「LEVENSON」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LEVENSON PHASE SHIFT MASK AND FINE PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスク及びこれを用いた微細パターン形成方法 - 特許庁

A Levenson-type phase shift mask, having different phase difference, is manufactured.例文帳に追加

異なった位相差を持つレベンソン型位相シフトマスク２２を作成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the Levenson phase shift mask includes a (a) step and a (b) step.例文帳に追加

レベンソンマスクの製造方法は、（ａ）工程と（ｂ）工程とを具備している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a levenson type mask forming a fine pattern.例文帳に追加

微細なパターンを形成できるレベンソン型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, AND LEVENSON TYPE PHASE SHIFT MASK例文帳に追加

半導体製造方法、マスクパターンの形成方法及びレベンソン型位相シフトマスク。 - 特許庁

SYSTEM FOR COLORING PARTIALLY COLORED DESIGN IN LEVENSON TYPE PHASE SHIFT MASK例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクにおいて部分的にカラー付けされた設計をカラーリングするためのシステム - 特許庁

To ameliorate the deviation in position and the degradation in contrast in exposure patterns of a Levenson type phase shift mask.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの露光パターンに位置ずれ、コントラスト低下の改善を図る。 - 特許庁

Further, the Levenson masks 10 and 20 are formed in different patterns and used for a plurality of times of double exposure.例文帳に追加

また、レベンソンマスク１０，２０は、それぞれ異なるパターンが形成され、複数回の重ね露光に使われる。 - 特許庁

To provide a Levenson phase shift mask capable of restraining properly light from a side wall of an engraved part of a substrate in the Levenson phase shift mask, capable of improving resolution and a focal depth, and capable of enhancing a transfer characteristic.例文帳に追加

レベンソンマスクにおける基板の掘り込み部の側壁からの光を適切に抑制することができ、解像度や焦点深度を改善し、転写特性を向上させることができるレベンソンマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Levenson type phase shift mask having excellent resolution and free of defects.例文帳に追加

解像性に優れた欠陥のないレベンソン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask that can significantly improve CD (Critical Dimension) performance, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

CDパフォーマンスの大幅な改善が可能なレベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Levenson mask which can suppress the influence of optical proximity effect and a fine pattern forming method using the mask.例文帳に追加

光近接効果の影響を抑制できるレベンソンマスク、及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To decrease the work of designing a Levenson phase shift mask of an engraved substrate type and to reduce the working time.例文帳に追加

基板掘込み型のレベンソン型位相シフトマスクの設計に費やす作業負担を軽減し、作業時間を短縮する。 - 特許庁

A Levenson phase shift mask 4 is subjected to projection exposure and the intensity distribution of the light which transmitted through the Levenson phase shift mask 4 is detected by a CCD camera 6, to obtain the relation between the defocus quantity on the CCD camera 6 and the dimension of the optical pattern.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスク４を投影露光し、このレベンソン位相シフトマスク４を透過した光の強度分布をＣＣＤカメラ６により検出し、ＣＣＤカメラ６上のデフォーカス量と、光学的パターン寸法との関係を求める。 - 特許庁

To provide a method for producing a Levenson type phase shift mask having excellent balance of quantity of transmitted light and free of defects.例文帳に追加

透過光量バランスに優れた欠陥のないレベンソン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Levenson masks 10 and 20 have patterns in which shifter parts 121,... and non-shifter parts 131,... are arranged opposite to each other across shading parts 111,....例文帳に追加

レベンソンマスク１０，２０は、遮光部１１１，…を挟んでシフタ部１２１，…及び非シフタ部１３１，…が対向配置されたパターンを有する。 - 特許庁

In a method of forming a pattern, multiple exposures are effected, using a Levenson phase shift mask 10 and a half-tone phase shift mask 20, respectively.例文帳に追加

パターン形成方法において、レベンソン位相シフトマスク１０、ハーフトーン位相シフトマスク２０のそれぞれで多重露光を行う。 - 特許庁

The phase difference abnormality and transmittance difference abnormality are detected, base on the relation to correct the device pattern of the Levenson phase shift mask 4.例文帳に追加

そして、この関係に基づいて、位相差異常及び透過率差異常を検出し、レベンソン位相シフトマスク４のデバイスパターンを補正する。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask having no divot (defect) in an opening (opening A) where the phase difference of transmitted light is to be 0°, even when a pinhole is present in a protective film protecting the opening A in the process of engraving the Levenson phase shift mask by etching.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクの掘込み部をエッチングによって形成する際に、透過光の位相差を０度とする開口部（開口部Ａ）となる部分を保護する保護膜にピンホールが存在しても、開口部Ａにディボット（欠陥）が形成されないレベンソン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁

To correct a white defect having a phase effect in a halftone phase shift mask or to correct a recessed phase defect in a Levenson type phase shift mask.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクの位相効果を持つ白欠陥修正やレベンソン型位相シフトマスクの凹型の位相欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

To provide an improved method for designing an Levenson type phase shifting mask with which the phase shape collision within a design layout can be solved.例文帳に追加

設計レイアウト内部の位相形状衝突を解決できるレベンソン型位相シフトマスクを設計する改善された方法を提供すること。 - 特許庁

To accurately eliminate a defect in a Levenson type phase shifting mask having an undercut structure in such a way as not to cause lowering of light intensity.例文帳に追加

アンダーカット構造を持つレベンソン型位相シフトマスクの欠陥に対して、光量の低下が起こらないような高精度な欠陥修正を行う。 - 特許庁

For example, two exposing methods of a first exposing method using a half tone phase mask and a second exposing method using a Levenson phase mask are specified.例文帳に追加

例えば、ハーフトーン位相マスクを使った第１の露光方法とレベンソン位相マスクを使った第２の露光方法の二つの露光方法を特定する。 - 特許庁

To provide a defect inspecting device having exact defect detection sensitivity even for a phase shift mask such as a halftone mask and a Levenson mask.例文帳に追加

ハーフトーンマスクやレベンソンマスク等の位相シフトマスクについても、正確な欠陥検出感度を備えた欠陥検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the levenson type mask includes an opening setting process of defining a same phase opening and reverse phase opening on both sides of a first pattern.例文帳に追加

レベンソン型マスクの製造方法は、第１パターンの両側に、同位相開口部および反転位相開口部を定める開口部設定工程を含む。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask in which increase in the dimension of the formable minimum pattern element due to the proximity effect of light can be effectively suppressed.例文帳に追加

形成可能な最小パターン要素寸法が光近接効果により増大するのを効果的に抑制できるレベンソン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

Microfabrication of the pattern can performed, by doubly exposing the first divided pattern portion and the second divided pattern portion and using the Levenson-type and the auxiliary pattern type together.例文帳に追加

第一分割パターン部と第二分割パターン部を二重露光させ、かつ、レベンソン形と補助パターン形を併用することでパターンを微細化できる。 - 特許庁

To directly measure the phase difference working amount of a phase shifter without stripping a resist pattern in the working process of the phase shifter of an engraved Levenson type phase shifting mask, etc.例文帳に追加

彫り込み型レベンソン型位相シフトマスク等における位相シフター加工工程中にレジストパターンを剥離することなく位相差加工量を直接計測する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor, by which the processing dimensional accuracy is improved, and also to provide a method for forming a mask pattern, and a Levenson type phase shift mask.例文帳に追加

加工寸法精度の向上を図ることが可能な半導体製造方法、マスクパターンの形成方法及びレベンソン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト１を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where the fluctuations in the current characteristics are suppressed by using a phase shift mask, especially, a Levenson mask for gate electrode working, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

ゲート電極加工に位相シフトマスク、特にレベンソンマスクを用い、電流特性の変動を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To inspect a mask defect with high accuracy even in a Levenson type phase shift mask having a configuration that an engraved region and a non-engraved region are adjacent to each other.例文帳に追加

掘り込み領域と非掘り込み領域とが隣接するように構成されたレベンソン型位相シフトマスクであっても、高精度なマスク欠陥検査を行うことを可能とする。 - 特許庁

Double exposure is performed by using a pair of photomasks 1 and 2 such as an ordinary chrome mask or a half-tone phase shift mask or the like which is not the Levenson type phase shift mask, and a pattern is transferred onto a photoresist.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクでない通常のクロムマスク又はハーフトーン位相シフトマスク等の一対のフォトマスク１，２を用いて２重露光を行い、フォトレジストにパターン転写する。 - 特許庁

To form a micropattern with high accuracy and sufficient manufacturing process margin without using a photomask involving complicated manufacturing process and high manufacturing cost such as a Levenson type phase shift mask.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクのように製造プロセスが煩雑で製造コストの高いフォトマスクを用いることなく、しかも十分な製造プロセスマージンで微細パターンを精度良く形成する。 - 特許庁

To manufacture two types of shrunk MOS transistors having gate post-oxide films of different thicknesses by a Levenson method using a Trim mask and an Alt mask.例文帳に追加

本発明は、レベンソン法によるＴｒｉｍマスク、Ａｌｔマスクを用いて異なる膜厚のゲート後酸化膜を持つ微細な２種類のＭＯＳトランジスタを形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an eaves type Levenson phase shift mask for transferring a fine pattern in which fragments of eaves are restored with high accuracy, and to provide a mask defect modifying method for restoring broken parts of the eaves of the eaves type phase shift mask.例文帳に追加

ひさし折れが修復された、微細パターンを高精度に転写できるひさし型レベンソン位相シフトマスクと、ひさし型位相シフトマスクのひさし折れ部分を修復できるマスク欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an exposure mask and an exposure method for performing pattern exposure with a high precision and a high resolution for a more versatile pattern with respect to pattern exposure using a Levenson-type phase shift mask.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクを用いたパターン露光において、より多用なパターンについて高精度かつ高解像度でパターン露光を行うことが可能な露光マスクの作製方法および露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for facilitating the washing by reducing the total level and eliminating the undercut of a phase-shift mask, especially, an engraving Levenson-type mask, and also for uniformizing the intensity of light at a shifter part or a non-shifter part.例文帳に追加

位相シフトマスク特に、掘込み型レベンソンマスクのＴｏｔａｌ段差を低減し、アンダーカットを無くし、洗浄を容易にすると同時に、シフタ部、非シフタ部の光強度の均一性をはかる手段を提供する。 - 特許庁

A white defect in a halftone phase shift mask or a recessed phase defect in a Levenson type phase shift mask is corrected to match the phase by depositing an electron beam CVD film 6 having high transmittance and a high phase effect such as tetramethoxysilane or the like.例文帳に追加

透過率が高く位相効果のあるテトラメトキシシラン等の電子ビームCVD膜６でハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥やレベンソン型位相シフトマスクの凹型の位相欠陥を位相が合うように修正する。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask which has a shallow dipped part with a depth of superior uniformity in a plane, can reduce a transfer size difference more, and has the depth of the shallow dipped part made unlimited and is easy to manufacture.例文帳に追加

面内で均一性に優れた浅い掘込み部の深さを有し、転写寸法差をより低減することのできる、また、浅い掘込み部の深さが制約されず、容易に製造することのできるレベンソン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a phase shifting mask in which dislocation of a resist pattern due to the waveguide effect of a Levenson phase shifting mask is suppressed and high alignment accuracy can be attained and to provide a method therefor and a pattern forming method.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生を抑制し、高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask which can be manufactured without complicating the manufacturing processes or increasing the factors of defects, which prevents deterioration in the transfer accuracy caused by unnecessary light reflecting from the photomask surface and which improves the resolution of a transfer pattern.例文帳に追加

製造プロセスを複雑にせず、欠陥の要因を増やさず製造でき、また、フォトマスク面で反射する不必要な光に起因する転写精度の劣化を防止し、転写パターンの解像力を向上させるレベンソン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁

For etching a glass of Levenson mask, etching Cr in a black defect of a binary mask or etching MoSi in a black defect of a phase shift mask, only the defect region 7 is selectively scanned with the tilted electron beam 4 while blowing xenon fluoride from a gas gun 8 to correct the defect.例文帳に追加

レベンソンマスクのガラスのエッチングや、バイナリマスクの黒欠陥のＣｒのエッチングや、位相シフトマスクの黒欠陥のＭｏＳｉのエッチングには、フッ化キセノンをガス銃８から流しながら前記の傾斜させた電子ビーム４で欠陥領域７のみ選択的に走査して欠陥の修正を行う。 - 特許庁

To provide a method which can improve the degree of production margin in a phase shift mask manufacturing process and takes the actual width and length of a linear pattern into consideration as a correcting method for photomask data for a drawing device for manufacturing a substrate digging type Levenson phase shift photomask.例文帳に追加

基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法を提供する。 - 特許庁

To deal with the exposure for patterning where micro patterns with different pitches coexist closely and to accurately form micro patterns at enough production process margin without using a photo mask such as Levenson-type phase shift mask that has a complicated production process and is high in manufacturing cost.例文帳に追加

ピッチの異なる微細なパターンが近接して混在するパターニングを行うための露光にも対応し、レベンソン型位相シフトマスクの如き製造プロセスが煩雑で製造コストの高いフォトマスクを用いることなく、十分な製造プロセスマージンで微細なパターンを精度良く形成する。 - 特許庁