「RESISTANCE TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an incompatible-type polyurethane-based multiple compo nent fiber excellent in heat resistant stability, hydrolysis resistance and fungal resistance.例文帳に追加

耐熱安定性、耐加水分解性、耐カビ性に優れた非相溶系ポリウレタン系多成分繊維を提供する。 - 特許庁

To provide a polyamide type laminated film with a boiling resistance, a gas barrier property and a pinhole resistance at the same time.例文帳に追加

耐ボイル性、ガスバリア性および耐ピンホール性を兼ね備えたポリアミド系積層フィルムを提供する。 - 特許庁

Since an n+ type contact region 2 is formed, a contact resistance is improved for reduced on- resistance of a device.例文帳に追加

更に、ｎ＋型コンタクト領域２が形成されていることによりコンタクト抵抗が改善されており、素子のオン抵抗が低減されている。 - 特許庁

To provide a one-pack type curable resin composition curable at normal temperature, having excellent water resistance and weather resistance and suitable as a coating material.例文帳に追加

一液で常温硬化が可能であり、耐水性、耐候性に優れ、塗料に好適な硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated plate, which consists mainly of a lactic acid type resin and excellent in transparency, heat resistance and impact resistance.例文帳に追加

透明性、耐熱性、さらには、耐衝撃性に優れた乳酸系樹脂を主成分とするプレートを提供せんとする。 - 特許庁

To provide a resistance variation type storage device improved in ability to hold resistance values in writing and erasure states.例文帳に追加

抵抗変化型の記憶装置において、書込みおよび消去状態の抵抗値の保持能力を向上させる。 - 特許庁

To provide a horizontal type short channel DMOS, low in gate resistance and on resistance while being excellent in high-speed switching characteristics and current driving characteristics.例文帳に追加

ゲート抵抗およびオン抵抗が低く、高速スイッチング特性および電流駆動特性に優れた横型短チャネルＤＭＯＳを提供する。 - 特許庁

To provide a stainless steel sheet for a separator in a solid polymer type fuel cell, which has low contact resistance, superior generation efficiency and high corrosion resistance.例文帳に追加

接触抵抗が小さく、発電効率が優れ、かつ耐食性が高い固体高分子型燃料電池セパレータ用ステンレス鋼板を提供する - 特許庁

A resistance layer 17, in which a P-type impurity such as Zn or the like is added, is formed on the layer 16 of a resistance element forming region.例文帳に追加

また、抵抗素子形成領域の障壁層１６上には、ＺｎなどのＰ型不純物が添加されている抵抗層１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a compact and light-weight Bourdon tube pressure gauge that is suitable in vibration resistance and impact resistance suitable for use in an accumulator type fire extinguisher.例文帳に追加

蓄圧式消火器に用いるのに好適な耐振動性・耐衝撃性に優れたコンパクトで軽量なブルドン管圧力計を提供する。 - 特許庁

To improve a current resistance characteristic of a film capacitor of an exterior cladding-less surface packaging type and solder heat resistance property, and reduce the cost.例文帳に追加

外装レス面実装タイプのフィルムコンデンサの耐電流特性改善、半田耐熱性向上、および低コスト化を図る。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT THIN-FILM MAGNETIC HEAD, RECORDING/REPRODUCING SEPARATION TYPE THIN-FILM MAGNETIC HEAD, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT THIN-FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド、記録再生分離型薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

In the same way, an n-type well NW is formed with common use of a p-channel low voltage resistance MIS and a well of a p-channel low voltage resistance MIS.例文帳に追加

同様に、Ｐチャネル型の低耐圧ＭＩＳとＰチャネル型の低耐圧ＭＩＳのウエルを共用化し、Ｎ型ウエルＮＷとする。 - 特許庁

To provide an inverted-F type antenna that is suitable for the mount on a rocket where vibration resistance, resistance to shock and ease of frequency adjustment are made compatible.例文帳に追加

耐振動・耐衝撃と周波数調整の容易さを兼ね備えたロケット搭載用に好適な逆Ｆアンテナを提供する。 - 特許庁

Thus, the resistance value of the N+ type source layer 7 as an adjustment resistance value Rs in a sense VDMOS 30 can be increased.例文帳に追加

このため、センスＶＤＭＯＳ３０における調整抵抗値ＲｓとしてのＮ＋型ソース層７の抵抗値を大きくすることができる。 - 特許庁

On the other hand, a resistance layer 15C is formed in an N-type well 11C in the forming region 10C of a first high-resistance element, and a resistance layer 15D is formed in an N-type well 11D in the forming region 10D of a second high-resistance element by using first and second ion implantation.例文帳に追加

一方、第１の高抵抗素子の形成領域１０Ｃ、第２の高抵抗素子の形成領域１０Ｄにおいては、前記第１及び第２のイオン注入を用いて、Ｎ型ウエル１１Ｃの中に抵抗層１５Ｃを形成し、Ｎ型ウエル１１Ｄの中に抵抗層１５Ｄを形成する。 - 特許庁

To provide a forming method for a resistance-change type memory device by which a forming operation can be finished in a short period of time and a highly reliable memory operation can be performed by applying the voltage of appropriate extend to a variable resistance element during the forming operation of the variable resistance element, and to provide the resistance-change type memoy device.例文帳に追加

可変抵抗素子のフォーミングの動作時に、可変抵抗素子に適切な大きさの電圧を印加することにより短時間でフォーミングの動作を終了し、高信頼性のメモリ動作を可能とする抵抗変化型メモリ装置のフォーミング方法および抵抗変化型メモリ装置を提供する。 - 特許庁

P-type high resistance burying layers 26 are arranged on the surface layer of the first high resistance drift layer 22 and the base layer of the second high resistance drift layer 23, which are positioned just below a plurality of P type base area 24 arranged on the surface layer of the second high resistance drift layer 23.例文帳に追加

第２高抵抗ドリフト層２３の表面層に配置された複数のＰ型ベース領域２４の各直下位置の第１高抵抗ドリフト層２２の表面層および第２高抵抗ドリフト層２３の底面層にＰ−型高抵抗埋め込み層２６が配置されている。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

Since the concentration of the n-type impurity of an n+-type drift region 18b is higher than that of the n-type impurity of n-type drift regions 18a, 12a, and 12b, the resistance of the n+-type drift region 18b is lower than that of the regions.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂのｎ型不純物濃度は、ｎ型ドリフト領域１８ａ、１２ａ、１２ｂのｎ型不純物濃度より高いので、ｎ^+型ドリフト領域１８ｂの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００は、Ｐ型ウェル９とＰ型ウェル９上に形成されるＮ型拡散層２とを備える半導体素子３０と、Ｎ型ウェル８上に形成されるＰ型拡散抵抗４０とを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a DAC which can obtain characteristics close to an ideal state by reducing influence of resistance generated on wires connecting respective lattice type resistance circuit units to each other and to a common point and is composed of an R-2R type lattice type resistance network.例文帳に追加

各梯子型抵抗回路ユニット間及び共通点との間を接続する配線に発生する抵抗の影響を少なくして、より理想状態に近い特性を得ることができる、Ｒ−２Ｒ方式の梯子型抵抗回路網によるＤＡＣを備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Wataribune with excellent resistance to lodging is also called Tankan wataribune (Wataribune with a short stem), and this type became the father of Yamada nishiki. 例文帳に追加

倒伏しにくいものはとくに短稈渡船と呼ばれ、山田錦の父本となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

CALCIUM OXIDE-RUTHENIUM OXIDE BASED OXIDE, AND RESISTANCE-TYPE OXYGEN SENSOR USING THE SAME例文帳に追加

酸化カルシウム‐酸化ルテニウム系酸化物及びそれを用いた抵抗型酸素センサ - 特許庁

To provide an ester-type electret material having a high trap electric charge amount and excellent flame resistance.例文帳に追加

エステルタイプで高いトラップ電荷量を有し、難燃性に優れたエレクトレット材料を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING WEAR RESISTANCE OF SUPPORT REGION BETWEEN TURBINE OUTER CASE AND SUPPORTING TYPE TURBINE VANE例文帳に追加

タービン外側ケースと支持式タービンベーンとの間の支持領域の耐摩耗性を改善する方法 - 特許庁

To improve a resistance-type oxygen sensor that uses an oxide containing cerium, in detection accuracy.例文帳に追加

セリウムを含む酸化物を用いた抵抗型酸素センサの検出精度を向上させる。 - 特許庁

COMPOSITE MATERIAL OF CARBON/CARBON TYPE HAVING IMPROVED RESISTANCE TO OXIDATION例文帳に追加

酸化に対する向上した耐性を有するタイプの炭素／炭素の複合材料 - 特許庁

ALKALI-SOLUBLE LUBRICANT-COATED STEEL PLATE WITH EXCELLENT IRONING WORKABILITY AND EMULSION-TYPE PRESS OIL RESISTANCE例文帳に追加

しごき加工性、耐エマルジョン型プレス油性に優れたアルカリ可溶型潤滑鋼板 - 特許庁

COMPOSITION FOR ULTRAVIOLET RAY CURABLE TYPE CATIONIC ELECTRODEPOSITION PAINT HAVING SATISFACTORY SCRATCH RESISTANCE, AND COATING FILM THEREOF例文帳に追加

耐傷つき性良好な紫外線硬化型カチオン電着塗料用組成物及びその塗膜 - 特許庁

To keep a resistance between a p-type nitride semiconductor layer and an electrode low.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層と電極との間の抵抗を低く保つことができる。 - 特許庁

MELT TYPE TRAFFIC SIGN MATERIAL CONTAINING ESCALOP SHELL WITH EXCELLENT SLIDING RESISTANCE AND METHOD OF CONSTRUCTING THE SAME例文帳に追加

滑り抵抗性に優れたホタテ貝殻入り溶融型道路標示材およびその施工法 - 特許庁

To form an n-type electrode of low contact resistance on the nitrogen polar surface of a GaN-based semiconductor.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体の窒素極性面上に、コンタクト抵抗の低いｎ型電極を形成する。 - 特許庁

Resistance is lowered by hydrogen removal of the p-type InGaAlN layer 2 with irradiation of weak laser.例文帳に追加

弱いレーザの照射により、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２の水素離脱による低抵抗化を行なう。 - 特許庁

To improve characteristics in p-type resistance reduction of a GaN- based compound semiconductor and in alloying of an electrode.例文帳に追加

GaN 系化合物半導体のｐ型低抵抗化と電極の合金化における特性を良好とすること。 - 特許庁

To provide a die winding type deflection yoke separator made of a resin having excellent heat resistance.例文帳に追加

耐熱性に優れた樹脂製の金型巻きタイプ偏向ヨークセパレーターを提供する。 - 特許庁

To provide a non-chromium type surface treated metallic material excellent in corrosion resistance without containing hexavalent chromium.例文帳に追加

６価クロムを含まずに耐食性に優れた非クロム型表面処理金属材を提供する。 - 特許庁

STRUCTURE OF LOW ELECTRICAL RESISTANCE N-TYPE CONTACT LAYER OF GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

窒化ガリウム系発光ダイオードの低電気抵抗ｎ型コンタクト層の構造 - 特許庁

To provide an alkali developable positive type photosensitive resin precursor composition excellent in solvent resistance.例文帳に追加

アルカリ現像可能な耐溶剤性に優れたポジ型の感光性樹脂前駆体組成物を提供する。 - 特許庁

To reduce on-resistance of a trench gate type semiconductor device having trench contact structure.例文帳に追加

トレンチコンタクト構造を有するトレンチゲート型半導体装置のオン抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a one package type epoxy resin composition having moisture resistance and thixotropy compatible in a high level.例文帳に追加

耐湿性と揺変性とを高いレベルで両立する一液型のエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a non-chromium type surface treated metallic sheet which does not contain sexivalent chromium and excellent in corrosion resistance.例文帳に追加

６価クロムを含まずに耐食性に優れた非クロム型表面処理金属板を提供する。 - 特許庁

To provide a low-torque dynamic pressure type bearing unit having high durability and shock resistance.例文帳に追加

高い耐久性や耐衝撃性を備え、かつ低トルクの動圧型軸受ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a normally-on type semiconductor device having high withstand voltage and low on-resistance.例文帳に追加

高い耐圧を有し且つ低いオン抵抗を有するノーマリオン型の半導体素子を提供する。 - 特許庁

NONCHROMIUM TYPE ALUMINUM UNDERLAYER TREATMENT MATERIAL HAVING EXCELLENT COATING FILM ADHESION AND ACID ELUTION RESISTANCE例文帳に追加

塗膜密着性および耐酸溶出性に優れたノンクロム型アルミニウム下地処理材 - 特許庁