INTERCONNECTIONを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2610件
This method comprises the steps of embedding a conductive metallic material into fine recesses formed in a substrate, such as a semiconductor wafer (step 1), polishing the surface of the metallic material by a mechanical and chemical operation using a working solution (including a polishing solution, a chemical solution and a cleaning solution) from the outermost layer of the buried metal (step 2), whereby an interconnection structure is prepared.例文帳に追加
半導体ウエハ等の基材に設けた微細な凹みに導電性の金属材料を埋込み(工程1)、その後埋込み金属の最外層側から、金属材料表面を作業液(研摩液や薬液、洗浄液を含む)を用いて機械的・化学的作用によって研摩する(工程2)ことによって配線構造を製造する。 - 特許庁
In the interfiber fusion splicing structure wherein a double-clad fiber is melted and connected with a fiber having an exciting waveguide of a diameter different from that of the double-clad fiber, a fiber cover removal of each optical fiber in the vicinity of the melted interconnection between the optical fibers has an irregular surface having raised and recessed portions nearly equal in size to or larger than the wavelength of exciting light.例文帳に追加
ダブルクラッドファイバと、そのダブルクラッドファイバと励起光導波路径が異なるファイバとのファイバ間融着接続構造であって、それぞれのファイバ同士の融着接続部近傍の光ファイバ被覆除去部に、励起光波長と同程度又はそれ以上の大きさの凹凸が設けられたことを特徴とするファイバ間融着接続構造。 - 特許庁
To provide a computer and a system configuration method for constructing an economically efficient complex system having a simple and compact-sized system configuration without using a controller for interconnecting functional devices, and further having a detailed communication control of interconnection between the functional devices.例文帳に追加
本発明は、機能装置相互間の接続に、コントローラを介在することなく、システム構成を簡素化、小型化して、経済性に優れた複合化システムを構築することができるとともに、上記各機能装置相互の間に於いて、きめの細かい通信制御を行うことができるコンピュータ装置およびシステム構成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
An apparatus is described incorporating an interposer 1 having a cavity for a portion of an antenna structure 22, having conductor through vias 3, a top Si part 6 having interconnection wiring 72, 73, 74 and having pads for electrically mounting an integrated circuit chip 21 thereon, wherein the top Si part mates with the interposer electrically and mechanically.例文帳に追加
アンテナ構造体22の一部のためのキャビティを有し、導体貫通ビア3を有するインターポーザ1と、相互接続配線72,73,74を有し、そこに集積回路チップ21を電気的に取り付けるためのパッドを有する上部Si部分6と、を組み込んだ装置が説明され、ここで上部Si部分は、インターポーザと電気的に及び機械的に結合される。 - 特許庁
The multilayer interconnection structure 18 is constituted so as to electrically and interconnect circuits of a board 100 by using a plurality of other solder connecting members 47 and has a heat conduction layer 22 composed of material having a selected thickness and coefficient of thermal expansion with which solder connecting obstruction between a plurality of first conducting members and the semiconductor chip is prevented totally.例文帳に追加
多層相互接続構造18は、回路化基板100を、別の複数のハンダ接続部材47で電気的に相互接続するように構成され、第1の複数の導電部材と半導体チップとの間のハンダ接続障害を全体的に防止する選択された厚さおよび熱膨張率を有する材料よりなる熱伝導層22を有する。 - 特許庁
To provide an interconnection structure of a connector and a wire harness holding member which can improve workability of work for fixing a wire harness to a panel member and increase the degree of freedom of connector installation, by making it possible for the connector disposed on the wire harness to be fixed to the holding member disposed on an arbitrary position of the wire harness.例文帳に追加
本発明は、ワイヤハーネスに設けられたコネクタをワイヤハーネスの任意の位置に設けられる保持部材に取付けることができるようにして、ワイヤハーネスをパネル部材に取付ける作業の作業性を向上させることができるとともに、コネクタの取付けの自由度を高めることができるコネクタおよびワイヤハーネス保持部材の連結構造を提供するものである。 - 特許庁
Further, a method of manufacturing a BEOL interconnection structure includes (i) a method of forming a high-density TDL in an opening of the ULK dielectric bored by etching, and (ii) a method of arranging the ULK dielectric in a process chamber on a cold chuck, putting a seal agent into the process chamber and further performing an activating step.例文帳に追加
また、後工程相互接続構造の作製方法が開示され、この方法は、(i)超低K誘電体のエッチングされた開口に高密度薄膜誘電体層を生成する方法、および(ii)超低K誘電体を低温チャック上でプロセス・チャンバ中に配置し、封止剤をプロセス・チャンバに加え、さらに活性化ステップを行なう方法を含む。 - 特許庁
To provide a system-interconnection system which enables stable starting of private power generating facilities without being influenced by load variations even when the load variations are large, prevents an unnecessary stop of the private power generating facilities caused by the load variations after the private power generating facilities are once started and makes continuous operation possible, and performs appropriate control of the private power generating facilities by a controller.例文帳に追加
負荷変動が大きな場合であってもそれに影響されずに自家発電設備が安定して起動でき、いったん自家発電設備が起動後はその負荷変動に起因して不必要に停止することなく継続運転が可能となる上に、制御装置による自己発電設備の制御が適正に行われるようにした系統連係システムの提供。 - 特許庁
To provide the interconnection structure of a wiring board which can effectively avoid the influence by a magnetic field caused by a loop current in a closed circuit, even when the closed circuit is formed between a plurality of interconnections which are close to each other, and consequently can realize proper and efficient driving of apparatuses, and also to provide a wiring board using the same.例文帳に追加
互いに近接する複数の配線の間に閉回路が形成される場合においても、この閉回路を流れるループ電流によって生じる磁界による影響を有効に回避することができ、ひいては適正かつ効率的な機器の駆動を実現することのできる配線板の配線構造およびこれを備えた配線板を提供する。 - 特許庁
Further, when performing the packet transfer within one Clos network by using the Clos network for the basic network of the multistage interconnection network in the hierarchical structure, when scheduling is performed to switch elements SE0-SE3 of the exchanger of level 1, a packet, which is failed in the arbitration, is transferred by using the idle switch of the other switch element in the switch elements SE0-SE3.例文帳に追加
更に、階層構造の多段結合網の基本網にクロス網を使用して1つのクロス網内でパケット転送を行う場合、レベル1のエクスチェンジャのスイッチエレメントSE0〜SE3に対するスケジューリングを行った際、調停に負けたパケットをスイッチエレメントSE0〜SE3の他のスイッチエレメントにおける空きスイッチを使用して転送するようにようにした。 - 特許庁
Each service enterprise is provided with an internal network that transmits/receives an internal network use data packet, including the identification number of the VPN and with an interconnection unit 110 that transmits/ receives a data packet which does not include the identification number of the VPN and converts a data packet with an external communication line 130 having a line different for each identification number.例文帳に追加
各サービス事業者に、VPNの識別番号を含む内部ネットワーク用データパケットを送受信する内部ネットワークと、VPNの識別番号を含まないデータパケットを送受信し識別番号毎に異なる回線を持つ外部通信回線130との間で相互にデータパケットを変換する相互接続装置110を設ける。 - 特許庁
In the case that the facsimile equipment acts like the receiver side device, the CPU 1 allows the file transfer control section 9 to set up interconnection with the transmitter side device in response to a call from the transmitter side device and transmits capability data denoting its own communication capability and allows the file transfer control section 9 to receive the image data sent from the transmitter side device.例文帳に追加
受信側装置として動作するときにCPU1は、送信側装置の呼び出しに応じて送信側装置との相互接続をファイル転送制御部9に確立させた上で、自己の通信能力を示す能力データを送信し、こののちに送信側装置から送信される画像データをファイル転送制御部9に受信させる。 - 特許庁
The interconnection structure for the semiconductor device, which has: a region arranged so as to comprise at least an interior region; an intermediate region located in at least one side of the interior region; an exterior region arranged in at least one side of the intermediate region so as to face the interior region, comprises one or more pairs of first and second signal lines.例文帳に追加
少なくとも内側領域、内側領域の少なくとも一側に位置された中間領域、及び内側領域と向き合うように中間領域の少なくとも一側に配置された外側領域を含むように配置された領域を有する半導体装置のための相互連結構造は第1及び第2信号ラインの一つ以上の対を含む。 - 特許庁
This memory comprises an array of cells 110, formed on a substrate capable of storing information bits respectively; interconnection that connects with the magnetic memory cells 110; and conductors 112 and 114 that connect with the magnetic memory cells 110 and the interconnections, and fill-up spaces 116 between the memory cells that adjoin the arrays.例文帳に追加
基板上に形成された、それぞれが情報ビットを記憶するように適合されている磁気メモリセル110のアレイと、前記磁気メモリセル110と連絡している相互接続と、前記磁気メモリセル110及び前記相互接続と連絡しており、アレイの隣り合う前記磁気メモリセルの間の空間116を充填している導体112,114とを含むメモリ。 - 特許庁
The power supply 1 comprising an engine 3, a generator 4 driven by the engine 3, an inverter 6 for converting the frequency of power generated from the generator 4 to a desired frequency following to rectification, and a controller 60 performing system interconnection of generated power and external commercial power is further provided with a ventilation duct 20 in which the inverter 6 is installed.例文帳に追加
エンジン3と、該エンジン3により駆動される発電機4と、該発電機4により発電される発電電力を整流後に所望の周波数に変換するインバータ6と、該発電電力と外部商用電力とを系統連係させる制御装置60と、を有する電力供給装置1において、前記インバータ6を内設する換気ダクト20を設ける。 - 特許庁
The semiconductor device comprises the semiconductor chip such that a multilayer interconnection structure, having an interlayer insulation film of a low dielectric constant, is formed on a silicon substrate, and the sealing resin layer for sealing the semiconductor chip.例文帳に追加
シリコン基板上に低比誘電率の層間絶縁膜を有する多層配線構造が形成された半導体チップと、この半導体チップを覆う封止樹脂層とを備えた半導体装置において、前記封止樹脂層は、室温での線膨張係数(α)、室温でのヤング率(E)および膜厚(h)が下記(1)式の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁
To obtain a simpler and more robust deskew system capable of operating over a wider range input values with greater accuracy and over a broader range of temperature regarding a system for performing automatic deskew tuning and alignment across high-speed, parallel interconnection in a high performance digital system to compensate for inter-bit skew.例文帳に追加
ビット間スキューを補償するべく高性能ディジタルシステム内で高速並列相互接続を経由して自動スキュー除去同調および整列を実施するシステムに関し、より高い精度でより広い入力値範囲にわたり、かつ、より広い温度範囲にわたって動作可能な、より単純でより頑強なスキュー除去システムを実現する。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a semiconductor chip 20 having bumps 22, a substrate 30 facing the semiconductor chip 20, on which interconnection patterns 32 are formed for electrical connection to the bumps 22, and the bonding member 10 having a first layer 11 comprising an insulating filler (e.g. silica filler 14) and a second layer 12 without comprising the insulating filler.例文帳に追加
半導体装置は、バンプ22を有する半導体チップ20と、半導体チップ20と対向してバンプ22と電気的に接続する配線パターン32が形成された基板30と、絶縁性のフィラー(例えばシリカフィラー14)を含む第1の層11と絶縁性のフィラーを含まない第2の層12とを含む接着部材10と、を有する。 - 特許庁
The isolated operation detecting method of the inverter used for system interconnection of distributed power supply units includes injecting a harmonic current synchronized with an excitation current due to magnetic saturation characteristics of a pole transformer to the system side via the inverter, and then detecting the isolated operation of the inverter on the basis of a change in the system side due to the injection.例文帳に追加
分散型電源の系統連系に用いられるインバータの単独運転検出方法であって、柱上変圧器の磁気飽和特性に起因する励磁電流に同期する高調波電流を前記インバータを介して系統側へ注入し、当該注入による系統側の変化に基づいて前記インバータの単独運転を検出する。 - 特許庁
The solid-state photographing device is characterized in that it is equipped with: a photographing region where pixels 60 composed of photoelectric conversion unit PDs and transistors Tr1 and Tr2 are arranged; and a multilayered interconnection 62 [621, 622, and 623] formed above the pixels 60 through an interlayer insulating film 61, and that the interlayer insulating film 61 has shading properties.例文帳に追加
光電変換部PDとトランジスタTr1,Tr2で構成された複数の画素60が配列された撮像領域と、複数の画素60の上方に層間絶縁膜61を介して形成された複数層の配線62〔621、622、623〕を有し、層間絶縁膜61が遮光性を有して成ることを特徴とする。 - 特許庁
To provide an interconnection to a plurality of redundancy protocols on one network, to construct a flexible network, to prevent a large loop of the network as a whole, to localize an effect on communication and a device in order to reduce a load of the network involved in switching communication paths and further, to quickly switch the communication paths.例文帳に追加
1つのネットワーク上で複数の冗長化プロトコルに対する相互接続を提供し、柔軟なネットワークの構築を可能とし、ネットワーク全体の大きなループを防止し、通信経路の切り替えに伴うネットワークの負荷を軽減するために通信や装置への影響を局所化し、さらに、通信経路の切り替えを高速に行うことを実現することを課題とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it for realizing miniaturization at the time of mounting a semiconductor element (chip) on a package, for increasing the degree of freedom of wiring, for making it unnecessary to form any via hole for carrying out electric conduction with the chip, for easily realizing the three-dimensional arrangement configuration and interconnection of the chip as necessary, and for contributing to high functioning.例文帳に追加
パッケージに半導体素子(チップ)を実装するに際し小型化を図ると共に、配線の自由度を高め、チップとの電気的導通をとるためのビアホールの形成を不要とし、必要に応じてチップの3次元的な配置構成及び相互間の接続を簡便に行えるようにし、高機能化に寄与することができる「半導体装置及びその製造方法」を提供すること。 - 特許庁
The apparatus for supporting design of the printed board, which uses an information processor, includes a means for provisionally placing electronic components on the printed board, a means for interconnecting the provisionally placed electronic components with a shortest route of wiring, and a means for re-placing the provisionally placed electronic components so as to minimize the length of the wirings of the interconnection in a long side direction of a ground plane.例文帳に追加
情報処理装置を使用したプリント基板の設計支援装置において、プリント基板上に電子部品を仮配置する手段と、仮配置した電子部品間を最短経路の配線で接続する手段と、接続した配線の、グランドプレーンの長辺方向の配線長を最小にするように、仮配置した前記電子部品を再配置する手段とを設ける。 - 特許庁
In this semiconductor device, a metallic stiffener 4 which is a radiating plate serving also as a reinforcing plate having a semiconductor chip mounting recess is bonded to a TAB tape 20 formed by attaching a thin film interconnection pattern 8 to one surface of an easily deformable insulating film 10, and a thermosetting or thermoplastic highly reliable adhesive film 12 is bonded to the bottom of the semiconductor chip mounting recess of the stiffener 4 in advance.例文帳に追加
変形容易な絶縁フィルム10の片面に薄膜配線パターン8を付けたTABテープ20に、半導体チップ搭載用凹部24を有する放熱板兼補強板たる金属製スティフナ4を貼り合わせ、そのスティフナ4の半導体チップ搭載用凹部24の底部に、熱硬化性もしくは熱可塑性の高信頼性接着剤フィルム12をあらかじめ貼り合わせる。 - 特許庁
The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode.例文帳に追加
酸素:0.4〜6原子%を含有し、さらにNi、CoおよびZnのうちの1種または2種以上を合計で0.001〜3原子%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁
In this case, this method is characterized by imaging the outermost-layer wiring pattern of the semiconductor packaging multilayer interconnection board by using the illumination 5 having a wave range below 450 nm which is a low wave range of a transmission spectral sensitivity characteristic and a reflection spectral sensitivity characteristic of an insulating base material comprising a polyimide film or a polyimide resin and an insulating layer, or by using a band-pass filter 4.例文帳に追加
ここで、ポリイミドフィルムもしくはポリイミド樹脂からなる絶縁基材及び絶縁層の透過分光感度特性及び反射分光感度特性の低波長域である450nm以下の波長域を有する照明5、もしくはバンドパスフィルタ4を用いて、半導体パッケージ用多層配線板の最外層の配線パターンを撮像することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a microelectronic device which has a top surface wide enough to make excellent electric connection between a first electric element and a second electric element distributed to a first layer and a second layer stacked one over the other on a substrate, and also has an interconnection having a cross section small enough not to cause damage due to thermal expansion.例文帳に追加
基板上に上下に積層された第1の階層と第2の階層とにそれぞれ分配された第1の電気素子と第2の電気素子との間の良好な電気的接続を可能にするほどに広い上面を有し、かつ熱膨張に伴う損傷を生じないほどに小さな断面を有する相互配線を備えたマイクロ電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁
The copper film 9a in the first region can be used for the interconnection with the capacitance between interconnections suppressed due to the low relative permittivity of the insulating film between the copper films 9a, and the copper film 9b in the second region can be used for the capacitive element with a satisfactory electrostatic capacity assured due to high relative permittivity of the insulating film between copper films 9b.例文帳に追加
これによって、第1領域内の銅膜9aは、当該銅膜9a間の絶縁膜の比誘電率が低いため、配線間容量が抑制されており、配線に利用可能であるとともに、第2領域内の銅膜9bは、当該銅膜9b間の絶縁膜の比誘電率が高いため十分な静電容量が確保でき、容量素子として利用可能である。 - 特許庁
Since the transaction level can be separated from a prescribed physical level in the specifications of the SoC component, a function for mapping a PCI (or another bus-based) system in a point-to-point (PtP) interconnection system, a function for PtP interconnecting target-based decoding, and target-based decoding in the PC compatible system and other PC compatible function are achieved through logic.例文帳に追加
SoC構成部分の仕様の規定の物理レベルからトランザクション・レベルを分離することが可能であるので、PCI(又は他のバスベースの)システムをポイントツーポイント(PtP)相互接続システムにマッピングするための機能、ターゲットベースの復号化をPtP相互接続するための機能、及び、PC互換システムにおいて、ターゲットベースの復号化及び他のPC互換機能をロジックを介して実現する。 - 特許庁
A communication control unit 6c constituting an LED controller controls the lighting state of an LED illumination terminal 11 based on the interconnection information which is delivered as a carrier signal to be superimposed on the DC voltage on the conductive bar 8 from the communication control unit 6d connected with a disaster prevention sensor 12 or the communication control unit 6e connected with a crime prevention sensor 13.例文帳に追加
防災センサ12を接続している通信制御ユニット6d或いは防犯センサ13を接続している通信制御ユニット6eから導電バー8上の直流電圧に重畳する搬送信号として送られてくる連携関係情報に基づいてLEDコントローラを構成する通信制御ユニット6cはLED照明端末11の点灯状態を制御する。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array layer 400 having electrically rewritable memory cells MC connected in series; a control circuit layer 200 disposed below the memory cell array layer 400 and controlling a voltage applied to the memory cells MC; and an interconnection portion 500 electrically connecting the control circuit layer 200 and the memory cell array layer 400.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能であり且つ直列に接続されたメモリセルMCを有するメモリセルアレイ層400と、メモリセルアレイ層400の下層に位置し且つメモリセルMCに印加する電圧を制御する制御回路層200と、制御回路層200とメモリセルアレイ層400とを電気的に接続する接続配線部500とを備える。 - 特許庁
In this folding radio device 100, at least either of contacts 30a, 30b which come into contact with an interconnection pin 33 of coupling parts 31, 32 has rigidity larger than that of a part, except the contact 30 of the coupling part 32 containing the contact 30a or that of the case 20 provided with the coupling part 32 containing the contact 30a.例文帳に追加
本発明の折り畳み式携帯無線装置100は、結合部31,32の連結ピン33に接する接触部分30a,30bのうち少なくともいずれかが、その接触部分30aを含む結合部32のその接触部分30a以外の部分、またはその接触部分30aを含む結合部32が備えられた筐体20より高強度である。 - 特許庁
To provide a DC/AC converter supplying the AC side with a sine wave output current while suppressing distortion through simple circuitry in which the problems of prior art, i.e. intricate structure of circuit system and high cost, are eliminated with regard to a system interconnection facility for supplying power from a DC power supply, e.g. solar cells, to an existing AC system.例文帳に追加
太陽電池などの直流電源から既存の交流系統に電力を供給する系統連係装置に関して、従来技術の問題点である回路システム構成の複雑さ、このための高コスト化を解消し、回路構成が簡単で交流側にひずみが少ない正弦波出力電流を供給する直流交流変換器を提供することを課題とする。 - 特許庁
The system interconnection protective device comprises a voltage transformer 38 for detecting the AC voltage signal of an AC power system, a circuit 30 for operating the effective value of an AC voltage signal detected by the voltage transformer 38, and a frequency detection means 41 comprising a divider 31, a filter circuit 32, a comparator 35, a counter circuit 36, and a reciprocal operating unit 37.例文帳に追加
交流電力系統の交流電圧信号を検出する計器用変圧器38と、38によって検出された交流電圧信号を、実効値演算回路30、除算器31、フィルタ回路32、コンパレータ35、計数回路36、逆数演算器37からなる周波数検出手段41により、交流電力系統の交流電圧信号の周波数を検出する。 - 特許庁
To provide a substrate processing device and a substrate processing method which can suppress formation of a water mark in a surface of a substrate to be processed and corrosion of a copper interconnection exposed in a surface of the substrate to be processed when the substrate to be processed such as a semiconductor wafer is subjected to cleaning treatment by cleaning liquid containing hydrofluoro ether.例文帳に追加
半導体ウエハ等の被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいは被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁
In the multilayer interconnection board where a plurality of wiring sheets having a porous sheet, and a conductive pattern where a conductive substance is filled into a void at the selected region of the porous sheet are laminated, at least two types of porous sheets with a different average void diameter are used as the porous sheets for composing the plurality of wiring sheets.例文帳に追加
本発明は、多孔質シートと、前記多孔質シートの選択された領域の空孔に導電性物質が充填されてなる導電性パターンとを備える配線シートが複数枚積層されてなる多層配線基板において、前記複数枚の配線シートを構成する多孔質シートとして平均空孔径の異なる2種以上の多孔質シートが使用されていることを特徴とする。 - 特許庁
The interconnection system is configured between the mobile phone 1 having a password code storage section 6 that stores a password used to identify its own and other party by which the password is set and the peripheral mobile terminal 2 that is connected to the mobile phone 1 to exchange data information or the like and has a password registration section 16 that registers in advance a password to identify the connectable mobile phone 1.例文帳に追加
設定した自他を識別する暗証コードを格納する暗証コード格納部6を備える携帯電話機1と、携帯電話機1と接続されてデータ情報等の授受が行われるとともに接続可能な携帯電話機1を特定する暗証コードを予め登録する暗証コード登録部16を有する周辺携帯端末機器2との間において構成される。 - 特許庁
A plurality of free-standing mutual contact elements 710 such as contact bumps or free-standing spring contacts including both monolithic and composite interconnection elements are mounted to relatively small tile substrates 702 which are then mounted and connected to a relatively large electronic component substrate 706, thereby stationing a plurality of contact elements to an electronic component.例文帳に追加
モノリシック相互接続要素及び複合相互接続要素の両方を含んだ接触バンプ又は自立型のばね接触子等の複数の自立型の相互接触要素710を、比較的小さなタイル基板702に実装し、次いでそのタイル基板を、比較的大きな電子コンポーネント基板706に実装及び接続することで、電子コンポーネントに複数の接触要素が定置する機構とする。 - 特許庁
An interconnection area A is provided so as to alternately connect each linear wire 15a to one signal detecting IC and the other signal detecting IC in the array order of eight linear wires 15a on the boundary between the adjacent signal detecting ICs with regard to the linear wires 15a of the radiation solid state detector 10 and the connections to the signal detecting ICs.例文帳に追加
放射線固体検出器10の線状配線15aと信号検出用ICとの接続に関し、互いに隣接する信号検出用IC同士の境界部分の8本の線状配線15aにおいて、線状配線15aの配列順に1本ずつ交互に一方の信号検出用ICと他方の信号検出用ICに接続した交互接続領域Aを設ける。 - 特許庁
In a multilayer interconnection board 10 constituting a part of a wafer collective contact board, an outer peripheral pad 51 formed in the peripheral region of the board is made into a block for standardization, while a guide part (guide hole 53) for guiding and alignment when a connector is connected to the block outer peripheral pad 51, is provided adjacent to it.例文帳に追加
ウエハ一括コンタクトボードの一部を構成する多層配線基板10において、基板の周辺領域に形成される外周パッド51をブロック化するとともに標準化し、かつ、前記ブロック化された外周パッドに隣接して、前記ブロック化された外周パッドにコネクタを接続する際に案内及び位置合わせの役割を果たすガイド部(ガイド穴53)を設けた構造とする。 - 特許庁
On the semiconductor circuit device surface having necessary circuits formed, one layer or a plurality of layers of insulating layer composed of an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a component of organic filler of ≤1 μm in average primary particle size is provided, and circuits using copper as interconnection conductors for the same intralayer connection and the interlayer connection are formed on optional locations.例文帳に追加
必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径1μm以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 - 特許庁
The method for manufacturing the multilayer interconnection circuit substrate comprises the steps of laminating the thermosetting adhesive layer 15 on a first conductor layer 12, then forming an opening 14 in the layer 15, filling the opening 14 with solder powder 17 at an ambient temperature, and then laminating a second conductor layer 23 on the layer 15 including the opening 14 filled with the powder 17.例文帳に追加
第1の導体層12の上に、熱硬化性接着剤層15を積層した後、その熱硬化性接着剤層15に開口部14を形成し、その開口部14に、はんだ粉末17を常温で充填し、次いで、はんだ粉末17が充填された開口部14を含む熱硬化性接着剤層15の上に、第2の導体層23を積層する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a flexible wiring substrate 11 consisting of a base film 1, where multiple interconnections 9 are arranged; semiconductor chips 5 mounted on the flexible wiring substrate 11; and sealing resin 6 which is arranged between the flexible wiring substrate 11 and the semiconductor chips 5 so that at least a part of the sealing resin 6 contacts with the interconnection 9, wherein metallic ion bonding agent is mixed with the sealing resin 6.例文帳に追加
ベースフィルム1に複数の配線9が配置されたフレキシブル配線基板11と、上記フレキシブル配線基板11に搭載された半導体チップ5と、フレキシブル配線基板11と半導体チップ5との間に、少なくとも一部が配線9に接するように配置された封止樹脂6を有し、封止樹脂6に金属イオン結合剤が混合されている。 - 特許庁
In the multilayer interconnection board, an insulating layer 2 made of an organic resin and a wiring conductor layer 3 laminating a foundation conductor layer 4 deposited onto the insulating layer 2 for formation and a main conductor layer 5 are laminated, and the side of the foundation conductor layer 4 retreats inward as compared with the side of the main conductor layer 5 in the wiring conductor layer 3 located between the insulating layers 2.例文帳に追加
有機樹脂からなる絶縁層2とこの絶縁層2上に被着形成された下地導体層4および主導体層5を積層して成る配線導体層3とを多層に積層して成り、絶縁層2間に位置する配線導体層3は、下地導体層4の側面を主導体層5の側面より内側に後退させた多層配線基板である。 - 特許庁
Mexico permits several carriers to offer international telephone services, but the international long-distance telephone service regulations mandate “negotiations on interconnection rates with telecommunication businesses from certain countries by the long-distance service licensee that has achieved the largest share in the long-distance telephone market over the 6 months preceding the negotiations.”例文帳に追加
メキシコは国際電話サービスの提供を複数の通信事業者に許可しているが、国際長距離電話サービス提供規則により「特定国との交渉に先立つ直近の6ヶ月において、長距離電話市場で最大のシェアを持つ長距離サービスの譲許取得者が、当該特定国の電気通信事業運営体と精算料金について交渉するものとする。」と規定していた。 - 経済産業省
This active pixel sensor is provide an interconnection structure 210, containing conductive vias placed on a board adjacent to each other, light sensors consisting of pixel electrode connected electrically to the board via the corresponding conductive via and of layer I formed on the pixel electrode, and a conductive mesh 240, which is formed adjacent to the light sensor and connected electrically to the board via the conductive via.例文帳に追加
アクティブ・ピクセル・センサは、基板上に隣接して置かれた複数の導電性バイアを含む相互接続構造210と、対応する導電性バイアを介して基板に電気的に接続されたピクセル電極及びその上に形成されたI層を含む複数の光センサと、光センサに隣接して形成され導電性バイアを介して基板に電気的に接続された導電性メッシュ240とを含む。 - 特許庁
In this method which electrically interconnects microstrip lines 9a and 9b by overlapping a minute electrode on the conductors of the microstrip lines 9a and 9b and pressing the minute electrode with an electrode support 6 made from dielectric, the effect of positional deviation of the minute electrode is reduced by using a rhombic minute electrode 8 instead of a rectangular minute electrode 7 as a minute electrode used for interconnection.例文帳に追加
マイクロストリップ線路9a、9bの導体上に微小電極を重ねて、該微小電極を誘電体からなる電極支え6により押し付けることで、マイクロストリップ線路9a、9bを電気的に相互接続する方法において、相互接続に用いる微小電極として、長方形の微小電極7ではなく、菱形の微小電極8を用いることにより、微小電極の位置ずれの影響を小さくする。 - 特許庁
The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment.例文帳に追加
N型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。 - 特許庁
The semiconductor memory device comprises a transistor formed on a semiconductor substrate; the capacitor which is formed above the transistor and comprises a bottom electrode, a dielectric film, and a top electrode; semi-insulation layer which is formed on the side face of the top electrode and is a reformed top electrode; insulation film so formed as to coat the capacitor; and interconnection connected to the top electrode.例文帳に追加
本発明の1態様による半導体記憶装置は、半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの上方に形成され、下部電極、誘電体膜、及び上部電極を含むキャパシタと、前記上部電極の側面に形成され、この上部電極を改質した半絶縁層と、前記キャパシタを覆って形成された絶縁膜と、前記上部電極に接続する配線とを具備する。 - 特許庁
A display of a control apparatus performs graphic display of images showing respective modules that respective equipment achieve in the music system and an image showing a logical interconnection state of the modules of the respective equipment, and a user moves a graphically displayed image of a module on the display from an image area of the equipment having achieved the module to an image area of another equipment.例文帳に追加
制御装置のディスプレイにおいて、音楽システム内の各機器が実現する各モジュールを示すイメージと、該各機器における各モジュール間の論理接続状態を示すイメージとがグラフィック表示され、ユーザは、グラフィック表示されたモジュールのイメージを、当該モジュールを実現している機器のイメージ領域から他の機器のイメージ領域のイメージ領域に、ディスプレイ上において移動させる操作を行うことができる。 - 特許庁
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