「Memory storage density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a control method of an adaptive hybrid density memory storage device suitable for locating a file data in a storage device, and also to provide an adaptive hybrid density memory storage device.例文帳に追加

ファイルデータを記憶装置の中に配置することに適用される適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置の制御方法、および適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory capable of improving storage density by the microfabrication of a physical memory size and contriving a reduction in memory cost in a phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリにおいて、物理的なメモリサイズを微細化することによって記憶密度を向上させ、メモリコストの低減をはかることができるメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a memory device having a memory cell including a constitution of a high data storage density and a relatively low cost.例文帳に追加

高いデータ記憶密度の構成と比較的低コストとを可能にするメモリセルを有するメモリデバイスの提供。 - 特許庁

To provide a high-density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a 4M storage capacity.例文帳に追加

４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

ULTRA-HIGH DENSITY DATA STORAGE DEVICE USING PHASE-CHANGE DIODE MEMORY CELLS, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化ダイオードメモリセルを用いる超高密度データ記憶デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, wherein charge storage density becomes max by analyzing the charge storage density as a function of composition of Al, in a charge storage layer of Al-rich Al_2O_3.例文帳に追加

Ａl-rich Ａl2Ｏ3の電荷蓄積層において、Ａlの組成の関数として電荷蓄積密度を解析し、電荷蓄積密度が最大となるような半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device and a manufacturing method of the same, which increase a memory density.例文帳に追加

記憶密度を高めた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 16M.例文帳に追加

１６Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 64M.例文帳に追加

６４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To realize a memory device which can read out information having high speed and high reliability, in some parts of a memory and having high information storage density, in other parts of the memory.例文帳に追加

メモリのある部分では高速で信頼性の高い情報読出しが可能であり、メモリの他の部分では情報記憶密度が高いメモリデバイスを実現する。 - 特許庁

To provide a method for employing an optical state-change organic polymer film as an information-storage layer in a high density optoelectric memory and a high density optoelectric memory produced by the method.例文帳に追加

高密度光メモリの情報記憶層として光学状態変化有機ポリマーフィルムを利用する方法及び当該方法によって製造された高密度光メモリを提供する。 - 特許庁

Density distribution data of the read value is previously stored as first profile information in a storage memory 9.例文帳に追加

この読み取り値の濃度分布データを第１のプロファイル情報として予め格納メモリ９に記憶しておく。 - 特許庁

To provide a hologram memory device which can raise a storage density even when increasing the number of hologram capable of multiple storage and has a simple device constitution.例文帳に追加

多重記憶するホログラム数を多くしても記憶密度を上げることが可能な、装置構成が簡単なホログラムメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device, of which the satisfied operational performance can be secured by constituting hierarchized memory cell arrays and arranging the memory cells with high density.例文帳に追加

階層化されたメモリセルアレイを構成し、メモリセルを高密度に配置して良好な動作性能を確保可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This method is used to provide a charge storage layer of a nonvolatile memory having a higher nanocrystal density.例文帳に追加

この方法は、より高いナノ結晶密度を有する不揮発性メモリの電荷格納層を提供するために使用され得る。 - 特許庁

The control method is characterized in that the property of data is determined by its length, and then, the data is determined to be located to the high density memory or the low density memory according to the property of the data, and the wearing level and the amount of data processed by the adaptive hybrid density memory storage device.例文帳に追加

制御方法は、データ長によって当該データの性質を判断し、その後、当該データの性質と適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置の摩損レベルとデータ量処理の状況によって、当該データを高密度メモリに配置するか低密度メモリに配置するかを決定する。 - 特許庁

To provide an electrochromic device, a storage device, and a manufacturing method thereof, the electrochromic device having a memory function and the storage device significantly improving a memory density by having two or more memory configurations.例文帳に追加

本発明の主な目的は、エレクトロクロミック装置、記憶装置及びその製造方法を提供することにより、メモリ機能を有しており、記憶装置は、２個以上のメモリ構成を有して、メモリ密度を大幅に向上させることができる。 - 特許庁

This mass memory storage device for reading data stored in a mass memory storage medium 22 where data are stored in an almost uniform density includes a support 20 constructed so as to accept a medium and to support the medium.例文帳に追加

略一様な密度でデータが記憶されている大容量メモリ記憶媒体２２に記憶されたデータを読取る大容量メモリ記憶デバイスが、媒体を受入れて支持するように構成された支持装置２０を含む。 - 特許庁

To provide semiconductor storage devices, which are formed thin, while two memory chips are used and are superior in general-purpose properties, a memory module, which can be increased the memory capacity per unit volume and is enabled a high-density mounting, and a memory module which is satisfactory in operability.例文帳に追加

２つのメモリチップを用いつつ、その厚みを薄く形成し、汎用性に優れた半導体記憶装置、及び単位体積当たりの記憶容量の増大と、高密度実装が可能なメモリモジュール、使い勝手のよいうメモリモジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, the storage density of which is increased by optimizing a contact hole formation region in a backing region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

裏打ち領域におけるコンタクトホール形成領域を最適化することにより、記憶密度が向上された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic memory, having magnetic layers having patterns arranged finely and regularly and is capable of easily enhancing recording density, to provide a magnetic storage device, and to provide a manufacturing method of the magnetic memory.例文帳に追加

微細かつ規則的な配列パターンの磁性層を有し、記録密度の向上を容易に図ることができる磁気メモリ、磁気記憶装置及び磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit in which a manufacturing cost is reduced and storage density is further increased and a device having a memory array and propose its programming method.例文帳に追加

製造コストが低減されるとともに、記憶密度をさらに増大させる集積回路やメモリアレイを有するデバイスを提供し、そのプログラム方法を提案する。 - 特許庁

To provide a novel memory device which is capable of greatly enhancing a storage density and which allows reduction of a read time and cut-down of a power consumption.例文帳に追加

記憶密度を大幅に高めることが可能で、読み取り時間の短縮や消費電力の削減が可能な新規なメモリー装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory cell and a method of producing the same which can reduce manufacturing cost and increase integration density of a semiconductor memory cell where a storage capacitor is connected to a selection transistor (AT).例文帳に追加

ストレージキャパシタが選択トランジスタ（ＡＴ）に接続されている半導体メモリセルの集積度を向上させながら、製造コストを低減できる半導体メモリセルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of writing, in addition, a storage density which is equivalent to that of the conventional memory cell or higher is realized by causing the above-mentioned one set of memory cells to not only store one bit, but also two ore more bits.例文帳に追加

さらに、書き込みに際しては前記一組のメモリセルに１ビットのみならず２ビット以上の記憶を行わせることにより従来のメモリセルと同等以上の記憶密度を実現する。 - 特許庁

To achieve a large capacity by improving a charge storage density in a semiconductor memory element containing a so called MONOS type structure memory cell having a tunnel insulating film, a charge storage film, a blocking film and a gate electrode on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上において、トンネル絶縁膜、電荷蓄積膜、ブロッキング膜及びゲート電極を有する、いわゆるＭＯＮＯＳ型構造のメモリセルを含む半導体記憶素子において、その電荷蓄積密度を向上させ、大容量化を達成する。 - 特許庁

Therefore, the nonuniformity which occurs between the MTJ memory cells MC in the central part and boundary part of the array 10 at the time of manufacturing a thin film magnetic storage device due to the arranging density of the memory cells in the periphery can be eliminated.例文帳に追加

したがって、ＭＴＪメモリセルアレイ１０の中心部および境界部にそれぞれ位置するＭＴＪメモリセル間で、周囲のメモリセル密度粗密に起因する製造時の不均一性を解消できる。 - 特許庁

To provide a high-density nonvolatile semiconductor storage device capable of reducing an element isolation width of a memory cell by reducing the embedding aspect of an element insolation insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくすることが可能な高密度不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an extension type capacitor for memory allowing the capacitor with high capacity to be formed in a storage cell with a small area at a high density and a method of manufacturing it.例文帳に追加

面積の小さい記憶セル内に高い容量のキャパシターを高密度に形成させることができるメモリ用延出式キャパシター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which has stable uniformity and can be mass-produced, and in which quantum dot elements constituting memory cells respectively are integrated with high density.例文帳に追加

安定した均一性で量産可能であるとともに、それぞれがメモリセルを構成する量子ドット素子を高密度で集積した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile semiconductor memory in which shortening a time required for write-in operation of data and improving storage density by using a multi-level for a MOS transistor can be realized.例文帳に追加

データの書き込み動作の所要時間の短縮化、及びＭＯＳトランジスタの多値化による記憶密度の向上を実現し得る不揮発性半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

Since the source controller integrated circuit and the memory integrated circuit are mounted on the same side surface of the circuit board, the high-density storage device has a reduced size.例文帳に追加

ソースコントローラ集積回路及びメモリ集積回路は回路基板の同一側面に取り付けられるので、高密度記憶デバイスは、縮小された大きさを有する。 - 特許庁

Pixels on a prescribed scan line of a variable density image which is picked up by a camera and stored in a photographic image storage memory are successively set as a noticed pixel, and a density value of the noticed pixel is inputted to an edge strength operation part.例文帳に追加

カメラにより撮像され、撮影画像格納メモリに格納された濃淡画像の所定の走査線上にある画素を順次注目画素に設定し、この注目画素の濃度値をエッジ強度演算部に入力する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device having high-density/high-speed rewritable memory cells and having a high degree of flexibility in which a writing/erasure unit is small or can be optionally set.例文帳に追加

高密度・高速書き換え可能なメモリセルで且つ書込消去単位の小さい或いは任意に設定できる自由度の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus capable of increasing the current density of a variable resistance element and reducing power consumption of an entire memory cell, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor apparatus.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流密度を増加させると共に、メモリセル全体での消費電力を低減することができる不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic storage element, a magnetic storage device and a magnetic memory which can reduce a current density necessary for transiting a magnetic domain wall from a stationary state to a movement state and stably transit the magnetic domain wall.例文帳に追加

磁壁が静止した状態から移動状態に遷移させるために必要な電流密度を低減化することができるとともに、磁壁の移動を安定に行うことができる磁気記憶素子、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。 - 特許庁

The image processing apparatus stores pixel data from an image pickup element to a memory and processes the stored pixel data to obtain an image, and is provided with a changeover means that selects storage of pixel data with a high density within a prescribed range of a middle of the image in a vertical direction to the memory or storage of pixel data with a relatively low density in the entire range of the image.例文帳に追加

撮像素子からの画素データをメモリに格納し、格納された画素データを処理して画像を得る画像処理装置であって、画像の垂直方向中心部の所定の範囲の密度の高い画素データのメモリへの格納と、画像の全範囲の相対的に密度の低い画素データのメモリへの格納を、選択して切り替える切替手段を備えている。 - 特許庁

An output value based on a signal from a light receiving element 11 is stored in a storage memory 28 as an initial value while a light emitting element 10, the light receiving element 11 and a smoke density detection chamber are in a clean condition.例文帳に追加

発光素子１０、受光素子１１および煙濃度検出室が清浄状態で、受光素子１１からの信号に基づく出力値を、初期値として格納用メモリ２８に格納する。 - 特許庁

To provide a technology to generate more carriers, and an efficient method to convert energy to the carriers detectable from light or an electron so as to read small sized data cells in a high density memory storage elements, and to provide a memory structure and a method to store and to read high density data so as to facilitate detection of data.例文帳に追加

高密度メモリ記憶素子内の小型のデータセルを読み出すために、より多量のキャリアを生成する技術、および光あるいは電子から検出可能なキャリアにエネルギーを変換する効率的な方法が必要であり、またデータの検出がより容易に行われるように高密度データを格納し、かつ読み出すためのメモリ構造および方法が必要である。 - 特許庁

When the platen glass 5 is actually closed, the document 11 on the document setting glass 7 is read by the CCD sensor 2, and read density distribution data is stored as second profile information in the storage memory 9.例文帳に追加

そして、実際にプラテンカバー５を閉じる際に、ＣＣＤセンサ２により原稿セットガラス７上の原稿１１の読み取りを行い、読み取った濃度分布データを第２のプロファイル情報として格納メモリ９に記憶する。 - 特許庁

The storage memory 16 preserves the output of the prediction arithmetic part 15, and outputs it each time picture information whose pixel density is four times as high in a vertical direction for the normal output picture of a video camera is stored.例文帳に追加

蓄積メモリ１６は、予測演算部１５の出力を保存し、ビデオカメラの通常の出力画像に対して例えば垂直方向に４倍の画素密度の画像情報が蓄積される毎に出力する。 - 特許庁

To raise the supremum of current density of wirings without largely changing materials, structure, or the like so as to be able to cope with high integration of storage elements constituting a magnetic memory device and microfabrication of wirings.例文帳に追加

磁気メモリ装置を構成する記憶素子の高集積化及び配線の微細化に対処できるように、材料や構造等の大幅な変更を伴うことなく配線の電流密度について上限を引き上げる。 - 特許庁

An exposure control unit 207 comprises a pattern storage memory 208 having stored therein a plurality of screen patterns in advance, a pattern generation circuit 209 that generates image patterns for density correction in accordance with the screen patterns, and a pulse width modulation (PWM) unit 210 that forms a latent image by exposing the photoreceptor drum to light in accordance with the image patterns for density correction.例文帳に追加

露光制御部２０７は、予め複数のスクリーンパターンが保存されたパターン保存メモリ２０８と、複数のスクリーンパターンに応じて濃度補正用画像パターンを生成するパターン生成回路２０９と、濃度補正用画像パターンに応じて感光体ドラムを露光して潜像を形成するＰＷＭ変調部２１０とを有している。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus and image processing method for detecting a motion of an image with simpler processing to the utmost and high accuracy without the need for using a memory with a large storage capacity from an image signal providing an image with high density (high resolution) and for applying pixel interpolation processing to moving pixels.例文帳に追加

高密度（高解像度）の画像を提供する画像信号について、記憶容量の大きなメモリを用いることなく、かつ、できるだけ簡単な処理で高精度に画像の動き検出を行ない、動画素については画素補間処理を行なえるようにする。 - 特許庁

The density adjustment control part 22 selects a control desired value to be changed out of the plurality of control desired values, determines a change quantity for the selected control desired value, and updates the storage contents of the memory according to the determination.例文帳に追加

濃度調整制御部２２は、画像濃度の調整指示にしたがって、複数の制御目標値の中から変更すべき制御目標値を選択するとともに、当該選択した制御目標値の変更量を決定し、当該決定にしたがってメモリの記憶内容を更新する。 - 特許庁