「Wsi」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By forming the WSi film under such a condition, it is possible to suppress the internal stress of the WSi film after being crystallized by thermal treatment and to prevent the occurrence of cracks in the insulating layer, conductive layer, and semiconductor layer resulting from the internal stress of the WSi film.例文帳に追加

このような条件でＷＳｉ膜を成膜する事により、熱処理により結晶化した後のＷＳｉ膜の内部応力を抑制することができ、ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することができる。 - 特許庁

WSi FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体装置用ＷＳｉ膜、ならびにそのＷＳｉ膜を用いた半導体装置 - 特許庁

A polysilicon film 12 doped with impurities and a WSi film 13 are further grown on the gate oxide film 11.例文帳に追加

ゲート酸化膜１１の上に、ＤＰＳ膜１２、およびＷＳｉ膜１３を成長させる。 - 特許庁

Because the WSiN film 3 suppresses a reaction of the WSi film 4 with the polysilicon film 2 to produce grain growth, a crystal grain of the WSi film 4 gets smaller and the light shielding characteristics are improved.例文帳に追加

ＷＳｉＮ膜３は、ＷＳｉ膜４がポリＳｉ膜２と反応してグレイン成長するのを抑制するため、ＷＳｉ膜４の結晶粒が小さくなり、遮光特性が向上する。 - 特許庁

In a process (d), after forming an oxide film 9 and an interlayer film 10 in this order over the whole surface including the WSi layer 7 and the oxide film 6, the contact hole 11 is opened in the films 9, 10 present on the foregoing pattern of the WSi layer 7.例文帳に追加

工程（ｄ）で、ＷＳｉ層７を含む表面全体に酸化膜９及び層間膜１０をこの順序で形成した後、上記パターニングしたＷＳｉ層７の上部にコンタクトホール１１を開口する。 - 特許庁

After a silicon oxide film 28 and a silicon nitride film 30 are formed on the WSi film 22, a gate electrode is formed by etching (Figure 1 (E)).例文帳に追加

ＷＳｉ膜２２の上にシリコン酸化膜２８およびシリコン窒化膜３０を形成した後、エッチングによってゲート電極を形成する（図１（Ｅ））。 - 特許庁

A first electrode part formed of a WSi/W film is made on a GaAs semiconductor substrate, and a second electrode part including a Pt film is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体基板上にＷＳｉ／Ｗ膜からなる第１の電極部を形成した後、Ｐｔ膜を含む第２の電極部を形成する。 - 特許庁

The vapor-deposited metal film 5 has characteristics for reflecting light in a wavelength band, which is used by optical communication, without transmitting as in Au or WSi.例文帳に追加

蒸着する金属膜５は、例えばＡｕやＷＳｉのように光通信で使用する波長帯の光を透過せずに反射する特性を有する。 - 特許庁

A TFT 5 is formed on the WSi film 4 and further a flattening film 6 and a transparent electrode 7 are formed.例文帳に追加

このＷＳｉ膜４上にＴＦＴ５を形成し、さらに平坦化膜６および透明電極７を形成する。 - 特許庁

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。 - 特許庁

A WSi film is formed on the amorphous Si film 7, and patterning is carried out so that a gate electrode can be formed.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ膜７上にＷＳｉ膜を形成し、パターンニングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

A WSi film 22 is formed on the amorphous silicon film 16, and the n-type impurity is implanted only in the PMOS resion (Figure 1 (C)).例文帳に追加

アモルファスシリコン膜１６の上にＷＳｉ膜２２を形成し、ＰＭＯＳ領域にのみＮ型不純物を注入する（図１（Ｃ））。 - 特許庁

A metal film 76 on a gate made of Au is formed at the opening of the mask 78 by the lift-off method, a WSi film 71a is subjected to patterning with the metal film 76 on the gate as a mask, and a gate electrode 71 made of WSi is formed right above the p-type region 90.例文帳に追加

マスク７８の開口部に、リフトオフ法によりＡｕからなるゲート上金属膜７６を形成し、ゲート上金属膜７６をマスクとしてＷＳｉ膜７１ａをパターニングして、ｐ型領域９０の直上にＷＳｉからなるゲート電極７１を形成する。 - 特許庁

Communicating part channel width ratio which is ratio of channel width WLi to WSi (WLi/WSi) in the peripheral direction in communicating parts 6i, 7i of the first and second shoulder lateral channels 5, 7 with the shoulder longitudinal channel 4 is smaller than ground contact end channel width ratio which is ratio of the channel width WLo to WSo (WLo/WSo).例文帳に追加

第１、第２のショルダ横溝５、７のショルダ縦溝４との連通部６ｉ、７ｉにおける周方向の溝幅ＷＬｉ、ＷＳｉの比（ＷＬｉ／ＷＳｉ）である連通部溝巾比を、前記溝幅ＷＬｏ、ＷＳｏの比（ＷＬｏ／ＷＳｏ）である接地端溝幅比よりも小とする。 - 特許庁

A method for forming a WSi film includes a step (1) of forming a deposit film 6, containing Si and W as main components and having a hexagonal crystal phase chemical vapor growth using a gaseous start material containing WF6 and Si2H2Cl2 and a step (2) forming a WSi film annealing a substrate 2, on which the deposit film 6 is formed in an ammonia atmosphere.例文帳に追加

ＷＳｉ膜を形成する方法は、(1)ＷＦ_6およびＳｉ_2Ｈ_2Ｃｌ_2を含む原料ガスを用いる化学的気相成長法によってＳｉおよびＷを主要構成元素としヘキサゴナル結晶相を有する堆積膜6を形成し、(2)堆積膜6が形成された基板2をアンモニア雰囲気中においてアニールを行いＷＳｉ膜を形成する、各ステップを備える。 - 特許庁

The metals here include Cu, Ta, Co, Ti, W, Mo, Ni or V, etc., and the high-melting point metal silicide includes Wsi, MoSi, NiSi or VSi, etc.例文帳に追加

前記金属は、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ又はＶ等であり、前記高融点金属シリサイドは、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ又はＶＳｉ等である。 - 特許庁

After a gate oxidized film and a polysilicon film are formed on the surface of a silicon substrate, a tungsten silicide (WSi) film containing impurities is formed on the polysilicon film as a first wiring layer.例文帳に追加

シリコン基板の表面にゲート酸化膜、ポリシリコン膜を形成し、不純物を含むタングステンシリサイド（ＷＳｉ）膜を形成し、これを第１配線層とする。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed as a structure of a polysilicon layer 24 and WSi layer 26 laminated thereon having a sidewall 28 made of an insulating film such as SiN, etc.例文帳に追加

ゲート電極は、ポリシリコン層２４とポリシリコン層２４上に積層されたＷＳｉ層２６の積層構造として形成され、側面にＳｉＮ等の絶縁膜からなるサイドウォール２８を備えている。 - 特許庁

Subsequently, polysilicon 40 is grown by CVD using SiH4 (silane) and Wsi 50 is deposited thereon to produce a level difference on the order of 1500 Å.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン４０を、ＳｉＨ_4 （シラン）を用いたＣＶＤ法により成長させ、その上に、ＷＳｉ５０を形成すると、１５００Å程度の段差が発生する。 - 特許庁

To provide a gate electrode having a high melting metal structure of Si/WSi/WN, low in contact resistance and high in thermal stability.例文帳に追加

電界効果型半導体装置及びその製造方法に関し、コンタクト抵抗が低く且つ熱的に安定なＳｉ／ＷＳｉ／ＷＮ／高融点金属構造のゲート電極を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a WSi film, the thickness of which does not change much before and after annealing and a method for manufacturing a metal-insulation film-semiconductor transistor.例文帳に追加

アニール前後における膜厚の差が小さいＷＳｉ膜を形成する方法、および金属−絶縁膜−半導体型トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Since the x in the WSix film can be adjusted to an appropriate value by forming a hexagonal phase or increasing the forming temperature of the WSix film, the thickness of the WSi film does not change much before and after the annealing.例文帳に追加

ヘキサゴナル相の形成または高温成膜によって、ＷＳｉx膜におけるｘ値を適切な値にできるので、アニール前後においてＷＳｉ膜の厚さの変化が小さい。 - 特許庁

In addition, since dependency of the contact resistance on the electrode material is low, the low contact resistance is obtained even when a thermally stable material, such as the WSi etc., having a high melting point is used as an electrode material.例文帳に追加

また、コンタクト抵抗の電極材料依存性が小さく、熱的に安定なＷＳｉ等の高融点材料を電極材料として用いても低いコンタクト抵抗が得られる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optic device capable of preventing the occurrence of cracks in an insulating layer, conductive layer, and a semiconductor layer resulting from the internal stress in a WSi film.例文帳に追加

ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The WSi layer 14 has a first portion 14a contacting the poly-Si layer 13, and a second portion 14b whose contained amount of tungsten is larger than the first portion 14a, being formed covering the first portion 14a.例文帳に追加

ＷＳｉ層１４が、poly-Ｓｉ層１３に接する第１部分１４ａと、第１部分１４ａを覆って形成され第１部分１４ａよりもタングステンの含有量が多い第２部分１４ｂとを有する。 - 特許庁

Here treatment is executed with a condition that a solid phase reacting layer is formed between the Pt film of the second electrode part and the semiconductor substrate and the solid phase reaction layer is not formed between the WSi/W film of the first electrode part and the semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、第２の電極部のＰｔ膜と半導体基板との間で固相反応層が形成され、第１の電極部のＷＳｉ／Ｗ膜と半導体基板との間では固相反応層が形成されない条件で熱処理を行う。 - 特許庁

Since a resist 210 is exposed to exposure light E in the photolithography process and to the reflected light R reflected on the WSi film 201 after transmitting the resist 210, intensity of the exposure light E to expose the resist 210 can be decreased.例文帳に追加

レジスト２１０は、フォトリソグラフィ工程における露光光Ｅと、レジスト２１０を透過した後にＷＳｉ膜２０１により反射された反射光Ｒとにより露光されるため、レジスト２１０へ露光するための露光光Ｅの強度を弱くすることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of a heterojunction bipolar transistor first forms a collector contact layer 2; a collector layer 3; a base layer 4; a base protective layer 5; an emitter layer 6; an emitter contact layer 7; and a WSi layer 8 formed sequentially on a substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法では、まず、基板１の上に、コレクタコンタクト層２、コレクタ層３、ベース層４、ベース保護層５、エミッタ層６およびエミッタコンタクト層７、ＷＳｉ層８を順次形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes a gate electrode 17 of multilayer structure having a poly silicon (poly-Si) layer 13, a tungsten silicide (WSi) layer 14, a tungsten nitride (WN) layer 15, and a tungsten (W) layer 16, which are laminated sequentially on a gate insulating film 12.例文帳に追加

半導体装置１０は、ゲート絶縁膜１２上に順次に積層された、多結晶シリコン（poly-Ｓｉ）層１３、タングステン・シリサイド（ＷＳｉ）層１４、タングステン・ナイトライド（ＷＮ）層１５、及び、タングステン（Ｗ）層１６を有する多層構造のゲート電極１７を備える。 - 特許庁

In the device where DRAMs are mixedly mounted, a gate electrode 2 at a logic section is set to a double structure of CoSi/D-α (D-Poly), and a gate electrode 3 at a DRAM section is set to a double structure of Wsi/D-α (D-P) having an SAC(self alignment contact) structure.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載デバイスにおいて、ロジック部のゲート電極２をＣｏＳｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にし、ＤＲＡＭ部のゲート電極３はＳＡＣ（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造を有したＷｓｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にした。 - 特許庁

After F10 adhering to the WSi exposed region on the inner surface of the contact hole is removed, during the formation of the capacity contact hole by heating the semiconductor substrate in nitrogen by means of a lamp annealing unit, O2 gas is introduced to form an oxide film 9 on the bottom of the contact hole.例文帳に追加

半導体基板をランプアニール装置で窒素中加熱することにより、容量接続孔形成時に接続孔内壁のＷＳｉ露出領域に付着したＦ１０を除去した後、Ｏ_２ガスを導入して接続孔底部に酸化膜９を形成する。 - 特許庁

Preferably, the metal silicide film is any one kind of a WSi_x film, a TiSi_x film, an MoSi_x film, an NiSi_x film, a TaSi_x film, a CuSi_x film, and a CoSi_x film(where, x is an arbitrary number).例文帳に追加

前記金属シリサイド膜が、ＷＳｉ_ｘ膜、ＴｉＳｉ_ｘ膜、ＭｏＳｉ_ｘ膜、ＮｉＳｉ_ｘ膜、ＴａＳｉ_ｘ膜、ＣｕＳｉ_ｘ膜、および、ＣｏＳｉ_ｘ膜（ここで、ｘは任意の数）のうちいずれか１種であることが好ましい。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed.例文帳に追加

絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。 - 特許庁

Prior to a photolithographic process (b) of forming a resist mask 210a on the inner surface IS of a TFT array substrate 10, a WSi film 201 as a reflection film and a silicon oxide film 202 are formed (a) on the outer surface OS.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上にレジストマスク２１０ａを形成するフォトリソグラフィ工程（ｂ）に先立ち、外側表面ＯＳ上に、反射膜としてのＷＳｉ膜２０１及び酸化シリコン膜２０２を形成する（ａ）。 - 特許庁

In this optical disk for recording and reproducing data by irradiation of a storage area on the optical disk with a laser, information consisting of the recording velocity information RVI for recording/reproducing representing a linear velocity different from the standard linear velocity and write strategy information WSI corresponding to this recording velocity information are stored in a land prepit, etc., on the optical disk.例文帳に追加

光ディスク上の記憶領域にレーザが照射されることでデータを記録し再生する光ディスクであり、標準線速度とは異なる線速度を示す記録再生のための記録速度情報ＲＶＩと、この記録速度情報に対応する記録ストラテジ情報ＷＳＩとからなる情報とを、光ディスク上のランドプリピット等に格納している。 - 特許庁

A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode.例文帳に追加

半導体基板１上の素子分離領域２により分離された能動領域に、ゲート酸化膜３を介して多結晶Ｓｉ４とＷＳｉ５からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間絶縁膜７に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔８を形成する。 - 特許庁