「VIB.」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this method, the metal in the oxometal complex is selected from groups IVB, VB and VIB transition metal elements.例文帳に追加

その内、前記オキソ金属錯体中の金属は、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族の遷移金属元素より選ぶ。 - 特許庁

To provide a chalcopyrite film by a safe method by sufficiently combining a group Ib metal, a group IIIb metal, and a group VIb element only by heat treatment without using an atmosphere including a group VIb element (Se, S, Te).例文帳に追加

ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。 - 特許庁

The light absorbing layer 14 is composed of a compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

光吸収層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体からなる。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method of a compound semiconductor thin film containing IB group elements, IIIB group elements, and VIB group elements.例文帳に追加

ＩＢ族元素、IIIＢ族元素、およびVIＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar battery equipped with a light absorption layer consisting of a IB-IIIB-VIB semiconductor of group IB element rich composition.例文帳に追加

ＩＢ族元素リッチ組成のＩＢ−IIIＢ−VIＢ半導体からなる光吸収層を備えた太陽電池を提供する。 - 特許庁

The catalyst can additionaly contain at least one element selected from the group consisting of the elements of group VB and group VIB.例文帳に追加

この触媒はさらに第ＶＢ族および第VIＢ族の元素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含にでもよい。 - 特許庁

A light quantity automatic control circuit 104 generates control voltages Vid, Vib and Vip for controlling the quantity of light emission of a semiconductor laser LD.例文帳に追加

光量自動制御回路１０４は、半導体レーザＬＤの発光量制御のための制御電圧Ｖｉｄ，Ｖｉｂ，Ｖｉｐを発生する。 - 特許庁

A VIB holder 31 which covers and holds a VIB motor 30 and is made of an elastic member is press-fitted and attached into a recess formed by being demarcated with a rib 32 on the inside surface of a reception part rear case 12 constituting the casing of the mobile phone.例文帳に追加

携帯電話機の筐体を構成する受話部リアケース１２の内面にリブ３２によって区画されて形成された凹部内に、ＶＩＢモータ３０を包み込んで保持する、弾性部材からなるＶＩＢホルダ３１が圧入して取り付けられている。 - 特許庁

The manufacturing method of chalcopyrite nanoparticles shown in Ib group metal-IIIb group metal-VIb group element by mixing Ib group metal compound, IIIb group metal compound, and VIb group compound of the periodic table, in an organic solvent and forming nanoparticles, is provided.例文帳に追加

周期律表第Ｉｂ族金属化合物、第IIIｂ族金属化合物、および第VIｂ族化合物を有機溶媒中で混合してナノ粒子を形成することを特徴とする第Ｉｂ族金属—第IIIｂ族金属—第VIｂ族元素で表わされるカルコパイライトナノ粒子の製造方法。 - 特許庁

The process hydrofluorinates chloro(fluoro)butane of the general formula: C_4H_5Cl_xF_5-x (wherein, x=1 to 5) with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst chosen from the derivatives of IIIa, IVa, IVb, Va, Vb and VIb metals, especially antimony pentachloride or tin tetrachloride, at 50-150°C and under 2-40 bar.例文帳に追加

周期表IIIa族、 IVa族、 IVb族、Va族、Vb族、及び VIb族元素の金属の誘導体から選ばれる触媒、特に五塩化アンチモン及び四塩化スズの存在下、温度50℃〜150℃で、圧力２〜40barでフッ化水素により一般式Ｃ_4Ｈ_5Ｃｌ_XＦ_5-X（式中、ｘ＝１〜５）のクロロ（フルオロ）ブタンをヒドロフルオロ化する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁

The silver halide photographic sensitive material contains a spectral sensitizing dye of formula I, II, III, IV, V, VIa or VIb in one of silver halide emulsion layers and a hydrazine derivative of formula H in one of the silver halide emulsion layers and hydrophilic colloidal layers.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層の一層が下記一般式（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）、（Ｖ）、（VIa）、（VIb）で表される分光増感色素を含有し、かつ、ハロゲン化銀乳剤層及び親水性コロイド層の内の一層に下記一般式（Ｈ）で表されるヒドラジン誘導体を含有させたハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

The difference between an anti-phase input voltage VIa and a positive phase input voltage VIb is amplified by a differential stage 20, and a differential output voltage VA is outputted.例文帳に追加

逆相入力電圧ＶＩａと正相入力電圧ＶＩｂの差が差動段２０で増幅され、差動出力電圧ＶＡが出力される。 - 特許庁

A wind produced by the rotated VIB motor 28 is externally discharged via the opening 26, cotton 24 impregnated with the aroma in the pocket 16, and the through-hole 20.例文帳に追加

この回転によって発生される風は、開口２６、ポケット１６内の香りを染み込ませた綿２４、そして透孔２０を経て外気へ放出される。 - 特許庁

The film 13 is a semiconductor thin film which functions as a light absorbing layer, and contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

化合物半導体薄膜１３は、光吸収層として機能する半導体薄膜であり、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含む。 - 特許庁

A synthetic peptide based on the amino acid sequence of a sub-domain VIB portion having the highest similarity between the serine- threonine protein phosphorylation enzymes, among 11 sub-domains having commonality between the enzymes is used as an antigen to prepare the antibody which recognizes many serine-threonine protein phosphorylation enzymes.例文帳に追加

セリン−トレオニンタンパク質リン酸化酵素間で共通性の見られる11ヶ所のサブドメインのうち、もっとも酵素間での類似性の高いサブドメインVIB部分のアミノ酸配列に基づく合成ペプチドを抗原として抗体を作成することによって、各種のセリン−トレオニンタンパク質リン酸化酵素を認識する抗体が得られる。 - 特許庁

A part exposed from the reception part rear case 12, of the VIB holder 31 functions as an LED lens 40 which emits light generated by the LED 51 to the outside.例文帳に追加

ＶＩＢホルダ３１の、受話部リアケース１２から露出された部分は、ＬＥＤ５１によって発生した光を外部に射出するＬＥＤレンズ４０の働きをしている。 - 特許庁

The cemented carbide base material is composed of WC, 3 to 8 wt.% of Co, and less than 0.5 wt.% of carbide of group IVb, Vb or VIb metals in the periodic table.例文帳に追加

この超硬合金基材は、ＷＣと、３〜８ｗｔ％のＣｏと、周期律表のＩＶｂ、ＶｂまたはＶＩｂ族金属の＜０．５ｗｔ％の炭化物とから成る。 - 特許庁

LMX_2 (where L represents at least one group IB element, M represents at least one group IIIB, and X represents at lest one group VIB, respectively.) ...(i)例文帳に追加

ＬＭＸ_２（ここで、Ｌは少なくとも１種のＩＢ族元素、Ｍは少なくとも１種のＩＩＩＢ族、Ｘは少なくとも１種のＶＩＢ族を各々示す。）・・・（ｉ） - 特許庁

The film 14 contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element and also contains sulfur at a higher composition ratio than that of the film 13.例文帳に追加

化合物半導体薄膜１４は、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含み、化合物半導体薄膜１３よりも高い組成比で硫黄を含む。 - 特許庁

The tungsten compound is at least one kind of compound selected e.g. from metallic tungsten, a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group IVb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group Vb element and a tungsten compound composed of tungsten and a group VIb element.例文帳に追加

タングステン化合物としては、例えばタングステン金属、タングステンと第IIIb族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第IVb族族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第Vb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステンと第VIb族元素とからなるタングステン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。 - 特許庁

An over layer 5 is formed by providing a compound of IIb-VIb groups such as zinc sulfide(ZnS) or that to which a luminescence center such as Mn is added, directly onto the luminescent layer 4.例文帳に追加

この発光層の直上にIIｂ−VIｂ族化合物、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはこれに発光中心、例えばＭｎ、を添加したものを成膜した直上層５を設ける。 - 特許庁

To provide a sputtering method and the like which can efficiently deposit a sputtering film having a desired composition by the sputtering method using elements in group-IB, group-IIIB, and group-VIB of the periodic table.例文帳に追加

周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。 - 特許庁

The light emitting element 11 is preferably a solid-state light emitting element including a group IIIb-Vb compound semiconductor or a group IIb-VIb compound semiconductor as a luminescent layer.例文帳に追加

発光素子１１は、ＩＩＩｂ−Ｖｂ族系化合物半導体又はＩＩｂ−ＶＩｂ族系化合物半導体を発光層として含む固体発光素子であることが好ましい。 - 特許庁

In this formula, M is metal selected from Group IVB, VB, VIB and VIIB of the periodic table of the elements, x is about 5-40 atomic%, and y is about 5-40 atomic%.例文帳に追加

上式で、Ｍは元素周期表のＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢまたはＶＩＩＢ族から選択された金属、ｘは約５から約４０原子％、ｙは約５から約４０原子％である。 - 特許庁

The thin film 12 contains a compound semiconductor layer 12b, which is arranged so as to come into contact with the first electrode film 11 an contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

薄膜１２は、第１の電極膜１１と接触するように配置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体層１２ｂを含む。 - 特許庁

To provide a process for activating a new hydrotreating catalyst or a used and regenerated hydrotreating catalyst comprising a Group VIB metal oxide and a Group VIII metal oxide.例文帳に追加

第VIＢ族金属酸化物および第VIII族金属酸化物を含む、新品の水素化処理触媒または使用されて再生されている水素化処理触媒を活性化する方法を提供する。 - 特許庁

The solar cell has a photoelectric conversion layer including a semiconductor layer including an Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element on an aluminum substrate provided with an insulative anodic oxidation film.例文帳に追加

絶縁性の陽極酸化膜を有するアルミニウム基板上に、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とからなる半導体層を含む光電変換層を有する、太陽電池。 - 特許庁

The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするＮ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the oxime compound comprises carrying out a reaction between the carbonyl compound, ammonia and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、カルボニル化合物とアンモニアと過酸化水素を反応させることを特徴とするオキシム化合物の製造方法。 - 特許庁

This method for producing both of cyclododecanone and cyclododecanol features contacting epoxycyclododecanes with hydrogen in the presence of a platinum group catalyst where (a) a platinum group metal and (b) at least one element selected from the group consisting of group VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb, Vb, VIb and VIIb elements and lanthanoid elements or compounds thereof as a cocatalyst are supported by a carrier.例文帳に追加

白金族触媒が、（ａ）白金族金属と（ｂ）助触媒としてVIII族、Ib族、IIb族、IIIb族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIb族およびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素またはその化合物とを担体に担持したものからなり、該触媒の存在下、エポキシシクロドデカン類と水素とを接触させることを特徴とするシクロドデカノン及びシクロドデカノールの製造法により解決される。 - 特許庁

The method for producing the nitrogen-containing aromatic N-oxides comprises reacting the corresponding nitrogen-containing aromatics with the hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst prepared by reacting at least one kind selected from tungsten metal and a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a group IVb element, a group Vb element or a group VIb element except oxygen with the hydrogen peroxide.例文帳に追加

タングステン金属およびタングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、含窒素芳香族類と過酸化水素とを反応させることを特徴とする含窒素芳香族Ｎ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor film has a composition with a group Ia element and a group Vb element doped in a compound semiconductor of a chalcopyrite structure comprising a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

本発明の半導体膜は、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ｉａ族元素およびＶｂ族元素が添加された組成を有する。 - 特許庁

In the formula, A is an element of the group IIA, IIIA, IVA, VA, IIB, IIIB, IVB, VB, VIB, VIIB or VIII of the long-form periodic table; X is a halogen atom; p is an integer of 0-10; q is an integer of 1-10; and r is an integer of 1-35.例文帳に追加

（式中、Ａは長周期律表においてIIＡ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ、IIＢ、IIIＢ、IVＢ、ＶＢ、VIＢ、VIIＢ、VIII属の元素、Ｘはハロゲン原子、ｐは０〜１０、ｑは１〜１０、ｒは１〜３５の整数を示す。） - 特許庁

The present invention is related to the discovery that 4-arylamino-quinazolines and analogs, as represented in formula I-VIb below, are potent tubulin inhibitors and active in inhibiting topoisomerase, particularly topoisomerase II.例文帳に追加

本発明は、式Ｉ〜ＶＩｂで表される４−アリールアミノ−キナゾリンおよびアナログが優れたチューブリン阻害剤であって、トポイソメラーゼ、特にトポイソメラーゼＩＩを疎外するにおいて活性があるという発見に関する。 - 特許庁

In an anode common connection (not shown), a bias current generating circuit 103 generates, DC current to be led-in from the LD, based on a reference voltage Vs1 which a reference voltage generating circuit 106 generates from the Vib.例文帳に追加

アノード・コモン接続（図示せず）ではバイアス電流発生回路１０３が、基準電圧発生回路１０６がＶｉｂから発生した基準電圧Ｖｓ１に基づいてＬＤより引き込む直流電流を発生する。 - 特許庁

To provide a Vib-rake ruler (R) capable of easily handling a rake ruler for making a concrete surface flat and pouring concrete in recessed and projecting parts on the ground surface uniformly to dispel air included in a clearance of concrete.例文帳に追加

コンクリートの表面を平坦にするレーキ定規を取り扱いが容易で、地面の凹凸に均等にコンクリートを入れて、さらに、コンクリートの間隙に含まれる空気を追い出すことができるバイブレーキ定規を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加

ＩＢ族元素と、IIIＢ族元素としてＩｎおよびＧａと、VIＢ族元素とを含み、その膜厚方向におけるＧａ分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The HC adsorbent layer contains a heat-resistant inorganic oxide containing metal elements comprising groups IIIA, IIIB, IVB, VB, VIB, VII, VIII, IB and IIB.例文帳に追加

ＨＣ吸着材層がＩＩＩＡ族、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族及びＩＩＢ族元素などから成る金属元素を含む耐熱性無機酸化物を更に含有する。 - 特許庁

A catalyst has the active phase deposited on this carrier and containing platinum, palladium, Co or Ni as a VIII group metal or a compd. thereof and Mo or W as a VIB group metal or a compd. thereof.例文帳に追加

また、この担体上に堆積された活性相として、ＶＩＩＩ族の金族および化合物として、白金、パラジウム、Ｃｏ、Ｎｉなど、ＶＩＢ族の金族および化合物として、Ｍｏ、Ｗ等とした触媒である。 - 特許庁

METHOD FOR HYDRODESULFURIZING GASOLINE FRACTION CONTAINING SULFUR AND OLEFIN IN PRESENCE OF CATALYST CONTAINING AT LEAST ONE CARRIER, AT LEAST ONE GROUP VIII ELEMENT AND AT LEAST ONE GROUP VIB ELEMENT例文帳に追加

少なくとも１種の担体と、少なくとも１種の第ＶＩＩＩ族元素と、少なくとも１種の第ＶＩＢ族元素とを含む触媒の存在下に硫黄およびオレフィンを含有するガソリン留分を水素化脱硫する方法 - 特許庁

The chalcopyrite type fine particles have a group Ib metal element, a group IIIb metal element, and a group VIb element and have an average crystallite diameter of 2-20 nm and a single crystal particle rate of 80% or more.例文帳に追加

また、第Ｉｂ族金属元素、第ＩＩＩｂ族金属元素、及び第ＶＩｂ族元素を有し、平均結晶子径が２ｎｍ〜２０ｎｍであり、且つ単結晶粒子の割合が８０％以上である、カルコパイライト系微粒子とする。 - 特許庁

A method for producing the compound semiconductor thin film containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element comprises: a step for preparing an application agent containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element; a step for forming an application film by applying the application agent to a substrate; and a step for baking under pressure in which the application film is heated and sintered while pressure is mechanically applied.例文帳に追加

ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を、機械的に圧力を加えた条件下で加熱して焼結させる加圧焼成工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

The method also includes making single-wall carbon nanotubes with catalysts comprising at least one group VIB or group VIIIB metal on supports such as magnesia, zirconia, silica, and alumina, where the catalyst is sulfurized.例文帳に追加

また、この方法は、マグネシア、ジルコニア、シリカ及びアルミナなどの担体上に少なくとも１種の第ＶＩＢ族又は第ＶＩＩＩＢ族の金属を含む触媒であって、硫化された触媒を用いて、単一層カーボンナノチューブを製造することを含む。 - 特許庁