「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(409ページ目) - Weblio英語例文検索

The gas sensor is provided with a first semiconductor layer and a second semiconductor layer of different conductivity types, ohmic electrodes in contact with the respective semiconductor layers, and a catalyst layer provided on one surface of the ohmic electrode for dissociating a hydrogen atom from a molecule having the hydrogen atom, and the semiconductor layers in contact with the ohmic electrode provided with the catalyst layer has a specified thickness corresponding to a concentration of an impurity.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、導電型の異なる第１半導体層及び第２半導体層と、各々の半導体層とそれぞれコンタクトしているオーミック電極と、これらのオーミック電極のうちのいずれか一方の表面に設けられ、水素原子を有する分子から水素原子を解離する触媒層と、を備え、触媒層が設けられたオーミック電極とコンタクトしている半導体層は、不純物濃度に応じた所定の膜厚を有する。 - 特許庁

In this case, the prepreg lamination body has a second prepreg 5 that has a fluororesin impregnation layer 4 on a blend impregnation layer 2 of a first prepreg 3 consisting of a base 1 and the blend impregnation layer 2 where mainly fluororesin and inorganic filler are impregnated in the base 1 for maintaining, and at least one side of the fluororesin impregnation layer 4 is arranged directly below the metal foil 6.例文帳に追加

プリプレグ積層体の少なくとも片面側に金属箔を配してなるプリント配線板であって、該プリプレグ積層体が、基材と該基材に主としてフッ素樹脂と無機フィラーとを含浸保持させた配合含浸層とからなる第１プリプレグの該配合含浸層上にフッ素樹脂含浸層を有している第２プリプレグを有し、該フッ素樹脂含浸層の少なくとも片面側が金属箔の直下に配置されている、プリント配線板。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

To enhance photoelectric conversion efficiency and reliability by making an electrolyte layer thin and uniform, enhancing conversion efficiency and reliability, and further, by enlarging a volume of electrolyte, since a thickness of the electrolyte layer hitherto decided by gaps between two substrates is decided by a thickness of a permeating layer retaining electrolyte solution independent of the gaps, by integrally laminating each layer on a sheet of conductive first substrate.例文帳に追加

１枚の導電性の第１の基板上に各層を一体的に積層することにより、従来２枚の基板間の隙間で決定されていた電解質層の厚みが、その隙間に依存せずに電解質の溶液を保持した浸透層の厚みで決まるので、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高め、さらに電解質の体積を大きくするによって、光電変換効率及び信頼性を高めること。 - 特許庁

To enhance photoelectric conversion efficiency and reliability by making an electrolyte layer thin and uniform, enhancing conversion efficiency and reliability, and further, by enlarging a volume of electrolyte, since a thickness of the electrolyte layer hitherto decided by gaps between two substrates is decided by a thickness of a permeating layer retaining electrolyte solution independent of the gaps, by integrally laminating each layer on a sheet of insulating first substrate.例文帳に追加

１枚の絶縁性の第１の基板上に各層を一体的に積層することにより、従来２枚の基板間の隙間で決定されていた電解質層の厚みが、その隙間に依存せずに電解質の溶液を保持した浸透層の厚みで決まるので、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高め、さらに電解質の体積を大きくするによって、光電変換効率及び信頼性を高めること。 - 特許庁

The capacitor used in a semiconductor device having a damascene interconnect structure formed on a substrate of a semiconductor wafer has a first capacitor electrode 164 comprising a part of the damascene interconnect structure, and a second capacitor electrode 168 comprising an insulating layer 166 formed on the damascene interconnect structure and functioning as a passivation layer and a conducting layer formed on at least a part of the insulating layer.例文帳に追加

半導体ウェハの基板上に形成された食刻相互接続構造（damascene）を有する半導体デバイスで使用される本発明のキャパシタは、食刻相互接続構造の一部を含む第１キャパシタ電極１６４と、食刻相互接続構造の上に形成され、パッシベーション層として機能する絶縁層１６６と、絶縁層の少なくとも一部の上に形成された導電層を含む第２キャパシタ電極１６８とを有する。 - 特許庁

This tape measure (10) including a stack of at least two layers includes a first layer called a support layer using a composite material (11) as a base, and a layer called as an uppermost layer (12) having a high glass transition temperature so that polymer is under a glass condition to maintain an element to a rolled or folded position and using the polymer as a base.例文帳に追加

本発明は、少なくとも２層の堆積を含む巻尺（１０）であって、この巻尺（１０）が複合材料（１１）をベースとした支持層と呼ばれる第１の層と、使用状態において、その要素を巻かれたまたは折り畳まれた位置に維持するために、ポリマーがガラス状態にあるような高いガラス転移温度を有する前記ポリマーをベースとした最上層（１２）と呼ばれる層とを含むことを特徴とする巻尺（１０）に関する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor element having the sapphire substrate on whose surface unevenness is formed and the nitride semiconductor layer containing the light emitting layer laminated on the substrate includes a first step that removes at least a part of a region for dividing the nitride semiconductor layer into each element with laser and a second step that performs wet etching on the side surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

製造方法の発明は、サファイア基板と、該基板上に積層された発光層を含む窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板の表面は凹凸が形成された面であり、窒化物半導体層の各素子に分割する部位の少なくとも一部をレーザーで除去する第１の工程と、該窒化物半導体層の側面を湿式エッチングする第２の工程からなる。 - 特許庁

In this photovoltaic force element provided with a photovoltaic cell 102 having a semiconductor junction layer generating photovoltaic force, a bypass diode is formed on the region other than the above-mentioned photovoltaic cell as a bypass diode part 105 having the second semiconductor junction layer, which is different from the first semiconductor junction layer that is the semiconductor junction layer of the photovoltaic cell.例文帳に追加

光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力部１０２を備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、前記光起電力部と同一の導電面上の前記光起電力部以外の領域に、前記光起電力部の半導体接合層である第１の半導体接合層とは別の第２の半導体接合層を有するバイパスダイオード部１０５として形成する。 - 特許庁

The midpoint of the longitudinal direction of the second connection metal layer 29 is constituting the rewiring part for adjusting the relative positional relation of the connection part between the first connection alloy layer 19 and the second connection metal layer 29 and the connection part between the second connection metal layer 29 and the through hole wiring 24, corresponding to the desirable layout of the pads 25 for reflow soldering in the through hole wiring substrate 2.例文帳に追加

第２の接続用接合金属層２９の長手方向の中間部が、貫通孔配線形成基板２における複数の半田リフロー用パッド２５の所望のレイアウトに応じて第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９との接合部位と第２の接続用接合金属層２９と貫通孔配線２４との接続部位との相対的な位置関係を調整する再配線部を構成している。 - 特許庁

On the CPP structured magnetoresistive effect head, the deformation adjacent to the plane facing the medium to occur in machine polishing for a floating plane machining process can be reduced by arranging deformation preventing layers 13, 14 with a shearing modulus larger than a first ferromagnetic layer 19 and a second ferromagnetic layer 17 between a magnetoresistive effect film 50 and at least either a lower shield layer 11 or un upper shield layer 12.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜５０と、少なくとも下部シールド層１１あるいは上部シールド層１２の何れか一方との間に、第１の強磁性層１９および第２の強磁性層１７よりも大きなずれ弾性率を有する変形防止層１３、１４を設けることにより、浮上面加工工程で機械研磨加工を行った際に発生する媒体対向面近傍における変形を低減できる。 - 特許庁

The organic electroluminescence element comprises a substrate on which a first electrode is provided, a hydrophilic surface provided on the substrate on which hydrophilic graft chains exist, an organic luminous layer or a plurality of organic compound layers including the organic luminous layer locally provided on the hydrophilic surface, and a second electrode provided on the organic luminous layer or the plurality of organic compound layers including the organic luminous layer, in sequence.例文帳に追加

第一の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられた親水性グラフト鎖が存在する親水性表面と、該親水性表面上に局所的に設けられた有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層と、該有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層上に設けられた第二の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁

In the semiconductor device, the gate electrode is formed using the first conductive layer, the gate wiring is formed using the first conductive layer and the second conductive layer, the source electrode is formed using the third conductive layer, and the source wiring is formed using the third conductive layer and the fourth conductive layer.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 - 特許庁

The mattress 1 includes an elastic frame body 2 forming contours of the mattress 1, first elastic units (3 and 4) to be reversibly packed inside the frame body 2 and for adjusting the feeling in bed and a second elastic unit (elastic layer) 5 lying above the first elastic units (3 and 4).例文帳に追加

マットレス１は、マットレス１の外郭を形成する弾性枠体２と、弾性枠体２の内部に反転自在に装填される寝心地調整用の第１の弾性ユニット（３，４）と、第１の弾性ユニット（３，４）の上方に位置する第２の弾性ユニット（弾性層）５と、を備えている。 - 特許庁

An edge part of a core 3 of emitting light is formed on a first lens part 31 which suppresses lateral divergence of the emitted light and, further, an edge part of an over-cladding layer 4 of covering the first lens part 31 is formed on a second lens part 41 which suppresses vertical divergence of the emitted light.例文帳に追加

光を出射するコア３の端部が、横方向への光の発散を抑制する第１レンズ部３１に形成され、さらに、その第１レンズ部３１を被覆するオーバークラッド層４の端部が、縦方向への光の発散を抑制する第２レンズ部４１に形成されている。 - 特許庁

At least one of the first and second optical laminates comprises a combination-type polarizing plate having a first polarizing plate 1 and a second polarizing plate 2 disposed parallel to each other with at least one pair of end faces opposing to each other on the opposite side of the optical compensation layer to the liquid crystal cell.例文帳に追加

第１及び第２の光学積層体のうち少なくとも一方は、少なくとも１組の端面が対向するように、光学補償層の液晶セルと反対側の面に並設された第１の偏光板１及び第２の偏光板２を有する組み合わせ型偏光板とされる。 - 特許庁

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

The method of producing the ink-jet recording head for ejecting ink droplets perpendicularly to a substrate surface comprises as the following: Firstly, a first photosensitive material layer having a latent image pattern forming an ink channel, is formed on a first substrate having an energy generating element for ejecting the ink droplets.例文帳に追加

基板面に対して垂直方向にインク液滴が吐出されるインクジェット記録ヘッドの製造方法として、まず、インク液滴吐出のためのエネルギー発生素子を有する第１の基板上にインク流路となる潜像パターンを有する第１の感光性材料層を形成する。 - 特許庁

The first ohmic electrode 107 is formed away from the electric field application electrode 106 in an area where a region where an electric field is not applied by the electric field application electrode 106, is formed in the second semiconductor layer 104 between the first ohmic electrode 107 and the electric field application electrode 106.例文帳に追加

また、第１オーミック電極１０７は、電界印加電極１０６との間の第２半導体層１０４に電界印加電極１０６による電界が印加されない領域が形成される範囲に電界印加電極１０６と離間して形成されている。 - 特許庁

Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) containing a (meta)acryloyl group in the molecule and two or more first functional groups, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.例文帳に追加

分子内に、（メタ）アクリロイル基及び、２個以上の第１の官能基を含み、該第１の官能基が電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する官能基である高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

The polygon layer moving portion 205 periodically continues the movement of the first-fourth polygon layers between the start point to the prescribed depth during a time when the river part is displayed, and each of the first-fourth polygon layers is periodically operated while shifting their phases so that their relative positions are changed.例文帳に追加

このようにして、ポリゴン層移動部２０５は、河川部が表示されている間、開始点から所定の深さの間で、周期的に第１〜第４のポリゴン層の移動を継続させて、第１〜第４の各ポリゴン層をこれらの相対的な位置が変化するように位相をずらして周期運動させる。 - 特許庁

Furthermore, a second laminated insulation film 8 of which etching rate is smaller than that of first laminated insulation film 7 is formed, and the first and second laminated insulation films 7 and 8 are etched at the same time under the same condition, so as to form a pattern groove 9 for a second wiring layer 10.例文帳に追加

さらに、第１および第１の積層絶縁膜７よりもエッチングレートが小さい第２の積層絶縁膜８を形成し、第１および第２の積層絶縁膜７、８を同じ条件で一度にエッチングし、第２の配線層１０用のパターン溝９を形成する。 - 特許庁

The electrical device has a substrate 12 including a transmissive low reflectivity layer 14; a first conductor 16 on the substrate 12; an active material 20 on the first conductor 16; and a second conductor 18 on the active material 20.例文帳に追加

本発明の電子装置は、光透過性の低反射率層１４を有する基板１２と、この基板１２上の第１の導電体１６と、この第１の導電体１６上の活性材料２０と、この活性材料２０上の第２の導電体１８とを備えている。 - 特許庁

Since the gate electrode 11 on an element formation region comprises a lamination film of first and second silicon layers 3, 8 and a WSix film 9, and the gate electrode 11 on the isolation film 6 comprises the first silicon layer 3 and the WSix film 9, resulting in the relation h2<h1.例文帳に追加

すなわち、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１及び第２のシリコン層（３）（８）とＷＳｉｘ膜（９）の積層膜から成り、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）は、第１シリコン層（３）とＷＳｉｘ膜（９）から成るので、ｈ２＜ｈ１となる。 - 特許庁

Each of the plurality of second external terminals 8B includes first and second through holes 7 passing from the one surface side to the other surface side of the package substrate 1, and a metal layer 8B arranged between the first and second through holes 7 on the one surface side of the package substrate 1.例文帳に追加

複数の第二の外部端子８Ｂの各々は、パッケージ基板１の一面側から他面側に貫通する第一及び第二のスルーホール７と、パッケージ基板１の一面側の第一及び第二のスルーホール７の間に配置される金属層８Ｂとから構成される。 - 特許庁

The first electrode layer X includes a signal electrode 6 which penetrates the capacitor element body 2 and is connected with a pair of signal terminals 3 and an auxiliary electrode 8 which is disposed separately from the signal electrode 6 in the first electrode X and connected with one of a pair of ground terminals 4.例文帳に追加

第１の電極層Ｘは、コンデンサ素体２を貫通し、一対の信号端子３と接続された信号電極６と、当該第１の電極層Ｘにおいて、信号電極６と離間して配置され、一対のグランド端子４のいずれか一方と接続された補助電極８と、を有する。 - 特許庁

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢとゲート電極層ＧＥとの間のゲート絶縁膜ＧＩは、第１のシリコン酸化膜ＯＸ１と、第１のシリコン窒化膜ＮＩ１と、第２のシリコン酸化膜ＯＸ２と、第２のシリコン窒化膜ＮＩ２と、第３のシリコン酸化膜ＯＸ３とからなっている。 - 特許庁

A substrate side GaN foundation layer nearest to the silicon substrate among the plurality of GaN foundation layers includes a first and a second low concentration foundation parts of low Si concentration, and a local high concentration foundation part of high Si concentration thinner than a total thickness of the first and the second low concentration foundation parts.例文帳に追加

複数のＧａＮ下地層のうちでシリコン基板に最も近い基板側ＧａＮ下地層は、低Ｓｉ濃度の第１、第２低濃度下地部と、高Ｓｉ濃度で、第１、第２低濃度下地部の厚さの合計よりも薄い局所高濃度下地部と、を有する。 - 特許庁

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板１に多層配線５０を形成する方法であって、コンタクトホールＨ内に第１プラグ電極１３を形成した後、この第１プラグ電極１３の上面と接触するようにＩＬＤ１１上に第１アルミ配線１７を形成する。 - 特許庁

A negative electrode 112 comprises a negative electrode current collector 112a and a negative electrode active material layer 112b which is disposed at least on one surface of the negative electrode current collector 112a and which includes first active material particles and second active material particles disposed in a space between the first active material particles.例文帳に追加

負極集電体１１２ａと、該負極集電体１１２ａの少なくとも一面に配置され、第１の活物質粒子及び該第１の活物質粒子間の空隙に配置される第２の活物質粒子を有する負極活物質層１１２ｂとを備える負極１１２を含む。 - 特許庁

An NIC pair detector 15 transmits a probe packet at a layer 2 level using an MAC address while a first NIC 12 included in a plurality of NICs 12 is used as a transmission source and the respective NICs 12 other than the first NIC 12 being the plurality of NICs 12 are used as transmission destinations.例文帳に追加

ＮＩＣペア検出部１５が、複数のＮＩＣ１２に含まれる第１のＮＩＣ１２を送信元とし、複数のＮＩＣ１２であって第１のＮＩＣ１２以外のＮＩＣ１２の各々を送信先として、ＭＡＣアドレスを用い、レイヤ２レベルで、プローブパケットを送信する。 - 特許庁

The display device comprises: an insulating substrate 100; dams 120a, 120b, 120c and a first color filter pattern formed on the insulating substrate; and a second color filter pattern which is defined by the dams and are formed on pixel regions, wherein the dams and the first color filter pattern are located on the same layer.例文帳に追加

表示装置は、絶縁基板１００、絶縁基板上に形成されたダム１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃおよび第１カラーフィルタパターン、およびダムによって区切られて画素領域に形成された第２カラーフィルタパターンを含み、ダムおよび第１カラーフィルタパターンは、同一層に位置する。 - 特許庁

This plasma display device comprises a first panel 10 with a plurality of pairs of discharge sustaining electrodes 12, and a dielectric layer 14 to cover the discharge sustaining electrodes 12 formed inside thereof, and a second panel 20 which is adhered to the inside of the first panel 10 so as to form a discharge space 4.例文帳に追加

複数対の放電維持電極１２と、放電維持電極１２を覆う誘電体層１４とが内側に形成された第１パネル１０と、第１パネル１０の内側に放電空間４が形成されるように張り合わされる第２パネル２０とを有するプラズマ表示装置である。 - 特許庁

This method comprises the steps of: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first film on the insulator using printing technique; and removing a predetermined portion of the insulator by using the fist film as a mask, using photographic exposure technique or etching technique.例文帳に追加

絶縁体の第１の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第１の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第１の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 - 特許庁

The protective fitting is formed of: a long retaining fitting 2 consisting of a first side surface 2a abutted on the waterproof layer 20, and a second side surface 2b extending from one edge of the first side surface 2a; and a long water dripping fitting 3 detachably fixed to the second side surface 2b of the retaining fitting 2.例文帳に追加

前記防水層２０に当接される第１側面２ａと、この第１側面２ａの一方の縁から延設された第２側面２ｂとからなる長尺の押さえ金具２と、この押さえ金具２の第２側面２ｂに着脱自在に固定される長尺の水切り金具３とを備えている。 - 特許庁

The polarizing plate of at least one of the first and the second optical layered bodies is specified as being a combination type polarizing plate, having first and second polarizing plates 1 and 2 formed in parallel, on the surface opposite to the liquid crystal cell of the optical compensation layer so that at least a pair of end surfaces thereof are opposed to each other.例文帳に追加

第１及び第２の光学積層体のうち少なくとも一方は、少なくとも１組の端面が対向するように、光学補償層の液晶セルと反対側の面に並設された第１の偏光板１及び第２の偏光板２を有する組み合わせ型偏光板とされる。 - 特許庁

The part of the first terminal member 4 buried in the wall part of the case 1 and extending to the outside of the case 1 is connected with the case 1 through a layer 11 of a resin exhibiting higher adhesion to the first terminal member 4 than the above-mentioned resin or thermoplastic plastic.例文帳に追加

前記容器１の外部に至る前記容器１の壁部に埋められた前記第１端子部材４の部分は、前記樹脂又は熱可塑性プラスチックよりも前記第１端子部材４に対する密着性の良い樹脂で形成された樹脂層１１を介して前記容器１と繋がっている。 - 特許庁

An electric wire compound printed wiring board 1 includes: electric wire parts 30 juxtaposed with a first wiring board 10; a second insulating base material 21 laminated on the first wiring board 10; and a second wiring board 20 having a second conductor layer pattern 22p connected to the electric wire parts 30.例文帳に追加

電線複合プリント配線基板１は、第１配線基板１０に並置された電線部品３０と、第１配線基板１０に積層された第２絶縁基材２１、および電線部品３０に接続された第２導体層パターン２２ｐを有する第２配線基板２０とを備える。 - 特許庁

A removal region 7A for passing a first contact hole H1 connecting a gate electrode 3, a source electrode and a drain electrode of an MOS transistor T with a wiring layer 9 is formed to a hydrogen barrier film 7, and the first contact hole H1 is formed inside the removal region 7A.例文帳に追加

水素バリア膜７に、配線層９と、ＭＯＳトランジスタＴのゲート電極３、ソース電極及びドレイン電極とを接続する第一のコンタクトホールＨ１を通すための除去領域７Ａを形成し、この除去領域７Ａの内側に、第一のコンタクトホールＨ１を形成する。 - 特許庁

The rare-earth magnet 1 can be obtained by forming the protection layer 4 so that, after the magnet element assembly 2 is processed with a first processing agent containing metal ions and subsequently a second processing agent having a different pH from the first processing agent, the inorganic particles 6 separated thereby are covered.例文帳に追加

この希土類磁石１は、磁石素体２を、金属イオンを含む第１の処理液、及び、第１の処理液とは異なるｐＨを有する第２の処理液で順に処理した後、これによって析出した無機粒子６を覆うように保護層４を形成することで得ることができる。 - 特許庁

The first substrate 14 and the second substrate 18 are affixed to each other, while the metallic reflection film also used for the first electrode film 12 and the second electrode film 16 face each other with a PTC flat heater layer 20 formed of conductive paste 20a having the PTC characteristic being held therebetween.例文帳に追加

第一基板１４と第二基板１８を、金属反射膜兼第一電極膜１２と第二電極膜１６どうしを対面させて、ＰＴＣ特性を有する導電性ペースト２０ａで構成されるＰＴＣ面状発熱体層２０を間に挟み込んで貼り合わせる。 - 特許庁

A photodetector includes a silicon oxide layer whose thickness od 3 to 10 nm formed on a first conductive silicon substrate, a first conductivity-type depletion blocking region formed just under the silicon oxide film, and a second conductivity-type charge accumulation region formed under the depletion blocking region.例文帳に追加

本発明の受光素子は、第１導電型のシリコン基板上に形成された厚さ３〜１０ｎｍのシリコン酸化膜と、この直下に形成された第１導電型の空乏化阻止領域と、空乏化阻止領域の下方に形成された第２導電型の電荷蓄積領域とを有する。 - 特許庁

The first sheet 10 and the second sheet 20 are laminated by a vacuum heating press, and the second sheet 20 is approximately tightly stuck, inserted and arranged into the recessed parts 13 so that the colored layer 22 of the second sheet 20 can appear in relief as viewed from the first sheet 10 side.例文帳に追加

上記第１シート１０と上記第２シート２０とを真空加熱プレスにて貼り合わせ、この第１シート１０側から見て上記第２シート２０における着色層２２が浮き上がって見えるように上記凹所１３内に上記第２シート２０が略密着して凸入配置されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 3, where a lower electrode 4 and a dielectric layer 5 of the capacitor are formed, first gate insulating films 12 (23) of a first transistor are formed, and a second gate insulating film 14 and a second gate electrode 13 of a second transistor are formed, is prepared.例文帳に追加

まず、キャパシタの下部電極４および誘電体層５が形成され、第１のトランジスタの第１のゲート絶縁膜１２（２３）が形成され、第２のトランジスタの第２のゲート絶縁膜１４および第２のゲート電極１３が形成された半導体基板３を用意する。 - 特許庁

The method is for manufacturing the organic EL display device provided with an organic EL element having a first electrode and second electrode formed on a substrate and at least one of which is transparent, and an organic light-emitting layer formed between the first electrode and second electrode for emitting light when a current is applied.例文帳に追加

基板の上に形成され、少なくとも一方が透明な第一電極及び第二電極と、該第一電極と該第二電極との間に形成され電流印加により発光する有機発光層とを有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法である。 - 特許庁