「Second Growth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After the crystal has expanded to the desired diameter, the second stage of growth begins in which lateral growth is suppressed and normal growth is enhanced.例文帳に追加

結晶が所望の直径に拡張した後で、第２の段階を開始し、ここでは横方向の成長を抑制し、通常の成長を促進する。 - 特許庁

A second growth layer 22 is then grown in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is not higher than 10 μm/h.例文帳に追加

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。 - 特許庁

Then, a second growth layer 22 is grown so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is ≤10 μm/h.例文帳に追加

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。 - 特許庁

Although the surface of the first growth layer 21 is coarse, the recesses in the surface of the first growth layer 21 are buried and the surface of the second growth layer 22 is flattened by growing the second growth layer 22 at a growth velocity lower than that of the first growth layer 21.例文帳に追加

第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。 - 特許庁

The first growth rate v1 which is the growth rate of the microorganisms in a second edible material B at a second temperature T2 is subsequently measured.例文帳に追加

次に、第二温度Ｔ２において、第二食材Ｂ中の微生物の増殖速度である第一増殖速度ｖ１を測定する。 - 特許庁

Although the surface of the first growth layer 21 becomes coarse, the surface dimples of the first growth layer 21 are filled up by causing the second growth layer 22 to grow more slowly than the first growth layer 21; thus, the surface of the second growth layer 22 is made flat.例文帳に追加

第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。 - 特許庁

After interrupting three-dimensional nucleus growth of the first film 26 by stopping the first sputtering, second sputtering is started to start growth of the second film 28 from two-dimensional nucleus growth.例文帳に追加

第１のスパッタリングを止めて第１の膜２６の三次元核成長を中断した後に、第２の膜２８の成長が二次元核成長から始まるように第２のスパッタリングを開始する。 - 特許庁

The precursor cells are then differentiated into astroglialcytes, oligodendrocytes, or neurons in a second culture medium, the first growth factor-free and containing a second growth factor or combination of growth factors.例文帳に追加

この前駆細胞は、次いで、第２増殖因子又は増殖因子の組合わせを含有する第１増殖因子なしの第２培養基中でアストログリア細胞、希突起膠細胞又はニューロンに分化される。 - 特許庁

By a second liquid growth process in other process, a conductivity type of the upper layer of the light emitting layer forming part 4, i.e., a second epitaxial growth layer 5 composed of a P-type GaP layer is subjected to thick liquid growth.例文帳に追加

そして、さらに別工程の第２の液相成長工程により発光層形成部４の上層の導電形、すなわちｐ形のＧａＰ層からなる第２のエピタキシャル成長層５を厚く液相成長する。 - 特許庁

Japan’s GDP recorded an annualized growth rate of 5.3 percent, in the first quarter of this year, and an annualized growth rate of 0.7 percent in the second quarter on a quarter-on-quarter basis. 例文帳に追加

本年第1四半期の実質GDP成長率は、前期比年率でプラス5.3パーセント、第2四半期は同0.7パーセントとなりました。 - 財務省

The dopant removal step is performed between the first semiconductor layer growth step and the second semiconductor layer growth step.例文帳に追加

ドーパント除去工程は、第１半導体層成長工程と第２半導体層成長工程の間に実施される。 - 特許庁

In the growth process, the nitride-based compound semiconductor layer is subjected to epitaxial growth on the substrate after the second heating process.例文帳に追加

成長工程は、第２加熱工程の後、基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A growth layer 30 comprising silicon carbide and interconnecting the first and second back faces B1 and B2 is formed by a solution growth method.例文帳に追加

炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が溶液成長法によって形成される。 - 特許庁

A second growth rate v2 which is the growth rate of microorganisms in a first edible material A at a third temperature T3 is measured.例文帳に追加

まず、第三温度Ｔ３における第一食材Ａ中の微生物の増殖速度である第二増殖速度ｖ２を測定する。 - 特許庁

a second growth of trees covering an area where the original stand was destroyed by fire or cutting 例文帳に追加

火または切ることで元の幹が壊される場所を覆う木の2番目の成長 - 日本語WordNet

Next, growth of gallium nitride on the substrate 100 is continued at a second temperature higher than the first temperature.例文帳に追加

次に、第１の温度より高い第２の温度で基板１００上に窒化ガリウムの成長を続ける。 - 特許庁

To improve the characteristics of a semiconductor laser by flattening a substrate at a second crystal growth time.例文帳に追加

２回目の結晶成長時における下地を平坦にして半導体レーザの特性を改善する。 - 特許庁

A first heating process, a second heating process, and a growth process are executed sequentially.例文帳に追加

第１加熱工程、第２加熱工程および成長工程が順次に実施される。 - 特許庁

Subsequently, the recovery leveled off in the second half of fiscal 2002 due to a slowdown in export growth.例文帳に追加

その後、輸出の鈍化によって、2002年度後半に踊り場的な状況となった。 - 経済産業省

Fukumitsuya Sake Brewery established a Health & Beauty Department in November 2004and had a more than fourfold sales growth rate in its second year.例文帳に追加

2004年11月には健康美事業部を立ち上げ、2年目の売上伸び率は4倍超となっている。 - 経済産業省

In the growth method of the nitride semiconductor thin film, TMG or TEG is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth step) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting at a second set value T2 which is a substrate temperature lower than that of the first growth step.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

To prevent abnormal growth that occurs during second epitaxial growth by removing failure when substrate cleaning before the second epitaxial growth, during a manufacturing process of a compound dual wavelength laser product including two laser structures within a single chip.例文帳に追加

１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。 - 特許庁

Since the growth of the second group halftone dots starts during the growth of the first group halftone dots, in the vicinity of gray level where the growth of second group halftone dots are added are less affected by the edge effect, and therefore the light and shade of the final image can be properly reproduced.例文帳に追加

第１群の網点の成長中に第２群の網点の成長を開始させるので，第２群の網点の成長が加わる濃淡度近傍で，エッジ効果による影響を少なくすることができ，最終画像の濃淡度を適切に再現することができる。 - 特許庁

The economy hovered at a low level in the first half and recovered in the second half The real GDP growth rate in early 2010 achieved a plus growth of 3.7% at an annual rate increase from the previous quarter in the first quarter, and gained a 1.7% increase in the second quarter supported by recovery of personal consumption which account for approximately 70% of the real GDP, but the growth rate slowed down.例文帳に追加

成長が低迷した前半と回復した後半2010年前半の実質 GDP 成長率は、実質 GDP の約7割を占める個人消費の回復などにより、第1四半期に前期比年率3.7％、第2四半期に同1.7％とプラス成長ではあったが、その伸びは鈍化していった。 - 経済産業省

The first and second films 26 and 28 are formed, respectively, by first sputtering and second sputtering through two-dimensional nucleus growth and three-dimensional nucleus growth following thereto.例文帳に追加

第１及び第２のスパッタリングは、二次元核成長及び二次元核成長後の三次元核成長によって、それぞれ第１及び第２の膜２８を形成する。 - 特許庁

In some embodiments, the device includes a first growth region substantially free of voids, and a second growth region that improves the material quality such that high quality layers can be grown over the first and second regions.例文帳に追加

幾つかの実施形態において、該素子は、実質的に間隙の無い第１の成長領域と、第１及び第２の領域を覆って高品質の層を成長させることができるように材料品質を改善する第２の領域とを含む。 - 特許庁

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth.例文帳に追加

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises an ion implantation step for implanting ions into a first epitaxial growth layer 2 as a base layer at 300°C or higher, an anneal step for annealing following to the ion implantation step and a growth step for forming a second epitaxial growth layer 4 by epitaxial growth on the first epitaxial growth layer 2 as the base layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基層としての第１のエピタキシャル成長層２に対して３００℃以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第１のエピタキシャル成長層２の上にエピタキシャル成長を行ない、第２のエピタキシャル成長層４を形成する成長工程とを含む。 - 特許庁

The growing container, the first nitrogen dissolution container, the second nitrogen dissolution container, the first connection section, and the second connection section are put in motion during growth of the crystal.例文帳に追加

結晶育成時に、育成容器、第一の窒素溶解容器、第二の窒素溶解容器、第一の連結部および第二の連結部を動かす。 - 特許庁

From the second quarter of 2008, economic growth gradually lost pace, primarily on account of the formation of fixed capital, with growth in the fourth quarter of 2008, after the outbreak of the Lehman shock, down 1.7% from the previous term. However, the real GDP growth rate revived in the second quarter of 2009, primarily due to the recovery of transport machinery exports, and has maintained moderate growth (see Figure 1-2-2-20).例文帳に追加

2008 年第2 四半期から固定資本形成が主要な下押し要因となって徐々に成長を鈍化させており、リーマンショック後の2008年第4 四半期には前期比マイナス1.7％まで落ち込んだが、2009 年第2 四半期以降、輸送機械を中心とする輸出の持ち直しによって実質GDP成長率は回復へし、緩やかにプラス成長を続けている（第1-2-2-20 図）。 - 経済産業省

Amid the ongoing significant changes in the domestic and overseas economies following the global recession, Japan‘s real GDP posted a steep negative growth of 5.0% in 2009. However, since the second quarter of 2009, real GDP has recorded positive growth, supported mainly by external demand and final consumption expenditures due to the effects of policy measures and the recovery of overseas economies. In the fourth quarter of 2009, real GDP posted a positive growth of 0.9% (annualized growth of 3.8%) according to the second preliminary data.例文帳に追加

世界同時不況を経て内外経済が大きく変化する中で、2009年の实質GDP成長率は▲5.0％と大きく落ち込んだが、政策効果や海外経済の回復等の影響により、2009年第Ⅱ四半期から外需と最終消費支出を中心にプラス成長。2009年第Ⅳ四半期の实質GDP速報（２次QE）では＊0.9％（年率換算3.8％）のプラス成長を実現している。 - 経済産業省

A multi-value code image allocating part 1604 allocates second code information to the growth cores before the affine transformation based upon first code information of at least one growth core after the affine transformation close to a growth core before the affine transformation.例文帳に追加

多値コード画像割り当て部１６０４は、各アフィン変換前の成長コアに対し、アフィン変換前の成長コアに近接する少なくとも１つのアフィン変換後の成長コアの第１のコード情報に基づき、第２のコード情報を割り当てる。 - 特許庁

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁

A first epitaxial growth step of forming a buffer layer 3 on a base plate and a second epitaxial growth step of forming a compound semiconductor layer 4 on the buffer layer 3 are carried out at a growth temperature of ≤600°C by an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

基体上にバッファ層３を形成する第１のエピタキシャル成長工程と、このバッファ層３上に化合物半導体層４を形成する第２のエピタキシャル成長工程とを、６００℃以下の成長温度におけるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって行う。 - 特許庁

Such a device is produced by providing a wafer comprising a growth surface, growing an optical waveguide core mesa on the growth surface by means of micro-selective area growth at a first temperature, and covering the optical waveguide core mesa with a cladding material at a second temperature that is lower than the first temperature.例文帳に追加

このようなデバイスは、成長面を有するウェハを設け、光導波コアメサを、マイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料で覆うことによって製造する。 - 特許庁

To provide a new method for the diagnosis of the growth of a plant based on indices and analysis capable of more clearly and widely showing diagnostic result of the growth of plant while solving the problems of the conventional growth diagnosis using second order differentiation method such as a large number of evaluation factors necessary for the diagnosis.例文帳に追加

従来の２次微分法を用いて行う植物の生育診断における評価因子が多い等の問題点を解消でき、植物の生育診断をより明確に広範囲に示す指標と解析法に基づく新たな生育診断法を提供する。 - 特許庁

By subjecting the structure with the mask member M1 to selective embedding epitaxial growth, a pad film 12 is formed as a first selective embedded growth layer, and subsequently a p-type anode side region 13 as a second selective embedded growth layer are formed.例文帳に追加

マスク部材Ｍ１を付けたままで、埋込選択エピタキシャル成長法により、第１の埋込選択成長層であるパッド膜１２を形成し、引き続き、第２の埋込選択成長層であるｐ型のアノード側領域１３形成する。 - 特許庁

The flow rate of N source material gas is so controlled as to increase from zero to an initial value during growth of the second group III-V compound semiconductor for a first time T1, while controlled as to decrease from the last value during growth of the second group III-V compound semiconductor to zero for second time T2.例文帳に追加

Ｎソース原料ガスの流量は、第２のIII−Ｖ化合物半導体の成長における初期値へゼロから第１の時間Ｔ１で増加するように制御されると共に、第２のIII−Ｖ化合物半導体の成長における最終値からゼロへ第２の時間Ｔ２で減少する。 - 特許庁

A first nitride semiconductor is grown on a substrate at a temperature lower than the growth temperature of a second nitride semiconductor that is grown on the first nitride semiconductor, then the substrate is raised in temperature to the growth temperature of the second nitride semiconductor and then subjected to a thermal treatment, and then a second nitride semiconductor is grown.例文帳に追加

基板上に第１の窒化物半導体をその上に成長する第２の窒化物半導体の成長温度より低温で成長し、その後基板温度を第２の窒化物半導体の成長温度にまで昇温し、昇温後に熱処理を行い、次いで第２の窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

Supported by such reconstruction-related demand, domestic demand in Japan has stayed firm on the whole.Japan’s GDP recorded an annualized growth rate of 5.3 percent in the first quarter of this year and an annualized growth rate of 0.7 percent in the second quarter on a quarter-on-quarter basis. 例文帳に追加

こうした復興需要にも支えられ、我が国の内需は全体として堅調に推移してきました。本年第１四半期の実質GDP成長率は、前期比年率で＋5.3％、第２四半期は同0.7％となりました。 - 財務省

A hetero epitaxial layer 18 is selectively formed by epitaxial growth on the hetero epitaxial growth surface in the second emitter opening, which has been cleaned by the treatments.例文帳に追加

このような処理を経て清浄にされた第２エミッタ開口部内の異種結晶成長面上に異種結晶層１８を選択的にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Continued to the etching process, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace to make epitaxial growth of a second conductive type semiconductor 6 in the trench 4 and fill up the trench 4.例文帳に追加

このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。 - 特許庁

Then, a single crystal having the preferential face as a growth face is prepared and used as a second seed crystal for crystal growth to obtain the bulk single crystal.例文帳に追加

次いで、前記優先面を成長面に有する単結晶を準備し、前記単結晶を第２の種結晶として結晶成長を行い、バルク単結晶を得る。 - 特許庁

A VEGF-E (vascular endothelial growth factor-E) antagonist which is a new polypeptide related to VEGF (vascular endothelial growth factor) and bone morphogenetic protein 1 is administered in combination with a second agent.例文帳に追加

血管内皮性増殖因子(ＶＥＧＦ)と骨形態形成タンパク質１に関連する新規のポリペプチドである血管内皮性増殖因子−Ｅ(ＶＥＧＦ−Ｅ)のアンタゴニストを第二薬剤と組み合わせて投与する。 - 特許庁

The recessed part whose sidewall is oblique is formed by being grown while a growth temperature of the second nitride semiconductor device is gradually lowered, and then is etched by using etchants with different etching rates depending on the growth temperatures.例文帳に追加

側壁が斜めの凹部は、第２の窒化物半導体装置の成長温度を徐々に低くしながら成長させ、その後、成長温度に応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。 - 特許庁