「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(400ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

A light-emitting device includes a light source 13 including a light-emitting element 11 comprising a polyhedron for emitting first-wavelength light and a wavelength conversion layer 12 containing phosphor for converting the first-wavelength light to second-wavelength light having a wavelength longer than the first wavelength, and a light-transmitting member 14 provided at a light extraction side of the light source 13.例文帳に追加

第１波長の光を出射する多面体からなる発光素子１１と、第１波長の光を第１波長よりも波長の長い第２波長の光に変換する蛍光体を含有する波長変換層１２と、を含む光源１３と、光源１３の光取出し側に設けられた透光性部材１４と、を備える発光装置である。 - 特許庁

A first protrusion electrode 103 and a second protrusion electrode 104 at ends of the first spiral electrode 101 and the second spiral electrode 102 that are opposite to the connection electrode 105 have a shape extending in a direction perpendicular to the plane, have a length at which each of the protrusion electrodes protrudes from the first magnetic layer 11, and function as the end electrodes of the inductor 1.例文帳に追加

第１スパイラル電極１０１と第２スパイラル電極１０２の接続電極１０５側と反対の端部である第１突起電極１０３および第２突起電極１０４は、前記平面に垂直な方向へ延びる形状からなり、第１磁性体層１１からも突出する長さを有し、インダクタ１の両端電極として機能する。 - 特許庁

The capacitive type touch panel includes a first conductive film with resistance anisotropy, a second conductive film having plurality of conductive structures, and an insulating layer positioned between the first conductive film and the second conductive film, and a conductive direction of the conductive structure in the second conductive film is orthogonal to a minimum-resistance direction of the first conductive film.例文帳に追加

本発明の静電容量式タッチパネルは、抵抗異方性を有する第一導電膜と、複数の導電構造を有する第二導電膜と、前記第一導電膜と前記第二導電膜との間に位置する絶縁層と、を備え、前記第二導電膜の導電構造の導電方向は、前記第一導電膜の最小抵抗方向に直交する。 - 特許庁

To provide a touch screen panel in which first sensing cells arranged in a first direction and second sensing cells arranged in a second direction are formed on the same layer, and first connection patterns an/or second connection patterns are made of a same material as that of a metal pattern formed at the periphery of the touch screen panel to reduce static electricity vulnerability of the connection patterns.例文帳に追加

同じレイヤ上に第１方向に配列される第１感知セルと第２方向に配列される第２感知セルが形成され、第１連結パターン及び／又は第２連結パターンをタッチスクリーンパネルの外郭に形成される金属パターンと同一材質で実現して連結パターンの静電気に対する脆弱性を改善するタッチスクリーンパネルを提供する。 - 特許庁

The micro-shutter includes: a reflective layer which includes a plurality of first openings transmitting a portion of external light, and reflecting the remaining portion of the external light; a shutter which includes a plurality of second openings corresponding to the first openings to transmit the portion of the external light; and a first actuator which is provided at one side of the shutter and includes at least three electrodes.例文帳に追加

前記マイクロシャッタは、外部光の一部を透過する複数の第１開口部を有し、残りの外部光を反射する反射層と、複数の第１開口部に対応し、前記外部光の一部を透過する複数の第２開口部を含むシャッタと、シャッタの一側に配置され、少なくとも３つの電極を含む第１作動器とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on a insulating film on a semiconductor layer and a gate electrode; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

An excessive electric current cutting implement includes a first electrode connected to a positive output terminal of the pulse power supply, a second electrode connected to the positive electrode, and a semiconductor laminated structure interposed between the first electrode and the second electrode and generating a depletion layer inside when applied with an electric field directed from the first electrode to the second electrode.例文帳に追加

過電流カット器は、前記パルス電源の正出力端に接続される第１の電極と、前記陽極に接続される第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれ前記第１の電極から前記第２の電極へ向かう電界が印加されると内部に空乏層が発生する半導体積層構造と、を備える。 - 特許庁

In non-overlapping parts 7 and 9 wherein the electrode layers of the first electrode 2 and the electrode layers of the second electrode 3 are not mutually overlapped when the multi-layer structure is formed, inter- later connection is formed between electrode layers of the first electrode 3 and between electrode layers of the second electrode 4 respectively to form the first electrode 2 and the second electrode 3.例文帳に追加

第１電極２の電極層及び第２電極３の電極層は、多層構造を形成する際にそれぞれ互いに重なり合わない非重なり部７、９おいて第１電極３の電極層間、第２電極４の電極層間をそれぞれ層間接続して第１電極２及び第２電極３を形成する。 - 特許庁

The developing device 12 including a toner conveying body 13 which conveys first toner and a restricting member 15 which restricts the thickness of a layer of the first toner conveyed by the toner conveying body 13 coats the surface of the restricting member 15 with second toner having a charging quantity per unit mass different from the charging quantity of the first toner per unit mass.例文帳に追加

第１のトナーを搬送するトナー搬送体１３及びトナー搬送体１３に搬送される第１のトナーの層の厚さを規制する規制部材１５を含む現像装置１２において、規制部材１５の表面に、第１のトナーの単位質量当たりの帯電量と異なる単位質量当たりの帯電量を備える第２のトナーを塗布する。 - 特許庁

In a laminated body 10 where piezoelectric layers 1 and first and second inner electrodes 7a and 7b are laminated, insulators 14 whose dielectric constant is lower than the piezoelectric layer 1 are installed in the insulating regions 13 between an end of the first inner electrode 7a and a side 3b, and between an end of the second inner electrode 7b and a first side 3a.例文帳に追加

圧電体層１と第１および第２の内部電極７ａ、７ｂとが積層され構成された積層体１０において、第１内部電極７ａの端部と第２側面３ｂとの間、第２内部電極７ｂの端部と第１側面３ａとの間の絶縁領域１３に前記圧電体層１よりも比誘電率の低い絶縁部１４を設けた。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

Sheet-like structure comprises: a plurality of linear structure bundles 12 each of which comprises linear structure made of a plurality of carbon atoms arranged with first gap, and which are arranged with second gap which is larger than the first gap; and a filling layer 14 filled in the first gap and the second gap and supporting the plurality of the linear structure bundles 12.例文帳に追加

互いに第１の間隙をもって配置された複数の炭素元素からなる線状構造体を含み、互いに第１の間隙よりも大きな第２の間隙をもって配置された複数の線状構造体束１２と、第１の間隙及び第２の間隙に充填され、複数の線状構造体束１２を保持する充填層１４とを有する。 - 特許庁

The above problem is solved by heat sink equipment for providing electrical insulating properties to an integrally shielded electronic circuit, comprising a substrate having a first hole extending between first and second surfaces, a conductive layer attached to the second surface, an electrically and thermally conductive heat sink attached to the first surface and having a protrusion.例文帳に追加

上記課題は、第一及び第二の面間に延びる第一の穴を有する基板と、第二の面に取り付けられた導電層と、第一の面に取り付けられた、突起を有する電気的及び熱的に伝導性のヒートシンクとを含む、一体的にシールドされた電子回路に電気絶縁性を提供するヒートシンク装置により解決される。 - 特許庁

When a first security protocol (IPsec) starts communication, the authentication information of a first security protocol (IPsec), the cipher key information, or the like is generated, and the communication of the first security protocol (IPsec) is started based on the authentication information, cipher key information, or the like of a second different security protocol (SSL) in an already established layer.例文帳に追加

第１のセキュリティプロトコル（ＩＰｓｅｃ）が通信を開始する時、既に確立したレイヤの異なる別の第２のセキュリティプロトコル（ＳＳＬ）の認証情報、暗号鍵情報などに基づいて、第１のセキュリティプロトコル（ＩＰｓｅｃ）の認証情報、暗号鍵情報などを生成し、第１のセキュリティプロトコル（ＩＰｓｅｃ）の通信を開始する。 - 特許庁

This absorbent article includes a sheetlike first leak preventor, a sheetlike second leak preventor which exists at an upper rear section of the first leak preventor, and at least one layer of an absorber having a highly water absorbent resin to absorb a body liquid which is disposed from the upper front section of the first leak preventor to the bottom side of the second leak preventor.例文帳に追加

シート状の第１防漏体と、前記第１防漏体の上部の後部に存在するシート状の第２防漏体と、前記第１防漏体の上部の前部から前記第２防漏体の下側に至るまで、少なくとも１層配置された、高吸水性樹脂を含有し体液を吸収しうる吸収体とを具備する吸収体物品。 - 特許庁

The buckling prevention layer 3 includes first and second fixed portions 13A and 13B fixed to the first and second inflexible portions 12A and 12B of the circuit board body 2, respectively, and a flexible adjacent portion 13C positioned between the first and second fixed portions 13A and 13B and adjacent to the flexible portion 12C without being fixed.例文帳に追加

座屈防止層３は、それぞれ回路基板本体２の第１および第２の非屈曲部１２Ａ，１２Ｂに固定された第１および第２の固定部１３Ａ，１３Ｂと、この第１および第２の固定部１３Ａ，１３Ｂの間に位置し屈曲部１２Ｃに対して固定されずに隣接する屈曲可能な隣接部１３Ｃを含んでいる。 - 特許庁

A substrate 1 is provided with pixels 300 arranged in a two-dimensional shape, a first connection electrode 10 formed at the periphery of the pixels 300, and lead-out wirings Lsig1001 to Lsig1200, Lg1001 to Lg1200 which are formed below the first connection electrode 10 via an insulating layer 3 and connect the first connection electrode 10 with the respective pixels 300.例文帳に追加

基板１に、二次元状に配列された画素３００と、画素３００の周辺に形成された第１の接続電極１０と、第１の接続電極１０の下に絶縁層３を介して形成された第１の接続電極１０と各画素３００とを接続する引き出し配線Ｌｓｉｇ１００１〜Ｌｓｉｇ１２００，Ｌｇ１００１〜Ｌｇ１２００とを備える。 - 特許庁

A thickened layer 40 is provided on a first electrode 24 as well as a second electrode 26 which decreases static capacity on both the first and the second electrodes 24, 26, so that a ratio of a potential difference V_1 on the first electrode 24b gets larger, and that V_3 on a common electrode 28c gets smaller in a light-on emission zone 20a.例文帳に追加

第１電極２４，第２電極２６の上に増厚層４０が設けられていることから、それら第１電極２４，第２電極２６上の静電容量が減少させられているので、点灯発光区画２０ａにおいては、第１電極２４ｂ上の電位差Ｖ_1の割合が大きくなり、共通電極２６ｃ上の電位差Ｖ_3の割合が小さくなる。 - 特許庁

The light-emitting device includes a first electrode injecting an electron hole, a second electrode for injecting an electron, facing against the first electrode and a semiconductor nanocrystal layer, located between the first electrode and the second electrode, that includes a semiconductor nanocrystal particles and a filling material for filling the void between the semiconductor nanocrystal particles.例文帳に追加

正孔を注入する第１電極と、前記第１電極に対向する、電子を注入する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、半導体ナノ結晶の粒子と、前記半導体ナノ結晶の粒子間の間隙を満たす充填物質とを含む半導体ナノ結晶層と、を含む発光素子である。 - 特許庁

The layer for controlling movement of carriers includes a first organic compound having a carrier transporting property and a second organic compound for reducing the carrier transporting property of the first organic compound, and the second organic compound is dispersed in the first organic compound.例文帳に追加

その発光素子は、一対の電極間に、発光層とキャリアの移動を制御する層とを有し、前記キャリアの移動を制御する層は、キャリア輸送性の第１の有機化合物と、該第１の有機化合物のキャリア輸送性を低下させる第２の有機化合物とを含有し、該第２の有機化合物は該第１の有機化合物中に分散されていることを特徴とする。 - 特許庁

An electrostatic charge image development toner including toner particles that have first particles containing a binder resin; and a coating layer having a crosslinked structure derived from at least one of boric acid and boric acid derivatives, and formed on the surface of the first particles by polymerizing a monomer on the surface of the first particles.例文帳に追加

結着樹脂を含む第１の粒子と、ホウ酸及びホウ酸誘導体の少なくとも１種に由来する架橋構造を有する樹脂を含有する被覆層であって、前記第１の粒子の表面において単量体を重合させることにより前記第１の粒子の表面に形成された被覆層と、を有するトナー粒子を含む静電荷像現像用トナー。 - 特許庁

The sheet structure includes a plurality of linear structure bundles 12 each of which comprises a plurality of linear structures of carbon atoms arranged, spaced from each other at a first gap and which are arranged at a second gap which is larger than the first gap; and a filling layer 14 filled in the first gap and the second gap and supporting the plurality of linear structure bundles 12.例文帳に追加

互いに第１の間隙をもって配置された複数の炭素元素からなる線状構造体を含み、互いに第１の間隙よりも大きな第２の間隙をもって配置された複数の線状構造体束１２と、第１の間隙及び第２の間隙に充填され、複数の線状構造体束１２を保持する充填層１４とを有する。 - 特許庁

A method includes a step of depositing a layer of a semiconductor material on a substrate 56 by using vapor deposition in a first vapor deposition chamber 24, and a subsequent step of evacuating the first deposition chamber 24 to reduce vapor deposition source gases remaining in the first deposition chamber after the deposition growth and prior to opening the chamber 24.例文帳に追加

第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板５６上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first wiring layer 20 disposed at a position closest to a semiconductor substrate 10 includes first source wiring 21 electrically connected to a source region 15 of a semiconductor element, first drain wiring 22 electrically connected to a drain region 12 of the semiconductor element, and a relay portion 23 electrically connected to a gate electrode 17.例文帳に追加

もっとも半導体基板１０側に位置する第１配線層２０は、半導体素子のソース領域１５に電気的に接続された第１ソース配線２１と、半導体素子のドレイン領域１２に電気的に接続された第１ドレイン配線２２と、ゲート電極１７に電気的に接続された中継部２３とを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first wiring layer includes a first wiring 11a located in the upper part of a first element region 1a, a second wiring 11d located in the upper part of a second element region 1b, and a third wiring 11b located in the upper part of the second element region 1b to have a potential different from that of the second wiring 11d.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置において、第１配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第１配線１１ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置する第２配線１１ｄと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて第２配線１１ｄとは異なる電位になる第３配線１１ｂを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode which are provided on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

A first wiring circuit board 1 comprises: a plurality of conductive patterns 1a formed in parallel on a base insulating layer 11 formed of, for example, polyimide; first connection terminals 1b which are each provided on the ends of the plurality of conductive patterns 1a; and a plurality of first dummy terminals 1c electrically independent from the conductive patterns 1a.例文帳に追加

第１の配線回路基板１は、例えばポリイミドからなるベース絶縁層１１上に並列的に形成された複数の導体パターン１ａ、複数の導体パターン１ａの端部上にそれぞれ設けられた第１の接続端子１ｂおよび導体パターン１ａから電気的に独立した複数の第１のダミー端子１ｃを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a wiring substrate 40, a first semiconductor device 10 mounted on the wiring substrate 40, a second semiconductor device 20 which is laminated on the first semiconductor device 10, and in which a projected portion 20b projects from an outer edge of the first semiconductor device 10, and a sealed resin layer 50 which seals each of the semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置は、配線基板４０と、配線基板４０上に実装された第１の半導体素子１０と、第１の半導体素子１０上に積層され、突出部２０ｂが第１の半導体素子１０の外縁から突出する第２の半導体素子２０と、各半導体素子を封止する封止樹脂層５０と、を備える。 - 特許庁

The method for producing the packaged double-layer jelly having a gradation structure comprises adding an anthocyanin pigment in either the first jelly liquid or the second jelly liquid, filling the first jelly liquid in a jelly vessel and gelatinizing to obtain the first gel, filling the second jelly liquid and gelatinizing the liquid, and leaving the vessel at rest to migrate the anthocyanin pigment.例文帳に追加

第１のゼリー液又は第２のゼリー液のどちらか一方にのみアントシアニン色素を含有させ、第１のゼリー液をゼリー容器に充填した後ゲル化して第１のゲルを得た後、第２のゼリー液を充填しゲル化させた後、静置し、アントシアニン色素を移行させることを特徴とするグラデーション構造を有する容器入り二層ゼリーの製造方法。 - 特許庁

A multilayered underlayer including a first metal underlayer, a second metal underlayer having non-solid solubility to the first metal underlayer and opening holes and a third metal underlayer having solid solubility to the first metal underlayer and non-solid solubility to the second metal underlayer is formed on a substrate and a magnetic recording layer is formed thereon.例文帳に追加

基板上に、第１の金属下地層と、第１の金属下地層に対し非固溶性を有し、開孔をもつ第２の金属下地層と、第１の金属下地層に対し固溶性を有し、かつ第２の金属下地層に対し非固溶性を有する第３の金属下地層とを含む多層下地層を形成し、その上に磁気記録層を形成する。 - 特許庁

In the optical device including the first transparent electrode installed on an transparent substrate, the second electrode installed opposing to the first electrode, and a luminous layer which is installed between the first electrode and the second electrode, which emits light by the application of a voltage, the transparent substrate is used in which the refractive index increases toward the direction which light spreads.例文帳に追加

透明基板１と、透明基板上に設けられた透明な第１の電極と、第１の電極と対向して設けられた第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられ、電圧印加により発光する発光層と、を含む光デバイスにおいて、光が伝播する方向に屈折率が増加する透明基板を用いる。 - 特許庁

This permanent magnet body is equipped with a cylindrical foundation section which has a first main surface attached to the at least one layer of the soft magnetic material and a second main surface that is opposite to the first main surface of the foundation section, and a hollow ring section having a first main surface and a second main surface.例文帳に追加

この永久磁石本体は、円筒状の基礎セクションであって少なくとも１層の軟磁性材料に取り付けられた第１の主表面及び該基礎セクションの第１の主表面の反対側にある第２の主表面を有する基礎セクションと、第１の主表面及び第２の主表面を有する中空のリング・セクションとを備えている。 - 特許庁

Also, the first fiber bundles 6A and the second fiber bundles 6B are arranged to be spaced at a prescribed distance, which makes part of the second fiber bundles 6B come in among the first fiber bundles 6A, while making part of the first fiber bundles 6A come in among the second fiber bundles 6B, thus both fiber bundles do not form a clear layer structure.例文帳に追加

また、第１の繊維束６Ａ、および第２の繊維束６Ｂは、いずれも所定の間隔をあけて配列されているので、第１の繊維束６Ａの間に第２の繊維束６Ｂが部分的に入り込み、第２の繊維束６Ｂの間に第１の繊維束６Ａが部分的に入り込んでおり、明確な層構造を構成していない。 - 特許庁

First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108.例文帳に追加

第１及び第２領域１０２，１０３が画定される半導体基板１００に第１のゲート電極１０６と第２のゲート電極１０７とを形成し、第２のゲート電極をマスクとして第２領域表層部に第２導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第１の不純物拡散領域１０８を形成する。 - 特許庁

The laser beam LB1 for processing is irradiated to the second reflection region 6 by a first output based on the switching coordinate value, the laser beam LB1 for processing is irradiated to a first reflection region 5 by a second output which is a higher output than the first output to form an uniform modified layer P on each of the reflection regions 5, 6.例文帳に追加

そして、切り替え座標値に基づき、第２の反射領域６に第１の出力で加工用レーザービームＬＢ１を照射し、第１の反射領域５に第１の出力よりも高い出力である第２の出力で加工用レーザービームＬＢ１を照射し、各反射領域５，６に均一な改質層Ｐを形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display comprises: a first substrate on which a column spacer is fixed; a second substrate which opposes the first substrate and on which a projection is formed at a position responding to the column spacer so as to bring the projection into contact with the column spacer; and a liquid crystal layer held between the first and second substrates.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示装置は、カラムスペーサーが固定された第１基板と前記カラムスペーサーに対応する位置に突起が形成され、前記突起が前記カラムスペーサーに接触するように前記第１基板と向き合う第２基板と、前記第１、第２基板の間に形成された液晶層とを含んで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

A power transistor T2 adjoining the power transistor cell T1 has a second trench 42 formed by connecting a second first-stage trench 421 and a second second-stage trench 422 to each other, and also has a third semiconductor region (body region) 52 with a uniform width in the first semiconductor region (drift layer) 3 along an internal wall of the second first-stage trench 421.例文帳に追加

パワートランジスタセルＴ１に隣り合うパワートランジスタＴ２は、第２の一段目トレンチ４２１及び第２の二段目トレンチ４２２を連結した第２のトレンチ４２を備え、第２の一段目トレンチ４２１の内壁に沿った第１の半導体領域（ドリフト層）３に均一幅を有する第３の半導体領域（ボディ領域）５２を備える。 - 特許庁

The delivery slip 10 comprises a first sheet 11 in which printings P1 are applied on the both sides of a first sheet substrate 11A, and a second sheet 12 provided as a sheet different from the first sheet 11, in which an adhesive layer 12B is provided on one side of a second sheet substrate 12A, and a printing P2 is applied on the other side of that.例文帳に追加

第１のシート基材１１Ａの両面に印字Ｐ１が施される第１のシート１１と、当該第１のシート１１とは別体に設けられるとともに、第２のシート基材１２Ａの一方の面に接着剤層１２Ｂが設けられ他方の面に印字Ｐ２が施される第２のシート１２とにより配送伝票１０が構成されている。 - 特許庁

The magnetic pole layer 20 includes a first part 20A having a prescribed thickness in which the end on the side of the medium facing surface ABS is disposed at a position apart from the medium facing surface ABS and a second part 20B disposed between the first part 20A and the medium facing surface ABS and having a thickness smaller than that of the first part 20A.例文帳に追加

磁極層２０は、媒体対向面ＡＢＳ側の端部が媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置され、所定の厚みを有する第１の部分２０Ａと、第１の部分２０Ａと媒体対向面ＡＢＳとの間に配置され、第１の部分２０Ａの厚みよりも小さな厚みを有する第２の部分２０Ｂとを有している。 - 特許庁

A partition layer 15, positioned adjacent to the first guide element 13, that allows displacement of the magnetic coil 3 relative to the base member 2 before the second guide element 14 engage the first guide element 13, and fixes the second guide element 14 to the first guide element 13 when the base member 2 and the magnetic coil 3 are pushed toward each other.例文帳に追加

第１の案内要素１３に隣接して配置された区画層１５は、第２の案内要素１４が第１の案内要素１３と係合する前に、基部材２に対して磁気コイル３が移動できるようにし、基部材２と磁気コイル３とが互いに向って押されたとき、第２の案内要素１４を第１の案内要素１３に固定する。 - 特許庁

Impurity concentration in an n-type region 121 located just under a separation region IMS1 held between a first end E1 of the first base region 112 and a second end E2 of the second base region 113 is made higher than that in an n-type layer 111 located just under the same region 121, in a first principal surface MS1 of one chip.例文帳に追加

１チップの第１主表面ＭＳ１の内で、第１ベース領域１１２の第１端部Ｅ１と第２ベース領域１１３の第２端部Ｅ２とで挟まれた分離領域ＩＭＳ１直下に位置するＮ型領域１２１の不純物濃度は、同領域１２１直下のＮ型層１１１のそれよりも高く設定されている。 - 特許庁

The conductive layer for capacitive coupling comprises: a first part for forming a first capacitor at an area to the resonator 11, a second part for forming a second capacitor at an area to the second resonator 12, and a third part in which one edge in the longitudinal direction is connected to the first part and the other edge in the longitudinal direction is connected to the second part.例文帳に追加

容量結合用導体層は、共振器１１との間に第１のキャパシタを形成するための第１の部分と、共振器１２との間に第２のキャパシタを形成するための第２の部分と、長手方向の一方の端部が第１の部分に接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分に接続された第３の部分とを有している。 - 特許庁

An optical amplifier comprises: a first semiconductor optical amplifier of a waveguide type having an active layer to amplify light of a wavelength in an optical communication wavelength band; and a bending semiconductor optical waveguide that is connected to the light output side of the first semiconductor optical amplifier and guides light output from the first semiconductor optical amplifier in a single-mode.例文帳に追加

光通信波長帯域内の波長の光を増幅する活性層を有する導波路型の第１半導体光増幅器と、前記第１半導体光増幅器の光出力側に接続した、前記第１半導体光増幅器から出力された光を単一モード導波する曲げ半導体光導波路と、を備える。 - 特許庁

A first NSG film (first insulating film) 31 by a high density plasma CVD method and a second NSG film (second insulating film) 32 by a plasma CVD method are laminated on an uppermost wiring layer 20 functioning as a fuse to form a first protective film 30, and then the surface of the protective film 30 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ヒューズとして機能する最上層配線層２０上に、高密度プラズマＣＶＤ法による第一のＮＳＧ膜（第一の絶縁膜）３１と、プラズマＣＶＤ法による第二のＮＳＧ膜（第二の絶縁膜）３２を積層して第一の保護膜３０を形成した後、この第一の保護膜３０の表面をＣＭＰ法によって平坦にする。 - 特許庁