate 12; and a light-emitting device 20 electrically connected to the upper layer, namely the second interconnection layer 18.例文帳に追加

本発明の発光モジュール１０は、金属基板１２と、金属基板１２の上面に形成された多層配線（第１配線層１４および第２配線層１８）と、上層の第２配線層１８に電気的に接続された発光素子２０とを備えた構成となっている。 - 特許庁

A variable resistance element unit 100 consists of a first electrode 111 and a variable resistance layer 120 which are overlaid in this order on one main surface of the board 10, and a second electrode 112 overlaid on a part of the main surface of the variable resistance layer 120.例文帳に追加

可変抵抗素子部１００は、基板１０の一方の主表面上に第１電極１１１と可変抵抗層１２０とが順に積層され、さらに可変抵抗層１２０の主表面上における一部領域に第２電極１１２が積層形成され構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly comprises (i) a process of forming an electrolyte membrane by coating electrolyte or electrolyte solution on one of the faces of a first damage-preventing layer, and (ii) a process of bonding a second damage-preventing layer on an upper face of the electrolyte membrane.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の作製方法は、ｉ）第１の破損防止層の一方の面上に、電解質または電解質溶液を塗布することにより電解質膜を形成する工程と、ｉｉ）電解質膜の上面に、第２の破損防止層を接着する工程と、を備える。 - 特許庁

Further, the semiconductor apparatus has a metal layer (for example, first and second barrier metals 4 and 5) formed to be in contact with the electrode pad via the opening 2a such that its periphery resides over the coating insulating film 2 outside the opening 2a, and a bump 6 provided on the metal layer.例文帳に追加

更に、開口２ａを介して電極パッドに接するように形成され、周縁部が開口２ａの外側において被覆用絶縁膜２上に乗り上げている金属層（例えば、第１及び第２バリアメタル４、５）と、金属層上に設けられているバンプ６を有する。 - 特許庁

The game machine 100 includes an execution part 51 which reads the game software from the ROM layer, and a user data generation part 53 which obtains user data 42 generated accompanied with execution of the game software and being data about the user, and a first recording part 54 recording the obtained user data 42 in the RE layer.例文帳に追加

ゲーム機１００は、ＲＯＭ層から、ゲームソフトを読み出し実行する実行部５１と、ゲームソフトの実行に伴い生成される、ユーザに関するデータであるユーザデータ４２を取得するユーザデータ生成部５３と、取得したユーザデータ４２を、ＲＥ層に記録する第一記録部５４とを備える。 - 特許庁

By fine unevenness on the surface of the substrate 1 formed by the nano particle arrangement layer 5, fine unevenness can be formed on each surface of the first electrode 2, the luminous layer 3, and the second electrode 4, and a fine concavo-convex structure is formed in the interface of each layers to alleviate total reflection.例文帳に追加

ナノ粒子配列層５によって形成される基板１の表面の微細な凹凸によって、第一電極２、発光層３、第二電極４の各表面に微細な凹凸を形成することができ、各層の界面に微細な凹凸構造を形成して全反射を緩和することができる。 - 特許庁

A hetero-junction field-effect semiconductor device includes an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, a source electrode 6, a drain electrode 7, a gate electrode 8, a first insulating film 9 made of silicon oxide, and a second insulating film 10 made of silicon nitride.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る第１の絶縁膜９と、シリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０とを有している。 - 特許庁

First and second optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a single layered recording layer and third and fourth optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a double layered recording layer are selectively mounted on an optical disk device.例文帳に追加

光ディスク装置には、記録膜の特性が互いに異なり共に単層記録層を有する第１及び第２光ディスク、及び記録膜の特性が互いに異なり共に２層記録層を有する第３及び第４光ディスクを含む光ディスクが選択的に装着される。 - 特許庁

The decal consists of a photopolymer hologram 11 having recorded hologram interference fringes, a transparent pressure sensitive adhesive layer 13 applied on a first surface of the photopolymer hologram 11, and a transparent hard coating layer 15 applied on a second surface of the photopolymer hologram 11.例文帳に追加

記録されたホログラム干渉縞を有するフォトポリマーホログラム11と、フォトポリマーホログラム11の第１の表面上に配置された透明な圧力感応接着剤層13と、フォトポリマーホログラム11の第２の表面上に配置された透明な硬質被覆層15とを具備していることを特徴とする。 - 特許庁

A process for forming more than one layer of laminated layer units a to d is executed by filling first metals 13a to 13d in through patterns after forming resists 12a to 12d having the through patterns on a substrate 11 conductive or having a conductive film on the surface.例文帳に追加

導電性または表面に導電性の膜を有する基板１１上において、貫通パターンを有するレジスト１２ａ〜１２ｄを形成した後に、貫通パターンに第１の金属１３ａ〜１３ｄを充填して、積層単位ａ〜ｄを１層以上形成する工程を実施する。 - 特許庁

The movable microstructure 100 of the semiconductor is formed with an insulating film 102 composed of silicon oxide or the like on the semiconductor substrate 101 composed of a silicon substrate or the like, and a first electrode layer 110 and a second electrode layer 120 made of polysilicon or the like are formed thereon.例文帳に追加

半導体装置の微小可動構造体１００は、シリコン基板などで構成される半導体基板１０１の上に酸化シリコンなどで構成される絶縁膜１０２が形成され、その上に、ポリシリコンなどで第１電極層１１０及び第２電極層１２０が形成されている。 - 特許庁

The production of the air bridge 100 includes a step that performs first local etching being selective so that the sub-collector layer is etched in a horizontal direction under the bridge, and a step that performs second local etching being selective so that at least the collector layer is etched in a vertical direction.例文帳に追加

エアブリッジ１００の作成がブリッジの下で、サブコレクタ層を横方向にエッチングするように選択的である第１の局所エッチングを実施するステップと、ブリッジの下で、少なくともコレクタ層を縦方向にエッチングするように選択的である第２の局所エッチングを実施するステップとを含む。 - 特許庁

Upon manufacturing the catalyst layer, the catalyst layer is manufactured by a first process for heat-treating the mixture of the catalyst powder and fluoride resin, a second process for crushing the acquired calcined object, and a third process for film-making and drying up after mixing the crushed calcined powder and ionomer solution.例文帳に追加

触媒層を製造するに際し、触媒粉末とフッ素樹脂との混合物を熱処理する第１工程と、得られた焼成体を粉砕する第２工程と、粉砕焼成粉末とイオノマー溶液とを混合した後、製膜、乾燥する第３工程により製造した。 - 特許庁

This structure is manufactured by one-time trench formation and one-time trench embedding epitaxial growth, by making the width and pitch of the trench for forming the second p-semiconductor layer 3b different from the width and pitch of the trench for forming the first p-semiconductor layer 2b.例文帳に追加

この構造を、第２のｐ半導体層３ｂを形成するためのトレンチの幅とピッチを、第１のｐ半導体層２ｂを形成するためのトレンチの幅とピッチと異ならせることにより、１回のトレンチ形成と１回のトレンチ埋め込みエピタキシャル成長により作製する。 - 特許庁

In place of the above structure, a first layer containing the ammonia adsorbing material A and a NOx reduction catalyst in a mixed state, and a second layer containing a hydrolysis catalyst are coated in this order on the surface of the carrier 18A of the NOx reduction catalytic converter 18.例文帳に追加

また、このような構成に代えて、ＮＯｘ還元触媒コンバータ１８の担体１８Ａの表面に、アンモニア吸着材及びＮＯｘ還元触媒が混合状態で含有される第１の層と、加水分解触媒が含有される第２の層と、をこの順番でコーティングする。 - 特許庁

A power module according to the present invention comprises a surface side solder layer 45 formed between a surface electrode 25 and a second electrode pad 5a of a semiconductor element 20, and a rear face side solder layer 43 formed between a back electrode 23 and a first electrode pad 3a.例文帳に追加

本発明に係るパワーモジュールでは、半導体素子２０の表面電極２５と第２電極パッド５ａとの間に表面側半田層４５が形成され、半導体素子２０の裏面電極２３と第１電極パッド３ａとの間に裏面側半田層４３が形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal aberration correction device 4 corrects wave aberration of a light beam advancing to the objective lens, and has a liquid crystal molecule layer 24, a first electrode pattern 41-45 arranged on one surface of the liquid crystal molecule layer and a second electrode pattern arranged on the other surface thereof.例文帳に追加

対物レンズに向かう光線の波面収差を補正する液晶収差補正装置４であって、液晶分子層２４と、液晶分子層の一方の面に備えられた第１の電極パターン４１〜４５と、他方の面に備えられた第２の電極パターンとを有する。 - 特許庁

A flexible printed wiring board 1 is provided with a first polyimide system resin layer 3 to support a copper foil on one surface of the copper foil 2 patterned corresponding to the circuit, and a second polyimide system resin layer 5 to coat and protect the circuit on the other surface of the copper foil 2.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板１は、回路に応じてパターニングされた銅箔２の一方の面に銅箔２を支持する第１のポリイミド系樹脂層３が形成されるとともに、銅箔２の他方の面に上記回路を被覆して保護する第２のポリイミド系樹脂層５が形成されてなる。 - 特許庁

In the decorative sheet S, a surface-matte and transparent first resin base material sheet 1 made of a matte agent-added fluororesin, a transparent second resin base material sheet 2 made of acrylic resin wit no matte agent added thereto, and further, suitably, a decorative layer 4 and an adhesive layer 5 are laminated in order from the surface.例文帳に追加

表面から順に、艶消し剤を添加したフッ素樹脂からなる表面艶消しで透明な第１樹脂基材シート１と、艶消し剤無添加のアクリル樹脂からなる透明な第２樹脂基材シート２、更に適宜装飾層４及び接着剤層５を積層した加飾シートＳを用いる。 - 特許庁

The exposure mask comprising a first layer portion 13 provided with an opening pattern 13a and a second layer portion 14 provided with an opening pattern 14a which are laminated, wherein the opening patterns 13a and 14a are disposed in a state of partly intersecting with each other.例文帳に追加

開口パターン１３ａが設けられた第１層部分１３と、開口パター１４ａが設けられた第２層部分１４とを積層してなる基板１２を備えた露光マスク１０であり、開口パターン１３ａと開口パターン１４ａとは、部分的に交差させた状態で配置されている。 - 特許庁

The second insulating layer 40 is provided with a plurality of conductive connection parts 73a, 73b penetrating the second insulating layer 40, and the respective division wiring parts 51b, 51c of the first wiring 51 are connected to the connection wiring part 31 through corresponding conductive connection parts 73a, 73b.例文帳に追加

第２絶縁層４０に、第２絶縁層４０を貫通する複数の導電接続部７３ａ、７３ｂが設けられ、第１配線５１の各分割配線部５１ｂ、５１ｃは、対応する導電接続部７３ａ、７３ｂを介して、接続配線部３１に接続されている。 - 特許庁

The first kind ferroelectric memory MC1 is provided with such an adhesion layer 25 being in contact with the lower surface of a lower electrode 24 that is made of titanium oxide, and the second ferroelectric memory MC2 is provided with such an adhesion layer 26 being in contact with the lower surface of the lower electrode 24 that is made of tantalum oxide.例文帳に追加

第１種の強誘電体メモリ素子ＭＣ１は、例えば下部電極２４の下面に接触する密着層２５が酸化チタンで形成されており、第２種の強誘電体メモリ素子ＭＣ２は、下部電極２４の下面に接触する密着層２６が酸化タンタルで形成されている。 - 特許庁

A solid-state imaging device 100 is configured to include: a substrate 101; a photoelectric conversion part 10; a first impurity layer 51 having a carrier polarity of a second conductive type; a charge voltage conversion part; an amplifying part; and a second impurity layer 52 having a carrier polarity of a second conductive type.例文帳に追加

固体撮像装置１００を、基板１０１と、光電変換部１０と、キャリア極性が第２の導電型である第１不純物層５１と、電荷電圧変換部と、増幅部と、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層５２とを備える構成とする。 - 特許庁

In the second process B, after raising the temperature of the substrate up to the film-forming temperature, the starting gas is supplied to the substrate to perform film-forming treatment (205) by a thermal CVD method, and the RPO treatment is performed for forming (206) the second film layer of a given thickness on the first film layer.例文帳に追加

第２薄膜層形成工程Ｂは、基板温度を成膜温度まで昇温後、熱ＣＶＤ法により基板上に原料ガスを供給して成膜処理した後（２０５）、ＲＰＯ処理して第１薄膜層上に第２の薄膜層を所定膜厚だけ形成する（２０６）。 - 特許庁

The optical waveguide layer 3 is further provided with first holders 36a, 36b and second holders 37a, 37b that include the parts 32d-32g situated in the same layer and composed of the same material as the cores 32a, 32b and that hold the wavelength filter 4 sandwiched in-between.例文帳に追加

光導波路層３は、コア部３２ａ及び３２ｂと同じ層に位置するとともに同じ材料からなる部分３２ｄ〜３２ｇを含み波長フィルタ４を互いの間に挟み込んで保持する第１の支持部３６ａ、３６ｂ及び第２の支持部３７ａ、３７ｂを更に有する。 - 特許庁

In an area of at least one substrate CF in the first substrate and the second substrate, the area where the sealing material overlaps, such a color layer 9 is formed that transmits light in a shorter wavelength area than in the color layer that mainly transmits light at the shortest wavelength in the plurality of color layers.例文帳に追加

第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の基板ＣＦのシール材と重なる領域には、複数の着色層のうち主として透過する光の波長が最も短い着色層よりも、短波長側の光を透過する着色層９が形成されている。 - 特許庁

This capsule-like micro light emitting element comprises a light emitting part having at least a light emitting layer 13 and constituting one pixel, a capsule-like sealing layer 17 independently sealing the light emitting part, and a first electrode 11 and a second electrode 15 for applying a voltage to the light emitting part.例文帳に追加

発光層１３を少なくとも有し且つ一画素を構成する発光部と、前記発光部を個別に封止するカプセル状の封止層１７と、前記発光部に電圧を印加するための第一電極１１及び第二電極１５とを備えることを特徴とするカプセル状マイクロ発光素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which even after undergoing a repetitive cold cycle, still has high bonding reliability of a first solder layer bonding a circuit-side metal plate and a semiconductor element together and a second solder layer bonding a heat-dissipation-side metal plate and a heat dissipation base plate together.例文帳に追加

繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を有する半導体モジュールを提供することである。 - 特許庁

To provide a method of designing an electronic circuit apparatus, a method of forming electron beam exposure data, and a method of exposing electronic beam, which control a total of the number of block preparation of a contact layer and a first metal wiring layer, in an especially frequently used cell within the maximum number to be mounted on a block mask to shrink the shot number.例文帳に追加

電子回路装置設計方法、電子ビーム露光データ作成方法、及び、電子ビーム露光方法に関し、特に多く使用されるセルのコンタクト層と第１メタル配線層のブロック作成数の合計を、ブロックマスクに搭載できる最大の個数以内に抑えて、ショット数を圧縮する。 - 特許庁

In the semiconductor device wherein a first layer wiring M1, a second wiring layer M2, and a third wiring M3 are situated under a plurality of electrode pads PD1-PDn arranged in the active region, the occupancy of each wiring in the region of the electrode pads PD is made uniform.例文帳に追加

半導体チップのアクティブ領域に配置された複数の電極パッドＰＤ１〜ＰＤｎ下の第１層配線Ｍ１、第２層配線Ｍ２および第３層配線Ｍ３の配線層毎に、電極パッドＰＤの領域内に配置される配線の占有率が均一になるようにした。 - 特許庁

A transparent electrode 2, a first photovoltaic element 3 where an amorphous silicon film is used as an optically active layer, a reflecting film 4, a second photovoltaic element 5 where a microcrystal silicon film is used as an optically active layer, and a back electrode 6, are successively formed on a support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１上に、透明電極２、非晶質シリコン膜を光活性層に用いる第１の光起電力素子３、反射膜４、微結晶シリコン膜を光活性層に用いる第２の光起電力素子５および裏面電極６が順に形成されている。 - 特許庁

The common mode choke coil is provided with leading-out conductors 31, 32 formed on a resin insulating layer 15B, and in the resin insulating layer 15B, a recess 53 is formed on a region between a first portion 51 covered with the leading-out conductor 31 and a second portion 52 covered with the leading-out conductor 32.例文帳に追加

樹脂絶縁層１５Ｂ上に形成された引き出し導体３１，３２を備え、樹脂絶縁層１５Ｂには、引き出し導体３１に覆われた第１の部分５１と、引き出し導体３２に覆われた第２の部分５２との間の領域において、凹部５３が形成されている。 - 特許庁

First and second optical retardation plates 110, 130 are stuck to front and rear faces of a liquid crystal cell 410 comprising a liquid crystal layer and a pair of substrates interposing the liquid crystal layer, and further polarizing plates 120, 140 are stuck to the respective optical retardation plates so as to make the absorption axes form 90° angle with each other.例文帳に追加

液晶層と、これを狭持する一対の基板よりなる液晶セル４１０の表裏には、第１および第２位相差板１１０，１３０が貼着され、さらにそれぞれの位相差板上に吸収軸が互いに９０°となるように偏光板１２０，１４０が貼着されている。 - 特許庁

The process for producing a substrate for solar cell comprises (i) a step for forming an insulation layer 12 of first insulating material on a metal plate 11 by sol-gel method, and (ii) a step for forming an insulation portion 14 of second insulating material on the surface of the metal plate 11 at a part facing the pinhole portion of the insulation layer 12.例文帳に追加

（ｉ）金属板１１上に、ゾル・ゲル法で第１の絶縁材料からなる絶縁層１２を形成する工程と、（ii）絶縁層１２のピンホール部分に面する金属板１１の表面に、第２の絶縁材料からなる絶縁部１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁