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active-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7476件
An organic memory device 100 includes an organic active layer 20 containing an iridium organometallic compound and a conductive polymer between a first electrode 10 and a second electrode 30.例文帳に追加
第1電極10と第2電極30との間にイリジウム有機金属化合物及び伝導性高分子を含む有機活性層20を含んで有機メモリ素子100を構成する。 - 特許庁
The positive electrode for the lithium-ion secondary battery includes: a positive electrode active material containing a lithium composite oxide; a positive electrode mixture layer containing a conductive material and a binder; and a current collector.例文帳に追加
リチウム複合酸化物を含む正極活物質、導電材及び結着剤を含有する正極合剤層と集電体を備えるリチウムイオン二次電池用正極である。 - 特許庁
Hydrocarbons which are liable to caulk are suppressed from reaching the catalyst layer 2 by the zeolite film 3, and this suppress deactivation of the active points in the catalyst due to the coating by carbon.例文帳に追加
ゼオライト膜3によって、コーキングしやすい炭化水素が触媒本体層2に到達するのが抑制され、触媒の活性点が炭素で覆われて失活するのが抑制される。 - 特許庁
The precursor for the positive electrode active material is formed by coating the surface of the nickel-cobalt compound hydroxide particles with a sodium-containing cobalt compound layer containing an amorphous part.例文帳に追加
本発明の正極活物質用前駆体は、ニッケルコバルト複合水酸化物粒子の表面が非晶質部分を含むナトリウム含有コバルト化合物層で被覆されているものからなる。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor laser element capable of ensuring the heat dissipation of a ridge and suppressing compressive strain occurring in an active layer right under the ridge, and a method for manufacturing the laser element.例文帳に追加
リッジの放熱性を確保するとともに、リッジ直下の活性層に発生する圧縮歪みを抑制することができる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A negative electrode binder contains polyimide, and the content of polyimide in the negative electrode active substance layer 2 is within a range of not less than 5 wt.% and not more than 30 wt.%.例文帳に追加
また、負極結着剤はポリイミドを含んでおり、負極活物質層2中におけるポリイミドの含有量は5重量%以上30重量%以下の範囲内である。 - 特許庁
An active pixel circuit using a thin film transistor TFT is formed on a main surface of a glass substrate SUB and an interlayer insulating film IL is formed as a layer above the pixel circuit.例文帳に追加
ガラス基板SUBの主面に薄膜トランジスタTFTを用いたアクティブな画素回路が作り込まれ、この画素回路の上層には層間絶縁膜ILが成膜されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with excellent heat dissipation and high reliability, which is manufactured by mounting an active element including a nitride semiconductor on a metal layer.例文帳に追加
金属層上に窒化物半導体を含む能動素子を搭載することによって製造される半導体装置であって、放熱性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery, which is provided with an electrode active material layer capable of suppressing deterioration in cycle characteristics of the battery due to a reaction between lithium and water.例文帳に追加
リチウムと水との反応に起因する電池のサイクル特性の低下を抑制可能な電極活物質層を備えた非水電解液二次電池用電極板を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor element, in which the absorption of visible light of a semiconductor active layer is prevented and a thin film transistor and a light-emitting element are formed easily.例文帳に追加
半導体活性層の可視光の吸収を防止することができるとともに、薄膜トランジスタと発光素子とを容易に形成することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁
The positive electrode of a lithium secondary battery comprises a positive electrode collector composed of a conductive substance, and a positive electrode active material layer consisting of a sintered plate body of lithium composite oxide.例文帳に追加
本発明の、リチウム二次電池の正極は、導電性物質からなる正極集電体と、リチウム複合酸化物焼結体板からなる正極活物質層と、を備えている。 - 特許庁
The positive electrode constituting the lithium secondary cell has a positive electrode collector mainly consisting of aluminum and the positive electrode active material layer formed on the positive electrode collector.例文帳に追加
本発明により提供されるリチウム二次電池を構成する正極は、アルミニウムを主体とする正極集電体と、該集電体上に形成された正極活物質層とを備える。 - 特許庁
To provide a method for forming an atomic layer of metal oxide by making a substrate absorb chemically an organometallic complex having a ligand of β-diketone, and oxidizing it with free radicals of active oxygen.例文帳に追加
β−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を基板に化学吸着させ、これを活性酸素ラジカルで酸化させて金属酸化物原子層を形成させる方法を提供する。 - 特許庁
By adding a silicon nitride layer 306, rigidity significantly increases and cracking or other damage is prevented from propagated into the active circuit present on the lower side.例文帳に追加
また窒化シリコン層306を付加することにより、堅牢性が著しく増加し、且つ亀裂又はその他の損傷が下側に存在するアクティブ回路内へ伝搬することを防止する。 - 特許庁
Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2.例文帳に追加
次に、フォトレジスト3と層間絶縁膜2とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁
This can perform an anneal of the silica film used as active layer by the line laser beam improved in a uniformity of irradiated energy density in the longitudinal direction.例文帳に追加
このようにすることで、長手方向における照射エネルギー密度の均一性を向上させた線状レーザー光により、活性層となる珪素膜をアニールすることが可能となる。 - 特許庁
The hard coat layer consists preferably of a cured material of a covering composition (a) containing a compound having ≥1 polymerizable functional group having an active energy beam-curing property as a curing component.例文帳に追加
前記ハードコート層は硬化性成分として活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を1個以上有する化合物を含む被覆組成物(a)の硬化物からなることが好ましい。 - 特許庁
The cathode active material layer 21B contains as a binding agent a polymer having a specific viscosity of 2.0dl/g or more and 10dl/g or less and also containing vinylidene fluoride as an ingredient.例文帳に追加
正極活物質層21Bは、結着剤として、固有粘度が2.0dl/g以上10dl/g以下であり、かつフッ化ビニリデンを成分として含む重合体を含有している。 - 特許庁
A driver is driven by the TFTs 45 for the driving circuits each having the active layer 45c formed of the non-oxide semiconductor having high field-effect mobility, so high-speed driving becomes possible.例文帳に追加
ドライバを電界効果移動度が高い非酸化物半導体によって形成した活性層45cを有する駆動回路用TFT45により駆動できるので、高速駆動が可能になる。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device capable of outputting laser beams by reducing the divergence angle in the axial direction of throw of the laser beam emitted from each active layer of a semiconductor laser array.例文帳に追加
半導体レーザアレイの各活性層から出射されたレーザ光のスロー軸方向の拡がり角を小さくして、レーザ光を出力することができる半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
A gate insulating film 6, a gate electrode 7, and an active region 5 functioning as a diode are provided on a silicon substrate and a first interlayer insulation layer 10 is formed by plasma process.例文帳に追加
シリコン基板上に、ゲート絶縁膜6、ゲート電極7及びダイオードとして機能する活性領域5を設け、プラズマプロセスによって第1の層間絶縁層10を形成する。 - 特許庁
To obtain an active layer and an element structure having excellent light emitting efficiency in a short wavelength region of 380 nm in a semiconductor element, particularly in a light emitting element using a nitride semiconductor and a laser element.例文帳に追加
半導体素子、特に窒化物半導体を用いた発光素子、レーザ素子において、380nmの短波長域における発光効率に優れた活性層、及び素子構造を実現する。 - 特許庁
In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置10では、第1の幅W1を有する活性領域12が、半導体基板11の主面に形成された素子分離層13で分離されている。 - 特許庁
To provide a solar cell which includes an active layer containing an electron donating organic compound and compound semiconductor particles, and whose optical conversion characteristic is improved.例文帳に追加
電子供与性有機化合物と化合物半導体粒子とを含有する活性層を含む有機太陽電池において、その光電変換特性を向上した有機太陽電池を提供する。 - 特許庁
It is then irradiated with hydrogen plasma or hydrogen active species, containing hydrogen radicals and unnecessary concurrent capturing resin film 1a on the surface of the cap layer 16 is removed by etching thus forming a dummy plug 2.例文帳に追加
そして、水素プラズマあるいは水素ラジカルを含む水素活性種を照射し、キャップ層16表面の不要な捕獲兼用樹脂膜1aをエッチング除去してダミープラグ2を形成する。 - 特許庁
The activator layer 2 contains active material particles 2a with high lithium compound forming capacity, having capacity higher than that of graphite, and particles 2b of carbon based material or rubber like material.例文帳に追加
活物質層2は、リチウム化合物の形成能が高く且つグラファイトよりも高容量を有する活物質の粒子2aと、炭素系材料又はゴム状材料の粒子2bとを含む。 - 特許庁
To enhance high-temperature durability (high-temperature storage characteristics) in a nonaqueous electrolyte secondary battery using a lithium transition metal composite oxide having layer structure as a positive active material.例文帳に追加
層状構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物を正極活物質として用いた非水電解質二次電池において、高温耐久性(高温保存特性)を高める。 - 特許庁
To provide ultra shallow junction having a low resistance, which is an electrically active layer, without crystal defects by having a semiconductor substrate surface irradiated with a laser pulse obtained by optimizing the pulse waveform.例文帳に追加
パルス波形を最適化したレーザパルスを半導体基板表面に照射することにより、結晶欠陥のなく電気的に活性な層である低抵抗の極浅接合を得る。 - 特許庁
To prevent warping of a substrate or occurrence of a missing part in a semiconductor film by not performing sacrifice oxidation when the semiconductor film becoming an active layer is made thin.例文帳に追加
本発明は、能動層となる半導体膜を薄膜化する際に犠牲酸化を行なわないようにし、基板の反りや半導体膜への欠損部の発生を防止することを目的とする。 - 特許庁
The surface protective layer 9 is formed using an active energy beam curable solventless coating agent in place of the aqueous coating agent.例文帳に追加
また、表面保護層9については、上記水性塗工剤で形成する代わりに、活性エネルギー線硬化性の無溶剤型塗工剤で形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
The multi-layer sheet is a laminated body including a composite film containing a urethane polymer and a vinyl polymer as active ingredients, and a film comprising a different type of material from the composite film.例文帳に追加
多層シートは、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとを有効成分として含有する複合フィルムと、この複合フィルムとは異なる材料からなるフィルムとを有する積層体である。 - 特許庁
To achieve broader bandwidth by improving a current channel in a semiconductor laser element having a structure in which a diffraction grating is disposed between a semiconductor substrate and an active layer.例文帳に追加
半導体基板と活性層との間に回折格子が配置された構成を備える半導体レーザ素子において、電流の流路を改善することにより広帯域化を可能とする。 - 特許庁
A first spacer layer 28 is on at least part of the active region surface between a gate electrode 24 and a drain electrode 22 and between the gate electrode 24 and a source electrode 20.例文帳に追加
第1のスペーサ層28が、ゲート電極24とドレイン電極22との間、およびゲート電極24とソース電極20との間の活性領域の表面の少なくとも一部の上にある。 - 特許庁
Light is emitted from the ZnO (active layer) 15 by forming electrodes 23/21 to the respective barrier layers 11/17 and applying voltage between the both electrodes 23/21.例文帳に追加
それぞれのバリア層11・17に対して電極23・21を形成し、両電極23・21間に電圧を印加することにより、ZnO(活性層)15からの発光が得られる。 - 特許庁
To provide a negative electrode for a lithium ion secondary battery by which deformation of a current collector or exfoliation of a negative electrode active material layer from the current collector can be suppressed effectively.例文帳に追加
集電体の変形、または集電体からの負極活物質層の剥離を効果的に抑制することができる、リチウムイオン二次電池用負極を提供することを目的とする。 - 特許庁
One semiconductor film 206c is then patterned to form a semiconductor film becoming an active layer and the other semiconductor film 206d is patterned to form a gate electrode.例文帳に追加
そして、一方の半導体膜206cをパターニングして能動層となる半導体膜を形成するとともに、他方の半導体膜206dをパターニングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁
The positive electrode active material particles for an all-solid battery which contains a sulfide-based solid electrolyte are coated with a reaction-inhibiting layer containing carbon.例文帳に追加
硫化物系固体電解質を含む全固体電池用の正極活物質粒子であって、カーボンを含有する反応抑制層によりコーティングされている正極活物質粒子。 - 特許庁
A positive electrode plate was obtained using a lithium manganate powder wherein lithium manganate of a layer structure and lithium manganate of a spinel structure are compounded to a positive electrode active material at a weight ratio of 55:45.例文帳に追加
正極活物質に、層状構造マンガン酸リチウムとスピネル構造マンガン酸リチウムを重量比55:45で配合したマンガン酸リチウム粉末を用いて正極板を得た。 - 特許庁
To provide a field effect transistor for securing ohmic contact between source and drain electrodes while protecting an active layer of an oxide semiconductor and suppressing variations in a threshold.例文帳に追加
酸化物半導体の活性層が保護されるとともにソース電極及びドレイン電極とのオーミックコンタクトが確保され、閾値変動が抑制される電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁
A coating 13 containing at least one kind among a group comprising an oligomer having a polyene structure or its derivative is provided on the surface of a negative electrode active material layer 12.例文帳に追加
負極活物質層12の表面に、ポリエン構造を有するオリゴマーあるいはその誘導体からなる群のうちの少なくとも1種を含む被膜13が設けられている。 - 特許庁
To provide an epitaxial wafer capable of suppressing the diffusion of a p-type dopant to an active layer during crystalline growth or LED energization, and to provide a semiconductor luminescent device using the wafer.例文帳に追加
結晶成長時又はLED通電時のp型ドーパントの活性層への拡散を抑制することが可能なエピタキシャルウェハ及びそのウェハを用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
A surface-emitting laser element includes: a resonator structure including an active layer 105, and a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107 which are disposed through the resonator structure.例文帳に追加
活性層105を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体DBR103と上部半導体DBR107を備えている。 - 特許庁
Subsequently, higher charge carrier concentrations can be established at a position distant from the interface between the gate oxide and the epitaxial layer by implanting an appropriate dopant to the active regions.例文帳に追加
次に、能動領域に適切なドーパントを注入することにより、ゲート酸化物とエピタキシャル層との境界から離れた位置に高濃度の電荷キャリアを生じさせることができる。 - 特許庁
In the active layer in which the electron donating organic compound and compound semiconductor particles working as electron acceptors are mixed, InP having a small band gap is adopted as the compound semiconductor.例文帳に追加
電子供与性有機化合物と、電子受容体である化合物半導体粒子を混合した活性層において、化合物半導体として小さなバンドギャップを有するInPを用いる。 - 特許庁
A first conductivity-type gallium nitride-based semiconductor region 13, the active layer 17, and a second conductivity-type gallium nitride-based semiconductor region 15 are disposed in a predetermined axis Ax direction.例文帳に追加
第1導電型窒化ガリウム系半導体領域13、活性層17および第2導電型窒化ガリウム系半導体領域15は、所定の軸Axの方向に配列されている。 - 特許庁
When a potential difference is imparted between the electrodes 19 and 18, a part sandwiched by the electrodes 12 and 14 is displaced as an active part A in each piezoelectric layer 13, 15.例文帳に追加
そのため、電極19と電極18との間に電位差を与えると、各圧電体層13,15において電極12と電極14とで挟まれた部分が活性部Aとして変位する。 - 特許庁
The p^+-type semiconductor area 41 is separated from a body area 48 and semiconductor substrate 22 by the semiconductor active layer 24, and is electrically connected with a drain electrode D.例文帳に追加
p^+型半導体領域41は、半導体活性層24によってボディ領域48及び半導体基板22から隔てられており、ドレイン電極Dに電気的に接続している。 - 特許庁
The negative electrode active material, containing metal nanocrystal composites, comprising metal nanocrystals having a particle diameter of about 20 nm or smaller and a carbon coating layer, formed on a surface of the metal monocrystal, are provided.例文帳に追加
粒径20nm以下の金属ナノ結晶と、金属ナノ結晶の表面上に形成された炭素コーティング層とからなる金属ナノ結晶複合体を含む負極活物質である。 - 特許庁
This is the carbon active material for the lithium secondary battery containing a thin film or a cluster layer of metal or metal oxide in which coating of a thickness of 1 to 300 nm is applied to the carbon surface.例文帳に追加
炭素表面に1〜300nm厚さでコーティングした金属、又は金属酸化物の薄膜若しくはクラスター層を含むことを特徴とするリチウム二次電池用炭素活物質である。 - 特許庁
The thin-film transistor substrate includes a base substrate 110, a gate electrode G, a gate insulating film 120, a first surface treatment film 130, an active layer A, a source electrode S and a drain electrode D.例文帳に追加
薄膜トランジスタ基板は、ベース基板110、ゲート電極G、ゲート絶縁膜120、第1表面処理膜130、活性層A、ソース電極S、及びドレイン電極Dを含む。 - 特許庁
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