INTERCONNECTIONを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2610件
To provide a forming method of multilayer interconnection that inhibits generation of electromigration on interface, and improves the reliability of a semiconductor device by reducing defects occurring in the interface between the wiring part of the multilayer interconnection and a via, when the multilayer interconnection is formed in the semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置における多層配線の形成に際し、前記多層配線の配線部とビアとの界面において発生する欠陥を低減することにより、前記界面におけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる多層配線の形成方法を提供する。 - 特許庁
This semiconductor device has such an interconnection structure that an insulation film 2 is formed on a substrate 1 and then an interconnection film 3 made of ordinary temperature superconductive material, chief of which is Cu, Nb3Sn, V3Ga, V3le, BiCa, CuO, and Sr, is formed on the insulation film 2 and then another insulation film 4 is formed on the interconnection film 3.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、基板1の上に絶縁膜2が形成され、その上にCu、Nb_3Sn、V_3Ga、V_3Ge、BiCa、CuO、Srを主成分とする常温超電導材料からなる配線膜3が形成され、その上に絶縁膜4が形成された配線構造を有する。 - 特許庁
To provide a interconnection verifying system capable of verifying a precision of a wire bonding device or the interconnection in which a manufacturing error of an electronic component is considered without developing a sample product in which wire bonding of the electronic component is completed.例文帳に追加
本発明は、電子部品のワイヤボンディング済みのサンプル品を作成しなくても、ワイヤボンディング装置の精度や、電子部品の製造誤差が考慮された配線検証を可能とする配線検証システムを提供する。 - 特許庁
Thereafter, unnecessary parts of the film 7 for a Cu interconnection and the TaN film 4 on the insulation film 2 are polished and removed by CMP to form a Cu interconnection 7a and barrier layers 4a in the trenches 3 for interconnections.例文帳に追加
次に、CMP法を用いて絶縁膜2上の不要なCu配線用膜7及びTaN膜4を研磨除去することにより、配線用溝3内にCu配線7a及びバリア層4aを形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device in which alteration of pattern in node interconnection or increase in the number of fabrication steps is prevented when a capacitor is added to an SRAM while enhancing the reliability of node interconnection.例文帳に追加
SRAMにキャパシタを付設した際のノード配線におけるパターン変更や製造工程数の増加を防止する一方で、ノード配線での信頼性を高めた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
The support further has a protruding element arranged on a metallization level of the interconnection level, thereby making it possible to produce an electrical contact between the interconnection level and the active element of the acoustic resonator.例文帳に追加
該支持部は相互接続平面部の金属被覆平面部の上方に配置された突起素子を更に備え、これにより、相互接続平面部と音響共振器の能動素子との間に電気的接触が形成される。 - 特許庁
After logic cells whose in-cell power supply trunk line is arranged in a first interconnection layer are arranged (S102), interstitial cells whose in-cell power supply line is arranged in a second interconnection layer are arranged (S103) at a position where the logic cells are not arranged.例文帳に追加
セル内電源幹線が第1配線層の論理セルが配置された(S102)後、上記論理セルが配置されていない箇所に、セル内電源幹線が第2配線層の隙間セルが配置される(S103)。 - 特許庁
The WTRU can transmit information about the necessity of the interconnection of the WTRU to the MAP, and the MAPs can generate the backhaul link information based on the necessity of the interconnection of the WTRU.例文帳に追加
WTRUは、WTRUの相互接続の必要についての情報をMAPに送ることができ、MAPは、WTRUの相互接続の必要に基づいてバックホールリンク情報を生成することができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加
Cu配線から低誘電率材料(Low−k材料)絶縁膜へのCuの拡散を防止することができるとともに、Cu配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
There are provided an interconnection structure having a barrier material coverage range in which the barrier material thickness of the sidewall of the structure is larger than that of the bottom portion of the structure, and the method of manufacturing such interconnection structure.例文帳に追加
構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。 - 特許庁
In the adhesive surface 52 on the channel unit side, an interconnection groove 53 is formed in the shape of slalom to meander between adjoining ink supply openings 50, and the interconnection groove 53 is charged with potting agent 54.例文帳に追加
流路ユニット側接着面52には、相互に隣接するインク供給口50の間を縫うようにスラローム状に連通溝53が形成され、この連結溝53には、ポッティング剤54が装填されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which is capable of suppressing an increase in resistance in an interconnection due to the misalignment of via holes in a multilayer interconnection and is also capable of eliminating defective continuity, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
多層配線におけるヴィアホールの合わせズレによる配線抵抗の上昇を抑えるとともに導通不良を改善することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
On the multilayer interconnection board for composing the solid-state image pickup device, there is a region in which no through holes are disposed around a region in which the nail component of a support member in the solid-state image pickup device comes into contact with the side of the multilayer interconnection board.例文帳に追加
固体撮像装置を構成する多層配線基板に、固体撮像装置支持部材の爪部品と多層配線基板の側面とが当接する領域周辺に、スルーホールを配置しない領域を設ける。 - 特許庁
A power distribution board 30, a power conditioner 21, and a display device 23 are connected to a system interconnection protective device 1, which makes and breaks an interconnection generated power output from the power conditioner 21 with a commercial power system.例文帳に追加
系統連系保護装置1は、分電盤30、パワーコンディショナ21、及び、表示装置23が接続され、パワーコンディショナ21から出力される発電電力を商用電力系統に連系及び解列させる。 - 特許庁
Thereafter, by removing the organic film and finally forming an MSQ film as a low-k film to fill up the side of the copper interconnection, a semiconductor device is obtained with the copper interconnection and the via plug.例文帳に追加
次に、有機膜を除去して最終的に銅配線の側方を充填するようにLow−k膜としてのMSQ膜を形成することによって、銅配線とビアプラグを備えた半導体装置が得られる。 - 特許庁
On the interconnection layer 16 in the pad region 11, the electrode pad 17 is provided as connected electrically with the Cu interconnection 15 in the element region 12 by a lead-out wire 20 insulated with the passivation film 18.例文帳に追加
パッド領域11内の配線層16上には、パッシベーション膜18で絶縁された引き出し配線20で素子領域12内のCu配線15と電気的に接続された電極パッド17が設けられている。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING LENS-FITTED OPTICAL ELEMENT, LENS-FITTED OPTICAL ELEMENT, OPTICAL TRANSMISSION MODULE, OPTICAL INTERCONNECTION CIRCUIT, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
レンズ付き光素子の製造方法、レンズ付き光素子、光伝送モジュール、光インターコネクション回路及び電子機器 - 特許庁
To reduce an electrical resistance of an electrode and an interconnection layer, while retaining a planar processibility, in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置に関し、平坦加工性を保ったままで、電極・配線層の電気抵抗を低減する。 - 特許庁
To provide a compact and inexpensive optical semiconductor module required for such a short distance optical interconnections as an LSI interconnection.例文帳に追加
LSI配線等の短距離光配線に求められる小型で低コストの光半導体モジュールを提供する。 - 特許庁
On an insulation film 11, a first electrode interconnection 12 is so formed as to be extended in a prescribed direction X.例文帳に追加
絶縁膜11上に所定方向Xに伸長するように第1電極配線12が設けられている。 - 特許庁
To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加
Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁
To simultaneously form a line interconnection of a bit line or the like and borderless contact to a diffused part such as bit line contact.例文帳に追加
ビットラインなどのライン相互結線と、ビットライン・コンタクトなどの拡散部へのボーダレス・コンタクトとを同時に形成する。 - 特許庁
Accordingly, even when multilayer interconnection is constituted, it is possible to provide the circuit device which secures sufficient heat dissipation characteristics.例文帳に追加
従って、多層配線を構成した場合でも、放熱性を確保した回路装置を提供することができる。 - 特許庁
After that, the metal interconnection is cleaned, and the TMAH solution left on the surface of the metal wiring is removed.例文帳に追加
その後、金属配線を洗浄して金属配線表面に残留したTMAH溶液を取り除く。 - 特許庁
To properly configure a system without any damage due to incompatible interconnection between devices.例文帳に追加
装置の相互接続に互換性がないために引き起こされる損傷が生じないように、システムを適切に構成する。 - 特許庁
An interconnection (90) is formed through the support substrate and electrically connects the print heads to the logic ICs and the driving ICs.例文帳に追加
相互接続(90)が、支持基板を通って形成されて、プリントヘッドを論理ICと駆動ICに電気的に結合する。 - 特許庁
The threshold voltage dispersion compensation circuit comprises the interconnection between a second active element 113 and a resistor 111.例文帳に追加
しきい値電圧バラツキ補償用回路は、第2の能動素子113と抵抗111とを相互に接続してなる。 - 特許庁
To provide a cord switch/cable composite, in which interconnection between a cord switch and a cable can be easily performed in a saved space.例文帳に追加
コードスイッチとケーブルの配線が簡単で、省スペースで配線が可能なコードスイッチ・ケーブル複合体を提供する。 - 特許庁
To provide an improved BEOL interconnection structure that has a ULK (ultra-low k) dielectric.例文帳に追加
超低k(ULK)誘電体を備える改良された後工程(BEOL)相互接続構造を提供すること - 特許庁
To provide a low-cost manufacturing technique of a metal gate wherein the metal gate and the interconnection thereof of a semiconductor device are formed in a single processing.例文帳に追加
メタルゲートおよびそのインタコネクトを単一処理する低コストメタルゲート製造技術を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit that assures a withstand voltage between interconnection layers of a bit-line hookup circuit.例文帳に追加
ビット線フックアップ回路における配線層間の耐圧を保障できる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
A given memory command traverses the memory devices to reach a desired memory device of the serial interconnection configuration.例文帳に追加
所与のメモリコマンドは、シリアル相互接続構成のその所期のメモリデバイスに達するためにメモリデバイスをトラバースする。 - 特許庁
An interconnection layer 50 is directly connected to the connection electrode 20a of the semiconductor chip 20 without involving solder.例文帳に追加
半導体チップ20の接続電極20aにはんだを介さずに配線層50が直接接続される。 - 特許庁
To provide an electric connector to establish a high-speed interconnection of signal and electric power between printed circuit boards.例文帳に追加
プリント回路板間の信号及び電力の高速相互接続を確立するための電気コネクタを提供する。 - 特許庁
To electrically connect circuit interconnections of multiple layers although graft polymerization plating interconnection technique is employed.例文帳に追加
グラフト重合メッキ配線技術を用いながらも、多層の回路配線間で電気的な接続ができるようにする。 - 特許庁
The cache controller accesses the plurality of blocks of at least some cache memories via a high speed interconnection device.例文帳に追加
キャッシュコントローラは、高速相互接続装置を介して、少なくともいくつかのキャッシュメモリの複数ブロックにアクセスする。 - 特許庁
To provide a method for forming a fine pattern multilayer interconnection structure having low contact resistance and parasitic capacitance.例文帳に追加
接続抵抗及び寄生容量が小さく、微細化した多層配線構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁
Each probe pin 2 is constituted of a mainframe part 2a, a beam 2b, a taper 2c and an interconnection drawing part 2d.例文帳に追加
プローブピン2は、本体部2aと、ビーム部2bと、テーパ部2cと、配線取り出し部2dとから構成されている。 - 特許庁
Electrical interconnection between the conductive blades is obtained by a series of discs connected to the ends of the blades.例文帳に追加
導電性ブレード間の電気的相互接続は、ブレード端に接続された一連のディスクにより提供される。 - 特許庁
To provide a moving picture distribution system that promotes interconnection between many moving picture distribution cameras and many client image browsing terminals.例文帳に追加
多数の動画像配信カメラと多数のクライアント側の各画像閲覧端末との相互接続を促進する。 - 特許庁
To correspond to a miniaturization of an interconnection and to prevent a contact between protruding electrodes and interconnections arranged in staggering pattern.例文帳に追加
配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線との接触を防止する。 - 特許庁
Interconnection relations between internal structures of the respective blocks and the respective blocks is described as block diagram data 21.例文帳に追加
各ブロックの内部構造とそれら各ブロック間の相互接続関係をブロックダイアグラムデータ21として記述する。 - 特許庁
PASTE COMPOSITION, INSULATING FILM, MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE, PRINTED-CIRCUIT BOARD, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF PASTE COMPOSITION例文帳に追加
ペースト組成物、絶縁膜、多層配線構造、プリント基板、画像表示装置、及びペースト組成物の製造方法 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit wherein a fixed voltage to be supplied to a certain interconnection can be easily changed.例文帳に追加
ある配線に供給する固定電圧を簡易に変更可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection semiconductor device which uses a low dielectric constant inter-layer film without the use of a photoresist mask.例文帳に追加
フォトレジストマスクを用いることなく、低誘電率層間膜を用いた多層配線半導体装置の製法。 - 特許庁
To provide an electrical interconnection system capable of transmitting signals at a data rate equal to 5-10 Gb/sec higher.例文帳に追加
5〜10Gb/sec又はそれ以上のデータレートで信号を伝送することができる電気相互接続システムを提供する。 - 特許庁
This last metal layer provides a part for a solder bump pad to be used for flip chip interconnection.例文帳に追加
この最後のメタル層はフリップチップ相互接続において使用される半田バンプパッド用の箇所を提供する。 - 特許庁
The runners 51 and 53 for shielding are connected to grounding voltage or supply voltage through interconnection between levels.例文帳に追加
このシルード用ランナー51,53は、レベル間の相互接続を介して接地電圧あるいは電源電圧に接続される。 - 特許庁
To provide a technology for improving reliability of a semiconductor integrated circuit device having a Cu interconnection.例文帳に追加
Cu配線を有する半導体集積回路装置の信頼度を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁
METHOD, PROGRAM, AND DEVICE FOR LAYING OUT POWER INTERCONNECTION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
半導体集積回路の電源配線レイアウト方法、電源配線レイアウトプログラム、および電源配線レイアウト装置 - 特許庁
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