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a cu-pの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 146



例文

This alloy is composed of a Cu-Co-P series and a Cu-Co-Sn-P series having prescribed composition.例文帳に追加

本発明の合金は、所定の組成を有するCu-Co-P系およびCu-Co-Sn-P系である。 - 特許庁

As for the metal with Cu as a major component, metal containing Ni, P, Sn, Al, Si or the like to such a degree that the plating bath is not contaminated can be used for increasing their hardness compared with a Cu simple substance.例文帳に追加

本発明のCuを主成分とする金属としては、硬度をCu単体よりも高めるために、めっき浴を汚染しない程度のNi、P、Sn、Al、Si等を含有したものでもよい。 - 特許庁

It is further effective that a part of copper is replaced with a Cu-P based brazing filler metal.例文帳に追加

銅の一部をCu−P系ろう材で置換すると、更に有効である。 - 特許庁

Copper alloys can be employed which have component systems such as a Cu-Ni-Si-based (Corson alloy) alloy, a Cu-Ni-Sn-P-based alloy, a Cu-Be-based (beryllium-copper) alloy, and a Cu-Ti-based (titanium-copper) alloy.例文帳に追加

Cu−Ni−Si系(コルソン合金)、Cu−Ni−Sn−P系、Cu−Be系(ベリ銅)、Cu−Ti系(チタン銅)などの成分系の銅合金が適用できる。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a Cu-P alloy fine particle, a Cu-Sn alloy fine particle and a Cu-Sn-P alloy particle having suppressed dendrite formation by a reduction reaction in a liquid phase.例文帳に追加

液相で還元反応を行うことにより、デンドライト化が抑制されたCu−P合金微粒子、Cu−Sn合金微粒子、及びCu−Sn−P合金微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁


例文

This alloy casting has a composition containing 3.5 to 4.3% Cu, 5.0 to 7.5% Si, 0.10 to 0.25% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.0003% P, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

Cu:3.5〜4.3%,Si:5.0〜7.5%,Mg:0.10〜0.25%,Fe≦0.2%、P≦0.0003%を含有し、残部がAl及び不可避不純物とからなる事を特徴とする。 - 特許庁

The Cu sacrifice layer 20 is removed by etching to make the amorphous Ni-P film 8 into a beam structure.例文帳に追加

Cu犠牲層20をエッチングにより除去してアモルファスNi−P膜8を梁構造にする。 - 特許庁

The solder comprises Sn, Ag, and Cu, and P with a concentration in which crystallization does not occur after soldering is incorporated therein.例文帳に追加

SnとAgとCuとを含み、はんだ付後に晶出が起こらない濃度のPを含有させる。 - 特許庁

A CU (card unit) connected to a P machine (game machine) of an awarded point system stores the number of game balls usable for a game on the P machine.例文帳に追加

持点式のP台(遊技機)と接続されるCU(カードユニット)は、P台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

例文

A CU (card unit) connected to a P machine (gaming machine) using awarded points, stores the number of game balls used for a game on the P machine.例文帳に追加

持点式のP台(遊技機)と接続されるCU(カードユニット)は、P台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

例文

A CU (card unit) connected with a gained point type P machine (game machine) stores the number of game balls usable for a game in the P machine.例文帳に追加

持点式のP台(遊技機)と接続されるCU(カードユニット)は、P台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

A CU (card unit) connected to a P machine (gaming machine) using the awarded points, stores the number of game balls used for a game on the P machine.例文帳に追加

持点式のP台(遊技機)と接続されるCU(カードユニット)は、P台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

The Cu wiring 100 is formed with at least a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, or Ti with an amount not less than 0.1 wt.% and not larger than the maximum solid solubility limit for Cu.例文帳に追加

前記Cu配線100は、Ag、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つを0.1重量%以上、Cuに対する最大固溶限未満の範囲で含有するCu合金1で構成されている。 - 特許庁

To prevent blisters from being deposited in a P-SiN film, at or after the P-SiN film is deposited on a Cu embedded wiring.例文帳に追加

Cu埋め込み配線上へP−SiN膜を成膜した時あるいは成膜した後におけるブリスタ不良の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method for producing fine particles of a Cu-P alloy and fine particles of a Cu-Sn-P alloy, which reduces the formation of dendrite by conducting a reduction reaction in a liquid phase.例文帳に追加

液相で還元反応を行うことにより、デンドライト化が抑制されたCu−P合金微粒子、及びCu−Sn−P合金微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric element has a ZrCuSiAs type crystal structure, and the composition is shown as LnTPnO_x (Ln is rare earth, M is at least metal atom chosen from Fe, Ru, Os, Co, Ni and Cu, Pn is P, As or Sb, and x is a number of 1.1-0.5).例文帳に追加

ZrCuSiAs型結晶構造を持ち、かつ組成がLnTPnO_x(Lnは希土類を、MはFe,Ru,Os,Co,NiおよびCuから選ばれた少なくとも金属原子を、PnはP、AsまたはSbを、xは1.1〜0.5の数を示す)で示される熱電素子。 - 特許庁

The high Mn-contained molten metal can further contain by mass% of one or more elements selected in the group composed of ≤1% Si, ≤0.5% P, ≤0.5% S, ≤20% Cr, ≤1% Cu, and ≤10% Ni in stead of a part of Mn and Fe.例文帳に追加

高Mn含有溶融金属が,Mnおよび鉄の一部に代えて,Siを1質量%以下,Pを0.5質量%以下,Sを0.5質量%以下,Crを20質量%以下,Cuを1質量%以下およびNiを10質量%以下からなる群から選ばれた一種以上をさらに含有してもよい。 - 特許庁

The lead-free alloy for soldering has a composition containing, by weight, 0.2 to 2.5% silver (Ag), 0.1to 2.0% copper (Cu), 0.001 to 0.5% phosphorous (P) and 0.001 to 0.5% gallium (Ga), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

銀(Ag)0.2〜2.5重量%と銅(Cu)0.1〜2.0重量%と燐(P)0.001〜0.5重量%とガリウム(Ga)0.001〜0.5重量%及び残りは錫(Sn)から組成された半田付け用無鉛合金として構成した。 - 特許庁

A solder alloy containing 60 to 100 mass ppm P is fed to an Sn-Ag based or Sn-Ag-Cu based solder alloy for replenishing a solder bath against the reduction of a P content in the solder bath occurring in the process of the working of a jet, and the P content is retained.例文帳に追加

噴流稼働中に見られるはんだ浴内のP含有量の減少に対して、はんだ浴補充用にSn−Ag系またはSn−Ag−Cu系はんだ合金にP60〜100 質量ppm含有するはんだ合金を供給してP含有量の維持を図る。 - 特許庁

Such Sn-Cu-Bi-In-P-base leadless solder has not only a melting temperature relatively lower than the existing Sn-Ag-base and Sn-Cu-Ag-base leadless solder but lessens the production of dross in soldering and therefore the thermal damage on the electronic parts is lessened and the soldering work can be smoothly carried out in soldering semiconductors and electronic products.例文帳に追加

このようなSn−Cu−Bi−In−P系無鉛半田は既存のSn−Ag系やSn−Cu−Ag系無鉛半田に比べて比較的に低い溶融温度を有しているばかりでなく半田付けの際、ドロス(dross)発生が少ないので半導体や電子製品を半田付けするとき電子部品に熱損傷を少なくし、半田付け作業を円滑に行うことが出来る。 - 特許庁

An organic EL element is provided with a pixel circuit P which includes a light emitting element, a drive transistor, and a capacitive element, and a control circuit CU.例文帳に追加

有機EL装置は、発光素子と、駆動トランジスタと、容量素子とを含む画素回路Pと、制御回路CUとを備える。 - 特許庁

Cu wiring 100 formed at a groove 10a with a barrier metal layer 2 on a surface while being provided on an interlayer insulation film 10 formed on a semiconductor substrate 10 is composed by a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, and Ti.例文帳に追加

半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10に設けられ、表面にバリアメタル層2が形成された溝10aにCu配線100が形成されてなる。 - 特許庁

The Cu interconnection line is made of a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si and Ti dispersed from a seed layer 11 within the range from 0.1 wt.% to less than the maximum solid solution limit for Cu and particle diameters are large and grain boundaries are small.例文帳に追加

Cu配線は、シード層11から拡散されたAg、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つを0.1重量%以上、Cuに対する最大固溶限未満の範囲で含有するCu合金1で構成されており、粒径が大きく粒界が少ない。 - 特許庁

The brazing is performed by using Cu-P as a brazing material specially after applying a Cu-plating having15 μm film thickness on a base material of the steel material, such as the stainless steel.例文帳に追加

他にステンレス鋼等の鉄鋼材料の母材に膜厚15μm以上のCuメッキを施した後に、ロウ材としてCu−Pを用いてロウ付けする。 - 特許庁

The conductive terminal 111n includes an Ni plating 12 which is an Ni alloy composed of an Ni element as its main substance and containing a P element and a Cu base material 11 which is coated with the Ni plating 12 and composed of a Cu element as its main substance.例文帳に追加

導電端子111nは、Ni元素を基として組成されるNi合金であってP元素を含有するNiメッキ12と、Niメッキ12に被覆されCu元素を基として組成されるCu母材11とから成る。 - 特許庁

To provide a Cu-Mg-P-based copper alloy which has well-balanced and high levels of tensile strength and a spring deflection limit and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

引張り強さとばね限界値が高レベルでバランスの取れたCu−Mg−P系銅合金及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a silicon steel sheet containing 0.2 to 4.0% Cu is coated with an insulating film mainly made up of one or more kinds of inorganic compounds selected from among a P compound, an Al compound and an Si compound.例文帳に追加

Cuを 0.2%以上、 4.0%以下含有する電磁鋼板の表面に、P化合物、Al化合物およびSi化合物のうちから選んだ1種または2種以上の無機化合物を主体とする絶縁被膜を被覆する。 - 特許庁

The powder for a dust core has a composition comprising, by mass, 1 to 5% Cr, 2 to 7% Si and 0.1 to 2% Cu, and also satisfying Cr+Si+Cu+P+Al10%, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

質量%で、Cr:1〜5%、Si:2〜7%、Cu:0.1〜2%、かつ、Cr+Si+Cu+P+Al≦10%、残部Feおよび不可避的不純物からなることを特徴とする圧粉コア用粉末。 - 特許庁

To provide a reflow Sn-plated copper alloy material excellent in surface flatness and heat peeling resistance in a Cu-Ni-Sn-P-based copper alloy.例文帳に追加

Cu−Ni−Sn−P系銅合金において、表面平滑性および耐熱剥離性に優れたリフローSnめっき銅合金材料を提供する。 - 特許庁

This heat transfer pipe is formed of a copper alloy pipe having a composition which contains 0.3-8 mass% of P, and of which the residual part comprises Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

伝熱管は、Pを0.3乃至8質量%含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる組成を有する銅合金管からなる。 - 特許庁

An Ni-P layer 11 is inserted between a Cu layer 12 making up an external electrode 3 and a surface layer (Au layer) 10.例文帳に追加

外部電極3を構成するCu層12と表面層(Au層)10との間に、Ni−P層11を介在させる。 - 特許庁

An Ni-Cu-based brazing filler metal for a heat exchanger comprising, by weight, 5 to 15% Cu, 20 to 30% Cr, 3 to 5% Si and 3 to 6% P, and the balance Ni with inevitable impurities is used.例文帳に追加

重量%で、Cuが5〜15%、Crが20〜30%、Siが3〜5%、Pが3〜6%、残部がNiと不可避不純物よりなる熱交換器用Ni−Cu系ろう材を用いる。 - 特許庁

The Ni-Cr-Cu-Fe-based brazing material for a heat exchanger includes, by weight, 20 to 30% Cr, 5 to 15% Cu, 5 to 30% Fe, 3 to 6% Si, and 3 to 8% P with the balance being Ni and unavoidable impurities.例文帳に追加

重量%で、Crを20〜30%、Cuを5〜15%、Feを5〜30%、Siを3〜6%、Pを3〜8%、残部をNiと不可避不純物からなる熱交換器用Ni−Cr−Cu−Fe系ろう材である。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P-based copper alloy sheet which makes strength enhancement and excellent heat resistance compatible with each other.例文帳に追加

高強度化と優れた耐熱性とを両立させたCu−Fe−P系銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P copper alloy sheet in which the increase of strength and excellent oxide film adhesion are made consistent.例文帳に追加

高強度化と優れた酸化膜密着性とを両立させたCu−Fe−P系銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P type copper-alloy sheet which has increased strength and excellent platability and in which both of these characteristics are combined.例文帳に追加

高強度化させた上で、メッキ性にも優れ、これら特性を両立(兼備)させたCu−Fe−P系銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, even if the position or the attitude of the work W is changed by rotating the positioner P as shown in (b), the user coordinate system Cu can follow.例文帳に追加

このことによって、(b)のように、ポジショナPが回転してワークWの位置姿勢が変化したとしても、ユーザ座標系Cuが追従する。 - 特許庁

The copper covering 302 is coated with a low melting point four-element (Cu-Ni-P-Sn) paste-like brazing material 303.例文帳に追加

次いで、銅被覆302上に、低融点の4元系(Cu−Ni−P−Sn)のペースト状ろう材303が塗布される。 - 特許庁

(2); wherein P_CM denotes a value (mass%) obtained by prescribed relational formula; and [TS] denotes the measured value of tensile strength.例文帳に追加

W=1.3/{-0.1[Mn]+3[Cu]+2.5[Ni]+0.6[Mo]+0.3[Cr]+0.1}^0.5 … (1) Y=P_CM/{0.18+0.02[([TS]−570)/100]^2} … (2) 但し、P_CMは、所定の関係式で求められる値(質量%)であり、[TS]は、引張り強度実測値を示す。 - 特許庁

From the P machine to the CU, information about the number of added balls according to a winning or the like and the number of subtracted balls according to shot balls is periodically transmitted.例文帳に追加

P台からCUに対して、入賞等に応じた加算玉数および弾球に応じた減算玉数の情報を定期的に送信する。 - 特許庁

In the tinned strip of Cu-Sn-P-based alloy comprising, as a base material, a Cu-based alloy containing Sn in an amount of 1-12 mass% and P in an amount of 0.01-0.35 mass%, the C-concentration in the boundary face between a plated layer and the base material is adjusted to be ≤0.10 mass%.例文帳に追加

1〜12質量%のSn及び0.01〜0.35質量%のPを含有する銅基合金を母材とするCu−Sn−P系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるC濃度を0.10質量%以下に調整する。 - 特許庁

In the electric wire conductor for the wire harness constituted of a wire material of a copper alloy, the copper alloy contains by weight ratio 2% or more and 6% or less of Sn, 10 ppm or more and less than 300 ppm of P, and 1 ppm or more and 50 ppm or less of oxygen, with the balance comprising Cu and impurities.例文帳に追加

銅合金の線材から構成されるワイヤーハーネス用電線導体であり、銅合金が、質量割合で、Snを2%以上6%以下、Pを10ppm以上300ppm未満、酸素を1ppm以上50ppm以下含有し、残部がCu及び不純物からなる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Cuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層として、Si/N組成比が0.75以下のP−SiN膜12またはP−SiON膜を用いる。 - 特許庁

The copper-zinc alloy plating bath preferably satisfies a P ratio of 3.0 to 7.0 represented by a formula: P ratio = mass of P_2O_7/(mass of Cu + mass of Zn).例文帳に追加

銅−亜鉛合金めっき浴は、下記式、 P比=P_2O_7の質量/(Cuの質量+Znの質量)で表わされるP比が3.0〜7.0を満足することが好ましい。 - 特許庁

A photoresist 22 is formed thereon, an amorphous Ni-P film 8 is accumulated on the substrate 1 including the Cu-sacrifice layer 20 by electroless plating method (electroless Ni-P plating).例文帳に追加

フォトレジスト22を形成した後、Cu犠牲層20上を含む基板1上に、無電解メッキ法(無電解Ni−Pメッキ)によりアモルファスNi−P膜8を堆積する。 - 特許庁

Ni-P making up such a Ni-P layer 11 shows excellent adhesion for both Cu and Au, and can effectively prevent Au from being diffused.例文帳に追加

かかるNi−P層11を構成するNi−Pは、CuおよびAuの両者に対して優れた密着性を示し、また、Auの拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

The bearing of a motor type fuel pump is consisting of a graphite dispersed Cu based sintered alloy having a composition containing, by mass, 20 to 40% Ni, 0.1 to 0.9% P and 1 to 8% C, and the balance Cu with inevitable impurities, and having a porosity of 5 to 25%.例文帳に追加

モータ式燃料ポンプの軸受を、質量%で、Ni:20〜40%、P:0.1〜0.9%、C:1〜8%、を含有し、残りがCuと不可避不純物からなる組成、並びに5〜25%の気孔率を有する黒鉛分散型Cu基焼結合金で構成する。 - 特許庁

The bearing of a motor type fuel pump is composed of a graphite dispersion type Cu base sintered alloy having a composition containing, by mass, 10 to 25% Zn, 10 to 25% Ni, 0.1 to 0.9% P, 1 to 8% C, and the balance Cu with inevitable impurities and a porosity of 5 to 25%.例文帳に追加

モータ式燃料ポンプの軸受を、質量%で、Zn:10〜25%、Ni:10〜25%、P :0.1〜0.9%、C :1〜8%、を含有し、残りがCuと不可避不純物からなる組成、並びに5〜25%の気孔率を有する黒鉛分散型Cu基焼結合金で構成する。 - 特許庁

In order to reduce the temperature of the center electrode, and restrain the spark consumption of the center electrode, a heat radiation promoting metal part 2m, made of Cu or an alloy including Cu as a main component, is formed at the position having a distance L_3 of 1.5 mm from the peak P of the convex part, in the direction toward the rear side of the axis line.例文帳に追加

一方、その凸部頂点Pから軸線方向後方側における距離L_3が1.5mmの位置において、中心電極2の温度を低減させ、火花消耗を抑えるためにCu又はCuを主体とする合金にて構成される放熱促進用金属部2mが存在する。 - 特許庁

例文

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板1上に、Ni及びPを含むバリアメタル層3と、該バリアメタル層3上に設けられ、少なくともCuを含有するバンプ5とを有した半導体素子において、前記バンプ5はCu含有率が大きい下層バンプ5aと、該下層バンプ5aよりもCu含有率が小さい上層バンプ5bとを備えている。 - 特許庁

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