「Ru」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The lower electrode is formed of a metallic film made of Pt, Ru, Ir, Ti, etc., or of a single layer or multilayer made of a metallic oxidized film.例文帳に追加

下電極は、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔｉ等の金属膜、又はその金属酸化膜の単層又は多層膜である。 - 特許庁

To control defective plating of Cu on an Ru film, thereby improving performance of a semiconductor device.例文帳に追加

Ｒｕ膜上におけるＣｕのめっき不良を抑制し、それにより半導体装置の性能を向上することを目的とする。 - 特許庁

The outside conductive parts 13b and 13c are formed of a metal film such as Ru with a film thickness of about 40-80 nm.例文帳に追加

外側導電体部１３ｂ，１３ｃは膜厚約４０ｎｍ〜８０ｎｍのＲｕ等の金属膜によって形成されている。 - 特許庁

The electrolyte layer 3 is formed of a solution in which a light-emitting substance such as [Ru(bpy)_3](PF_6)_2 is dissolved in an organic polarity solvent.例文帳に追加

電解質層３は、有機極性溶媒に[Ｒu(bpy)_3](ＰＦ_6)_2などの発光物質を溶解させた溶液などで形成する。 - 特許庁

Takakage, Hideie UKITA, Muneshige TACHIBANA and Hiroie KIKKAWA, engaged Li Ru-song at the Byeokjegwan and defeated him (the battle of Byeokjegwan). 例文帳に追加

隆景は宇喜多秀家、立花宗茂、吉川広家らとともに李如松を碧蹄館に迎え撃ち破った。(碧蹄館の戦い) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This method for producing the alcohols is provided by hydrogen reduction of the ester or lactone by using the catalyst consisting of a ruthenium (Ru) compound, a monophosphine and an amine.例文帳に追加

ルテニウム（Ｒｕ）化合物、モノスホスフィン及びアミン類からなる触媒を用いてエステル又はラクトンを水素還元する。 - 特許庁

The surface of the Ru film is exposed to oxygen atmosphere and subjected to oxidation treatment before reduction treatment by hydrogen plasma, and then cleaned.例文帳に追加

酸素雰囲気にさらすことによりＲｕ膜表面を酸化処理し、次に水素プラズマによる還元処理をし、清浄化する。 - 特許庁

To provide a method of forming an Ru film which can perform precise film thickness control and a tunnel magnetoresistance effect multilayer film.例文帳に追加

精密な膜厚制御を行うことが可能なＲｕ膜の形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜を提供する。 - 特許庁

This composition contains as an additive element at least one metallic element selected from among Pd, Ag, Au, Ru, Rh, Re, Os, Ir, and Pt.例文帳に追加

該圧電磁器組成物は，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔから選ばれるいずれか１種以上の金属元素を添加元素として含有してなる。 - 特許庁

The Ru composite oxide is at least one kind selected from RuO_2, CaRuO_3, SrRuO_3, BaRuO_3, and Bi_2Ru_2O_7.例文帳に追加

Ｒｕ複合酸化物は、ＲｕＯ_2、ＣａＲｕＯ_3、ＳｒＲｕＯ_3、ＢａＲｕＯ_3、Ｂｉ_2Ｒｕ_2Ｏ_7から選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

From the beat signal Xn in the up modulation after the action, a correlation matrix Ru is calculated (S310), and the matrix Ru, a correlation matrix calculated last time Ru1, and a correlation matrix calculated before last Ru2 are integrated to determine a matrix Ra.例文帳に追加

また、作用後の上り変調時のビート信号Ｘｎから、相関行列Ｒｕを算出すると共に（Ｓ３１０）、行列Ｒｕと、前回算出の相関行列Ｒｕ１と、前々回算出の相関行列Ｒｕ２とを積算して行列Ｒａを求める。 - 特許庁

In the method for recovering the second platinum group Ru, Rh, Ir and Os from a platinum group solution, Se is added to the solution containing Pt, Pd, Ru, Rh, Ir and Os to reduce the Se with SO_2, thereby coprecipitating and removing only Pt and Pd together with the Se.例文帳に追加

白金族溶液から第２白金族Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ、Ｏｓを回収する方法においてＰｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓを含む溶液にＳｅを添加し、ＳｅをＳＯ_２還元することにより、Ｐｔ、ＰｄのみをＳｅと共沈除去する液中の白金とパラジウムの除去方法。 - 特許庁

There is provided the method of loading liposomes with an agent, comprising the following steps: (i) a step of preparing the liposomes containing encapsulated transition metal ions, such as Fe, Co, Ni, Cu, Zn, V, Ti, Cr, Rh, Ru, or Mo; and (ii) a step of adding the agent to the external solution of the liposomes so that the agent is encapsulated in the liposomes.例文帳に追加

（i）封入されたFe、Co、Ni、Cu、Zn、V、Ti、Cr、Rh、Ru、Moなどの遷移金属イオンを含むリポソームを調製する段階、および（ii）物質がリポソームに封入されるように、該リポソームの外部溶液に物質を加える段階を含む、リポソームに物質をローディングする方法。 - 特許庁

An Ru film 30, deposited on the sidewalls and bottoms of holes 27 as a lower electrode material, is removed from the outside of the holes 27 by isotropic dry etching in a gaseous atmosphere containing ozone gas, after the Ru film 30 formed in the holds 27 is covered with a photoresist film 31.例文帳に追加

孔２７の側壁および底面に堆積した下部電極材料であるＲｕ膜３０をフォトレジスト膜３１で覆い、オゾンガスを含むガス雰囲気中において等方性ドライエッチングを施すことによって、孔２７の外部のＲｕ膜３０を除去する。 - 特許庁

The structure for protecting junction between the diamond surface and the metal piece protects the junction between the diamond surface and the metal piece by providing an Ru coating for covering the entire metal piece and having an area larger than the area of the metal piece, on a non-junction surface between the metal piece and the diamond surface.例文帳に追加

ダイヤモンド表面と金属片との接合を、金属片とダイヤモンド表面の非結合面に、当該金属片を覆いつくす当該金属片より面積の大きいRu被膜を設けることにより保護したダイヤモンド表面と金属片との接合保護構造。 - 特許庁

The catalyst for the DMFC type fuel cell contains RuTe_2 obtained from a nitrogen element-containing Ru compound such as Ru(NO)(NO_3)_3 as an active component, or the catalyst of the DMFC type fuel cell contains RuTe_2 and a tungsten oxide as the active component.例文帳に追加

Ｒｕ（ＮＯ）（ＮＯ_３）_３等の窒素元素含有Ｒｕ化合物から得られたＲｕＴｅ_２を活性成分として含むＤＭＦＣ型燃料電池用触媒、或いは活性成分としてＲｕＴｅ_２とタングステン酸化物を含むＤＭＦＣ型燃料電池用触媒。 - 特許庁

By the seed layer 39 formed on the inside wall of the groove 38, the incubation time is shortened when the Ru film is formed by the CVD method, the surface of the plug 35 is hardly exposed to oxygen, and the continuity of the Ru film to the plug 35 can be ensured.例文帳に追加

溝３８の内壁に形成されたシード層３９により、Ｒｕ膜をＣＶＤ法で形成する際のインキュベーション時間が短縮されて、プラグ３５の表面はほとんど酸素に晒されないので、Ｒｕ膜とプラグ３５との導通を確保することができる。 - 特許庁

This method for producing the ruthenium compound is characterized by comprising a process for synthesizing a Ru(Cp)_2 complex from a ruthenium-containing compound and cyclopentadiene and a process for melting the Ru(Cp)_2 complex to remove gas components contained in the complex.例文帳に追加

本発明のルテニウム化合物の製造方法は、ルテニウム含有化合物とシクロペンタジエンを用いてＲｕ（Ｃｐ）_２錯体を合成する工程と、Ｒｕ（Ｃｐ）_２錯体を溶融処理して錯体中に含まれる気体成分を取除く工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Catalyst fine particles 31 comprising platinum (Pt), ruthenium (Ru), palladium (Pd), or the like are dispersed and contained in the electrolyte 30.例文帳に追加

電解液３０には、白金(Ｐt)、ルテニウム(Ｒu)、およびパラジウム(Ｐd)などからなる触媒微粒子３１を、分散した状態で含有させる。 - 特許庁

Alternatively, the structural member is made of a superalloy having a composition comprising 0.1 to 5% Ru instead of Re in the above composition.例文帳に追加

また上記組成中、Ｒｅの代わりに０．１〜５重量％のＲｕを含む組成の超合金から成る構造部材にも関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that achieves void-free embedding in a process of directly plating on an Ru barrier.例文帳に追加

Ｒｕバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When Wakatake(ki)ru(ro) King's temple was located in Shikinomiya, I served and supported him; So as a token of my service, this sword was made. 例文帳に追加

ワカタケ（キ）ル（ロ）の大王の寺、シキの宮に在る時、吾、天下を左治し、此の百練の利刀を作らしめ、吾が奉事の根原を記す也。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Both electrodes 16 and 18 serving as an anode and a cathode, respectively, are made of an alloy containing Pt and Ru at a ratio of Pt:Ru=1:(1-1.5).例文帳に追加

電極触媒層の電極１６，１８は、陽極、陰極ともＰｔ：Ｒｕ＝１：１〜１．５の範囲で含有する合金である。 - 特許庁

After a Ta_2O_5 film has been deposited on (002) the surface of Ru and low-temperature oxidation is performed, rapid nitriding process is performed at about 800°C.例文帳に追加

Ｔａ_2Ｏ_5膜をＲｕの（００２）面上に堆積し、低温酸化を行なった後、約８００°Ｃで急速窒化工程を行なう。 - 特許庁

Preferably, the conductive material further contains at least one kind selected from RuO_2 and other Ru based composite oxides.例文帳に追加

導電性材料は、ＲｕＯ_2、その他のＲｕ系複合酸化物から選ばれる少なくとも一種をさらに含有することが好ましい。 - 特許庁

It is preferable that one or more transition metal cations are fixed in addition to Ru cation on the fluoroapatite surface.例文帳に追加

フルオロアパタイト表面には、Ｒｕカチオンに加えてさらに１又は２種以上の遷移金属カチオンが固定化されていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of forming a continuous ruthenium (Ru) thin film in a wiring structure used in a high-speed logic circuit element.例文帳に追加

高速論理回路素子に利用される配線構造において、連続したルテニウム（Ｒｕ）薄膜を容易に形成する方法を提供する。 - 特許庁

11 characters which seem to have been the opening line of waka poetry, 'ha ru ku sa no ha ji me no to shi' (皮留久佐乃皮斯米之刀斯, literally, the first year of spring plants) were written on it. 例文帳に追加

「皮留久佐乃皮斯米之刀斯（はるくさのはじめのとし）」と和歌の冒頭と見られる11文字が記されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a sintered Ru target material which is suppressive in the occurrence of nodules (projections) at the time of sputtering and can be stably supplied.例文帳に追加

スパッタリングの際にノジュール（突起物）が発生するのを抑制した安定供給可能な焼結Ｒｕターゲット材を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the Ru-Ti-O fine powder composed of an Ru compound and a Ti compound includes a step (A) of mixing the Ru and Ti compounds with a boron oxide or boric acid, a step (B) of heat-treating the obtained mixture, and a step (C) of removing the boron oxide by dissolution from the obtained heat-treated material.例文帳に追加

Ｒｕ化合物とＴｉ化合物からＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末を製造する方法であって、Ｒｕ化合物とＴｉ化合物を、酸化ホウ素又はホウ酸と混合する工程（Ａ）、得られた混合物を熱処理する工程（Ｂ）、及び得られた熱処理物から酸化ホウ素を溶解除去する工程（Ｃ）を含むことを特徴とするＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末の製造方法などによって提供。 - 特許庁

A magnetic recording layer 7 is constituted of a CoCr group alloy film having a granular structure, and a first intermediate layer 6a consisting of Ru metal film or Ru group alloy film having the granular structure is provided between a soft magnetic backlining layer 4 and the magnetic recording layer 7.例文帳に追加

磁気記録層７をグラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜で構成し、軟磁性裏打層４と磁気記録層７との間に、グラニュラー構造を有するＲｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜からなる第１の中間層６ａを設けることとした。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, a film of the Ru-Al intermetallic compound composed essentially of B2 superlattice which is deposited using the above Ru-Al intermetallic compound target is used as at least one layer of a base film which is formed between a Co-based magnetic film and a nonmagnetic substrate.例文帳に追加

また、上述したＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットで成膜した実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも１層とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

As a manufacturing method for obtaining an Ru target composed of a powder sintered compact of ≥99% relative density and ≥99.99% purity, a reduced Ru powder is pulverized and sealed in a hermetically sealed vessel to undergo hot isostatic pressing, by which relative density is regulated to ≥99%.例文帳に追加

相対密度９９％以上、純度９９．９９％以上の粉末焼結体からなるＲｕターゲットを得る製法として、還元Ｒｕ粉末を粉砕処理した後、密閉容器に封入して、熱間静水圧プレスを行い、相対密度９９％以上に調整する。 - 特許庁

The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20.例文帳に追加

本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。 - 特許庁

A CO eliminating agent made by impregnating, for example, a Cu-Mn complex oxide shaped by extrusion molding with a Ru compound such as ruthenium chloride, preferably in an amount of 0.2 to 1.0 mass% in terms of Ru is used as a CO eliminating agent charged into the absorbing canister of the disaster prevention mask.例文帳に追加

防災マスクの吸収缶に充填するＣＯ除去剤として、例えば押出し成型法で成型したＣｕ−Ｍｎ複合酸化物に、例えば塩化ルテニウムなどのＲｕ化合物をＲｕ換算で好ましくは０．２〜１．０質量％含浸させて作製したＣＯ除去剤を用いる。 - 特許庁

To provide a TCR-adjustable Ru-Mn-O fine powder with a fine, uniform grain size, which is excellent in dispersibility and suitable for a thick film resistor, its manufacturing method, and a TCR-adjustable thick film resistor composition using the Ru-Mn-O fine powder.例文帳に追加

ＴＣＲの調整が可能であり、微細で粒径が揃っていて分散性に優れ、厚膜抵抗体用として好適なＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末とその製造方法、及びそのＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を用いたＴＣＲの調整可能な厚膜抵抗体組成物を提供する。 - 特許庁

To increase a resistance changing rate of a spin valve film and to reduce a coercive force of a free layer by increasing a combination energy for an antiferromagnetic layer and a 1st ferromagnetic layer of a spin valve element and increasing an antiferromagnetic combination energy for the 1st ferromagnetic layer and a 2nd ferromagnetic layer through an Ru antiferromagnetic combination layer.例文帳に追加

スピンバルブ素子の反強磁性層と第１強磁性層の結合エネルギー及び、Ru反強磁性結合層を通した第１強磁性層と第２強磁性層の反強磁性的結合エネルギーを大きくし、スピンバルブ膜の抵抗変化率を大きくし、自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁

A preferable mode for the method includes the mode wherein the cationic polymerizable vinyl monomer is an alkenyl ether, the mode wherein the living cationic polymerizing uses an aromatic hydrocarbon as a solvent and the mode wherein the transition metal complex is a complex of Ru, Fe, Cu or Ni.例文帳に追加

また、前記の本発明の製造法においては、カチオン重合可能なビニル系モノマーが、アルケニルエーテルである形態、リビングカチオン重合の際に、溶媒として芳香族炭化水素を使用する形態あるいは遷移金属錯体が、Ru、Fe、CuまたはNiの錯体である形態等が、好ましい形態である。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by MOCVD method of a PZT capacitance comprising various superior ferroelectric characteristics on an Ru lower electrode which is easy to etch and to specify an Ru-PZT interface structure obtained by the method so as to be applied to a ferroelectric memory device.例文帳に追加

本発明は、エッチングがし易いＲｕ下部電極上において優れた強誘電体諸特性をもつＰＺＴ容量のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を示すと共に、これによって得られるＲｕとＰＺＴ界面構造を特定し、かつ強誘電体メモリデバイスに適用する。 - 特許庁

The solder alloy may contain one or more kinds of elements selected from Fe, Ni, Co, Ru, Al, P and Ga by ≤0.1% in total.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｐ、Ｇａのうちから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．１％以下含んでもよい。 - 特許庁

When Ni is contained as an additive element, the number of positions where the distribution of Ni and the distribution of Ru are not overlapping is set not larger than 100.例文帳に追加

また添加元素としてＮｉを含む場合、Ｎｉの分布とＲｕの分布が重なり合っていない箇所を１００箇所以下とする。 - 特許庁

A film deposition material consisting of a Cu complex is supplied to the surface of the Ru film thus cleaned, and a Cu film is formed by the CVD method.例文帳に追加

清浄化されたＲｕ膜表面にＣｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

This specific structural unit contains a transition metal selected from Ru, Os, Fe, Re, and Rh, and has at least one COOH.例文帳に追加

この特定構造単位は、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｆｅ、ＲｅおよびＲｈから選ばれた遷移金属を含み、少なくとも一つのＣＯＯＨを有する。 - 特許庁

The metal contains at least one substance from among Al, Hf, Zr, Zn, W, Co, Au, Pt, Ru, Ir or Ti.例文帳に追加

前記金属は、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＩｒまたはＴｉのうち少なくとも何れか一つの物質を含む。 - 特許庁

The conductive material contains an Ru based composite oxide having basic composition represented by A_(x)RuO_3 (A is an arbitrary element), where 0<x<1.例文帳に追加

基本組成がＡ_(x)ＲｕＯ_3（ただし、式中Ａは任意元素である。）で表され、０＜ｘ＜１であるＲｕ系複合酸化物を含有する。 - 特許庁