「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(412ページ目) - Weblio英語例文検索

The reflective liquid crystal display device consisting of a first polarization plate 11, a second optical retardation plate 13, a first optical retardation plate 12, an STN(supertwisted nematic) liquid crystal element 21 with an inherent transflective layer 9, a third optical retardation plate 18, a second polarization plate 17 and a backlight 16 is provided.例文帳に追加

第１の偏光板１１と、第２の位相差板１３と、第１の位相差板１２と、半透過反射層９を内在したＳＴＮ液晶素子２１と、第３の位相差板１８と第２の偏光板１７とバックライト１６とからなる反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

If the formation of the first dye film 21a and the formation of the second dye film 21b are performed by separate steps in the manner described above, the simultaneous use of the first organic dye and the second organic dye as a material for the recording layer is made possible even if both the organic dyes do not dissolve in the same solvent.例文帳に追加

このように、第１色素膜２１ａの形成と第２色素膜２１ｂの形成とを別工程により行えば、第１の有機色素と第２の有機色素とが同一の溶媒に溶解しない場合であっても、これらを記録層の材料として同時に用いることが可能となる。 - 特許庁

A first level difference part 122a formed by the first outer peripheral surface 120a of the core 120 and the base 121c of the groove part 121 is provided so that its dimension T1 in the radial direction of the core 120 may correspond to the thickness of a bonding layer 130 bonding the screen 110 and the core 120.例文帳に追加

巻き芯１２０の第１の外周面１２０ａと溝部１２１の底面１２１ｃとによって形成された第１の段差部１２２ａは、巻き芯１２０の径方向における寸法Ｔ１がスクリーン１１０と巻き芯１２０とを接合する接合層１３０の厚みに対応するように設けた。 - 特許庁

Since a gate electrode for the FET (Q_R) for the reset is connected to a first conductor R_1, charges stored in an insulating layer 6 in the vicinity of the gate electrode previously flow through the first conductor R_1 for absorbing charges from the gate electrode in a finished product after a cutting.例文帳に追加

リセット用ＦＥＴ（Ｑ_Ｒ）のゲート電極は第1の導電体Ｒ_１に接続されていたため、切断後の完成品においては、ゲート電極の近傍の絶縁層６内に蓄積された電荷は、ゲート電極から電荷吸収用の第1の導電体Ｒ_１に既に流れている。 - 特許庁

To efficiently form a second metal-containing film containing a second metal such as Mn on a surface of an insulating layer with low relative permittivity, by inserting a first metal-containing film containing a first metal such as Ru as a base film.例文帳に追加

比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 - 特許庁

The film-like photodegradable transfer material includes a support film, a photodegradable photoresist layer and a protective film, wherein first adhesive power defined below is ≤0.1 kg/100×100 mm^2, second adhesive power is ≤0.1 kg/100×100 mm^2, and the second adhesive power is smaller than the first adhesive power.例文帳に追加

支持体フィルム、光分解性フォトレジスト層及び保護フィルムを含み、下記のように定義される第１粘着力が０．１ｋｇ／１００×１００ｍｍ^２以下、第２粘着力が０．１ｋｇ／１００×１００ｍｍ^２以下であり、第２粘着力は第１粘着力より小さい値を持つ。 - 特許庁

In the transmission mode, the liquid crystal is longitudinally driven by an electric field generated between the pixel electrode 31 (a first pixel electrode part 31A) and a counter electrode (an electrode opposed to the first pixel electrode part 31A via a liquid crystal layer) provided on a counter substrate side.例文帳に追加

一方、透過モードにおいては、画素電極３１（第１画素電極部３１Ａ）と、対向基板側に設けた対向電極（すなわち液晶層を介して第１画素電極部３１Ａと対向する電極）との間に生じる縦電界によって、液晶を縦電界駆動する。 - 特許庁

A second light-emitting diode chip 3 is so directed that the light therefrom is extracted on the same side as the first light-emitting diode chip 2, and is laminated in the non-light-emitting region A wherein the p-type semiconductor layer 6 is removed on the light extracting surface in the first light-emitting diode chip 2.例文帳に追加

第２の発光ダイオードチップ３は、第１の発光ダイオードチップ２と同じ側に光を取出す向きに向けられ、第１の発光ダイオードチップ２において光を取出す面上でｐ型半導体層６が除去されている非発光領域Ａ内に積み重ねられている。 - 特許庁

A write head 70 has first and second pole pieces 100, 102 which are connected at a back gap 108 and an insulation stack 110 with a write coil layer 112 embedded therein is located between the first and second pole pieces and between a head surface ABS and the back gap 108.例文帳に追加

書込みヘッド７０は、バック・ギャップ１０８で結合されている第１及び第２磁極片１００，１０２を有しており、書込みコイル層１１２がその中に埋め込まれた絶縁スタック１１０が第１及び第２磁極片の間、ヘッド表面ＡＢＳとバック・ギャップ１０８の間に位置している。 - 特許庁

In an indicator 10, a first electrode 21 and a second electrode 22 are formed by mutually facing a coloring layer 15, the first electrode 21 is fixed on a fixing end 13, and the second electrode 22 is stuck to one side of a high molecular material sheet 14 and is movable.例文帳に追加

インジケータ１０は、着色層１５上に互いに対向して第一の電極２１及び第二の電極２２が形成され、第一の電極２１は固定端１３で固定され、第二の電極２２は高分子材料シート１４の一辺に接着された可動式である。 - 特許庁

On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2 formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, surrounding the lower region of the anode electrode and with the same potential as that of the anode electrode.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲しアノード電極と同電位である第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a bottom electrode having a first area; a step of forming an electrical pulse-varying resistance (EPVR) material put on the bottom electrode; and a step of forming a top electrode to put on the EPVR layer with a second area smaller than the first area.例文帳に追加

この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

A passivation layer 10 having a gas barrier property and formed of an inorganic material is so composed as to function as both contact holes 100 for electrically connecting first bus electrodes 20 to transparent conductive films 50, and an insulation film for electrically insulating the first bus electrodes 20 from the second bus electrode 20.例文帳に追加

ガスバリア性を有し無機材料からなるパッシベーション層１０を、第１バス電極２０を透明導電膜５０と電気的に接続するためのコンタクトホール１００と、第１バス電極２０を第２バス電極２０と電気的に絶縁するための絶縁膜とを兼ねて構成した。 - 特許庁

A memory array is provided with nonvolatile memory cells (M11-M22) being one set of a first transistor part of a MOS type having an electric charges holding layer and a memory gate and used for storing information and a second transistor part of a MOS type having a control gate and connecting selectively the first transistor part to a bit line.例文帳に追加

メモリアレイは、電荷保持層とメモリゲートを有し情報記憶に用いるＭＯＳ型の第１トランジスタ部と、コントロールゲートを有し第１トランジスタ部を選択的にビット線に接続するＭＯＳ型の第２トランジスタ部とを一組とする不揮発性のメモリセル（Ｍ１１〜Ｍ２２）を備える。 - 特許庁

A blade reinforcing plate 130 has a second pinching surface 131A, that is opposed to the first pinching surface 121A and is in contact with the layer thickness regulating blade 110, and a second fixing surface 132A that extends in a direction different from the second pinching surface 131A and is opposed to the first fixing surface 122A.例文帳に追加

ブレード補強板１３０は、第１挟持面１２１Ａと対向し、層厚規制ブレード１１０と接触する第２挟持面１３１Ａと、第２挟持面１３１Ａとは異なる方向に延び、第１固定面１２２Ａと対向する第２固定面１３２Ａとを有する。 - 特許庁

The thin air cell comprises an electricity generating element, having an air diffusing paper and a water repellent film, sealed with an outer package composed of a first and a third sheet layers covering the air pole side and the negative pole side and a second sheet layer which is located between the peripheral parts of the first and the third sheet layers, and jointed to both the sheet layers.例文帳に追加

空気拡散紙および撥水膜を有する発電要素を、その空気極側および負極側を覆う第一および第三のシート層、両シート層の周縁部間に位置し、両シート層に接合された第二シート層からなる外装体で密閉した薄型空気電池。 - 特許庁

In the organic electric field light-emitting element having an organic layer that includes first and second electron transport layers between an anode and cathode and an interlayer between the first and second electron transport layers, the interlayer includes non-metal complex.例文帳に追加

陽極及び陰極の間に、第一の電子輸送層、第二の電子輸送層、及び前記第一の電子輸送層と前記第二の電子輸送層の間に中間層を含む有機層を有してなり、前記中間層が、金属非含有錯体を含有する有機電界発光素子である。 - 特許庁

The liquid crystal display device is constituted by sandwiching a light scattering liquid crystal layer between a first substrate provided with first electrodes 11 as pixel electrodes and a second substrate 20 provided with light-transmissive second electrodes 21 across the 1st electrodes 11 and second electrodes 21.例文帳に追加

この液晶表示装置は、画素電極となる第１電極１１が設けられた第１基板と、透明性の第２電極２１が設けられた第２基板２０との間に、第１電極１１と第２電極２１とを介して光散乱性の液晶層が挟持されたものである。 - 特許庁

The sheet pallet has a compound resin layer comprising the petroleum resource derived first thermoplastic resin (A), the vegetable resource derived second thermoplastic resin (B) and the third thermoplastic resin (C) compatible with or dispersible in either of the first and second thermoplastic resins.例文帳に追加

シートパレットは、石化資源由来の第１の熱可塑性樹脂（Ａ）と、植物由来の第２の熱可塑性樹脂（Ｂ）と、第１及び第２の熱可塑性樹脂の双方に対して相溶性または分散性を示す第３の熱可塑性樹脂（Ｃ）と、からなるコンパウンド樹脂層を有している。 - 特許庁

By performing first heat treatment upon the metal containing layer 4, the amorphous semiconductor film is crystallized and by irradiating a crystallized semiconductor film 5a to be formed with first laser light, the crystallized semiconductor film 5a is further crystallized.例文帳に追加

金属含有層４に第1の熱処理を行うことにより、該非晶質半導体膜を結晶化して結晶化半導体膜５ａを形成する結晶化半導体膜５ａに第1のレーザー光を照射することにより、結晶化半導体膜５ａをさらに結晶化させる。 - 特許庁

This is a signal transmitting device using the skew via formed so as to skew to the circuit layer surface and form the obtuse angle to the signal line, in a signal transmitting device between a first and second conductive wires locating on independent first and second circuit layers.例文帳に追加

また、印刷回路基板上の、独立した第１および第２回路層に位置している、第１および第２導体線間の信号伝達装置において、回路層面に対して斜行して信号線に鈍角をなすように形成された斜行バイアを利用した信号伝達装置である。 - 特許庁

In the both sided wiring board having a recess 106 closed on the first side of an insulator 101 and opening to the second side thereof, the closed part 1061 in the recess is irradiated with laser light in order to remove foreign matters and to form a roughened exposed surface 1031 on a first conductive layer 108.例文帳に追加

絶縁体１０１の第１面側にて閉塞し第２面に開口する凹部１０６を形成した両面配線基板にて、上記凹部の閉塞部１０６１に対してレーザー光を照射して、異物の除去及び粗面化をした露出面１０３１を第１導電層１０８に形成する。 - 特許庁

After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided.例文帳に追加

基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes at least: from the view side, a first polarizer 21; a liquid crystal cell 10 having a liquid crystal layer 13 between a first substrate 11 and a second substrate 12; an optical compensation element 30; a second polarizer 22; and a light collection backlight 80.例文帳に追加

少なくとも、第１の偏光子２１、第１の基板１１と第２の基板１２との間に液晶層１３を有する液晶セル１０、光学補償素子３０、第２の偏光子２２、集光バックライト８０を、視認側からこの順に備える液晶表示装置により、上記課題を解決し得る。 - 特許庁

This semiconductor device has a gate electrode comprising a conductor layer, a first insulating film and a second insulating film having an etching selection ratio lower than that of the first insulating film, a sidewall comprising the second insulating film formed on the side surface of the gate electrode and an interlayer insulating film coating them.例文帳に追加

導電体層、第１の絶縁膜、第１の絶縁膜よりエッチング選択比の小さい第２の絶縁膜からなるゲート電極と、ゲート電極側面に形成された第２の絶縁膜からなるサイドウォールと、それらを被覆する層間絶縁膜とを有する半導体記憶装置。 - 特許庁

A first crystal 15A and a second crystal 15B having different electron emission characteristics are arranged so that each of them is exposed to a discharge space and the second crystal 15B is dispersed in the first crystal 15A on a surface of a protective layer 15.例文帳に追加

保護層１５の表面には、互いに電子放出特性の異なる第１の結晶体１５Ａと第２の結晶体１５Ｂのそれぞれが、放電空間に露出し、且つ、第１の結晶体１５Ａ中に第２の結晶体１５Ｂが分散した状態となるように配設する。 - 特許庁

In the disposable diaper 1, a turndown part 51 at an upper end part of the end sheet 5 is joined to an inner surface of the upper end part of the first outer sheet 41 to form the structure of the hip part covering area including one layer of the first outer sheet 41 and two layers of the end sheets 5 layered on each other.例文帳に追加

使い捨ておむつ１では、エンドシート５の上端部の折り返し部５１が第１外装シート４１の上端部の内面に接合されることにより、腰部被覆部位が１層の第１外装シート４１と２層のエンドシート５とが積層された構造とされる。 - 特許庁

The connection structure 331 has a dielectric film 314 formed on a side wall of a recessed portion 309 bored in a second inter-layer insulating film 307, and on the bottom surface of the second recessed portion 309, the first conductive film 315 is electrically connected to the first contact plug 306.例文帳に追加

該接合構造体３３１は、第２層間絶縁膜３０７に設けられた第２凹部３０９の側壁に形成された誘電体膜３１４を備え、第２凹部３０９の底面において、第１導電膜３１５は、第１コンタクトプラグ３０６と電気的に接続する。 - 特許庁

Before forming a patterned lower electrode and a first wiring layer, that is, in a state where a first conductive film is formed on the entire surface, an insulation film for capacitance formation and a second conductive film are successively deposited, then patterning is performed and an upper electrode and a capacitive insulation film are formed.例文帳に追加

パターニングされた下部電極及び第１の配線層を形成する前に、つまり第１の導電膜が全面に形成されている状態で、容量形成用絶縁膜及び第２の導電膜を順次堆積した後、パターニングして上部電極及び容量絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The light emitting device 10 comprises a translucent cover substrate 30 having a first surface and a second surface disposed in opposition to the first surface, a support substrate 70 and a light emitting layer 60 disposed between the cover substrate 30 and the support substrate 70.例文帳に追加

光を透過させることができ、第１の表面及び第１の表面に相対して配置された第２の表面を有するカバー基板３０、支持基板７０、及びカバー基板３０と支持基板７０の間に配置された発光層６０を備えた発光デバイス１０を提供する。 - 特許庁

A first aluminum film 12 with large thickness is formed on a substrate 11, and adsorbing molecules such as oxygen or nitrogen is made to adsorb in the surface of the first aluminum film 12, and a thin oxide or nitride film is formed as an etching relaxation layer 13 that relaxes the grain- boundary etching of aluminum.例文帳に追加

基板１１上に厚い膜厚の第１のアルミニウム膜１２を成膜し、第１のアルミニウム膜１２の表面に酸素や窒素等の吸着分子１５を吸着させ、薄いＡｌの酸化物や窒化物の膜をＡｌの粒界エッチングを緩和するエッチング緩和層１３として形成する。 - 特許庁

In a region directly above the gate electrode 1 lying between first layer metals (1AL) 4 and 5, a metal dummy pattern 6 having width W (<L) in the first direction D1 is arranged while extending in the second direction D2 orthogonal to the longitudinal direction of the gate (current flow direction).例文帳に追加

第１層メタル（１ＡＬ）４，５で挟まれたゲート電極１の直上方領域に、第１方向Ｄ１に関する幅Ｗ（＜Ｌ）を有し且つゲート長方向（電流の流れる方向）に直交する第２方向Ｄ２に延在するメタルダミーパターン６が、配設されている。 - 特許庁

An illumination device 1 includes an organic EL panel 10 including a light-emitting layer 150 between a first electrode 130 and a second electrode 140, a power source 30, a power source switching part 50, a control circuit 20, and a plurality of power source supply parts connected to the first electrode 130.例文帳に追加

照明装置１は、第一電極１３０と第二電極１４０との間に発光層１５０を備えた有機ＥＬパネル１０と、電源３０と、電源切り替え部５０と、制御回路２０と、第一電極１３０に接続された複数の電源供給部と、を有する。 - 特許庁

A groove 62 which forms an air layer 61 surrounding the water seal member 59 from the outside and communicating with the outside of the engine body 11 between the first and second case members 12 and 43 is provided on at least one of connecting surfaces of the first and second case members 12 and 43.例文帳に追加

水シール部材５９を外側から囲むとともに機関本体１１の外部に通じる空気層６１を第１および第２ケース部材１２，４３間に形成する溝６２が、第１および第２ケース部材１２，４３の結合面の少なくとも一方に設けられる。 - 特許庁

According to the method, the anodization of the Al layer is done with the help of a first mask 20 which defines the area 21 to be anodized, and a second mask 22 which defines a second area to be anodized, the second area surrounding the first area.例文帳に追加

本発明の方法に従って、Ａｌ層の陽極酸化は、陽極酸化される領域２１を規定する第１マスク２０、及び陽極酸化される第２領域を規定する第２マスク２２であって、前記第２領域は第１領域を包囲するようなマスクの補助がある状態で行う。 - 特許庁

The GaN layer 12 is formed in a first film forming process in which GaN is epitaxial-grown at 300°C or lower, and a second film forming process in which the GaN is epitaxial-grown at 550°C or higher upon the GaN formed in the first film forming process.例文帳に追加

ＧａＮ層１２は、３００℃以下の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第１の成膜工程と、上記第１の成膜工程により成膜されたＧａＮ上に、５５０℃以上の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第２の成膜工程とにより成膜される。 - 特許庁

The method is for manufacturing a plasma display member comprising a first dielectric layer to cover an electrode pattern, a second dielectric layer to cover the first dielectric layer, and a third dielectric layer to cover the second dielectric layer.例文帳に追加

電極パターンを覆う第一の誘電体層、該第一の誘電体層を覆う第二の誘電体層、および該第二の誘電体層を覆う第三の誘電体層を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法であって、軟化点がＴｓ１（℃）である第一の誘電体前駆体層、該第一の誘電体前駆体層を覆い、軟化点がＴｓ２（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第二の誘電体前駆体層、および該第二の誘電体前駆体層を覆い、有機成分と無機成分からなり、軟化点がＴｓ３（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第三の誘電体前駆体層を形成した後、該三層の誘電体前駆体層を同時焼成する。 - 特許庁

A polypropylene resin sheet for PTP packing comprises two or more polypropylene resin layers consisting of one layer (first layer) containing a filler in the maximum content Cmax (5 weight%≤Cmax≤50 weight%) and one or more layer containing a filler in content C (C≥0) lower than Cmax.例文帳に追加

ポリプロピレン系樹脂からなる２以上の層からなり、該ポリプロピレン系樹脂からなる層が、これらの層の中で最高の含有率Ｃmax（ただし、５重量％≦Ｃmax≦５０重量％）で充填剤を含有する一つの層（第一層）、およびＣmaxよりも低い含有率Ｃ（ただし、Ｃ≧０）で充填剤を含有する１層以上の層であることを特徴とするＰＴＰ包装用ポリプロピレン系樹脂シート。 - 特許庁

The first dielectric layer 4 is made thicker than the thinnest dielectric layer in the other dielectric layers to make large the distance between a metal part protruding from a metal surface of the base electrode 2 and the inner electrode mounted on the lowermost dielectric layer originating from surface roughness of the metal surface of the base electrode 2, thereby reducing the leakage current.例文帳に追加

第１の誘電体層４の厚さを他の誘電体層のうち最も薄い誘電体層よりも厚くすることにより、下地電極２の金属表面の表面粗さに由来して金属表面から突出する金属部分と最下層の誘電体層上に積層された内部電極との距離を大きくすることができるため、リーク電流を低減させることができる。 - 特許庁

Bi-layer oral osmotic dosage forms include a first component layer, comprising a selected drug and excipients for forming a deliverable drug composition when hydrated, and a second push layer, comprising a fluid-expandable osmopolymer and excipients, contained within a compartment formed by a semipermeable membrane and having exit means for drug release from the compartment.例文帳に追加

二層経口浸透性投薬形態には、水和すると、送達可能な薬物組成物を形成するために選択された薬物および賦形剤を含んでなる第一成分層、および半透膜により形成されるコンパートメント内に含まれる、流体膨張可能なオスモポリマーおよび賦形剤を含んでなり、コンパートメントからの薬物放出のための流出方法を有する第二押出層が含まれる。 - 特許庁

This sensor wherein a moving electrode 4 of the moving part 1 is arranged oppositely to the fixed electrodes 6, 7 and an acceleration is detected based on a capacity change between the moving electrode 4 and the fixed electrodes 6, 7 when the moving part 1 is displaced by receiving the acceleration, is constituted of an SOI substrate 20 having an insulating layer 22 between the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23.例文帳に追加

可動部１の可動電極４を固定電極６、７と対向配置し、加速度を受けて可動部１が変位したときの可動電極４と固定電極６、７間の容量変化に基づいて加速度を検出するようにしたものであって、第１の半導体層２１と第２の半導体層２３との間に絶縁層２２を有するＳＯＩ基板２０によって構成される。 - 特許庁

A content display device is provided with: an event analysis part 14 for detecting a prescribed event, such as a user operation; an attribute information change part 12 for changing attribute information on the second layer into a prescribed value in accordance with the prescribed event; and a content data synthesis part 13 for superimposing the first layer and the second layer after its attribute information is changed to display them.例文帳に追加

コンテンツ表示装置は、利用者操作などの所定イベントを検出するイベント解析部１４と、上記所定イベントに応じて、第２の層の属性情報を所定値に変更する属性情報変更部１２と、上記第１の層と上記属性情報を変更した後の上記第２の層とを重畳して表示するコンテンツデータ合成部１３とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.例文帳に追加

基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film is first to unwind the polymer film, and then, form an inorganic matter layer in an atmosphere of gas plasma containing a carbon element with 0.1 to 10% carbon atomic number to the oxygen atomic number charged during forming the inorganic matter layer, when the inorganic matter layer is formed on the surface of the film by vaporizing a metal.例文帳に追加

かかるガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化して該フィルム表面上に無機物層を形成する際に、該無機物層を、該無機物層形成時に投入される酸素原子数に対する炭素原子数の０．１〜１０％である炭素元素含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。 - 特許庁