「Random-access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a DRAM(dynamic random-access memory) control circuit in which circuit constitution is simplified, operation speed is increased, and circuit scale is small.例文帳に追加

回路構成が簡略化され、動作が高速化され、回路規模の小さいＤＲＡＭ制御回路を提供する。 - 特許庁

To optimize focus offset in a recording time in a recordable optical disk device, such as a DVD-RAM(digital versatile disc random access memory).例文帳に追加

ＤＶＤ−ＲＡＭ等の記録可能な光ディスク装置において、記録時のフォーカスオフセットを最適化する。 - 特許庁

a virtual drive that is created by setting aside part of the random-access memory to use as if it were a group of sectors 例文帳に追加

ランダムアクセスメモリの一部を残すことで作られ、セクタの集まりであるかのように使用する仮想ドライブ - 日本語WordNet

A digital video device 100 includes a processor 113 and a digital random-access memory 140 communicating with the processor 113.例文帳に追加

デジタルビデオ装置１００は、プロセッサ１１３と、プロセッサ１１３と通信するデジタルランダムアクセスメモリ１４０とを備える。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes a plurality of first write lines 1 extending along a first direction while separating each other.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、相互に離れて第１方向に沿って延びる複数の第１書き込み線１を含む。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, THE SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PORTABLE ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及び携帯電子機器 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory provided with a ferroelectric capacitor having a high switching speed.例文帳に追加

高速なスイッチング速度を有する強誘電体キャパシタを含む強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, METHOD FOR FORMING VORTEX MAGNETIZATION STATE, AND METHOD FOR SWITCHING VORTEX MAGNETIZATION STATE例文帳に追加

磁気トンネル接合、磁気ランダムアクセスメモリ、渦磁化状態の形成方法および渦磁化状態の切り換え方法 - 特許庁

To enable transferring data efficiently in a SDRAM(synchronous dynamic random access memory) by performing appropriately refresh processing of SDRAM.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭのリフレッシュ処理を適切に行い、ＳＤＲＡＭにおいて効率的なデータ転送ができるようにする。 - 特許庁

To provide a method, as well as structure, for manufacturing a dynamic random access memory device and a related transistor at the same time.例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デバイスと関連トランジスタを同時に製造する方法および構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory capable of suppressing deterioration of reading characteristics due to manufacturing dispersion.例文帳に追加

製造ばらつきによる読み出し特性の劣化を抑制することが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To use a memory cell having a small number of elements as an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing a case where the data are written or read to or from a memory cell and the memory cell is refreshed at the same time.例文帳に追加

メモリセルのデータの書き込み又は読み出しとメモリセルのリフレッシュとが同時に行われることを防止することにより、素子数の少ないメモリセルをＳＲＡＭとして用いる。 - 特許庁

To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.例文帳に追加

貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁

To provide a method for controlling operation of a dynamic random access memory(DRAM) system having a plurality of memory cells constituted of rows and columns.例文帳に追加

ロウおよびカラムに編成された複数のメモリ・セルを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）システムの動作を制御する方法を提供すること。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell includes a magnetic tunnel junction being formed of an insulating layer included between a sense layer and a memory layer.例文帳に追加

本発明は、センス層および記憶層間に含まれる絶縁層から形成された磁気トンネル接合部を含む磁気ランダムアクセスメモリセルに関する。 - 特許庁

When a clear switch is set to a prescribed operation state at the restart of a power feed, the memory contents of a RAM(random access memory) are initialized.例文帳に追加

そして、電力供給再開時に、クリアスイッチが所定の操作状態とされていた場合には、ＲＡＭの記憶内容を初期化する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory MRAM capable of accurately determining data stored in a magnetic memory cell without using any reference cell.例文帳に追加

基準セルを使用せず、マグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを正確に判別することができるマグネチックランダムアクセスメモリＭＲＡＭが提供される。 - 特許庁

A flicker decrease system for the random row access type imager has a memory connected to the imager and a controller connected to the memory and the imager.例文帳に追加

ランダム行アクセス式のイメージャ用のフリッカ減少システムは、イメージャに結合されたメモリと、メモリ及びイメージャに結合されたコントローラとを有する。 - 特許庁

The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。 - 特許庁

To dissolve increase in parasitic capacitance load of word lines or reduction in yield due to wiring particles in a 6-transistor SRAM (static random access memory) memory cell having a horizontal memory cell layout.例文帳に追加

横型メモリセルレイアウトの６トランジスタ型ＳＲＡＭメモリセルにおいて、ワード線の寄生容量負荷の増大や、配線パーティクルによる歩留低下を解消する。 - 特許庁

This memory control device 37 imposed between a plurality of masters M1-Mn and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) includes a memory sequence control circuit 64, and a latency improvement circuit 67 or the like.例文帳に追加

複数のマスターＭ１〜ＭｎとＤＲＡＭとの間に介在するメモリーコントローラー３７は、メモリーシーケンス制御回路６４とレイテンシー改善回路６７等を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory, etc., which are small in the number of elements and is greatly improved in scale of memory integration by laminating plural magnetic memory elements to a single transistor.例文帳に追加

単一のトランジスタに複数の磁性記憶素子を積層して、素子数が少なくメモリ集積度を大幅に向上した磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF TRANSISTOR AND MEMORY CELL WITH CAPACITOR, METHOD OF FORMING STACKED CAPACITOR ON UPPER SURFACE OF SILICON WAFER, AND MEMORY CELL USED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

トランジスタおよびキャパシタを含むメモリセルの形成方法、スタックトキャパシタをシリコンウェハの上表面に形成する方法、およびダイナミックランダムアクセスメモリで使用されるメモリセル - 特許庁

The CPU 17 specifies a customer that is the transmitter, reads the purchase history of the customer from a customer file stored in a RAM (random access memory) 13, sorts commodity names in order of the purchased number, and displays a list thereof on a liquid crystal touch panel 14.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は該発信者である顧客を特定し、ＲＡＭ（Random Access Memory）１３に記憶されている顧客ファイルから該顧客の購買履歴を読み出し、購買数の順に品名をソーティングして、液晶タッチパネル１４にリスト表示する。 - 特許庁

An extra bus control apparatus 2 comprises a first and a second extra bus controllers 15 and 16 corresponded respectively to a plurality of devices, such as a SRAM (Static Random Access Memory) and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) connected to an extra bus EXBUS, and an extra bus arbiter 17.例文帳に追加

外部バス制御装置２は、外部バスＥＸＢＵＳに接続された複数の装置（例えば、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ）に各々対応した第１及び第２バスコントローラ１５、１６と、外部バスアービタ１７とを有している。 - 特許庁

By attaining a register about mode reset by a nonvolatile ferroelectric capacitor, the same function as SDR (signal Data Rate), SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory), or DDR (Double Data Rate) can be attained at the time of applying it to the nonvolatile capacitor memory.例文帳に追加

このような本発明は、モードリセットに関するレジスタを不揮発性強誘電体キャパシタで具現することにより、不揮発性キャパシタメモリに適用時ＳＤＲ（Single Data Rate）ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）又はＤＤＲ（Double Data Rate）ＳＤＲＡＭと同一の機能を具現することができるようにする。 - 特許庁

When a power stoppage occurs, a main substrate perform a power feed stopping process including a RAM(random access memory) access prohibiting process, then is set to be in a standby state.例文帳に追加

主基板では、電源断が発生すると、ＲＡＭアクセス禁止処理を含む電力供給停止時処理を行った後に待機状態となる。 - 特許庁

METHOD FOR PERFORMING ACCESS OPERATION IN SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING CIRCUIT FOR CONTROLLING COLUMN SELECTING SIGNAL例文帳に追加

同期型ダイナミックランダムアクセスメモリアレイにおいてアクセス動作を実行するための方法およびコラム選択信号を制御するための回路を含む集積回路素子 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory device capable of write-in at low current and having an enhanced magnetic resistance change ratio.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、低電流で書き込み可能にするとともに、磁気抵抗変化比を向上する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which allows the bit cost thereof to be more efficiently reduced while keeping the number of times of reading and writing.例文帳に追加

読み書き回数を維持しつつ、より効率的にビットコストを低減可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To prevent a writing error by maximizing an operation window in a free magnetic structure of a magnetoresistive element which is used as a cell of a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリのセルとして用いられる磁気抵抗素子の自由磁気構造の動作窓を最大化する。 - 特許庁

To provide a method of forming a resistive random access memory array and a fuse array on the same substrate and an integrated circuit therefor.例文帳に追加

抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。 - 特許庁

An SRAM (Static Random Access Memory) system 1 has an SRAM array 2, a storage part 3, a search part 4 and a power control part 5.例文帳に追加

ＳＲＡＭシステム１は、ＳＲＡＭアレイ２と、格納部３と、検索部４と、電力制御部５とを有している。 - 特許庁

Musical piece data downloaded from a server 3 are stored in one buffer of a RAM (random access memory) of a mobile telephone set 1 and reproduced.例文帳に追加

サーバ３からダウンロードした楽曲データは、携帯電話機１のＲＡＭの一方のバッファに記憶され再生される。 - 特許庁

To provide an improved method for etching magnetic materials for manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) device.例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造のために磁性材料をエッチングする改善された方法を提供する。 - 特許庁

This dynamic random access memory(DRAM) has a pair of bit lines provided with first bit lines and second bit lines.例文帳に追加

本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ (ＤＲＡＭ)は第一ビット線と第二ビット線とを具備するビット線対を有している。 - 特許庁

To suppress read disturbance in a reference element in a magnetic random access memory performing spin injection writing.例文帳に追加

スピン注入書き込みを行う磁気ランダムアクセスメモリにおいて、参照素子における読み出しディスターバンスの発生を抑制する。 - 特許庁

To obtain a dynamic random access memory(DRAM) circuit using a test system and a method for deciding sensitivity of a sense amplifier.例文帳に追加

センスアンプの感度を決定するテストシステム及び方法を使用するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory device which is improved in reliability and can obtain a high sensing margin when performing write operation.例文帳に追加

信頼性が向上した、読出し動作をする時、高いセンシングマージンを得られる強誘電体ラム装置を提供する。 - 特許庁

To improve refresh performance in a DRAM (Dynamic Random Access Memory) sense amplifier by providing bias sensing suitable for the DRAM sense amplifier.例文帳に追加

ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）センス増幅器の好適なバイアスセンシングを提供してリフレッシュ性能を向上させる。 - 特許庁

To provide static random access memory cells which have a faster driving current and smaller short channel effect.例文帳に追加

より速い駆動電流およびより小さな短チャネル効果を備え、微細化されたスタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。 - 特許庁

To provide a data processing apparatus capable of reducing a chip area by reducing the number of buffer SRAMs (Static Random Access Memory).例文帳に追加

バッファＳＲＡＭの個数を減らしてチップ面積を削減することが可能なデータ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random-access memory where fatigue characteristics and deterioration and reliability are improved.例文帳に追加

本発明は、疲労特性や劣化や信頼性が改善された強誘電体ランダムアクセスメモリ装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The corresponding relation between the physical addresses and the logical addresses of these pages is stored in a RAM (Random Access Memory) 123 as a form of a BPT (Block Pointer Table).例文帳に追加

このページの物理アドレス及び論理アドレスの対応関係はＢＰＴの形でＲＡＭ１２３に記憶される。 - 特許庁

With the control of a central processing unit 51, the sampling data of the A-D converter 55 and the top dead center signal both are stored in a random-access memory 53.例文帳に追加

ＣＰＵ５１の制御により、Ａ／Ｄ変換器５５のサンプリングデータと上死点信号をＲＡＭ５３に記憶する。 - 特許庁