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「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(415ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > First layerの意味・解説 > First layerに関連した英語例文

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First layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24472



例文

The polarizing plate (30) includes a first polarizing plate (31) and a second polarizing plate (32), and transmits only the light in external light that can transmit through the liquid crystal layer and reflects or absorbs the rest of light.例文帳に追加

偏光板(30)は第1偏光板(31)と第2偏光板(32)を含み、両者は外部の光のうち、液晶層を通過できる光のみを通過せしめ、他は反射および吸収する。 - 特許庁

In a first embodiment of this invention, a plurality of rubber members 15 formed to be a square are combined with each other to form the rubber layer 12, and portions generating clearance are provided in all rubber layers.例文帳に追加

この発明の第1実施形態では、方形状に形成された複数のゴム部材15同士を組合せてゴム層12を構成し、全てのゴム層に空隙が生ずる部位を設けてある。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 12, which is a layer 20 with the silicon-rich uppermost surface, is deposited on a conductor film 11, and a second interlayer insulating film 13 is deposited on this film 12.例文帳に追加

導電体11上に最表面がシリコンリッチな層20である第1の層間絶縁膜12が堆積され、この第1の層間絶縁膜12上に第2の層間絶縁膜13が堆積される。 - 特許庁

The magnetic storage device is constituted of the magnetic storage elements 10, first wiring 11 which impresses a galvanomagnetic field upon the storage layer 1, and second wiring 12 which heats the shielding body 5.例文帳に追加

また、この磁気記憶素子10に対して、磁場遮蔽体5を加熱して磁場遮蔽体5の少なくとも一部の磁化を減少又は消失させた状態で、記憶層1に磁場を印加して記録を行う。 - 特許庁

例文

In this welding method, at first, a steel 1 is subjected to welding using the welding material composed of EPNiCr-3 so as to form a weld root zone primary layer 3 on a base steel product 1.例文帳に追加

この溶接方法において、まず鋼材1に対してERNiCr−3からなる溶接材料を用いて溶接を施して鋼材1上に溶接ルート部初層3が形成される。 - 特許庁


例文

The metal is a conductor at first, but molded so as to be integrated with the contact material, and afterwards, is heated and oxidized, and at least a part of it makes up the above insulating layer.例文帳に追加

この金属は当初は導体であるが、接点材と共に一体化するようにて成形加工され、その後に酸化雰囲気下で加熱し酸化して、少なくともその一部が上記の絶縁層をなす。 - 特許庁

As for the first layer 11a, an elastic modulus G' measured by a shear method at a frequency of 10 Hz and a temperature of 20°C in a dynamic viscoelasticity measurement is in a range of 3.0×10^4 Pa to 5.0×10^5 Pa.例文帳に追加

第1層11aは動的粘弾性測定により、周波数10Hz、温度20℃でせん断法で測定した弾性率G’が3.0×10^4Pa〜5.0×10^5Paの範囲にある。 - 特許庁

On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.例文帳に追加

SiO_2膜12が上面に形成されたSi基板11上には、第1強磁性薄膜13、トンネル障壁層14及び第2強磁性薄膜15が、この順に積層されている。 - 特許庁

This application apparatus 10 is provided with a base member 12 having a first storage region 24 capable of storing liquid 30 and an applicator 42 having an operation end part 38 provided with a layer part in particular.例文帳に追加

塗付装置(10)は、液体(30)を収容することができる第1の収容領域(24)と特に層部分を備えた作業端部(38)を有する塗布具(42)とを備えた基礎部材(12)を備えている。 - 特許庁

例文

A conductive film is formed on all the surface, and the conductive film is patterned so as to be electrically connected to the first metal wiring layer 4 whose surface is exposed, and an island-like metal film 6 is formed.例文帳に追加

全面に導電膜を形成し、導電膜が表面が露出した第1の金属配線層4と電気的に接続するように導電膜をパターニングし、島状の金属膜6を形成する。 - 特許庁

例文

A thread-shaped electrically-conductive rubber is arranged along the tire peripheral direction in a grounding face of a shoulder part 4 of a non-electrically-conductive tread rubber 10 before vulcanization molding of the tire to form a first electrically-conductive rubber layer 21.例文帳に追加

タイヤ加硫成形前に、非導電性トレッドゴム10のショルダー部4の接地面内に糸状導電性ゴムをタイヤ周方向に沿って配置して第1導電ゴム層21を形成する。 - 特許庁

The first pressing mechanism 18 has a pressing member 23 for pressing a position of the fiber bundle layer arranged on the frame body 11 held by the holding device 17, and corresponding to the bottom part of the three-dimensional fiber structure.例文帳に追加

第1の押圧機構18は保持装置17に保持された枠体11上に配列された繊維束層の三次元繊維構造体の底部に対応する箇所を押圧する押圧部材23を備えている。 - 特許庁

In the formula, G represents the shear elastic modulus reference value of a second member, Es represents an elastic modulus of a first member, ts represents a thickness of the surface layer portion, tc represents a thickness of the core portion, and λ_0 represents a wavelength of cylindrical buckling, respectively.例文帳に追加

G=100*Es*ts*tc/λ_0^2 ・・・(1) ただし、 G:第二の部材のせん断弾性率基準値 Es:第一の部材の弾性率 ts:表層部の厚さ tc:コア部の厚さ λ_0:円筒座屈の波長 - 特許庁

To allow integrity and continuity of an inner layer of packaging material that is destined to come into contact with a product to be packaged at a splicing part where a first web and a second web of laminated packaging material are spliced together.例文帳に追加

積層包装材料の第1ウェブと第2ウェブを相互に重ね継ぎする重ね継ぎ部において、包装される製品と接触すべき包装材料の内層の保全性と連続性を可能にする。 - 特許庁

In the first step, the brittle material substrate is irradiated with a pulse laser beam having a prescribed repeating frequency so that a converging point is situated inside the brittle material substrate to form a modified layer therein.例文帳に追加

第1工程は、所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射し、脆性材料基板の内部に改質層を形成する。 - 特許庁

An upper surface of a second step ST2 viewed from below is covered with the two protection layers 33a, 33b and an upper surface of a first step ST1 viewed from below is covered with one protection layer 33a.例文帳に追加

下から2段目のステップST2は、その上面を2層の保護層33a、33bにて覆われ、下から1段目のステップST1は、その上面を1層の保護層33aにて覆われている。 - 特許庁

The first recess and the second recess 76 are formed on a vertical line L extending from an intersection P of dielectric multi-layer films of the cross dichroic prism 443, and vertical to the luminous flux incident side end surface 444.例文帳に追加

第1くぼみ部と第2くぼみ部76は、クロスダイクロイックプリズム443の誘電体多層膜の交点Pから延びる光束入射側端面444に対する垂線L上に形成される。 - 特許庁

A first active material layer 9a to be disposed on one face side of a collector 8 is formed by filling active material paste 72 in a recessed part 22p formed in a printing supporting body 22.例文帳に追加

印刷支持体22に形成された凹部22p内に活物質ペースト72を充填することにより、集電体8の一方の面側に配置されるべき第1活物質層9aを形成する。 - 特許庁

The first projection parts 21 are juxtaposed at a pitch P2 substantially equal to the pitch P1, and a highly light-reflective light reflecting layer 14 which reflects light toward a light source 20 is provided at the tip of each second projection part 19.例文帳に追加

第1の凸部21は、ピッチP1とほぼ等しいピッチP2で並列され、各第2の凸部19の先部には光源20側に反射する光反射性の高い光反射層14が設けられている。 - 特許庁

The fluorescent lamp has the arc tube internally forming the phosphor layer 3 and forming a first mount and a second mount 5 on both ends so as to block the arc tube, and a discharge medium.例文帳に追加

蛍光ランプは、内面に蛍光体層3が形成され両端部に該発光管を閉塞するように第1のマウント部および第2のマウント部5が形成された発光管と、放電媒体とを備える。 - 特許庁

The charge absorbing layer of the second conduction type is disposed at a lower side of the charge accumulation part while interposing the semiconductor of the first conduction type for a pixel in which a color filter of at least one color is provided.例文帳に追加

第2導電型の電荷吸収層は、少なくとも1つの色のカラーフィルタが設けられる画素について、電荷蓄積部の下側に前記第1導電型半導体を介在させて配置される。 - 特許庁

The first magnetic layer 3 is made of a ferromagnetic material which includes a CoPd alloy or CoPt alloy having Co and Pd or Co and Pt laminated alternately on an atomically close-packed plane thereof, and has a (c) axis in the direction vertical to the film surface.例文帳に追加

第1磁性層3は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、c軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成される。 - 特許庁

An optical cover for diffusing light-emission from an LED chip is set at a double structure of a first internal optical cover 15 and a second external optical cover 16, or a multi-structure of a double layer or more.例文帳に追加

LEDチップからの発光を拡散させる光学カバーを内側の第1の光学カバー15と外側の第2の光学カバー16の2重構造、或いは2重以上の多重構造とする。 - 特許庁

An insulating film 8 of AlGaO is formed completely on the surface of a region 4A between first and second high concentration n-type impurity regions 6A and 6B in a barrier layer 4.例文帳に追加

バリア層4の内で第1及び第2高濃度n型不純物領域6A,6B間の領域4A全体の表面上に、AlGaOから成る絶縁膜8が全面的に形成されている。 - 特許庁

The adhesive resin film forming the first and second adhesive resin film layers 11 and 13 is a hot melt type and they have lower melting points than the resin forming the surface resin layer 5 has.例文帳に追加

第1及び第2の接着樹脂フィルム層11,13を構成する接着樹脂フィルムはホットメルトタイプで、それらの融点が、前記表面樹脂層5を構成する樹脂の融点よりも低い。 - 特許庁

The back side of the filter layer in the half mirror 42 is superposed with translucent diffusion layers diffusing the light illuminated from the back side, and the outer circumferential edges of the half mirror 42 are retained with a first retaining member 50.例文帳に追加

ハーフミラー42におけるフィルタ層の後側には、後側から照射された光を拡散する半透明な拡散層が積層され、ハーフミラー42は、その外周縁を第1保持部材50で保持される。 - 特許庁

The method for manufacturing the stamper for the resin formed article is the method for manufacturing the stamper for the resin article with the multi-step constitution having step differences of at least two steps, and the first layer resist 2 is formed on a base 1.例文帳に追加

樹脂成形品用スタンパの製造方法は2段以上の段差を有する多段構成の樹脂成形品用スタンパの製造方法であって、基板1に1層目のレジスト2を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 12B, a gate electrode 2, an interlayer dielectric 12C, a video line D and a source electrode 4 are layered in this order on an upper layer of an active element that a first substrate 10A has.例文帳に追加

第1の基板10Aに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜12B、ゲート電極2、層間絶縁膜12C、映像線Dとソース電極4とをこの順で積層する。 - 特許庁

After depositing a first electrode film 1, a power generation layer 2 and a second electrode film 3 on a substrate 0 so as to be superimposed, separation grooves 11, 21 which divide the laminated films 1, 2, 3 into cell units are formed.例文帳に追加

基板0上に第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3を重ねて製膜した後、これら積層膜1、2、3をセル単位に分割する分離溝11、21を形成する。 - 特許庁

A double side cooled coating layer module for power is collectively formed of the element (22) for semiconductor power, the POL (24), and first and second channel type heat sink assemblies (30) and (28).例文帳に追加

半導体電力用素子(22)、POL(24)、第一の流路型ヒート・シンク・アセンブリ(30)及び第二の流路型ヒート・シンク・アセンブリ(28)は、まとめて両面冷却式電力用被覆層モジュールを形成している。 - 特許庁

After forming a release layer on an element formation substrate and forming a semiconductor device and a light emitting element furthermore on it, a fixed substrate 130 is stuck together with a first adhesive 129 on the light emitting element.例文帳に追加

素子形成基板上に剥離層を形成し、さらにその上に半導体素子及び発光素子を形成した後、発光素子の上に第1接着剤129により固定基板130を貼り合わせる。 - 特許庁

The memory cell 100 comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 through a second gate insulation layer 12, impurity layers 16 and 18, and first and second sidewall-like control gates 20 and 30.例文帳に追加

メモリセル100は、半導体基板10上に第2ゲート絶縁層12を介して形成されたワードゲート14と、不純物層16,18と、サイドウォール状の第1,第2コントロールゲート20,30とを有する。 - 特許庁

In an abrasive grain layer 3 of a metal bond wheel, an abrasive grain 6 and a solid lubricant particle 7 are bound by a metal bond 8b constituted by a first metal alloy 9 and second metal particles 10.例文帳に追加

メタルボンドホイールの砥粒層3おいて、砥粒6及び固体潤滑剤粒子7とは、第1金属合金9と第2金属粒子10とから構成されるメタルボンド8bによって結合されている。 - 特許庁

A second wiring board 22 and an adhesive material layer 23 formed on a metal support sheet 40 are partially laminated on a prescribed region of a first wiring board 21 by the use of the support sheet 40.例文帳に追加

金属製の支持シート40上に形成した第2配線基板22および接着材料層23を、支持シート40を用いて第1配線基板21の所定領域上に部分的に積層する。 - 特許庁

A first part 82c securing electric resistance of such a degree that a current can be conducted is spirally formed on a foamed polyurethane layer 82b covering a rotary shaft 82a of the cleaning roll 82.例文帳に追加

クリーニングロール82の回転軸82aを被覆する発泡ポリウレタン層82bには、電流を導通し得る程度の電気抵抗を確保した第1の部分82cが螺旋状に形成されている。 - 特許庁

Microcapsules 5 formed by enclosing a core layer with a first shell film and a second shell film are arrayed in a predetermined pattern only within a predetermined range of a base material 1 formed of an edible film or a soluble film.例文帳に追加

可食性フィルムまたは可溶性フィルムからなる基材1の所定範囲のみに、第1のシェル膜と第2のシェル膜とでコア層を包囲してなるマイクロカプセル5を所定のパターンで配列している。 - 特許庁

The electric double layer capacitor 9 is accommodated in a card base material in a sealed state in the card base material, and has an exterior body 21, a first electrode 25, a second electrode 29 and a separator 27.例文帳に追加

この電気二重層キャパシタ9は、カード基材に封止された状態で当該カード基材に収容されており、外装体21、第1電極25、第2電極29、セパレータ27を有している。 - 特許庁

In the manufacturing method of an insulating film comprising a BPSG film, an oxidizing atmosphere is composed in a substrate 10 formed with an etching stop film 12 using oxygen gas, and thereafter, a first seed layer is formed using tetraethyl orthosilicate and oxygen gas.例文帳に追加

エッチング阻止膜12が形成された基板10に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用して第1シード層を形成する。 - 特許庁

In the organic EL display device, a laminate comprising an anode electrode 104, an organic EL layer 110 made of an organic compound having light-emitting function, and a cathode electrode 112, is disposed on a first circuit board 100.例文帳に追加

第1基板100には、アノード電極104と、発光能を有する有機化合物によって形成された有機EL層110と、カソード電極112と、を含む積層体が配置されている。 - 特許庁

The tire 2 is provided with a high hardness rubber layer 14 having A hardness Hs of 80 or higher near a position corresponding to a shoulder between the first carcass ply 30 and the second carcass ply 32.例文帳に追加

このタイヤ2は、第一カーカスプライ30と第二カーカスプライ32との間であって、ショルダー34に相当する箇所の近傍に、A硬度Hsが80以上である高硬度ゴム層14を備えている。 - 特許庁

In this case, a first blade spring B_1 of the lowest layer arranged at the innermost side and a second blade spring B_2 stacked on it are adhered at one-end T_1 sides only.例文帳に追加

この場合において、最も内側に配置される最下層の第1のブレードスプリングB_1とその上に積層される第2のブレードスプリングB_2とを、それぞれの一端T_1側においてのみ互いに固着する。 - 特許庁

In the first main surface-side surface layer in the semiconductor substrate 10, a region between the outer peripheral end 24a and the closet channel 22 is an FWD region 19c as a ninth region.例文帳に追加

半導体基板10における第1主面側表層において、外周端24aから最も近いチャネル22までの間の領域が第9領域としてのFWD領域19cとなっている。 - 特許庁

A first insulating layer is formed on the surface of a semiconductor substrate on which a semiconductor memory element provided with a connection terminal and a peripheral circuit element are formed, and a hole reaching the connection terminal is formed from the surface.例文帳に追加

接続端子を有する半導体メモリ素子と周辺回路素子とを形成した半導体基板表面上に第1の絶縁層を形成し、表面から接続端子に達する孔を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric body 48 which is stacked on the first inter-laminar insulating layer 54 includes an amorphous phase or a pyrochlore phase, and becomes a piezoelectric body non-motion region 48B in which the piezoelectric body 48 is not displaced.例文帳に追加

第1の層間絶縁層54上に堆積された圧電体48は非晶質相又はパイロクロア相を含んでおり、圧電体48が変位しない圧電体非動作領域48Bとなる。 - 特許庁

Specifically, the multilayer film 61 absorbing light is used as a top surface of a barrier rib (called a bank or a barrier) covering the end of a first electrode 66b, and organic resin 67 is used as a bottom layer.例文帳に追加

具体的には、第1の電極66bの端部を覆う隔壁(バンク、または障壁とも呼ばれる)の上層として、光を吸収する多層膜61を用い、下層として有機樹脂67を用いる。 - 特許庁

The VCSEL 102 is formed, for instance, by a method wherein it is first built on a semiconductor substrate with an etching stop layer 104 in between and then the semiconductor substrate is removed by etching, and is extremely thin.例文帳に追加

このVCSEL102は、例えば半導体基板上にエッチングストップ層104を介して形成した後、エッチングにより半導体基板を除去したものであり、極めて薄く形成されている。 - 特許庁

The organic EL panel 12 has a laminated body 33 having a first electrode 37, an organic layer 39, and a second electrode 40 formed on a substrate 32, and the laminated body 33 is covered by a sealing member 34.例文帳に追加

有機ELパネル12は、第一電極37と、有機層39と、第二電極40とを有する積層体33を基板32に形成し、積層体33を封止部材34で覆ったものである。 - 特許庁

Since the intermediate layer is formed of an oxide containing the first element, interface level density can be suppressed even when Al_2O_3 or the like is employed as the material of a gate insulating film.例文帳に追加

第1の元素を含む酸化物より成る中間層が形成されているため、ゲート絶縁膜の材料としてAl_2O_3等を用いた場合であっても、界面準位密度を低く抑えることができる。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolated insulating film 4 buried in the semiconductor substrate 1, a gate insulating film 2 of a cell part isolated from the element isolated insulating film 4, and a first conductive layer 3.例文帳に追加

半導体基板1と、半導体基板1に埋め込まれた素子分離絶縁膜4と、素子分離絶縁膜4により分離されたセル部ゲート絶縁膜2、第一導電層3を備える。 - 特許庁

例文

A plurality of second unit panels G' and B' each consisting of a single layer and each including a plurality of areas C to be the cells are separated from at least one kind of panel G and B of the first panels R, G and B.例文帳に追加

第1パネルR、G、Bのうち少なくとも1種類のパネルG、Bからそれぞれが複数のセル相当領域Cを含む複数の単層の第2単位パネルG’、B’を分割する。 - 特許庁




  
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