「Random-access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Transistors form a cross coupling random access memory cell and perform a comparison of contents of the two legs during the evaluation.例文帳に追加

トランジスタは交差結合型ランダムアクセスメモリセルを形成し、評価の間２つの枝の内容を比較する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory providing the high integration of a cell, and its writing method.例文帳に追加

セルの高集積化を図ることが可能な磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法を提供する。 - 特許庁

This read/reset system is so formed that after reading stored data, write data to the random access memory is changed over into reset information by an output differentiating a signal, which makes the address to be read/reset into read enabling one, by a write clock of the random access memory and an address to be written in the random access memory is changed into the address.例文帳に追加

格納されているデータをリードした後にリード・リセットすべきアドレスをリード・イネーブルにする信号を該ランダム・アクセス・メモリのライト・クロックによって微分した出力により、該ランダム・アクセス・メモリへのライト・データをリセット情報に切り替え、該ランダム・アクセス・メモリにライトするアドレスを当該アドレスに切り替えるように構成する。 - 特許庁

To decrease influences of strong magnetism even in a camera system employing a magnetoresistive random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭを用いたカメラシステムであっても、強い磁気の影響を減少させることを目的とする。 - 特許庁

TIMING VERIFYING METHOD FOR RANDOM ACCESS MEMORY PART WITH BUILT-IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND LOGICAL SIMULATION DEVICE FOR VERIFICATION例文帳に追加

半導体装置内蔵ランダムアクセスメモリ部のタイミング検証方法および検証用論理シミュレーション装置 - 特許庁

MAGNETIC FILM, MULTILAYERED MAGNETIC FILM, METHOD AND MECHANISM FOR INVERTING MAGNETIZATION OF MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁性膜及び多層磁性膜、磁性膜の磁化反転方法及び磁化反転機構、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

STATIC/RANDOM/ACCESS/MEMORY (SRAM) AND METHOD FOR CONTROLLING VOLTAGE LEVEL SUPPLIED TO SRAM例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）およびＳＲＡＭに供給される電圧レベルを制御する方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体装置、半導体装置の製造方法、ダイナミックランダムアクセスメモリおよびダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁

Registers (20, 22, 30, 32) are disposed to four sides of a rectangular dynamic random access memory cell array (1), respectively.例文帳に追加

矩形状のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルアレイ（１）の４辺それぞれにレジスタ（２０，２２，３０，３２）を配置する。 - 特許庁

The magnetic random access memory element is made from a first magnetic tunnel junction and a second magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ要素が第一磁気トンネル接合及び第二磁気トンネル接合から構成されている。 - 特許庁

A synchronous random access memory device is manufactured as a dynamic storage device or a static storage device.例文帳に追加

前記の同期ランダムアクセスメモリ装置はダイナミック記憶装置またはスタティック記憶装置として製作される。 - 特許庁

His invention concerns the MIS semiconductor device and a high-integrated random access memory semiconductor device. 例文帳に追加

この発明はMIS型半導体装置とそれを用いた高集積ランダムアクセスメモリ半導体装置に関する。 - 特許庁

To provide a static random access memory whose static noise margin can easily be measured and an SNM measuring method.例文帳に追加

ＳＮＭを容易に計測可能なスタティックランダムアクセスメモリおよびＳＮＭ計測方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH SMALL-ANGLE TOGGLE WRITE LINES, ARRAY THEREOF, AND SWITCHING METHOD THEREOF例文帳に追加

微小角度トグル書き込み線を有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイス、そのアレイ及びそのスイッチング方法 - 特許庁

To provide an MRAM (Magnetic Random Access Memory) which permits readout operation stable to bit line clamping voltage levels.例文帳に追加

ビットラインクランピング電圧レベルに対して安定な読み出し動作が可能なＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A magnetic tunneling junction type magnetic random access memory cell is comprised of bit lines 20 so as to constitute a composite structure comprising a soft adjacent magnetic layer 24.例文帳に追加

隣接軟磁性層２４を含む複合構造を有するようにビット線２０を構成する。 - 特許庁

To provide a logical data block in a MRAM (magnetic random access memory) configured so that half-select errors are reduced or eliminated.例文帳に追加

半選択誤りが低減または解消されるように構成されたMRAMの論理データブロックの提供。 - 特許庁

To improve track pulling performance in seek operation with respect to a DVD/RAM(Digital Versatile Disk of Random Access Memory) disk.例文帳に追加

ＤＶＤ・ＲＡＭディスクに対するシーク動作におけるトラック引き込み性能を向上させるにある。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory whose interface magnetic layer is sufficiently crystallized, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

界面磁性層が十分に結晶化された磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SINGLE GATE ELECTRODE CORRESPONDING TO A PAIR OF CHANNEL REGIONS AND RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

一対のチャンネル領域に対応する単一ゲート電極を有する半導体素子及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

The memory module 450 includes a plurality of dynamic random access memories (DRAMs) 452 and a fault storage unit 454.例文帳に追加

メモリモジュール４５０は、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）４５２および故障記憶ユニット４５４を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory realized by application of inverted spin torque magnetization with a small write current value.例文帳に追加

書込み電流値の小さなスピントルク磁化反転を応用した磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric type nonvolatile semiconductor memory array permitting its application to random access use.例文帳に追加

ランダムアクセス用途への適用を可能とする強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイを提供する。 - 特許庁

A first program is executed to generate a second program executed in a random access memory of an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路のランダムアクセスメモリーで実行される第２プログラムを発生する第１プログラムを実行する。 - 特許庁

DISTRIBUTED DECODING SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING DENSITY OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM)例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）の密度を向上させるための分散型復号化システムおよび方法 - 特許庁

A magnetic random access memory (MRAM) includes an array (12) of cells (14), and a plurality of first conductors on a first side of the array (12).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスは、セル(14)のアレイ(12)と、アレイ(12)の第1の側に複数の第1の導体とを含む。 - 特許庁

DIELECTRIC COMPOSITION USED FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING STABILITY WITH RESPECT TO REDUCING ATMOSPHERE例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリに用いられる還元雰囲気に対して安定性を有する誘電体組成物 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) using a carbon nanotube (CNT) thin film.例文帳に追加

炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ ＮａｎｏＴｕｂｅ）薄膜を利用したＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which protects a magnetoresistance effect element against outgas from an inter-layer film and suppresses deterioration of the magnetic characteristics.例文帳に追加

層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a virtual static random access memory device having a function for refreshing data of a memory cell by using a dynamic memory cell and its driving method.例文帳に追加

ダイナミック型メモリセルを使用し、メモリセルのデータをリフレッシュさせる機能を有する仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A phase change memory may be replaced with a low-cost NAND flash because the phase change memory may have sufficiently low cost, and the phase change memory may be replaced with a static random access memory and/or a random access memory in buffer memory packaged in combination with a NAND flash memory because the phase change memory has sufficiently high performance.例文帳に追加

相変化メモリは十分に低コストであることが可能であるため、低コストのＮＡＮＤフラッシュと置き換えることが可能であり、相変化メモリは十分高い性能を有するため、ＮＡＮＤフラッシュメモリを伴ってパッケージングされるバッファメモリにおいてスタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリと置き換えることが又できる。 - 特許庁

As access mode for the CF/ATA card 31, a special memory space access mode wherein a common memory space is made effective is added and in the mode, a random access memory 8 is allocated to the common memory space; when the mode is selected, data stored on the CF/ATA card 31 are transferred to the memory 8 and the data in the memory 8 are accessed at random.例文帳に追加

ＣＦ／ＡＴＡカード３１へのアクセスモードとして、コモンメモリ空間を有効にした特殊メモリ空間アクセスモードなるモードを追加し、そのモードでのコモンメネリ空間に、ランダムアクセス可能なメモリ８を割り当て、前記モードの選択時には、ＣＦ／ＡＴＡカード３１に記憶のデータを前記メモリ８に転送した上で、そのメモリ８上のデータに対し、ランダムアクセスする。 - 特許庁

To enable efficient management of digital TV broadcasting data in building streamers utilizing a random accessible DVD(digital video disc)- RAM(random access memory).例文帳に追加

ランダムアクセス可能なＤＶＤ−ＲＡＭを利用したストリーマを構築する上で、デジタルＴＶ放送データの効率の良い管理を可能とする。 - 特許庁

A plurality of non-random access non-volatile memories are used, and the switching is executed based on the busy information of each of those non-random access non-volatile memories so that the delay of the execution of a program due to the busy period of the non-random access non-volatile memory can be reduced.例文帳に追加

複数の非ランダムアクセス型不揮発メモリを使用し、その切替えを個々の非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー情報で行うことで、非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー期間によるプログラム実行の遅延を抑えることができる。 - 特許庁

A sound source LSI (Large Scale Integration) includes: a CPU including a built-in RAM (Random Access Memory); the sound source section for generating musical sound signals; and a SRAM (Static Random Access Memory) 403 for storing programs and tone data supplied from outside of the sound source LSI.例文帳に追加

音源ＬＳＩは、内蔵ＲＡＭを備えたＣＰＵと、楽音信号を生成する音源部と、音源ＬＳＩの外部から供給されるプログラムと音色データを格納するＳＲＡＭ４０３を備える。 - 特許庁

Memory control logic is provided so as to cope with a structure having less random access memory (RAM) relatively compared with reprogrammable nonvolatile memory and improve access to the reprogrammable nonvolatile memory.例文帳に追加

再プログラム可能不揮発性メモリに比較して相対的に少ないランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）を有する構成に対処するため、及び該再プログラム可能不揮発性メモリへのアクセスを改善するためにメモリ制御論理が提供される。 - 特許庁

The synchronous random access memory 30 performs further write or read of a data bus 25 through a synchronous burst operation (BT) or a synchronous wrap operation (WT), in addition to a synchronous random access operation.例文帳に追加

前記の同期ランダムアクセスメモリは更に同期ランダムアクセス動作に加えて、同期バースト動作（ＢＴ）または同期ラップ動作（ＷＴ）でデータ（２５）の書き込みまたは読み出しを行う。 - 特許庁

To provide an apparatus and driving method for use with multi-bank Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) circuits, modules, and memory systems.例文帳に追加

マルチバンク同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）回路、モジュール及びメモリシステムとともに使用される装置及び駆動方法を提供する。 - 特許庁

Magnetic random access memory (MRAM) devices (100, 200, 300) include the magnetic memory cells (102, 202, 302) which can be changed between two states due to the influence of magnetic field.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100,200,300)は、磁界の影響を受けて２つの状態間で切り替わることができる磁気メモリセル(102,202,302)を含む。 - 特許庁

To provide a transistor-mounted resistor switching memory device such as a phase change random access memory (PCRAM), and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

相変化ランダムアクセスメモリ（「ＰＣＲＡＭ」）などの、トランジスタを備えた抵抗スイッチングメモリデバイス及びそのメモリデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁

The single memory therefore stores both video and graphic data and a processor, on the other hand, still accesses the random access port of the memory.例文帳に追加

従って、単一のメモリがビデオ及びグラフィックの両データを記憶し、一方、プロセッサは依然としてメモリのランダムアクセスポートにアクセスする。 - 特許庁

In the case of access from main and external controllers to a synchronous dynamic random access memory(SDRAM) 11, the bus controller 12 arbitrates the access requests of these respective controllers through an arbitrating circuit part 25.例文帳に追加

バス制御コントローラ１２は、調停回路部２５にてＳＤＲＡＭ１１にメイン及び外部コントローラがアクセスするに際してその各コントローラのアクセス要求を調停する。 - 特許庁

When there is the fresh access from the personal computer 3, the control section compares the request address of the access with the memory address stored in the sequential processing address list and decides whether the access is a sequential access or the random access.例文帳に追加

パーソナルコンピュータ３から新たなアクセスがあったとき、そのアクセスの要求番地と順次処理番地リストに記憶されている記憶番地とを比較し、順次アクセスであるか、ランダムアクセスであるかを判定する。 - 特許庁

A soft random number generation part 116a generates a software random number value D2 using low-order 4 bits of the register value which is acquired by the acquisition means 115, and stores it in a random access memory 65.例文帳に追加

ソフト乱数生成部１１６ａは、取得手段１１５が取得したレジスタ値の下位４ビットを用いてソフトウェア乱数値Ｄ２を生成してＲＡＭ６５に格納する。 - 特許庁

INTERLEAVE TYPE MEMORY DEVICE FOR BURST TYPE ACCESS IN SYNCHRONOUS READING MODE IN TWO HALF-ARRAY BEING INDEPENDENTLY READABLE IN RANDOM ACCESS ASYNCHRONOUS MODE例文帳に追加

ランダムアクセス非同期モードで独立的に読取可能な２個の半アレイでの同期読取モードにおけるバースト型アクセス用インターリーブ型メモリ装置 - 特許庁