「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(405ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, since the first and second semiconductor construction bodies 2a and 2b are laminated and embedded into an insulator, constituted of the lower layer insulatingfilm 1, the insulatinglayer 32, and the upper layer insulatingfilm 33, the package density can be made larger than when one semiconductor constructing body is embedded.例文帳に追加

この場合、下層絶縁膜１、絶縁層３２および上層絶縁膜３３からなる絶縁材内に第１、第２の半導体構成体２ａ、２ｂを積層して埋め込んでいるので、１つの半導体構成体を埋め込む場合と比較して、実装密度を大きくすることができる。 - 特許庁

A thermoelectric power generation module includes: a metallic heat conductor; a first heat insulation layer covering a part of a lower surface of the heat conductor; a second heat insulation layer covering an upper surface of the heat conductor; a thermoelectric element disposed on the upper surface; and a heat radiation part disposed on the thermoelectric element.例文帳に追加

熱電発電モジュールは、金属性の熱伝導体と、熱伝導体の下面の一部を覆う第１の断熱層と、熱伝導体の上面を覆う第２の断熱層と、上面上に配置された熱電変換素子と、熱電変換素子上に配置された放熱部と、を有する。 - 特許庁

In the n-type current block layer, a current injection part 108a which is a first opening and a current shutoff part 108b which is a second opening are formed, and the p-type light guide layer 111 is also formed in the current injection part 108a and the current shutoff part 108b.例文帳に追加

ｎ型電流ブロック層には、第１の開口部である電流注入部１０８ａと第２の開口部である電流遮断部１０８ｂとが形成されており、ｐ型光ガイド層１１１は、電流注入部１０８ａ及び電流遮断部１０８ｂにも形成されている。 - 特許庁

To transmit write light or read light for read/write of a first recording layer 3 without decreasing thickness of a second recording layer 5 disposed in a side where the write light or the read light is incident in an optical recording medium having at least two recording layers.例文帳に追加

２層以上の記録層を有する光記録媒体において、記録光又は再生光が入射する側に配された第２の記録層５の膜厚を薄くすることなく、第１の記録層３の記録再生を行うための記録光又は再生光を高い透過率にて透過させる。 - 特許庁

The concrete blocks 1A are stacked on the connected concrete blocks A so that the four angle parts 9a-9d of the bottom plates 3 of the second layer concrete blocks 1A are superposed on the angle parts 9A-9D of the top plates 2 of the first layer concrete blocks 1, respectively.例文帳に追加

この連設された第１層目のコンクリートブロック１の上から第２層目のコンクリートブロック１Ａの底板３の４つの角部９ａ〜９ｄが４個の第１層目のコンクリートブロック１の天板２の角部９Ａ〜９Ｄ上にそれぞれ重なるように積み重ねた構造を有する。 - 特許庁

A second alignment layer external edge regulating section Z2 which is formed inside the sealing area SL and on a section closer to the sealing area SL than the first alignment layer external edge regulating section Z1 comprises slits ST which are formed on the transparent electrode TE in a direction parallel to the sealing material application area SL.例文帳に追加

またシール領域ＳＬの内側で第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりもシール領域ＳＬに近い部分に形成された第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は、シール塗布領域ＳＬと平行な方向で透明電極ＴＥに形成したスリットＳＴで構成する。 - 特許庁

The TC material has a first temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is lower than the transition temperature of the TC material and has a second temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is higher than the transition temperature of the TC material.例文帳に追加

ＴＣ材料は、ＴＣ材料の層の温度がＴＣ材料の遷移温度未満のときにＴＣ材料が取る第１の温度依存性状態と、ＴＣ材料の層の温度が遷移温度より大きいときにＴＣ材料が取る第２の温度依存性状態とを有する。 - 特許庁

At this time, the shape of corner parts of the side wall frame is controlled so that the radius of curvature of the pedestal member of the second layer to be painted becomes larger than that of the painted pedestal member of the first layer, and the distortion of shape generated when calcinating the side wall frame 12 is reduced.例文帳に追加

このとき、側壁枠１２のコーナ部分の形状は塗布される第２層目の台座部材の曲率半径が、塗布された第１層目の台座部材の曲率半径より大きくなるように制御され、側壁枠１２の焼成時に生じる形状歪みが少なくなるようにする。 - 特許庁

On a base board, there are provided a first region having a semiconductor single-crystal layer formed by implanting ions into a semiconductor single-crystal basal plate, applying the basal plate onto the base board, and subsequently heat-treating the basal plate, to have the basal plate partly remain therein; and a second region having a semiconductor non-single crystal layer.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。 - 特許庁

A laser absorbing layer 4 is heated between a softening starting temperature and a fusion temperature, by irradiating the first irradiation range P2 wider than a range P1 of a recessed part 1a of the object 1 to be attached, with a laser beam L, under the condition where the laser absorbing layer 4 is pressed onto the object 1 to be attached.例文帳に追加

レーザ吸収層４を被着体１に押圧した状態で、被着体１の凹み部１ａの範囲Ｐ１より広い第１照射範囲Ｐ２にレーザ光Ｌを照射することにより、レーザ吸収層４を軟化開始温度と融着温度との間に加熱する。 - 特許庁

This Schottky barrier diode is prepared by forming a polysilicon film 6 on the surface with a 2.0 to 3 μm thickness epitaxial layer 2 formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 1, and evaporating and diffusing a second conductivity-type impurity from the film 6 to form a 0.2 to 0.5 μm thickness annular guard ring layer 4.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成した厚さ２．０〜３μｍのエピタキシャル層２の表面にポリシリコン膜６を形成し、このポリシリコン膜６上から第２導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ０．２〜０．５μｍのガードリング層４を環状に形成する。 - 特許庁

The polarized light-emitting element is provided with: a reflecting electrode; a light-emitting layer; a transparent electrode; and a light polarization element layer including a first lattice structure having a wavelength spectroscopic function to divide visual light into each wavelength, and a second lattice structure having a polarized light separating function to separate visual light by the polarization plane, in this order.例文帳に追加

反射電極と、発光層と、透明電極と、可視光を波長ごとにわける波長分光機能を有する第一格子構造、及び、可視光を偏波面によってわける偏光分離機能を有する第二格子構造を備える偏光素子層とを、この順に設ける。 - 特許庁

Openings 118 are provided to a first conductive layer 113 from among conductive layers 113 and 116, which form a capacitor pinching an insulating layer 114 inbetween, and the sidewalls of the opening 118 are tapered, by which the layers related to a capacitor are increased in area conductive to the increase in capacitance.例文帳に追加

絶縁層１１４を挟持して容量を形成する第１及び第２の導電層１１３，１１６のうちの第１の導電層１１３に複数の開口１１８を形成すると共に、開口１１８の側壁をテーパ形状とすることにより、容量に寄与する面積を増加させる。 - 特許庁

The occlusion obtaining tool 1 is equipped with a flat core material 2, a first obtaining layer 3 located on one surface of the core material 2, and a second obtaining layer 4 located on the other surface of the core material 2 equipped with an anti-sliding means for preventing the sliding at a slanting surface between upper and lower teeth.例文帳に追加

咬合採得用具１は、平坦な芯材２と、該芯材２の一方の面に位置する第１の採得層３と、該芯材２の他方の面に位置する第２の採得層４とを備え、該芯材２は、上下の歯の傾斜面で生じるスライドを防止するためのスライド防止手段を備えている。 - 特許庁

The circuit board 101 comprises the signal conductor wire 126 or the like of the surface 112 of the board, a surface side first ground layer 129K or the like extended to the one side of the wire 126 or the like and a surface side second ground layer 129L or the like extended to the other side.例文帳に追加

配線基板１０１は、基板表面１１２の信号導体線１２６等と、信号導体線１２６等の一方の側に拡がった表面側第１グランド層１２９Ｋ等及び他方の側に拡がった表面側第２グランド層１２９Ｌ等とを備える。 - 特許庁

Namely, a polycrystalline silicon film 4 is first patterned similar to a conventional device, an Al film is formed on a layer insulating film 9 in contact with the polycrystalline silicon film, and heat treatment is then conducted to substitute a polycrystalline silicon film 4 in the layer insulating film 9 with Al.例文帳に追加

即ち、先ず従来と同様に多結晶シリコン膜４をパターン形成し、層間絶縁膜４上に多結晶シリコン膜と接触するようにＡｌ膜を形成した後、熱処理することにより、層間絶縁膜９内の多結晶シリコン膜９をＡｌで置換する。 - 特許庁

A first bonding layer 14 and a second bonding layer 24 are brought into contact with each other to place a predetermined load on the sensor substrate 1 and cap substrate 2 (Fig.1(a)), and then degassing processing for removing gas components adsorbed in the sensor substrate 1 and cap substrate 2 respectively is carried out (Fig.1(b)).例文帳に追加

第１の接合層１４と第２の接合層２４とを接触させてセンサ基板１およびキャップ基板２に所定の荷重を印加し（図１（ａ））、続いて、センサ基板１およびキャップ２それぞれに吸着しているガス成分を除去する脱ガス処理を行う（図１（ｂ））。 - 特許庁

The photosensitive dry film resist has a multilayer structure including a first photosensitive layer containing, as essential components, (A1) binder polymer, (B1) (meth)acrylic compound, (C1) photoreaction initiator and (D1) flame retardant, and a second photosensitive layer containing, as essential components, (A2) a binder polymer and (B2) a (meth)acrylic compound.例文帳に追加

（Ａ１）バインダーポリマー、（Ｂ１）（メタ）アクリル系化合物、（Ｃ１）光反応開始剤、及び（Ｄ１）難燃剤を必須成分として含有する第１感光層と、（Ａ２）バインダーポリマー、及び（Ｂ２)（メタ）アクリル系化合物を必須成分として含有する第２感光層とを含む多層構造とする。 - 特許庁

The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。 - 特許庁

The method also comprises steps of forming a second metal film (5) on an exposed surface (2a) of the first metal film (2) in which the exposed layer (3) is removed by etching, finally removing the film (4b) and the layer (3) and the film (2) coated by the film (4b), and thereby exposing the substrate (1).例文帳に追加

露出したレジストバリア層(3)をエッチング除去した第１の金属膜(2)の露出面(2a)に第２の金属膜(5)を形成し、最後に、第２のレジスト膜(4b)並びに第２のレジスト膜(4b)に被覆されたレジストバリア層(3)及び第１の金属膜(2)を除去して、半導体基板(1)を露出させる。 - 特許庁

The air layer 52 between the first substrate 7 and light guide plate 29 is heated mainly on the light source side with heat of a light source 28, and air having expanded in the air layer 52 attempts to be discharged to the outside because the opening parts 55 and 57 are formed, resulting in flow of the air toward the opening parts.例文帳に追加

従って、光源２８の熱により第１の基板７と導光板２９との間の空気層５２が光源側を中心に加熱されると共に、開口部５５，５７があるので空気層５２で膨張した空気は外部に出ようとして開口部向きに空気の流れができる。 - 特許庁

The method for printing the image comprises the first process wherein the image with the visible dye is formed by thermal diffusion transfer, the second process wherein a dye receiving layer is transferred on the image, and the third process wherein the image of the latent image with a fluorescent image is formed on the dye receiving layer by the thermal diffusion transfer.例文帳に追加

熱拡散転写により可視染料による画像を形成する第１工程と、前記画像上に、染料受容層を転写する第２工程と、前記染料受容層上に熱拡散転写により蛍光染料の潜像画像を形成する第３工程とを有する、印画方法。 - 特許庁

(c) A core wire 52c is wound on the outer peripheral surface of a second layer portion 52b to form a second sleeve 61 as an adhesive rubber layer 52 before vulcanizing, (d) the second sleeve 61 is pressed to the inner peripheral surface of the first sleeve 60 to be laminated, and a belt sleeve 50 as a laminated object formed by the laminating is vulcanized.例文帳に追加

(c)第二層部52bの外周面上に心線52cを巻回して、加硫前の接着ゴム層52としての第二スリーブ61を形成し、(d)第一スリーブ60の内周面に対して第二スリーブ61を押圧して積層し、この積層により形成される積層物としてのベルトスリーブ50を加硫する。 - 特許庁

A pad electrode 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and a conductive terminal 20 formed on the backside are electrically connected through wiring layers (a first wiring layer 9 + a second wiring layer 16) formed along the junction surface of the semiconductor substrate 1 and the insulating substrate 7.例文帳に追加

半導体基板１の表面に形成されたパッド電極３と、その裏面に形成された導電端子２０とを、半導体基板１と絶縁性基板７との接合面に沿って形成された配線層（第１の配線層９＋第２の配線層１６）を介して電気的に接続する。 - 特許庁

In a group III nitride semiconductor light-emitting element 1 comprising an MQW 14 using a group III nitride semiconductor, a first well layer 21 to a fourth well layer 24 constituting the MQW 14 are respectively formed under a growth condition in which light-emitting wavelengths conform to one another.例文帳に追加

III族窒化物半導体を用いたＭＱＷ１４を備えたIII族窒化物半導体発光素子１において、ＭＱＷ１４を構成する第１井戸層２１〜第４井戸層２４は、各発光波長を互いに合致させるような成長条件をもってそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A connection wiring 25 for connecting an upper electrode 23 of the capacitor C to the layer 12 is formed by a first layer metal on an interlayer film 24 coating the capacitor C, and a shunt wiring 26 for short circuiting the word line is formed.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣを覆う層間絶縁膜２４上に、第１層メタルにより、強誘電体キャパシタＣの上部電極２３とトランジスタ拡散層１２の間を接続する接続配線２５が形成され、またワード線を短絡するためのシャント配線２６が形成される。 - 特許庁

The multilayered photoelectric transfer device has a lamination structure, which comprises (a) a first photoelectric transfer layer having a titanium oxide coating electrode, electrolyte and paired electrodes; and (b) a second photoelectric transfer layer having a positive and negative electrode on both faces of a silicon substrate having a p-n junction.例文帳に追加

（ａ）酸化チタン被着電極、電解質および対電極部を有する第一の光電変換層と、（ｂ）ｐ−ｎ接合を有するシリコン基板の両面に正負電極部を有する第二の光電変換層との積層構造を有する多層型光電変換装置。 - 特許庁

The electrooptical device includes pixel electrodes (9a) provided for respective pixels and provided with a polygonal shape having a diagonal line along the pretilt direction of vertically aligned liquid crystal (50) and a first conductive layer (17) formed more on the lower layer side than the pixel electrodes through an interlayer insulating film on a substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられ、垂直配向液晶（５０）のプレチルト方向に沿った対角線を有する多角形状を有する画素電極（９ａ）と、画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に形成された第１導電層（１７）とを備える。 - 特許庁

A plurality of electrodes 205 provided between a first face layer 102 and a third face 104 of a substrate 101, and electrically connected to elements 201 that generate energy used for discharging a liquid, and an electrode layer 202 connected electrically with the electrodes 205, are provided inside an area 105.例文帳に追加

基板１０１の第一の面１０２と、基板１０１の第三の面１０４との間に設けられ、液体を吐出するためのエネルギーを発生する素子２０１と電気的に接続する複数の電極２０５と電気的に接続する電極層２０２が領域１０５の内側に設けられている。 - 特許庁

Reflection of light by at least either of the reflecting interface 16, 17 is so set in conditions of strengthening or weakening against a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a and a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b in shifting interference wavelengths.例文帳に追加

反射界面１６、１７による光の反射のうちの一方が、第１の発光層１３ａの発光スペクトルの中心波長および第２の発光層１３ｂの発光スペクトルの中心波長に対して干渉波長をずらしながら、強め合う条件および弱め合う条件に設定する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加

第１ソース／ドレイン拡散層（１１）と、第２ソース／ドレイン拡散層（１２）と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層（２１）と、電気的に絶縁された二つのゲート電極（１３、１４）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element 100 including an organic photoelectric conversion layer 102 between a first electrode 101 and a second electrode 104, the purity measured by liquid chromatography of a material used to form the photoelectric conversion layer 102 is ≥96.5%.例文帳に追加

第１の電極１０１と第２の電極１０４との間に有機光電変換層１０２を備える光電変換素子１００であって、有機光電変換層１０２の形成に用いる材料の液体クロマトグラフィを用いて測定した純度が、９６．５％以上とする。 - 特許庁

A plurality of relay electrodes 48 opposite to a second common electrode 45 are arranged between a first piezoelectric layer 40 and a second piezoelectric layer 41, and the second common electrode 45 and the plurality of relay electrodes 48 are electrically continuous, by using a conductive material in a plurality of through-holes 39.例文帳に追加

第１圧電層４０と第２圧電層４１の間には、第２共通電極４５と対向する複数の中継電極４８が配列され、第２共通電極４５と複数の中継電極４８は、複数のスルーホール３９内の導電性材料によって導通している。 - 特許庁

The element 3 comprises a conductor 10 formed in a through hole passing through a first insulating layer having a supporting part and the semiconductor substrate, and electrically connected to the semiconductor film 12 having the vibration film; and a second insulating layer 9 insulating the conductor 10 from the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

エレメント３は、支持部を含む第一の絶縁層と半導体基板とを貫通する貫通孔内に形成された、振動膜を含む半導体膜１２と電気的に接続する導体１０と、導体１０と半導体基板７との間を絶縁する第二の絶縁層９を有する。 - 特許庁

In this case, by setting the power density of laser beams to approximately 280 mJ/cm^2, an altered layer 11a modified to a gallium-rich state is formed near the interface, where the composition of gallium in the gallium nitride for composing the first contact layer 51 is larger than its stoichiometry ratio.例文帳に追加

このとき、レーザ光のパワー密度を約２８０ｍＪ／ｃｍ^２に設定することにより、第１コンタクト層５１を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層１１ａが界面近傍に形成する。 - 特許庁

In a pattern forming method which forms patterns in a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of light for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate, two latent images are formed at different developing speeds.例文帳に追加

基盤上に第１のポジ型のフォトレジスト、露光光の波長に対し透明な中間層、第２のポジ型のフォトレジストの順に積層されている２層フォトレジストにパターンを形成するパターン形成方法について、現像速度を違えて二つの潜像を形成する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises a substrate 1 and a semiconductor layer 5 disposed so as to overlap on the substrate 1, wherein the semiconductor layer 5 comprises a binder resin 2 and first fine particles 3 dispersed in the binder resin 2 and made of at least one or more kinds of oxide semiconductors.例文帳に追加

基板１と、基板１に重ねて配された半導体層５とからなる半導体素子１０であって、半導体層５は、バインダー樹脂２と、バインダー樹脂２中に分散された少なくとも１種類以上の酸化物半導体からなる第一微粒子３とから構成されていること。 - 特許庁

After primary exposure by using the first mask layer, abnormal exposure in the primary exposure induced by misalignment and registration of a halftone film and a light shielding film can be corrected by secondary exposure by using the second mask layer comprising the binary pattern and the halftone pattern.例文帳に追加

バイナリパターンとハーフトーンパターンで構成された第２マスクレイヤを使用することで、第１マスクレイヤを使用して１次露光した後、ハーフトーン膜と遮光膜の誤整列及びレジストレーションによって誘発される１次露光の異常露光を２次露光で補正することができる。 - 特許庁

The planographic printing plate original has a first negative photosensitive layer containing (A) a polymerizable compound and (B) a polymerization initiator system and a second negative photosensitive layer wherein developing liquid permeability is made low by IR laser exposure on a supporting body in this order.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも、（Ａ）重合性化合物、及び、（Ｂ）重合開始系を含む第一のネガ型感光層と、赤外線レーザ露光により現像液浸透性が低くなる第二のネガ型感光層と、をこの順に有することを特徴とする平版印刷版原版。 - 特許庁

By this structure, a dielectric layer 5 having a thickness corresponding to the second electrode layer 12 lies in a space between the first internal electrode 21 for signals and the internal electrode 23 for grounding where capacitance is formed, and the space between the electrodes thereby expands to secure withstand voltage performance.例文帳に追加

この構成により、容量が形成される第１の信号用内部電極２１と接地用内部電極２３との間に第２の電極層１２に対応する厚さの誘電体層５が介在することとなり、電極間の間隔が広がることによって耐電圧性を確保できる。 - 特許庁

The transparent conductive film (pixel electrode 9) has indium tin oxide as a principal component and has a plurality of portions (a first conductive layer 9a, a second conductive layer 9b) having different tin concentration which is a ratio of tin atomic number against the total atomic number of indium atom and tin atom.例文帳に追加

本発明に係る透明導電膜（画素電極９）は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位（第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂ）を有している。 - 特許庁

The first electrode is similarly composed of a metal having a small work function, but composed of a material having an oxide generation free energy higher than that of an element composing the control layer in order to suppress thermal diffusion of oxygen from the control layer.例文帳に追加

第１電極は、当該金属と同様に仕事関数が小さい金属で構成されるが、尚且つ、制御層からの酸素の熱拡散を抑制するために、その酸化物生成自由エネルギーが、制御層を構成する元素の酸化物生成自由エネルギーよりも大きな材料で構成される。 - 特許庁

In the gas barrier laminate wherein two kinds of gas barrier layers are provided on a polypropylene film support, the support is based on polypropylene and the first gas barrier layer consists of a resin and a lamellar pigment and the second gas barrier layer contains a silicic acid condensate and an inorganic compound.例文帳に追加

ポリプロピレン系フイルム支持体上に二種類のガスバリアー層を有するガスバリアー性積層体において、該支持体がポリプロピレンを主体とし、第１ガスバリアー層が樹脂および平板状顔料からなり、第２ガスバリアー層が珪酸縮合物および無機化合物を含む層であるガスバリアー性積層体。 - 特許庁

At least one of the first and the second sheets includes a layered structure of a metal layer and a resin layer.例文帳に追加

第１および第２のシートと、前記第１および第２のシートの間に形成された隔壁とを具備し、前記第１および第２のシートの一部を内壁として含むように流路を形成してなり、前記第１および第２のシートの少なくとも一方が、金属層と樹脂層との積層構造体を含む。 - 特許庁

In the laminated body for dielectric of the plasma display panel formed by laminating two layers on each other, a first layer contains inorganic powder, binder resin, and light absorbing agent absorbing the light of a specified wavelength and a second layer contains inorganic powder, binder resin, photopolymerizing monomer, and photopolymerization initiator.例文帳に追加

２層を積層してなるプラズマディスプレイパネルの誘電体用積層体において、第１の層は、無機粉末、バインダー樹脂及び所定波長の光を吸収する光吸収剤を含み、第２の層は、無機粉末、バインダー樹脂、光重合性単量体及び光重合開始剤を含む。 - 特許庁