「Heterostructure」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Meanwhile, for the laminated structure, an MOS structure, a Schottky junction structure, a heterostructure, or their combination can be used.例文帳に追加

なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 - 特許庁

The section 1 has the double heterostructure, constituted by laminating a p-type clad layer 8, the active layer 4, and an n-type clad layer 7 on another.例文帳に追加

該発光層部１は、ｐ型クラッド層８、活性層４及びｎ型クラッド層７が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。 - 特許庁

Additional features, such as a thickness of each quantum well, can be selected/incorporated into the heterostructure to improve one or more of its characteristics.例文帳に追加

特性の１つ以上を改良するために、各量子井戸の厚みなどのさらなる特徴を選択し／ヘテロ構造に取り入れ得る。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

Inorganic material layers X1 to X7 and organic material layers Y2 to Y6 are formed alternately on a glass substrate 10 to obtain the multilayered heterostructure film.例文帳に追加

ガラス基板１０上に、無機材料層Ｘ１〜Ｘ７と、有機材料層Ｙ２〜Ｙ６とを交互に形成し多層ヘテロ構造の膜にする。 - 特許庁

To provide a heterostructure field-effect transistor which comprises a thin barrier wall and whose high electron concentration is realized without spoiling high electron mobility.例文帳に追加

薄い障壁層を有し、高い電子濃度を高電子移動度を損ねることなく実現するヘテロ構造電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To allow a semiconductor device having a heterostructure and made of a group III-V compound semiconductor to stably perform normally-off operation.例文帳に追加

ヘテロ構造を備えているとともにIII-Ｖ族化合物半導体で構成される半導体装置において、安定的なノーマリオフ動作を実現する。 - 特許庁

A semiconductor laser has a light-emitting layer forming section 12, constituted in a double heterostructure in which an active layer 7, is sandwiched between n- and p-type clad layers 8 and 6 and 4.例文帳に追加

活性層７をｎ形およびｐ形のクラッド層８および６、４によりサンドイッチするダブルへテロ構造の発光層形成部１２を有している。 - 特許庁

The GaN compound semiconductor is constituted in a double heterostructure by successively laminating an n-type AlGaN layer 12, an undoped AlGaN layer 16, and a p-type AlGaN layer 18 upon a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にｎ型ＡｌＧａＮ層１２、アンドープＡｌＧａＮ層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１８を積層してダブルヘテロ構造とする。 - 特許庁

To provide semiconductor material, a method, and a device and, more specifically, a nonpolar (Al, B, In, Ga) N quantum well, heterostructure material, and a device.例文帳に追加

半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tunnel field-effect transistor having a heterostructure nanowire and a complementary tunnel field-effect transistor having an accumulated nanowire.例文帳に追加

ヘテロ構造ナノワイアを有するトンネル電界効果トランジスタと集積されたナノワイアを有する相補型トンネル電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the electrode forming region of the heterostructure layer exposed in the wet etching process is cleaned with the room-temperature ammonia water of not less than 18°C nor more than 25°C.例文帳に追加

次に、ウェットエッチング工程で露出した、ヘテロ構造層の電極形成領域を１８℃以上２５℃以下の室温アンモニア水で洗浄する。 - 特許庁

Deposited on the substrate is the vertical stacked arrangement of three double heterostructure devices 308, 310 and 312, each fabricated from a suitable organic material.例文帳に追加

垂直に積層された配置の３種の二重ヘテロ構造体の装置(308, 310, 312) が、支持体上に付着され、個々は適切な有機材料から加工される。 - 特許庁

To provide a device having a nitride-based heterostructure, wherein epitaxy with planarity at a single molecular layer level can be easily obtained, and its manufacturing method.例文帳に追加

一分子層レベルでの平坦性を有するエピタキシの実現が容易にできる窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride-based light emitting heterostructure includes an electron supply layer 18 and a hole supply layer 22 with a light generating structure 20 disposed therebetween.例文帳に追加

窒化物系発光ヘテロ構造は、電子供給層１８と、正孔供給層２２とを含み、それらの間に光発生構造２０が配置される。 - 特許庁

Preferably, the organic photoelectric conversion layer 12 includes the organic photoelectric conversion dye, the fullerene or the fullerene derivative, and the fullerene polymer in a bulk-heterostructure.例文帳に追加

好適には、有機光電変換層１２は、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とをバルクヘテロ構造で備える。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR THIN-FILM LAMINATED STRUCTURE, THIN-FILM LAMINATED STRUCTURE, FUNCTION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD FOR FUNCTION ELEMENT, AND MANUFACTURING DEVICE OF THIN-FILM LAMINATED STRUCTURE AND HETEROSTRUCTURE例文帳に追加

薄膜積層構造体の製造方法、薄膜積層構造体、機能素子、機能素子の製造方法、薄膜積層構造体の製造装置およびヘテロ構造体 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which has a heterostructure having a low-resistance channel (of high mobility and high 2DEG concentration), and is more easily manufactured as compared with the conventional technique.例文帳に追加

低抵抗チャネル（高移動度、高２ＤＥＧ濃度）を有するヘテロ構造を有し、従来技術よりも容易に作製できる窒化物半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Further, there are also provided a substantially relaxed SiGe-on-insulator, having an SiGe layer in which the flat surface defect density is decreased, and a heterostructure comprising the insulator.例文帳に追加

また、平面欠陥密度が低下したＳｉＧｅ層を有する実質的に緩和したＳｉＧｅ−オン−インシュレータおよびこれを含むヘテロ構造も提供する。 - 特許庁

When the growing temperature is changed gradually, the net-shaped films 4 to be grown are turned into polycrystalline or amorphous 5 so that a heterostructure whose band gap is widened gradually can be obtained.例文帳に追加

成長温度を徐々に変化させて行くと、成長する網状膜は多結晶ないしアモルファス５となって、バンドギャップが徐々に広がったヘテロ構造をなす。 - 特許庁

The non-polar (1120)a-plane GaN layer includes a template for producing the non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, the heterostructure material, and the device.例文帳に追加

これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a heterostructure magnetic shield having high magnetic shield effect, while preventing diffusion of the material of the magnetic material film during manufacturing processes.例文帳に追加

製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止しながら、高い磁気シールド効果を有するヘテロ構造磁気シールドを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The heterostructure magnetic shield 170 includes a first magnetic shield layered structure 16A and a second magnetic shield layered structure 16B that covers the first magnetic shield layered structure 16A.例文帳に追加

ヘテロ構造磁気シールド１７０は、第一の磁気シールド積層構造１６Ａと磁気シールド積層構造１６Ａを覆う第二の磁気シールド積層構造１６Ｂを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device like a normal-off transistor that prevents the current from flowing when gate voltage is not applied regardless of semiconductor heterostructure.例文帳に追加

半導体のヘテロ構造を含むにも拘らず、ゲート電圧が印加されていない状態では電流が流れないノーマルオフタイプのトランジスタなどの半導体装置を提供する。 - 特許庁

To form a heterostructure by a compound semiconductor crystal of a lattice constant closer to that of InP on a GaAs substrate while suppressing the generation of dislocation at a minimum level.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＩｎＰの格子定数に近い化合物半導体結晶によるヘテロ構造を転位の発生を最小限に抑えて形成できるようにすること。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a chip of a double heterostructure having a breakdown voltage higher than a prescribed value while suppressing a forward drive voltage.例文帳に追加

ダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル・ウエハ及びチップにおいて、順方向駆動電圧を低く抑えること、及び、ブレークダウン電圧を所定の値以上にすることを両立させる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer with a double heterostructure having the same cost as that having singal heterospructure, its manufacturing method, and a light-emitting diode by reducing the cost of a new material (manufacturing cost).例文帳に追加

原料費（製造コスト）の低減により、シングロヘテロ構造エピタキシャルウエハと同価格のダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハとその製造方法及び発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a design of a heterostructure which can increase the number of charge carriers utilizable in quantum well layers in an active region, for a group III nitride light emitting device such as a light emitting diode.例文帳に追加

本発明は、発光ダイオード等のIII族窒化物発光デバイスのための、活性領域の量子井戸層で利用可能な電荷キャリア数を増加できるヘテロ構造デザインを提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 comprises an active layer 45 of multiple quantum well structure, and separation confinement heterostructure (SCH) layers 42, 44, 50 and 52.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられた分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層４２、４４、５０、５２を備えている。 - 特許庁

Such new nanostructure which is called as "a nanowire" includes a single-crystal homostructure as well as heterostructure of at least two single crystal materials having different chemical compositions.例文帳に追加

“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。 - 特許庁

The Raman waveguide path 11 has a heterostructure constituted at least of a GaP core layer and AlxGa1-xP clad layers arranged each at the bottom, the top, and the flank of this GAP core layer.例文帳に追加

ラマン導波路１１は、ＧａＰコア層と、このＧａＰコア層の下部、上部、及び側面にそれぞれ配置されたＡｌ_xＧａ_1-xＰクラッド層から少なくとも構成されたヘテロ構造を有する。 - 特許庁

An InAlGaN multiplex quantum well (MQW) heterostructure 24 which, for example, contains at least Al by 25% above the superlattice layer 16 may well be formed to provide an LED.例文帳に追加

ＬＥＤにするなら例えば超格子層１６の上方に少なくとも２５％のＡｌ分を含むＩｎＡｌＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）へテロ構造２４を形成する。 - 特許庁

To provide a GaN based compound semiconductor/SiC single crystal heterostructure capable of realizing high current and also high output in a GaN based semiconductor/SiC single crystal device.例文帳に追加

本発明は、ＧａＮ系半導体／ＳｉＣ単結晶デバイスにおいて、大電流化・高出力化が可能なＧａＮ系化合物半導体／ＳｉＣ単結晶ヘテロ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a buried heterostructure semiconductor optical element having a structure capable of improving the breakdown voltage of device destruction incident to electrostatic discharge in a semiconductor element having a buried structure.例文帳に追加

埋込構造を有する半導体光素子において静電放電に伴うデバイス破壊の耐圧を改善可能な構造を有する埋め込みヘテロ構造半導体光素子を提供する。 - 特許庁

By selecting the refractive index and thickness of each layer, the multilayered heterostructure film having desired optical characteristics can be formed, and this results in an optical reflection film, transmission film, optical resonator or the like.例文帳に追加

各層の屈折率および厚みを選択することにより、所望の光学特性をもった多層ヘテロ構造膜を作成することができ、光学的な反射膜、透過膜、光共振器などを実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical modulator, having a nin-type heterostructure that is superior in reliability and capable of significantly reducing the propagation loss of light, while having ample voltage breakdown characteristics.例文帳に追加

十分な耐圧特性を備えつつ、光伝搬損失を大幅に低減することができ、信頼性に優れたｎｉｎ型ヘテロ構造を有する半導体光変調器を提供することにある。 - 特許庁

The field-effect transistor has a double heterostructure where a channel layer is formed in which electrons flow is sandwiched between an underground layer of forbidden band bigger than that of the channel layer and an electron donor layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。 - 特許庁

To provide a nitrogen-compound-containing semiconductor device which is provided with heterostructure that is formed on a silicon substrate and includes a nitrogen-compound-containing semiconductor layer, and which has high breakdown voltage of several hundreds V or more.例文帳に追加

シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百Ｖ以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device, having highly efficient power consumption (low operation voltage) in high-output region (e.g. 100 mW or higher), while utilizing the low-threshold oscillation characteristic of an embedded heterostructure laser (BH).例文帳に追加

埋め込み型へテロ構造レーザ(ＢＨ)の低閾値発振特性を生かした上で、高出力領域(たとえば１００ｍＷ以上)で高効率低消費電力(低動作電圧)の半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

A solar cell is provided with a double-layer heterostructure of a substrate 10 comprising a polycrystal of plural elements having a non- uniform micro composition distribution and a deposit 20 formed by depositing to grow a thin film crystal on this substrate.例文帳に追加

ミクロ的な組成分布が不均一な多元系多結晶からなる基板１０と、この基板上に薄膜結晶を堆積成長させてなる堆積成長層２０との２層ヘテロ構造を備えた太陽電池。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor laser in which introduction of spot defect is suppressed by epitaxially growing a double heterostructure on the periphery of an active layer through pulse growth in an AlGaInP based semiconductor laser on an off substrate.例文帳に追加

オフ基板上のAlGaInP系半導体レーザにおいて、パルス成長により活性層周辺のダブルヘテロ構造を結晶成長することにより、点欠陥の導入の少ない高信頼な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a double heterostructure light-emitting element, using a wide-gap oxide semiconductor and having a structure that can improve the luminous efficiency of an active layer by efficiently injecting carriers into the active layer.例文帳に追加

ワイドギャップ型酸化物半導体を用いたダブルヘテロ構造型発光素子において、活性層に効率よくキャリアを注入することができ、発光効率を高めることができる構造を有した発光素子を提供する。 - 特許庁

To realize an efficient solar cell through a combination of a composition distribution with the highest efficiency and an optimized heterostructure by using a practical casting method as a base without using a complicated structure such as a tandem type.例文帳に追加

タンデム型のような複雑な構造を用いることなく、実用的なキャスト法を基本に用いて最も効率の高い組成分布と最適化されたヘテロ構造の組合せにより、高効率太陽電池を実現する。 - 特許庁