「Random-access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an output driver circuit which offers control and logic level adjustment for high speed data communications in a synchronous memory such as a synchronous dynamic random access memory (SDRAM).例文帳に追加

同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）などの同期メモリにおける高速データ通信のための制御および論理レベル調整を提供する出力ドライバ回路。 - 特許庁

The data of the random access memory 17 are used for an address of a succeeding 3rd memory 19, which outputs data stored therein.例文帳に追加

このランダムアクセスメモリ１７のデータは、後続の第３のメモリ１９のアドレスとなって、第３のメモリ１９に格納されているデータを出力せしめる。 - 特許庁

A program in execution in a program storage area 15 of a random access memory 14 writes all data of a new program to a nonvolatile memory 12 at the time of program rewrite.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリ１４のプログラム格納領域１５で実行中のプログラムは、プログラム書き換え時に新規プログラムの全データを不揮発性メモリ１２に書込む。 - 特許庁

An IC (100) is equipped with a compact nonvolatile "ID" memory (110), such as a ferroelectric random access memory (FeRAM), which stores information on the manufacturing, testing, and performance of an IC.例文帳に追加

ＩＣの製造、試験及び性能に関する情報を記憶するＦｅＲＡＭ等の小型の不揮発性「ＩＤ」メモリ（１１０）を備えた集積回路（１００）。 - 特許庁

To detect minute defect existing in a PMOS load transistor of an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell without extremely increasing circuit area and at high speed.例文帳に追加

回路面積を極端に増大させることなく、かつ高速に、ＳＲＡＭメモリセルのＰＭＯＳ負荷トランジスタに存在する微小欠陥を検出すること。 - 特許庁

A storage device is arranged as a pattern memory 7 to which a random access is performed, and a pattern processor 5 stores pattern data for each column in the pattern memory 7.例文帳に追加

記憶装置をランダムアクセスの行われるパターンメモリ７として設けられており、パターンプロセッサ５はパターンメモリ７にパターンデータを列ごとに格納する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction(MTJ) device can be used as a magnetic field sensor in a magnetic disk drive or as a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM) array.例文帳に追加

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス（ＭＲＡＭ）アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。 - 特許庁

There are four memory sets, two sets thereof are internal SRAM, other two sets thereof are external DRAM, and a completely random access is carried out at 100 MHz of maximum speed in each external DRAM memory set.例文帳に追加

4つのメモリセットが存在し、2つが内部SRAM、他の2つが外部DRAMとなり、外部DRAMメモリセットでは完全なランダムアクセスを最高100MHzの速度で行える。 - 特許庁

At the making time of a power source, the operation program 23 is read out from the flash memory 2, and written in a program area of a random access memory 3 as a copy operation program 31.例文帳に追加

電源投入時に、フラッシュメモリ２から操作プログラム２３を読出しランダムアクセスメモリ３のプログラムエリアにコピー操作プログラム３１として書込む。 - 特許庁

The equal potentials are impressed to the bit lines selected at the reading out operation relating to the memory cells (12) in the magnetic random access memory (MRAM) and the non-selected bit lines.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)中のメモリセル(12)についての読み出し動作時に選択されたビットラインと選択されていないビットラインとに等しい電位を印加する。 - 特許庁

To provide a spin torque transfer magnetic random access memory, wherein efficient writing can be performed by memory cell selection transistors of smaller size.例文帳に追加

スピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリに関し、より小さいサイズのメモリセル選択トランジスタで効率的な書き込みが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

The electronic equipment is provided with a central processing unit(CPU) 31, a read only memory(ROM) 33 connected therewith, and a random access memory(RAM) 33.例文帳に追加

中央演算装置（ＣＰＵ）３１とこれに接続された読み出し専用メモリー（ＲＯＭ）３２、読み書き可能メモリー（ＲＡＭ）３３が設けられている。 - 特許庁

A magnetic random access memory 10 comprises a memory cell MC, and a reference cell RC which is referred to at the time of reading out data in order to generate a reference level.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ１０は、メモリセルＭＣと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルＲＣとを備える。 - 特許庁

Each second random access memory element is associated with a memory location to store a flag value indicative of whether the data word stored at that memory location is a true or complement version.例文帳に追加

各第二ランダムアクセスメモリ要素は、そのメモリ位置に格納されているデータワードが真又は補元バージョンのいずれかであることを表わすフラッグ値を格納するためのメモリ位置と関連している。 - 特許庁

Respective SLDRAM(sink link dynamic random access memory) 5.0 to 5.n execute a test of an internal memory part in accordance with an execution command that is given from a memory controller 3 and give a defective address to the controller 3.例文帳に追加

ＳＬＤＲＡＭ５．０〜５．ｎの各々は、メモリコントローラ３からテスト実行コマンドが与えられたことに応じて内蔵メモリ部２４のテストを実行し、不良アドレスをメモリコントローラ３に与える。 - 特許庁

A control part 132 of the SSD 130 uses a part of the main memory 120 having a DRAM (Dynamic Random Access Memory) as a buffer area 121 in the data storage into a NAND type flash memory 131.例文帳に追加

そして、ＳＳＤ１３０の制御部１３２が、ＤＲＡＭを有するメインメモリ１２０の一部を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３１へのデータ格納におけるバッファ領域１２１として利用する。 - 特許庁

To make control of a semiconductor memory by a controller easy in an electronic device mounting a semiconductor memory requiring refresh to hold data such as DRAM(dynamic random access memory) and a controller.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等のように、データ保持にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置と、コントローラとを搭載する電子装置であって、コントローラによる半導体記憶装置の制御を容易にする。 - 特許庁

The image pickup device includes a first nonvolatile memory (NAND flash 5) whose access for writing/reading image data is sequential, and a second nonvolatile memory (MRAM 4) whose access for writing/reading image data is random.例文帳に追加

画像データの書き込み／読み出しのアクセスがシーケンシャルな第１の不揮発メモリ（ＮＡＮＤフラッシュ５）と、画像データの書き込み／読み出しのアクセスがランダムな第２の不揮発メモリ（ＭＲＡＭ４）とを備える。 - 特許庁

The CPU (14), a RAM (Random Access Memory) (15), a DMAC (Direct Memory Access Controller) 1 (16), a DMAC 2 (17), and a DMAC 3 (18) are connected to a high-speed internal bus using a simple protocol adopted by the crossbar 9×9 switch (11).例文帳に追加

ＣＰＵ（１４）、ＲＡＭ（１５）、ＤＭＡＣ１（１６）、ＤＭＡＣ２（１７）、ＤＭＡＣ３（１８）は、クロスバー９×９スイッチ（１１）が採用するプロトコルが簡単で高速な内部バスに接続されている。 - 特許庁

To reduce the fluctuation of the device characteristics of a magnetic random access memory while the direction of magnetization of a free ferromagnetic layer is stabilized when non-writing operation is performed.例文帳に追加

非書き込み動作時の自由強磁性層の磁化の向きを安定化しつつ、素子特性のばらつきを小さくする。 - 特許庁

A recording means 6 writes and stores the electric power, electric energy and measurements on a random access memory with the lapse of time.例文帳に追加

記録手段６は、電力、電力量および前記測定値を、時間経過に伴って、ランダムアクセスメモリ２０に書込んでストアする。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory capable of generating a suitable amount of boost current corresponding to temperature characteristics of a magnetoresistive element.例文帳に追加

磁気抵抗素子の温度特性に対応して適切な大きさのブースト電流を発生できる磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of reducing wiring layers necessary for a SRAM (static random access memory) cell, and to provide the designing method of the same.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルに必要な配線層を減らすことができる半導体装置及びその設計方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a slot machine preventing a game from being played while abnormality occurs in data of a RAM (Random Access Memory).例文帳に追加

ＲＡＭのデータに異常が生じたままの状態で遊技が行われてしまうことを防止できるスロットマシンを提供すること。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which has low power consumption and is operated by low voltage of 1 V or less while securing static noise margin.例文帳に追加

スタティックノイズマージンを確保して、低消費電力で、かつ、１Ｖ以下の低電圧で動作するＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

Then, a signal self_refresh becomes HIGH (3), and a self-refresh operation is instructed to an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 9 through an SDRAM controller 33.例文帳に追加

すると、信号ｓｅｌｆ＿ｒｅｆｌｅｓｈがＨＩＧＨとなり（３）、ＳＤＲＡＭコントローラ３３を介してＳＤＲＡＭ９にセルフリフレッシュ動作が指示される。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory capable of suppressing effect of an adjacent bit line and improving its readout performance.例文帳に追加

隣接ビット線からの影響を抑制し読み出し性能を向上させることができる強誘電体メモリを実現する。 - 特許庁

To avoid a random access to an external memory when forming a tomographic image of an arbitrary section set in a three-dimensional space.例文帳に追加

３Ｄ空間に設定される任意断面の断層画像を形成する場合に外部メモリに対するランダムアクセスを回避する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) WITH ON- CHIP AUTOMATIC DETERMINATION OF OPTIMIZED WRITE CURRENT METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

最適化された書込み電流をオンチップで自動的に判定する方法及び装置を備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ） - 特許庁

To provide a static random access memory (SRAM) having a decreased leakage current during an active mode and to provide its operating method.例文帳に追加

アクティブモードの間、減少した漏洩電流を有するスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)及びその動作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for improving write time for a dynamic random access memory(DRAM) having destructive read architecture.例文帳に追加

破壊読取りアーキテクチャを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のための書込み時間を改善する方法を提供すること。 - 特許庁

A MPU(microprocessor unit) 170 of the optical disk apparatus 200 stores original data for a land and original data for a groove in a RAM(random-access memory) 190.例文帳に追加

光ディスク装置２００のＭＰＵ１７０は、ランド用の元データとグルーブ用の元データとをＲＡＭ１９０に格納する。 - 特許庁

To enable a feeder wiring connected to the electrode of a DRAM (dynamic random access memory) data storage capacitor to be improved in connection reliability.例文帳に追加

ＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子の電極に接続される給電用配線の接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory capable of stably operating even after being subjected to a heat treatment and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

熱処理後においても安定して動作可能な磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The probability fluctuation flag is the work area of one byte in a RAM(random access memory) and is set to a set state in a high probability state.例文帳に追加

確率変動フラグは、ＲＡＭにおける１バイトのワークエリアであり、高確率状態ではセット状態になっている。 - 特許庁

This method is a method for prepairing dynamic random access memory(DRAM) cells for write operation having a condition previously set.例文帳に追加

事前設定された状態を有する書込み動作のためにダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セルを準備する方法が開示される。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

EARLY WRITE WITH DATA MASKING TECHNIQUE FOR INTEGRATED CIRCUIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) DEVICES AND THOSE INCORPORATING EMBEDDED DRAM例文帳に追加

集積回路ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスおよび混載ＤＲＡＭを組み込むデバイス用のデータマスキング技術を使用する早期書込み - 特許庁

These inequality detecting circuits, holding circuits, and output registers are provided for each bit constituting bit width of a random access memory.例文帳に追加

これらの不一致検出回路，保持回路および出力レジスタは、ランダムアクセスメモリのビット幅を構成するビット毎に有する。 - 特許庁

To allow checking of a short circuit between a lower ferroelectric layer and an upper ferroelectric layer of a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭの下層強誘電体層と上層強誘電体層がショートしているか否かを検査することができる。 - 特許庁

To provide the new device configuration of an electronic element or an electronic device including one transistor/one capacitor type random access memory (RAM) for high speed access and high density.例文帳に追加

高速アクセスと高密度化のための１トランジスタ１キャパシタ型ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）を含む、電子素子又は電子装置の新規なデバイス構造を提供する。 - 特許庁

The gateway 117 includes a plurality of user access ports for providing access to the memory assemblies 125, and a file manager which is configured to receive a request from a user for access to the memory assemblies 125 at the user access ports for either file storage or random access operations and to allocate an allocation unit of available memory in the memory assemblies 125.例文帳に追加

ゲートウェイ１１７は、メモリアセンブリ１２５へのアクセスを提供する複数のユーザーアクセスポートと、ユーザーアクセスポートにおいて、ユーザーからファイル格納動作又はランダムアクセス動作のいずれかのためのメモリアセンブリ１２５へのアクセス要求を受信するように、かつ、メモリアセンブリ１２５における利用可能なメモリの割当てユニットを割り当てるように構成されたファイルマネージャーとを備える。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory comprises multiple magnetic memory cells 10, a current supply section 43+47+49, and a control section 41+70+80.例文帳に追加

スピン注入方式の磁気ランダムアクセスメモリは、複数の磁気メモリセル１０と電流供給部４３＋４７＋４９と制御部４１＋７０＋８０とを具備する。 - 特許庁

To provide memory cell array structure of a non-volatile semiconductor memory unit, which can read data more quickly in the case of high-speed random access and accessing data of a small number.例文帳に追加

高速のランダムアクセス及び少数のデータをアクセスする際により速くデータを読み取ることができる不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for designating an address with lower power consumption than before in a nonvolatile memory device while conforming to a specification of an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) of JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).例文帳に追加

不揮発性メモリ装置において、ＪＥＤＥＣのＳＤＲＡＭの規格に準拠しつつ、アドレス指定を従来よりも低消費電力で行う方法を提供する。 - 特許庁